Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDP036N10A

FDP036N10A ON Semiconductor

Name: FDP036N10A
Brand: ON Semiconductor
SKU: 27556781-5
Price: 12945.96 UAH
Availability: InStock

Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
108+	119.87 грн

Мінімальне замовлення: 108

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис FDP036N10A ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDP036N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 333W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDP036N10A за ціною від 30.89 грн до 461.46 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

FDP036N10A

Виробник : UMW

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220
Packaging: Tube

на замовлення 2174 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	121.86 грн
10+	74.27 грн
100+	49.69 грн
500+	36.74 грн
1000+	33.56 грн
2000+	30.89 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDP036N10A

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
800+	219.39 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

FDP036N10A

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
800+	233.96 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

FDP036N10A

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
55+	235.26 грн
100+	231.64 грн
500+	219.22 грн

Мінімальне замовлення: 55

В кошику од. на суму грн.

FDP036N10A

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
50+	252.07 грн
100+	248.19 грн
500+	234.88 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

FDP036N10A

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	252.99 грн
6+	136.75 грн
10+	131.21 грн
100+	126.17 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDP036N10A

Виробник : ONSEMI

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 214A; Idm: 856A; 333W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 214A
Pulsed drain current: 856A
Power dissipation: 333W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

на замовлення 140 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	397.68 грн
10+	287.68 грн
50+	272.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDP036N10A

Виробник : onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V

на замовлення 3874 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	426.89 грн
50+	218.23 грн
100+	199.61 грн
500+	156.72 грн
1000+	152.93 грн

В кошику од. на суму грн.

FDP036N10A

Виробник : onsemi

MOSFETs PT5 NCH 100V 3.6Mohm PowerTrench MOSFET

на замовлення 2250 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	428.03 грн
10+	226.63 грн
100+	181.00 грн
500+	174.01 грн

В кошику од. на суму грн.

FDP036N10A

Виробник : ONSEMI

Description: ONSEMI - FDP036N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 310 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	461.46 грн
10+	260.89 грн
100+	238.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDP036N10A

Виробник : Fairchild/ON Semiconductor

N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 120 А; Ptot, Вт = 227; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 7295 @ 25; Qg, нКл = 116 @ 10 В; Rds = 3,6 мОм @ 75 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB-3

на замовлення 10 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDP036N10A
Код товару: 94301

Додати до обраних Обраний товар

8542 39 90 00

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.