Продукція > FDP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDP-1000 | Panasonic Industrial Automation Sales | Description: PROTECT TUBE M6 DIF. FIBER 1M | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP-14-T | Adam Tech | Headers & Wire Housings 14P DIP PLUG TIN PLATED | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP-1500 | Panasonic Industrial Automation Sales | Description: PROTECT TUBE M6 DIF. FIBER 1.5M Packaging: Box For Use With/Related Products: FX-300 Series Accessory Type: Protective Tube | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP-1500 | Panasonic Industrial Automation | Sensor Fixings & Accessories PROTECTIVE TUBE FOR M6 DIF. FIBER, 1.5M LENGTH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP-16-T | Adam Tech | Headers & Wire Housings 16pos. DIP Plug .100 x .300 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP-16-T | Adam Technologies | Conn IDC Connector M 16 POS 1.27mm Solder RA Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP-24-T | Adam Technologies | Conn IDC Connector PL 24 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP-24-T | Adam Tech | Headers & Wire Housings 24pos. DIP Plug .100 x .600 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP-308-T | Adam Tech | Description: PLUG FLAT CABLE IDC 8P 2.54MM PI Features: Feed Through Packaging: Tray Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header Contact Finish: Tin Color: Black Mounting Type: Through Hole Number of Positions: 8 Row Spacing: 0.300" (7.62mm) Cable Termination: IDC Cable Pitch: 0.050" (1.27mm) Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP-308-T | Adam Technologies | FDP-308-T | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP-308-T | Adam Tech | Headers & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 8P 2.54MM PI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP-310-T | Adam Tech | Description: PLUG FLAT CABLE IDC 10P 2.54MM P Features: Feed Through Packaging: Tray Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header Contact Finish: Tin Color: Black Mounting Type: Through Hole Number of Positions: 10 Row Spacing: 0.300" (7.62mm) Cable Termination: IDC Cable Pitch: 0.050" (1.27mm) Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP-310-T | Adam Tech | Headers & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 10P 2.54MM P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP-310-T | Adam Technologies | Conn IDC Connector PL 10 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP-314-G | Adam Technologies | CONNECTOR, IDC DIP PLUG | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP-314-SG | Adam Technologies | CONNECTOR, IDC DIP PLUG | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP-314-T | Adam Tech | Description: PLUG FLAT CABLE IDC 14P 2.54MM P Packaging: Tray Features: Feed Through Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header Contact Finish: Tin Color: Black Mounting Type: Through Hole Number of Positions: 14 Row Spacing: 0.300" (7.62mm) Cable Termination: IDC Cable Pitch: 0.050" (1.27mm) Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | на замовлення 1981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP-314-T | Adam Tech | Headers & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 14P 2.54MM P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP-314-T | Adam Technologies | Conn IDC Connector PL 14 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP-314-T | Adam Technologies | FDP-314-T | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP-316-SG | Adam Technologies | FDP-316-SG | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP-316-T | Adam Tech | Headers & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 16P 2.54MM P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP-316-T | Adam Tech | Description: PLUG FLAT CABLE IDC 16P 2.54MM P Features: Feed Through Packaging: Tray Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header Contact Finish: Tin Color: Black Mounting Type: Through Hole Number of Positions: 16 Row Spacing: 0.300" (7.62mm) Cable Termination: IDC Cable Pitch: 0.050" (1.27mm) Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | на замовлення 782 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP-316-T | Adam Technologies | Conn IDC Connector PL 16 POS 1.27mm Solder RA Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP-318-T | Adam Technologies | Flat Cable IDC Plug 18P 2.54mm Pitch | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP-318-T | Adam Tech | Description: PLUG FLAT CABLE IDC 18P 2.54MM P Features: Feed Through Packaging: Tray Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header Contact Finish: Tin Color: Black Mounting Type: Through Hole Number of Positions: 18 Row Spacing: 0.300" (7.62mm) Cable Termination: IDC Cable Pitch: 0.050" (1.27mm) Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | на замовлення 131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP-318-T | Adam Technologies | Conn IDC Connector PL 18 POS 1.27mm Solder RA Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP-318-T | Adam Tech | Headers & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 18P 2.54MM P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP-320-T | Adam Tech | Description: PLUG FLAT CABLE IDC 20P 2.54MM P Features: Feed Through Packaging: Tray Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header Contact Finish: Tin Color: Black Mounting Type: Through Hole Number of Positions: 20 Row Spacing: 0.300" (7.62mm) Cable Termination: IDC Cable Pitch: 0.050" (1.27mm) Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | на замовлення 963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP-320-T | Adam Tech | Headers & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 20P 2.54MM P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP-320-T | Adam Technologies | Flat Cable IDC Plug 20P 2.54mm Pitch | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP-324-T | Adam Technologies | Conn IDC Connector PL 24 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP-324-T | Adam Tech | Description: PLUG FLAT CABLE IDC 24P 2.54MM P Packaging: Tray Features: Feed Through Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header Contact Finish: Tin Color: Black Mounting Type: Through Hole Number of Positions: 24 Row Spacing: 0.300" (7.62mm) Cable Termination: IDC Cable Pitch: 0.050" (1.27mm) Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP-324-T | Adam Tech | Headers & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 24P 2.54MM P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP-328-T | Adam Tech | Description: PLUG FLAT CABLE IDC 28P 2.54MM P Packaging: Tray Features: Feed Through Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header Contact Finish: Tin Color: Black Mounting Type: Through Hole Number of Positions: 28 Row Spacing: 0.300" (7.62mm) Cable Termination: IDC Cable Pitch: 0.050" (1.27mm) Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP-328-T | Adam Tech | Headers & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 28P 2.54MM P | на замовлення 216 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP-328-T | Adam Technologies | Flat Cable IDC Plug 28P 2.54mm Pitch | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP-334-T | Adam Technologies | Conn IDC Connector PL 34 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP-40-T | Adam Tech | Headers & Wire Housings 40pos. DIP Plug .100 x .600 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP-500 | Panasonic Industrial Automation Sales | Description: PROTECT TUBE M6 DIF. FIBER 500MM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP-624-T | Adam Tech | Description: PLUG FLAT CABLE IDC 24P 2.54MM P Features: Feed Through Packaging: Tray Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header Contact Finish: Tin Color: Black Mounting Type: Through Hole Number of Positions: 24 Row Spacing: 0.600" (15.24mm) Cable Termination: IDC Cable Pitch: 0.050" (1.27mm) Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm) Number of Rows: 2 | на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP-624-T | Adam Tech | Headers & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 24P 2.54MM P | на замовлення 209 шт: термін постачання 149-158 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP-624-T | Adam Technologies | Conn IDC Connector PL 24 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP-624-T | Adam Technologies | Flat Cable IDC Plug 24P 2.54mm Pitch | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP-628-T | Adam Technologies | Conn IDC Connector PL 28 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP-628-T | Adam Tech | Headers & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 28P 2.54MM P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP-628-T | Adam Technologies | Conn IDC Connector PL 28 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP-628-T | Adam Technologies | Conn IDC Connector PL 28 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP-628-T | Adam Technologies | Conn IDC Connector PL 28 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole | на замовлення 660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP-628-T | Adam Tech | Description: PLUG FLAT CABLE IDC 28P 2.54MM P Packaging: Tray Features: Feed Through Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header Contact Finish: Tin Color: Black Mounting Type: Through Hole Number of Positions: 28 Row Spacing: 0.600" (15.24mm) Cable Termination: IDC Cable Pitch: 0.050" (1.27mm) Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | на замовлення 222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP-632-T | Adam Technologies | Conn IDC Connector PL 32 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP-632-T | Adam Tech | Description: PLUG FLAT CABLE IDC 32P 2.54MM P Packaging: Tray Features: Feed Through Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header Contact Finish: Tin Color: Black Mounting Type: Through Hole Number of Positions: 32 Row Spacing: 0.600" (15.24mm) Cable Termination: IDC Cable Pitch: 0.050" (1.27mm) Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP-632-T | Adam Tech | Headers & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 32P 2.54MM P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP-632-T | Adam Technologies | Conn IDC Connector PL 32 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP-632-T | Adam Technologies | Conn IDC Connector PL 32 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP-634-T | Adam Technologies | Conn IDC Connector PL 34 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP-636-T | Adam Technologies | FDP-636-T | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP-636-T | Adam Tech | Description: PLUG FLAT CABLE IDC 36P 2.54MM P Packaging: Tray Features: Feed Through Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header Contact Finish: Tin Color: Black Mounting Type: Through Hole Number of Positions: 36 Row Spacing: 0.600" (15.24mm) Cable Termination: IDC Cable Pitch: 0.050" (1.27mm) Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm) Number of Rows: 2 | на замовлення 171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP-636-T | Adam Tech | Headers & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 36P 2.54MM P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP-636-T | Adam Technologies | Conn IDC Connector PL 36 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP-640-T | Adam Technologies | Conn IDC Connector PL 40 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP-640-T | Adam Tech | Description: PLUG FLAT CABLE IDC 40P 2.54MM P | на замовлення 123 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP-640-T | Adam Tech | Headers & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 40P 2.54MM P | на замовлення 147 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP-N1000 | Panasonic Industrial Automation Sales | Description: PROTECT TUBE M4 DIF. FIBER 1M Packaging: Box For Use With/Related Products: FX-300 Series Accessory Type: Protective Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP-N1000 | Panasonic Industrial Automation | Sensor Fixings & Accessories PROTECTIVE TUBE FOR M4 DIF. FIBER, 1M LENGTH | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP-N1500 | Panasonic Industrial Automation Sales | Description: PROTECT TUBE M4 DIF. FIBER 1.5M Packaging: Box For Use With/Related Products: FX-300 Series Accessory Type: Protective Tube | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP-N500 | Panasonic Industrial Automation Sales | Description: PROTECT TUBE M4 DIF. FIBER 500MM Packaging: Box For Use With/Related Products: FX-300 Series Accessory Type: Protective Tube | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP01 | ECUGEN | на замовлення 73 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDP020N06B | onsemi | FET 60V 2.0 MOHM TO220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP020N06B-F102 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 268 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20930 pF @ 30 V | на замовлення 1542 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP020N06B-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 313A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP020N06B-F102 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 313A; Idm: 1252A; 333W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO220-3 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 206nC On-state resistance: 2mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 313A Power dissipation: 333W Pulsed drain current: 1252A Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP020N06B-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 313A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP020N06B-F102 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 313A; Idm: 1252A; 333W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO220-3 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 206nC On-state resistance: 2mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 313A Power dissipation: 333W Pulsed drain current: 1252A Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP020N06B-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 313A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP020N06B-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 313A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP020N06B-F102 | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Channel PwrTrench 60V 313A 2mOhm | на замовлення 571 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP020N06B-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 313A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP020N06B-F102 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP020N06B-F102 - MOSFET'S - SINGLE SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP020N06B-F102 | ON Semiconductor | на замовлення 720 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDP020N06B-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 313A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP022AN03LD0-EVAL | на замовлення 1672 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| FDP023601-20 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| FDP023N08B | onsemi | onsemi FET 80V 2.7 MOHM TO220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP023N08B | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP023N08B - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP023N08B | Fairchild Semiconductor | Description: 75V N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP023N08B-F102 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP023N08B-F102 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 20529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP023N08B-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 75V 242A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP023N08B-F102 | ONSEMI | FDP023N08B-F102 THT N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP023N08B-F102 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13765 pF @ 37.5 V | на замовлення 27404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP023N08B-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 75V 242A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP023N08B-F102 | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 242A, 2.35m? | на замовлення 5868 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP025N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP025N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP025N06 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 265A; Idm: 1060A; 395W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 265A Pulsed drain current: 1060A Power dissipation: 395W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 174nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP025N06 Код товару: 189620
