Продукція > UMW > FDP036N10A
FDP036N10A

FDP036N10A UMW

5fa52e0bc1980e575636859e2bf25630.pdf Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220
Packaging: Tube
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.05 грн
10+75.07 грн
100+50.26 грн
500+37.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP036N10A UMW

Description: ONSEMI - FDP036N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 333W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FDP036N10A за ціною від 182.71 грн до 490.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDP036N10A FDP036N10A Виробник : ON Semiconductor fdp036n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+199.04 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10A FDP036N10A Виробник : ON Semiconductor fdp036n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+280.14 грн
10+279.01 грн
25+207.13 грн
100+188.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10A FDP036N10A Виробник : ON Semiconductor fdp036n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+288.06 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10A FDP036N10A Виробник : ON Semiconductor fdp036n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
41+301.69 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10A FDP036N10A Виробник : ON Semiconductor fdp036n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+373.77 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10A FDP036N10A Виробник : onsemi / Fairchild FDP036N10A_D-1808428.pdf MOSFETs PT5 NCH 100V 3.6Mohm PowerTrench MOSFET
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+460.65 грн
10+439.72 грн
25+226.04 грн
100+206.23 грн
250+201.82 грн
500+199.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10A FDP036N10A Виробник : ONSEMI 2907385.pdf Description: ONSEMI - FDP036N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+490.68 грн
10+364.72 грн
100+238.76 грн
500+182.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10A Виробник : Fairchild/ON Semiconductor fdp036n10a-d.pdf 5fa52e0bc1980e575636859e2bf25630.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 120 А; Ptot, Вт = 227; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 7295 @ 25; Qg, нКл = 116 @ 10 В; Rds = 3,6 мОм @ 75 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10A FDP036N10A
Код товару: 94301
Додати до обраних Обраний товар

fdp036n10a-d.pdf 5fa52e0bc1980e575636859e2bf25630.pdf
8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10A FDP036N10A Виробник : ON Semiconductor fdp036n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10A FDP036N10A Виробник : ON Semiconductor 4268339172223759fdp036n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10A Виробник : ONSEMI fdp036n10a-d.pdf 5fa52e0bc1980e575636859e2bf25630.pdf FDP036N10A THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10A FDP036N10A Виробник : onsemi fdp036n10a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.