Продукція > FDP > FDP036N10A

FDP036N10A

fdp036n10a-d.pdf
Код товару: 94301
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDP036N10A за ціною від 160.76 грн до 464.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDP036N10A FDP036N10A ON Semiconductor fdp036n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+236.69 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10A FDP036N10A ON Semiconductor fdp036n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+247.43 грн
10+242.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10A FDP036N10A ON Semiconductor fdp036n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+247.43 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10A FDP036N10A ON Semiconductor fdp036n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+256.65 грн
100+252.70 грн
500+239.15 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10A FDP036N10A ON Semiconductor fdp036n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+256.65 грн
100+252.70 грн
500+239.15 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10A FDP036N10A ONSEMI fdp036n10a-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 214A; Idm: 856A; 333W; TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 214A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 3.6mΩ
Pulsed drain current: 856A
Power dissipation: 333W
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+400.20 грн
10+289.51 грн
50+274.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10A FDP036N10A onsemi fdp036n10a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V
на замовлення 3056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+430.39 грн
10+278.61 грн
50+220.57 грн
100+189.47 грн
500+160.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10A FDP036N10A onsemi fdp036n10a-d.pdf MOSFETs PT5 NCH 100V 3.6Mohm PowerTrench MOSFET
на замовлення 4073 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10A FDP036N10A ONSEMI 2907385.pdf Description: ONSEMI - FDP036N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10A Fairchild/ON Semiconductor FDP036N10A_Fairchild.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 120 А, Ptot, Вт = 227, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 7295 @ 25, Qg, нКл = 116 @ 10 В, Rds = 3,6 мОм @ 75 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB-3 Од. вим: ш
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
50+464.27 грн
100+397.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10A fdp036n10a-d.pdf
FDP036N10A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+236.69 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10A fdp036n10a-d.pdf
FDP036N10A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+247.43 грн
10+242.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10A fdp036n10a-d.pdf
FDP036N10A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
58+247.43 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10A fdp036n10a-d.pdf
FDP036N10A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+256.65 грн
100+252.70 грн
500+239.15 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10A fdp036n10a-d.pdf
FDP036N10A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
55+256.65 грн
100+252.70 грн
500+239.15 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10A fdp036n10a-d.pdf
FDP036N10A
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 214A; Idm: 856A; 333W; TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 214A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 3.6mΩ
Pulsed drain current: 856A
Power dissipation: 333W
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+400.20 грн
10+289.51 грн
50+274.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10A fdp036n10a-d.pdf
FDP036N10A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V
на замовлення 3056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+430.39 грн
10+278.61 грн
50+220.57 грн
100+189.47 грн
500+160.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10A fdp036n10a-d.pdf
FDP036N10A
Виробник: onsemi
MOSFETs PT5 NCH 100V 3.6Mohm PowerTrench MOSFET
на замовлення 4073 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10A 2907385.pdf
FDP036N10A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP036N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10A FDP036N10A_Fairchild.pdf
Виробник: Fairchild/ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 120 А, Ptot, Вт = 227, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 7295 @ 25, Qg, нКл = 116 @ 10 В, Rds = 3,6 мОм @ 75 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB-3 Од. вим: ш
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+464.27 грн
100+397.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.