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDP025N06 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench | на замовлення 282 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP025N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP025N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP025N06 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 265A; Idm: 1060A; 395W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 265A Pulsed drain current: 1060A Power dissipation: 395W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 174nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP025N06 | ON Semiconductor | на замовлення 950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDP025N06 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 395W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14885 pF @ 25 V | на замовлення 1615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP025N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP027N08B | onsemi | onsemi FET 80V 2.7 MOHM TO220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP027N08B | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 246W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13530 pF @ 40 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP027N08B-F102 | ONSEMI | FDP027N08B-F102 THT N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP027N08B-F102 Код товару: 194545
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDP027N08B-F102 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 246W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13530 pF @ 40 V | на замовлення 561 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP027N08B-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 80V 223A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP027N08B-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 80V 223A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP027N08B-F102 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP027N08B-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 223 A, 0.00221 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 223A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 246W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00221ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 82 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP027N08B-F102 | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Channel PwrTrench 80V 223A 2.7mOhm | на замовлення 1039 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP027N08B_F102 | onsemi | Description: FDP027N08B_F102 | на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP030N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP030N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP030N06 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP030N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 231W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP030N06 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 231W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9815 pF @ 25 V | на замовлення 755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP030N06 | onsemi / Fairchild | MOSFETs NCH 60V 3.0Mohm | на замовлення 874 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP030N06 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 138A; 205W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 138A Power dissipation: 205W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.1mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP030N06 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 138A; 205W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 138A Power dissipation: 205W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.1mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP030N06B | Fairchild Semiconductor | Description: 1-ELEMENT, N-CHANNEL, MOS FET Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP030N06B-F102 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; Idm: 780A; 205W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 195A Pulsed drain current: 780A Power dissipation: 205W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.1mΩ Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP030N06B-F102 | ON Semiconductor | на замовлення 134 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDP030N06B-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP030N06B-F102 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 205W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP030N06B-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 3800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP030N06B-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP030N06B-F102 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP030N06B-F102 - MOSFET'S - SINGLE SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP030N06B-F102 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; Idm: 780A; 205W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 195A Pulsed drain current: 780A Power dissipation: 205W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.1mΩ Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP030N06B-F102 | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 195A, 3.1mO | на замовлення 270 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP030N06B-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 138050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP032N08 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15160 pF @ 25 V | на замовлення 1650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP032N08 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP032N08 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP032N08 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP032N08 | ONSEMI | FDP032N08 THT N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP032N08 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP032N08 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 75V N-Channel PowerTrench | на замовлення 865 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP032N08 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP032N08 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP032N08 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP032N08-F102 | ON Semiconductor | N-Channel PowerTrench® MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP032N08-F102 | onsemi / Fairchild | MOSFET PT3 MV 75V 3.2mohm for Delta | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP032N08-F102 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP032N08-F102 - MOSFET'S - SINGLE SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP032N08-F102 | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 75V 120A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15160 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP032N08-F102 | ON Semiconductor | N-Channel PowerTrench® MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP032N08B | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 80V Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP032N08B | onsemi | FET 80V 3.3 MOHM TO220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP032N08B-F102 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP032N08B-F102 - MOSFET'S - SINGLE SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP032N08B-F102 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 211A; Idm: 844A; 263W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 211A Pulsed drain current: 844A Power dissipation: 263W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 111nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP032N08B-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 80V 211A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP032N08B-F102 | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET 80V, 211A, 3.3mO | на замовлення 1348 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP032N08B-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 80V 211A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP032N08B-F102 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 211A; Idm: 844A; 263W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 211A Pulsed drain current: 844A Power dissipation: 263W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 111nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP032N08B-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 80V 211A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP032N08B-F102 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 263W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10965 pF @ 40 V | на замовлення 4343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP032N08_F149 | onsemi / Fairchild | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP036N10A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP036N10A | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 214A; Idm: 856A; 333W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 333W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 89nC On-state resistance: 3.6mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 856A Drain current: 214A кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP036N10A | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 214A; Idm: 856A; 333W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 333W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 89nC On-state resistance: 3.6mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 856A Drain current: 214A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP036N10A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP036N10A | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V | на замовлення 658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP036N10A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP036N10A | onsemi / Fairchild | MOSFETs PT5 NCH 100V 3.6Mohm PowerTrench MOSFET | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP036N10A | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP036N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 774 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP036N10A | Fairchild/ON Semiconductor | N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 120 А; Ptot, Вт = 227; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 7295 @ 25; Qg, нКл = 116 @ 10 В; Rds = 3,6 мОм @ 75 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB-3 | на замовлення 10 шт: термін постачання 3 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP036N10A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP036N10A Код товару: 94301
Додати до обраних
Обраний товар
| 8542 39 90 00 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDP036N10A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP036N10A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP036N10A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP038AN06 | на замовлення 5863 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| FDP038AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP038AN06A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 17A/80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V | на замовлення 8066 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP038AN06A0 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 60V 80a .38 Ohms/VGS=1V | на замовлення 6457 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP038AN06A0 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP038AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 80 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 310 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP038AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP038AN06A0 Код товару: 51728
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDP038AN06A0 | ONSEMI | FDP038AN06A0 THT N channel transistors | на замовлення 64 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP038AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP038AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP038AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP038AN06A0-F102 | ON Semiconductor | N-Channel PowerTrench MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP038AN06A0-F102 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP038AN06A0-F102 | onsemi / Fairchild | MOSFET 60V80A3.8OHMS MOSFET NCH PWR TRENCH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP038AN06A0-F102 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP038AN06A0-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 80 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 310 Bauform - Transistor: TO-220 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: Power Trench Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP038AN06A0-F102 | ON Semiconductor | N-Channel PowerTrench MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP038AN06A0_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP039N08B | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 80V Packaging: Bulk | на замовлення 1390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP039N08B | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP039N08B - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP039N08B | onsemi | onsemi FET 80V 3.9 MOHM TO220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP039N08B-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 80V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP039N08B-F102 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9450 pF @ 40 V | на замовлення 418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP039N08B-F102 | onsemi / Fairchild | MOSFETs Hi Intg PWM contrlr Green-Mode | на замовлення 746 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP039N08B-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 80V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP039N08B-F102 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9450 pF @ 40 V | на замовлення 399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP039N08B-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 80V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP039N08B-F102 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP039N08B-F102 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP039N08B-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 80V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP039N08B-F102 | ONSEMI | FDP039N08B-F102 THT N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP040N06 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 231W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8235 pF @ 25 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP040N06 | onsemi / Fairchild | MOSFET PT3 Low Qg 60V, 4.0Mohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP040N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 168A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP040N06 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP040N06 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP045N10A | UMW | Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220 Packaging: Tube | на замовлення 982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP045N10A | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 263W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP045N10A | onsemi | FET 100V 4.5 MOHM TO220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP045N10A-F032 | onsemi | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP045N10A-F032 | ON Semiconductor | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDP045N10A-F032 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 263W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250mA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP045N10A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP045N10A-F102 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP045N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0038 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 263W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 3936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP045N10A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP045N10A-F102 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 164A; Idm: 656A; 263W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 164A Pulsed drain current: 656A Power dissipation: 263W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 54nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP045N10A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP045N10A-F102 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 263W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V | на замовлення 207980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP045N10A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 202400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP045N10A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP045N10A-F102 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET | на замовлення 726 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP045N10A-F102 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 164A; Idm: 656A; 263W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 164A Pulsed drain current: 656A Power dissipation: 263W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 54nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP045N10A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP045N10AF102 | Fairchild Semiconductor | Description: 120A, 100V, N-CHANNEL POWER MOSF Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 263W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP047AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP047AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP047AN08A0 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 75V N-Ch PowerTrench | на замовлення 370 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP047AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP047AN08A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 15A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V | на замовлення 1151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP047AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP047AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP047AN08A0 | ONSEMI | FDP047AN08A0 THT N channel transistors | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP047AN08A0 Код товару: 119329
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDP047AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP047AN08A0-F102 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP047AN08A0-F102 | onsemi / Fairchild | MOSFETs SNGL NCH 75V 4.7MOHM ULTRAFET TRENCH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP047AN08A0_NL | на замовлення 11629 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| FDP047AN08AO | FSC | 07+ QFP | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP047AN08AO | FAIRCHILD | 08+ | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP047AN08AO | FAIRCHILD | на замовлення 2400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDP047N08 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP047N08 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP047N08 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 164A; Idm: 656A; 268W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 164A Pulsed drain current: 656A Power dissipation: 268W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 117nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP047N08 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 164A; Idm: 656A; 268W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 164A Pulsed drain current: 656A Power dissipation: 268W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 117nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP047N08 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 75V N-Channel PowerTrench | на замовлення 3824 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP047N08 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP047N08 | ON Semiconductor | на замовлення 740 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDP047N08 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 164A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 268W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9415 pF @ 25 V | на замовлення 32191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP047N08-F10 | ON Semiconductor | FDP047N08-F10 | на замовлення 432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP047N08-F10 | Fairchild Semiconductor | Description: 164A, 75V, N-CHANNEL, MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP047N08-F10 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP047N08-F10 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP047N08-F102 | onsemi / Fairchild | MOSFETs PT3 75V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP047N08-F102 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP047N08-F102 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 9472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP047N08-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP047N08-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP047N08-F102 | ONSEMI | FDP047N08-F102 THT N channel transistors | на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP047N08-F102 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 164A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 268W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9415 pF @ 25 V | на замовлення 7979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP047N08V_F102 | onsemi / Fairchild | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP047N08V_F149 | onsemi / Fairchild | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP047N08_F149 | onsemi / Fairchild | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP047N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP047N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP047N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP047N10 | ONSEMI | FDP047N10 THT N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP047N10 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V | на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP047N10 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench | на замовлення 4533 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP047N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP050AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP050AN06A0 | ONSEMI | FDP050AN06A0 THT N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP050AN06A0 | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Channel PowerTrench | на замовлення 1318 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP050AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP050AN06A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 18A/80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V | на замовлення 5070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP050AN06A0 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP050AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP050AN06A0_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel PowerTrench | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP053N08B | onsemi | FET 60V 5.0 MOHM TO220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP053N08B-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP053N08B-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP053N08B-F102 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP053N08B-F102 - MOSFET'S - SINGLE SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP053N08B-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 49396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP053N08B-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP053N08B-F102 | ONSEMI | FDP053N08B-F102 THT N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP053N08B-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP053N08B-F102 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 146W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5960 pF @ 40 V | на замовлення 1520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP053N08B-F102 | onsemi / Fairchild | MOSFETs Smart Power Module | на замовлення 953 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP054N10 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP054N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 120 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 263 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 3.5 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP054N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 144A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP054N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 144A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP054N10 | ONSEMI | FDP054N10 THT N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP054N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 144A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP054N10 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 263W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13280 pF @ 25 V | на замовлення 676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP054N10 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 100V N-Chan PowerTrench MOSFET | на замовлення 1036 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP054N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 144A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP060AN08 | на замовлення 5589 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| FDP060AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP060AN08A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 16A/80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 25 V | на замовлення 8943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP060AN08A0 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 75V 80a .6Ohms/VGS=1V | на замовлення 3356 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP060AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 47200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP060AN08A0 | ONSEMI | FDP060AN08A0 THT N channel transistors | на замовлення 44 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP060AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP060AN08A0 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP060AN08A0 - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0048 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 255W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP060AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP060AN08A0_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP070AN06A0 | ON Semiconductor | на замовлення 770 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDP070AN06A0 | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel PwrTrench | на замовлення 852 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP070AN06A0 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP070AN06A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP070AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP070AN06A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 15A/80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 175W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V | на замовлення 575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP070AN06A0 | ONSEMI | FDP070AN06A0 THT N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP070AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP075N15A | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP075N15A | onsemi | FET 150V 7.5 MOHM TO220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP075N15A-F032 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP075N15A-F102 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 92A; 333W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 92A Power dissipation: 333W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP075N15A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP075N15A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP075N15A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP075N15A-F102 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 92A; 333W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 92A Power dissipation: 333W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP075N15A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP075N15A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP075N15A-F102 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V | на замовлення 252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP075N15A-F102 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 150V NChan PwrTrench | на замовлення 2034 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP075N15A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP075N15A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP075N15A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP075N15A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP075N15A-F102 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP075N15A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 0.00625 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00625ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP075N15A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP075N15A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP075N15A_F102 | onsemi / Fairchild | MOSFET 150V NChan PwrTrench | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP075N15A_F102 Код товару: 154614
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDP083N15A | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP083N15A | onsemi | onsemi FET 150V 8.3 MOHM TO220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP083N15A-F102 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET | на замовлення 6011 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP083N15A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP083N15A-F102 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP083N15A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 117 A, 0.00685 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 117A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 294W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00685ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP083N15A-F102 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3 Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar On-state resistance: 8.3mΩ Drain current: 83A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 294W Drain-source voltage: 150V Kind of channel: enhancement | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP083N15A-F102 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V | на замовлення 2601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP083N15A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP083N15A-F102 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3 Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar On-state resistance: 8.3mΩ Drain current: 83A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 294W Drain-source voltage: 150V Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP083N15A_F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP083N15A_F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP083N15A_F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP083N15A_F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP085N10A | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 96A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 96A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2695 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP085N10A-F102 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP085N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 96 A, 0.00735 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 96A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00735ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP085N10A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP085N10A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP085N10A-F102 | ONSEMI | FDP085N10A-F102 THT N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP085N10A-F102 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 96A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 96A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2695 pF @ 50 V | на замовлення 4664 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP085N10A-F102 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET | на замовлення 3962 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP085N10A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP090N10 | FAIRCHILD | TO-220 09+ | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP090N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP090N10 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; Idm: 300A; 208W; TO220-3 Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 89nC On-state resistance: 9mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 75A Drain-source voltage: 100V Power dissipation: 208W Pulsed drain current: 300A Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP090N10 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8225 pF @ 25 V | на замовлення 11791 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP090N10 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 100V 75A N-Chan PowerTrench | на замовлення 7984 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP090N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP090N10 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; Idm: 300A; 208W; TO220-3 Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 89nC On-state resistance: 9mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 75A Drain-source voltage: 100V Power dissipation: 208W Pulsed drain current: 300A Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP090N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP090N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP100N10 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V | на замовлення 308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP100N10 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench | на замовлення 789 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP100N10 | ONSEMI | FDP100N10 THT N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP100N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP100N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP100N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP10AN06A0 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 12A/75A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V | на замовлення 5110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP10AN06A0 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP10AN06A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 5110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP10N60NZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP10N60NZ | Fairchild Semiconductor | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 Packaging: Bulk Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 10506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP120AN15A0 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP120AN15A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 9998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP120AN15A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP120AN15A0 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V | на замовлення 13998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP120N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP120N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP120N10 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 74A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 74A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5605 pF @ 25 V | на замовлення 226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP120N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP120N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP120N10 | onsemi / Fairchild | MOSFETs N Chan 100V 12Mohm | на замовлення 432 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP120N10 | ONSEMI | FDP120N10 THT N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP12N50 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP12N50 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 500V N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP12N50 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 165W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP12N50 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP12N50 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP12N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.55 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 11.5 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 165 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 165 Bauform - Transistor: TO-220 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: UniFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.55 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP12N50 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 165W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V | на замовлення 304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP12N50NZ | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5.75A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 25 V | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP12N50NZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP12N50NZ | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP12N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.46 ohm, TO-220 Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 11.5 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 170 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 170 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: UniFET II Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.46 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP12N50NZ | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5.75A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP12N50NZ | onsemi / Fairchild | MOSFET 500V N-Chan MOSFET UniFET-II | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP12N50NZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP12N60NZ | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1676 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP12N60NZ | onsemi / Fairchild | MOSFET The factory is currently not accepting orders for this product. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP12N60NZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP13AN06A0 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP13AN06A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 23918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP13AN06A0 | на замовлення 2400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| FDP13AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP13AN06A0 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 62A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 23918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP13AN06A0_NL | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP13AN06A0 | на замовлення 2080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| FDP14AN06LA0 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 67A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 67A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V | на замовлення 14481 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP14AN06LA0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 10A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP14AN06LA0 | на замовлення 780 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| FDP14AN06LA0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 67A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 67A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP150N10 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP150N10 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; Idm: 228A; 110W; TO220-3 Mounting: THT Case: TO220-3 Power dissipation: 110W Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 53nC On-state resistance: 15mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 57A Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 228A кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP150N10 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 49A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V | на замовлення 549 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP150N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP150N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP150N10 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; Idm: 228A; 110W; TO220-3 Mounting: THT Case: TO220-3 Power dissipation: 110W Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 53nC On-state resistance: 15mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 57A Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 228A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP150N10A | onsemi | onsemi FET 100V 15.0 MOHM TO220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP150N10A | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 91W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP150N10A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP150N10A-F102 Код товару: 150159
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDP150N10A-F102 | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Channel PwrTrench 100V 50A 15mOhm | на замовлення 1627 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP150N10A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP150N10A-F102 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 91W; TO220-3 Mounting: THT Case: TO220-3 Power dissipation: 91W Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 16.2nC On-state resistance: 15mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 50A Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 200A кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP150N10A-F102 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 91W; TO220-3 Mounting: THT Case: TO220-3 Power dissipation: 91W Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 16.2nC On-state resistance: 15mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 50A Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 200A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP150N10A-F102 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 91W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 50 V | на замовлення 362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP150N10A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP150N10A-F102 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP150N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0125 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 91W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP150N10A-F102 | ON Semiconductor | на замовлення 670 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDP15N40 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 400V 15A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP15N40 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP15N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 15 A, 0.24 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400 Dauer-Drainstrom Id: 15 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 170 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 170 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP15N40 | onsemi / Fairchild | MOSFET 400V N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP15N40 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 400V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP15N50 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 15A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP15N50 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 15a 500V N-Ch SMPS Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP15N50 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 500V 15A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | на замовлення 4753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP15N50 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP15N50 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 4853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP15N50F102 | Fairchild Semiconductor | Description: 15A, 500V, 0.38OHM, N CHANNEL , Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP15N65 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3095 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP15N65 | onsemi / Fairchild | MOSFETs SINGLE N-CH 500V .38OHM SMPS PWR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP16AN08A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 9A/58A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP16AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP16AN08A0 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 75V 9A/58A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP16AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP16AN08A0 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP16AN08A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP16AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP16AN08A0 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 75V 58a 0.016 Ohms/VGS=10V | на замовлення 895 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP16AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP16AN08A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 9A/58A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V | на замовлення 10200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP16AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP16AN08A0 | ONSEMI | FDP16AN08A0 THT N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP16AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP16N50 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1945 pF @ 25 V | на замовлення 14108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP18N20F | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP18N20F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.12 ohm, TO-220 Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 18 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 100 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 100 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: UniFET FRFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP18N20F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP18N20F | onsemi / Fairchild | MOSFET 200V N-Channel | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP18N20F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP18N20F | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP18N20F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP18N50 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 235W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V | на замовлення 752 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP18N50 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 23721 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP18N50 | ON-Semicoductor | Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 235W; -55°C ~ 150°C; FDP18N50 TFDP18n50 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP18N50 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 4950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP18N50 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP18N50 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP18N50 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 235W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 110 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP18N50 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP18N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.265 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 235W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 13754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP18N50 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 9921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP18N50 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 23720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP18N50 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 500V N-Channel PowerTrench MOSFET | на замовлення 3568 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP18N50 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP18N50 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 235W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 110 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP19N40 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 400V 19A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 215W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2115 pF @ 25 V | на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP19N40 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP19N40 - MOSFET'S - SINGLE SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP19N40 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 400V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP19N40 | onsemi / Fairchild | MOSFETs UniFET, 400V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP19N40 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 400V 19A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 215W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2115 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP19N40 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 400V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP1XSZAM63R262X | CONEC | D-Sub Standard Connectors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP20AN06A0 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO-220AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP20AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 9A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP20N40 | onsemi / Fairchild | MOSFET 20a 400V N-Ch SMPS Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP20N50 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP20N50 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 500V NCH UNIFET MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP20N50 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP20N50 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP20N50 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP20N50 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12.9A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 65nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP20N50 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP20N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.23 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) | на замовлення 853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP20N50F | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V | на замовлення 143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP20N50F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP20N50F | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS; UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12.9A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 65nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP20N50F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP20N50F | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP20N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP20N50F Код товару: 190678
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDP20N50F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP20N50F | onsemi / Fairchild | MOSFETs 500V N-Channel | на замовлення 9917 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP20N50F | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS; UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12.9A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 65nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP20N50F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP22N50N | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP22N50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.185 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 22 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 312.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 euEccn: NLR Verlustleistung: 312.5 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: UniFET II productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185 SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP22N50N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP22N50N Код товару: 60060
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDP22N50N | onsemi / Fairchild | MOSFETs UniFETII 500V 22A | на замовлення 1420 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP22N50N | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.2A; 312.5W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 13.2A Power dissipation: 312.5W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Gate charge: 65nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP22N50N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP22N50N | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 312.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP22N50N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 56 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP22N50N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP22N50N | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.2A; 312.5W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 13.2A Power dissipation: 312.5W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Gate charge: 65nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP24AN06LA0 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO-220AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP24AN06LA0 | Fairchild | на замовлення 5200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDP24N40 | ON Semiconductor | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDP24N40 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 400V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP24N40 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 400V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP24N40 | FAIRCHIL | TO220 09+ | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP24N40 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP24N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 24 A, 0.14 ohm, TO-220 Drain-Source-Spannung Vds: 400 Dauer-Drainstrom Id: 24 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 227 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 227 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: UniFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP24N40 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 400V 24A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP24N40 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 400V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP24N40 | onsemi / Fairchild | MOSFET 400V N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP2532 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP2532 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 79 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 79A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 310W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 1580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP2532 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 3608 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP2532 | ON-Semicoductor | Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 48mOhm; 79A; 310W; -55°C ~ 175°C; FDP2532 TFDP2532 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP2532 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB Case: TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Technology: PowerTrench® Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 107nC On-state resistance: 14mΩ Drain current: 56A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 310W Drain-source voltage: 150V Kind of channel: enhancement | на замовлення 47 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP2532 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V | на замовлення 2136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP2532 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP2532 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP2532 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 150V NCh UltraFET Power Trench | на замовлення 3643 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP2532 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP2532 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB Case: TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Technology: PowerTrench® Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 107nC On-state resistance: 14mΩ Drain current: 56A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 310W Drain-source voltage: 150V Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 47 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP2532 Код товару: 44129
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-263AB Uds,V: 150 V Idd,A: 79 A Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm Монтаж: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDP2532 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 3611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP2532 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP2552 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP2552 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 150V N-Ch UltraFET Trench | на замовлення 1146 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP2552 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP2552 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP2552 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; 150W; TO220AB Case: TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar On-state resistance: 97mΩ Drain current: 26A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 150W Drain-source voltage: 150V Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP2552 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; 150W; TO220AB Case: TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar On-state resistance: 97mΩ Drain current: 26A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 150W Drain-source voltage: 150V Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP2552 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP2552_NL | на замовлення 1717 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| FDP2552_NL | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP2552_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP2570 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 22A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 93W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1911 pF @ 75 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP2570 | onsemi / Fairchild | MOSFETs TO-220 N-CH 150V 22A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP2570_Q | onsemi / Fairchild | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP2572 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP2572 | FAIRCHIL | 09+ PLCC-44 | на замовлення 850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP2572 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP2572 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 20A; 135W; TO220AB Case: TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 34nC On-state resistance: 146mΩ Drain current: 20A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 135W Drain-source voltage: 150V Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP2572 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP2572 | onsemi / Fairchild | MOSFETs TO-220 N-CH 150V 29A | на замовлення 477 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP2572 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 20A; 135W; TO220AB Case: TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 34nC On-state resistance: 146mΩ Drain current: 20A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 135W Drain-source voltage: 150V Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP2572 | FSC | 09+ TO220 | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP2572 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V | на замовлення 814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP2572 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP2614 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 200V N-Channel PowerTrench | на замовлення 2325 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP2614 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP2614 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 62A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 260W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V | на замовлення 13354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP2614 | ONSEMI | FDP2614 THT N channel transistors | на замовлення 72 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP2614 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP2614 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP2614 | ON Semiconductor | на замовлення 3960 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDP2614 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP2670 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP2670 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 6893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP2670 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 93W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 100 V | на замовлення 6893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP26N40 | ONSEMI | FDP26N40 THT N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP26N40 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 400V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP26N40 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 400V 26A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 265W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3185 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP26N40 | onsemi / Fairchild | MOSFET 400V N-Channel | на замовлення 2747 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP2710 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 50A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 260W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V | на замовлення 955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP2710 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 250V N-Channel PowerTrench | на замовлення 897 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP2710 | ONSEMI | FDP2710 THT N channel transistors | на замовлення 17 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP2710 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP2710 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP2710-F085 | ON Semiconductor | на замовлення 760 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDP2710-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP2710-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 50A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP2710-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 4A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 403W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5690 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP2710-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 250V NCHAN PwrTrench | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP2710_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: 4A, 250V, 0.047OHM, N-CHANNEL , Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 403W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5690 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP2710_SN00168 | Fairchild Semiconductor | Description: 1-ELEMENT, N-CHANNEL Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP2710_SW82258 | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 260W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP2D3N10C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 222A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP2D3N10C | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11180 pF @ 50 V | на замовлення 153574 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP2D3N10C | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP2D3N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 222 A, 0.0021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 222A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 636 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP2D3N10C | onsemi / Fairchild | MOSFETs PTNG 100/20V inTO220 3L JEDEC GREEN EMC | на замовлення 826 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP2D3N10C | ONSEMI | FDP2D3N10C THT N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP2D3N10C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 222A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP2D9N12C | onsemi | MOSFETs PTNG 120V N-FET | на замовлення 402 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP2D9N12C | ON Semiconductor | N-Channel Shielded Gate Power Trench MOSFET 120 V, 2.9 mW, 210 A, Single N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP2D9N12C | onsemi | Description: PTNG 120V N-FET TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 210A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 686µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8894 pF @ 60 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP2XPZAM63R262X | CONEC | D-Sub Standard Connectors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP2XSZAM63R262X | CONEC | D-Sub Standard Connectors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP3205 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 59A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7730 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP3205 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 59A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7730 pF @ 25 V | на замовлення 2140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP3205 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP3205 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP33N25 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 20.4A; Idm: 132A; 235W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Drain current: 20.4A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 235W Pulsed drain current: 132A Drain-source voltage: 250V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 48nC On-state resistance: 94mΩ кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP33N25 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP33N25 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 20.4A; Idm: 132A; 235W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Drain current: 20.4A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 235W Pulsed drain current: 132A Drain-source voltage: 250V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 48nC On-state resistance: 94mΩ | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP33N25 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 3950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP33N25 Код товару: 107817
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDP33N25 | на замовлення 580 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| FDP33N25 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 33A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 235W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V | на замовлення 358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP33N25 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP33N25 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP33N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.094 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 235W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP33N25 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP33N25 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 250V N-Channel MOSFET | на замовлення 982 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP34N33 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 330V 34A TO-220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP3632 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP3632 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 100V 80a .9 Ohms/VGS=1V | на замовлення 2250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP3632 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 310W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 12A Power dissipation: 310W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 44 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP3632 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V | на замовлення 8797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP3632 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 310W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 12A Power dissipation: 310W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® | на замовлення 44 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP3632 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP3632 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP3632 (TO-220AB) Код товару: 52946
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDP3632_NL | на замовлення 19219 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| FDP3651U | onsemi / Fairchild | MOSFETs 100V 80A 18 mOHM NCH POWER TREN | на замовлення 371 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP3651U | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP3651U | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP3651U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 255W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP3651U | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5522 pF @ 25 V | на замовлення 657 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP3651U | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP3651U | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP3651U | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP3651U Код товару: 144911
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDP3651U | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP3651U | ONSEMI | FDP3651U THT N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP3652 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP3652 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP3652 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 150W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 43A Power dissipation: 150W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 43mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP3652 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 150W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 43A Power dissipation: 150W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 43mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP3652 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP3652 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 100V 61a 0.016 Ohm | на замовлення 59 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP3652 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP3652 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V | на замовлення 3800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP3652 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP3652_NL | на замовлення 14881 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| FDP3652_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET 100V 61a 0.016 Ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP3672 | ONSEMI | FDP3672 THT N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP3672 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 105V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP3672 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 105V 5.9A/41A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 41A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 105 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 25 V | на замовлення 374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP3672 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 105V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP3672 | FAIRCHILD | 05+06+ | на замовлення 24350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP3672 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP3672 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 9651 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP3672 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 105V 41a 0.033 Ohms/VGS=10V | на замовлення 259 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP3682 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP3682 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 6A/32A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V | на замовлення 7161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP3682 Код товару: 107819
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDP3682 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP3682 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP3682 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 32 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 95 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 95 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP3682 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 100V 32a .36Ohm/VGS=1V | на замовлення 17688 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP3682 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP3682 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP3682 | ONSEMI | FDP3682 THT N channel transistors | на замовлення 63 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP3682 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP3682_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET 100V 32a .36Ohm/VGS=1V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP39N20 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 39A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 19.5A, 10V Power Dissipation (Max): 251W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP39N20 | FAIRCHILD | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDP39N20 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP39N20 | onsemi / Fairchild | MOSFET SINGLE N-CH 200V ULTRAFET TRENCH | на замовлення 887 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP39N20 | Fairchild Semiconductor | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 19.5A, 10V Power Dissipation (Max): 251W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 25 V | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP39N20 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP39N20 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP39N20 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP39N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.056 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 39 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 251 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 euEccn: NLR Verlustleistung: 251 Bauform - Transistor: TO-220 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: UniFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.056 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP4020P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP4020P | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 16A TO-220AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP4020P | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| FDP4030L | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 37.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 15 V | на замовлення 6570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP4030L | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP4030L - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 6570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP42AN15A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP42AN15A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 5A/35A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V | на замовлення 793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP42AN15A0 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 150V 35a .42 Ohms/VGS=1V | на замовлення 8759 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP42AN15A0 | ON-Semicoductor | Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 107mOhm; 30A; 150W; -55°C ~ 175°C; FDP42AN15A0 TFDP42an15a0 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP42AN15A0 | ONSEMI | FDP42AN15A0 THT N channel transistors | на замовлення 66 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP42AN15A0 Код товару: 111207
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDP42AN15A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP42AN15A0_Q | onsemi / Fairchild | MOSFETs 150V 35a .42 Ohms/VGS=1V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP42AN15AO | на замовлення 1080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| FDP46N30 | на замовлення 580 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| FDP4D5N10C | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP4D5N10C - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP4D5N10C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP4D5N10C | onsemi | MOSFETs FET 100V 128A 4.5 mOhm | на замовлення 48 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP4D5N10C | Aptina Imaging | Trans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 728 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP4D5N10C | ONSEMI | FDP4D5N10C THT N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP4D5N10C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP4D5N10C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP4D5N10C | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 128A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5065 pF @ 50 V | на замовлення 563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP4D5N10C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 728 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP4D5N10C | ON Semiconductor | на замовлення 356 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDP51N25 | ONSEMI | FDP51N25 THT N channel transistors | на замовлення 37 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP51N25 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 3600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP51N25 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 51A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25.5A, 10V Power Dissipation (Max): 320W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 25 V | на замовлення 573 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP51N25 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP51N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 51 A, 0.048 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 320W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 3995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP51N25 | ON-Semicoductor | Transistor N-Channel MOSFET; 250V; 30V; 60mOhm; 51A; 320W; -55°C ~ 150°C; FDP51N25 TFDP51n25 | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP51N25 | onsemi / Fairchild | MOSFET 250V N-Channel MOSFET | на замовлення 8912 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP51N25 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP52N20 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 2064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP52N20 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP52N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 357W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 1634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP52N20 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 357W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 33A Power dissipation: 357W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 49mΩ Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP52N20 Код товару: 129721
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDP52N20 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 200V N-CHANNEL MOSFET | на замовлення 11587 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP52N20 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP52N20 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 2064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP52N20 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP52N20 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 52A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V | на замовлення 4716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP52N20 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 357W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 33A Power dissipation: 357W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 49mΩ Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP52N20 | ON-Semicoductor | Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 49mOhm; 52A; 357W; -55°C ~ 150°C; FDP52N20 TFDP52n20 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP5500 | onsemi | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP5500 | Fairchild Semiconductor | Description: N CHANNEL ULTRAFET 55V, 80A, 7M Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3565 pF @ 25 V | на замовлення 4045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP5500 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP5500 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP5500-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP5500-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP5500-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFET 55V NCHAN UltraFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP5500-F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3565 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP55N06 | onsemi / Fairchild | MOSFET SINGLE N-CH 60V ULTRAFET TRENCH | на замовлення 1013 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP55N06 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP55N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 114W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm | на замовлення 383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP55N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP55N06 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 55A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 27.5A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP55N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP55N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP5645 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP5645 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP5645 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP5645 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 | на замовлення 317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP5680 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP5680 | FAIRCHILD | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDP5680 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP5680 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP5680 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 7661 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP5680 | onsemi / Fairchild | MOSFET 60V N-Ch PowerTrench | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP5680 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V | на замовлення 7661 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP5680_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP5690 | FAIRCHILD | TO-220 | на замовлення 276 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP5690 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP5690 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 4902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP5690 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 32A TO-220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP5800 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 60V N-Ch Logic Level MOSFET | на замовлення 1246 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP5800 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP5800 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP5800 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 14A/80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 242W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9160 pF @ 15 V | на замовлення 542 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP5800 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP5800 | ONSEMI | FDP5800 THT N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP5800 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP5800 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP5800 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 242mW Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 1759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP5800 Код товару: 60606
Додати до обраних
Обраний товар
| Fairchild | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 60 V Rds(on), Ohm: 6 mOhm Монтаж: THT | у наявності 1 шт: 1 шт - РАДІОМАГ-Одеса | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP5N50 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP5N50 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1761 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP5N50 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP5N50 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V | на замовлення 1761 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP5N50NZ | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP5N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.38 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 4.5 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 78 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 78 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: UniFET II Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.38 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | на замовлення 930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP5N50NZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP5N50NZ | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.25A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | на замовлення 3522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP5N50NZ | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Chan UniFET2 500V | на замовлення 2688 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP5N50NZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP5N60NZ | onsemi / Fairchild | MOSFET 600V N-Channel MOSFET, UniFET-II | на замовлення 517 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP5N60NZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP5N60NZ | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.25A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP6030BL | FAIRCHILD | 2002 TO-220 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP6030BL | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP6030BL | Fairchild Semiconductor | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 15 V | на замовлення 2349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP6030BL | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP6030BL - MOSFET, N-CH, 30V, 40A, 175DEG C, 60W tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP6030BL | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP6030BL_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP6030L | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP6030L | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 48A TO220-3 | на замовлення 63536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP6030L | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP6030L - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 61536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP6030L | FAI | 2003 TO-220 | на замовлення 2160 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP6035A | на замовлення 4530 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| FDP6035AL | FAIRCHID | 99+ | на замовлення 2068 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP6035AL | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP6035AL | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 48A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP6035AL | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP6035AL | FAIRCHILD | 07+ | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP6035AL | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 48A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V | на замовлення 106637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP6035AL_NL | onsemi / Fairchild | MOSFET 30V N-CH. FET, 12.5 MO, TO220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP6035AL_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP6035L | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Ch PowerTrench Logic | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP6035L | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP6035L - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP6035L | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V | на замовлення 3250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP603AL | на замовлення 745 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| FDP61N20 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 200V N-Channel MOSFET | на замовлення 4100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP61N20 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP61N20 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP61N20 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 2994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP61N20 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP61N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 417W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 3482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP61N20 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP61N20 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 61A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30.5A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 25 V | на замовлення 852 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP61N20 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP61N20 Код товару: 150150
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDP61N20 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP61N20 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 2994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP61N20 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1702 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP61N20 | ON-Semicoductor | Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 41mOhm; 61A; 417W; -55°C ~ 150°C; FDP61N20 TFDP61n20 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP61N20 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP65N06 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 65A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32.5A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP65N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP65N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP65N06 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| FDP65N06 | onsemi / Fairchild | MOSFET 60V N-Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP65N06, | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP65N06, - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 65 A, 0.016 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 65 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 135 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | на замовлення 184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP6670AL | FAIRCHID | 99+ | на замовлення 196 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP6670AL | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP6670AL | FAIRCHILD | TO-220 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP6670AL | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP6670AL | FSC | 09+ | на замовлення 365 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP6670AL | FAIRCHIL | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDP6670AL | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V | на замовлення 28285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP6670AL | FSC | TO-220 | на замовлення 25 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP6670AL | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP6670AL_NL | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 30V N-CH. FET, 6.5 MO, TO220, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP6670AL_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP6676 | onsemi / Fairchild | MOSFET 30V N-Ch PowerTrench Logic Level | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP6676 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP6676 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 20082 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP6676 | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 93W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5324 pF @ 15 V | на замовлення 20082 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP6676S | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP6676S - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP6676S | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4853 pF @ 15 V | на замовлення 1485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP70301_88RF002A | на замовлення 64890 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| FDP7030BL | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 60A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP7030BL | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP7030BL | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP7030BL | ONSEMI | FDP7030BL THT N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP7030BL | Fairchild Semiconductor | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V | на замовлення 72127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP7030BL | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP7030BL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.009 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 60 Qualifikation: - MSL: - Verlustleistung Pd: 65 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9 Verlustleistung: 65 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009 SVHC: Lead (19-Jan-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP7030BL | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP7030BLNL | FSC | на замовлення 3993 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDP7030BLS | onsemi / Fairchild | MOSFET TO-220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP7030BL_NL | onsemi / Fairchild | MOSFET 30V N-CH. FET, 9 MO, TO220, T | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP7030BL_Q | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP7030L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP7030L | ON Semiconductor | FDP7030L | на замовлення 29300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP7030L | FAI | TO220 | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP7030L | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V | на замовлення 29300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP7030L | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP7030L_Q | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP7042L | FAIRCHILD | TO-220 02+ | на замовлення 52 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP7042L | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP7042L - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 33223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP7042L | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 15 V | на замовлення 33223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP7045L | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP7045L - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 165881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP7045L | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4357 pF @ 15 V | на замовлення 165881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP7045L | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP7045L | FAIRCHILD | 0307 | на замовлення 15 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP7045L | FAIR | 0408 | на замовлення 18 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP7045L_Q | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP75N08 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 75V N-Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP75N08 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP75N08 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP75N08 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37.5A, 10V Power Dissipation (Max): 131W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP75N08A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP75N08A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP75N08A | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| FDP75N08A | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37.5A, 10V Power Dissipation (Max): 137W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP75N08A | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 47A; Idm: 300A; 137W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS; UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 47A Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 137W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Gate charge: 104nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP75N08A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP75N08A | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 47A; Idm: 300A; 137W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS; UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 47A Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 137W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Gate charge: 104nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP75N08A | onsemi / Fairchild | MOSFET 75V N-Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP79N15 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 150V 79A TO-220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP7N50 | ON Semiconductor | 500V, NCH , MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP7N50 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 7A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP7N50 | onsemi / Fairchild | Supervisory Circuits | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP7N50 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP7N60NZ | onsemi / Fairchild | MOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP7N60NZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP7N60NZ | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3.25A, 10V Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8030L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V | на замовлення 1023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP8030L | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP8030L - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 6859 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP8030L | N/A | 09+ | на замовлення 20018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8030L | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V | на замовлення 6859 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP8030L | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8030L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8030L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8030L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP80N06 Код товару: 66797
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDP80N06 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 60V N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP80N06 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3190 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP80N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP80N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP80N06 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP80N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0085 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 176W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UniFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) | на замовлення 118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP80N06 | ONSEMI | FDP80N06 THT N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8440 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 277A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP8440 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 277A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8440 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 306W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24740 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8440 | ON Semiconductor | на замовлення 750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDP8440 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 277A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 14780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP8440 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP8440 - MOSFET'S - SINGLE SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8440 | FAIRCHILD | Trans MOSFET N-CH Si 40V 277A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | на замовлення 6778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP8440 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO-220 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 306W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24740 pF @ 25 V | на замовлення 26190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP8440 | FAIRCHILD | на замовлення 795 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDP8440 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 277A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 2710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP8440 | FAIRCHILD | Trans MOSFET N-CH Si 40V 277A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | на замовлення 6831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP8440 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 40V N-Channel Power Trench | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8440 | Fairchild Semiconductor | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 306W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24740 pF @ 25 V | на замовлення 17634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP8441 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V | на замовлення 2187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP8441 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET | на замовлення 406 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8441 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8441 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8441_F085 | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8442 | onsemi / Fairchild | MOSFET 40V N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8442 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3 | на замовлення 22479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP8442 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8442 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP8442 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 22479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP8442-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP8442-F085 - FDP8442-F085, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP8442-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8442-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 40V/80A/2.8ohm/N-CH POWERTRENCH | на замовлення 228 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8442-F085 | Fairchild Semiconductor | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP8442_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO-220 | на замовлення 755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8443 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP8443 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 11938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP8443 | onsemi / Fairchild | MOSFET 40V N-Channel PowerTrench | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8443 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 20A/80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9310 pF @ 25 V | на замовлення 11973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP8443-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8443-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 20A/80A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8443-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET N-CH PowerTrench N-Ch PowerTrench Mos | на замовлення 395 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8443_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V TO-220AB-3 | на замовлення 719 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8447L | onsemi / Fairchild | MOSFETs 40V N-CH PowerTrench MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8447L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 12A/50A TO220-3 | на замовлення 411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8447L | ONSEMI | FDP8447L THT N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8447L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP86363-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Channel PowerTrench 80V, 110A, 2.8mohm | на замовлення 725 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP86363-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Grade: Automotive Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP86363-F085 | ON Semiconductor | на замовлення 42400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDP86363-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP86363-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP86363-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP86363-F085 - N-CHANNEL POWERTRENCH® 80V, 110A, 2.8M SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP86363_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: 110A, 80V, 0.0028OHM, N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP87314B | 07+ | на замовлення 21 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDP8860 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8860 | Fairchild Semiconductor | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 254W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12240 pF @ 15 V | на замовлення 15367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP8860 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 556A; 254W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 80A Pulsed drain current: 556A Power dissipation: 254W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 222nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8860 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP8860 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 13482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP8860 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 254W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12240 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8860 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 556A; 254W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 80A Pulsed drain current: 556A Power dissipation: 254W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 222nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8860 | UMW | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220 Packaging: Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP8860 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8860 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP8870 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 4570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP8870 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 156A TO-220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 156A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8870 | onsemi / Fairchild | MOSFET 30V N-Channel PowerTrench | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8870 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP8870 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 156 A, 0.0034 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 156 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 160 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Verlustleistung: 160 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034 SVHC: Lead (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8870 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8870 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8870 | Fairchild Semiconductor | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 156A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8870 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP8870-F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 19A/156A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 156A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V | на замовлення 291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP8870-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 19A/156A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 156A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8870-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFET 30V/156A/4.1Mohm/NCH POWERTRENCH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8870_F085A | onsemi / Fairchild | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8870_NL | onsemi / Fairchild | MOSFET 30V,156A,4.1 OHMS,NCH,TO220,POWER TRENCH MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8870_NL | на замовлення 3200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| FDP8874 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8874 | Fairchild Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | на замовлення 126076 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP8874 | Fairchild Semiconductor | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 114A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8874 | onsemi / Fairchild | MOSFET 30V 114A 5.3 OHM N-CH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8874 | FAIRCHIL | TO220 10+ | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8874 | Fairchild Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | на замовлення 15200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP8874 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8874 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP8874 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 114 A, 0.0053 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 114A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP8874-SN00117 | onsemi | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8874. | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP8874. - MOSFET'S - SINGLE Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 114 Qualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Verlustleistung: 110 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053 SVHC: Lead (19-Jan-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8874_SN00117 | onsemi / Fairchild | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8876 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO-220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8876 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8878 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8878 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO-220AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8880 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP8880 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 54 A, 0.0116 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 54 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 55 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Verlustleistung: 55 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0116 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116 SVHC: Lead (19-Jan-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8880 | ONSEMI | FDP8880 THT N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8880 | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 54A TO-220AB | на замовлення 644 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8880 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | на замовлення 1445 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8880 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8880 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8880 Код товару: 113618
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDP8896 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench | на замовлення 1361 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP8896 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8896 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8896 Код товару: 107361
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDP8896 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8896 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP8896 - MOSFET'S - SINGLE SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8896 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8896 | FSC | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDP8896 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 16A/92A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 92A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V | на замовлення 413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP8896 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8896_F085A | onsemi / Fairchild | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8D5N10C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP8D5N10C | ONSEMI | FDP8D5N10C THT N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8D5N10C | onsemi | MOSFETs FET 100V 76A 8.5 mOhm | на замовлення 1530 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP8D5N10C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8D5N10C | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP8D5N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 76 A, 0.0074 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP8D5N10C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8D5N10C | ON Semiconductor | на замовлення 750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDP8D5N10C | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 76A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 76A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475 pF @ 50 V | на замовлення 2385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP8D5N10C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8D5N10C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8N50NZ | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8N50NZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8N50NZ | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 130W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 4.8A Power dissipation: 130W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8N50NZ | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 130W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 4.8A Power dissipation: 130W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP8N50NZ | onsemi / Fairchild | MOSFETs UNIFET2 500V | на замовлення 7504 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDP8N50NZ | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP8N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.77 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UniFET II productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDPBS324F | Eaton Electrical | Disconnect Switches FDPBS 324F 200A Switch Final Assembly | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDPBS324R | Eaton Electrical | Disconnect Switches FDPBS 324R 200A Switch Final Assembly | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDPBS364F | Eaton Electrical | Disconnect Switches FDPBS 364F 200A Switch Final Assembly | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDPBS364J | Eaton Electrical | Disconnect Switches FDPBS 364J 200A Switch Final Assembly | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDPBS364R | Eaton Electrical | Disconnect Switches FDPBS 364R 200A Switch Final Assembly | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDPBT3644J | Eaton Electrical | Disconnect Switches FDPBT 3644J 200A SW Twin Final ASSY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDPC1002S | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDPC1002S - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDPC1002S | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33 Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W (Ta), 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 20A (Tc), 27A (Ta), 60A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @13V, 4335pF @ 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V, 1.8mOhm @ 27A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 64nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: Powerclip-33 Part Status: Obsolete | на замовлення 10941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDPC1002S | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET | на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDPC1012S | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDPC1012S - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 6672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDPC1012S | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33 Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 800mW (Ta), 900mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 35A (Tc), 26A (Ta), 88A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V, 3456pF @ 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V, 2.2mOhm @ 23A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: Powerclip-33 Part Status: Active | на замовлення 6672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDPC1012S | onsemi | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDPC1012S | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 800mW (Ta), 900mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 35A (Tc), 26A (Ta), 88A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V, 3456pF @ 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V, 2.2mOhm @ 23A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: Powerclip-33 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |