НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
FDP-1000Panasonic Industrial Automation SalesDescription: PROTECT TUBE M6 DIF. FIBER 1M
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-14-TAdam TechHeaders & Wire Housings 14P DIP PLUG TIN PLATED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-1500Panasonic Industrial Automation SalesDescription: PROTECT TUBE M6 DIF. FIBER 1.5M
Packaging: Box
For Use With/Related Products: FX-300 Series
Accessory Type: Protective Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2519.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-1500Panasonic Industrial AutomationSensor Fixings & Accessories PROTECTIVE TUBE FOR M6 DIF. FIBER, 1.5M LENGTH
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2853.83 грн
10+2582.10 грн
25+2145.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-16-TAdam TechnologiesConn IDC Connector M 16 POS 1.27mm Solder RA Thru-Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-16-TAdam TechHeaders & Wire Housings 16pos. DIP Plug .100 x .300
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-24-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 24 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-24-TAdam TechHeaders & Wire Housings 24pos. DIP Plug .100 x .600
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-308-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 8P 2.54MM PI
Features: Feed Through
Packaging: Tray
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 8
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.69 грн
10+48.43 грн
25+45.37 грн
40+41.15 грн
204+36.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-308-TAdam TechnologiesFDP-308-T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-308-TAdam TechHeaders & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 8P 2.54MM PI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-310-TAdam TechHeaders & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 10P 2.54MM P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-310-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 10 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-310-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 10P 2.54MM P
Features: Feed Through
Packaging: Tray
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 10
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.91 грн
10+45.06 грн
25+42.27 грн
40+38.37 грн
80+36.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-314-GAdam TechnologiesCONNECTOR, IDC DIP PLUG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-314-SGAdam TechnologiesCONNECTOR, IDC DIP PLUG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-314-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 14 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-314-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 14P 2.54MM P
Packaging: Tray
Features: Feed Through
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 14
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
на замовлення 1981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.85 грн
10+54.72 грн
25+51.25 грн
40+46.51 грн
144+42.49 грн
288+40.46 грн
576+37.90 грн
1008+36.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-314-TAdam TechHeaders & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 14P 2.54MM P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-314-TAdam TechnologiesFDP-314-T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-316-SGAdam TechnologiesFDP-316-SG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-316-TAdam TechHeaders & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 16P 2.54MM P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-316-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 16 POS 1.27mm Solder RA Thru-Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-316-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 16P 2.54MM P
Features: Feed Through
Packaging: Tray
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 16
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
на замовлення 782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.31 грн
10+75.33 грн
25+70.66 грн
40+64.13 грн
120+59.34 грн
240+56.51 грн
480+52.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-318-TAdam TechnologiesFlat Cable IDC Plug 18P 2.54mm Pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-318-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 18P 2.54MM P
Features: Feed Through
Packaging: Tray
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 18
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.79 грн
10+64.22 грн
25+60.23 грн
40+54.66 грн
80+52.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-318-TAdam TechHeaders & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 18P 2.54MM P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-318-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 18 POS 1.27mm Solder RA Thru-Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-320-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 20P 2.54MM P
Features: Feed Through
Packaging: Tray
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 20
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.86 грн
10+83.30 грн
25+78.01 грн
50+69.70 грн
108+66.02 грн
324+61.09 грн
540+57.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-320-TAdam TechHeaders & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 20P 2.54MM P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-320-TAdam TechnologiesFlat Cable IDC Plug 20P 2.54mm Pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-324-TAdam TechHeaders & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 24P 2.54MM P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-324-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 24 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-324-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 24P 2.54MM P
Packaging: Tray
Features: Feed Through
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 24
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.33 грн
10+104.30 грн
25+97.82 грн
40+88.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-328-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 28P 2.54MM P
Packaging: Tray
Features: Feed Through
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 28
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.02 грн
10+121.08 грн
25+113.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-328-TAdam TechnologiesFlat Cable IDC Plug 28P 2.54mm Pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-328-TAdam TechHeaders & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 28P 2.54MM P
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+161.36 грн
10+136.21 грн
25+108.88 грн
50+101.52 грн
72+100.79 грн
504+99.32 грн
1008+97.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-334-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 34 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-40-TAdam TechHeaders & Wire Housings 40pos. DIP Plug .100 x .600
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-500Panasonic Industrial Automation SalesDescription: PROTECT TUBE M6 DIF. FIBER 500MM
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-624-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 24 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-624-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 24P 2.54MM P
Features: Feed Through
Packaging: Tray
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 24
Row Spacing: 0.600" (15.24mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Number of Rows: 2
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.33 грн
10+72.04 грн
25+67.53 грн
40+61.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-624-TAdam TechnologiesFlat Cable IDC Plug 24P 2.54mm Pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-624-TAdam TechHeaders & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 24P 2.54MM P
на замовлення 209 шт:
термін постачання 149-158 дні (днів)
3+127.03 грн
5+124.37 грн
10+83.13 грн
25+74.30 грн
70+60.91 грн
280+54.07 грн
560+50.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-628-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 28P 2.54MM P
Packaging: Tray
Features: Feed Through
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 28
Row Spacing: 0.600" (15.24mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.52 грн
10+75.18 грн
25+70.47 грн
40+63.97 грн
80+60.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-628-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 28 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-628-TAdam TechHeaders & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 28P 2.54MM P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-628-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 28 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+93.48 грн
300+76.98 грн
540+73.70 грн
Мінімальне замовлення: 131
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-628-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 28 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-628-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 28 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-632-TAdam TechHeaders & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 32P 2.54MM P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-632-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 32 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-632-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 32 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-632-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 32P 2.54MM P
Packaging: Tray
Features: Feed Through
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 32
Row Spacing: 0.600" (15.24mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.66 грн
10+84.30 грн
25+78.93 грн
40+71.67 грн
80+68.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-632-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 32 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-634-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 34 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-636-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 36P 2.54MM P
Packaging: Tray
Features: Feed Through
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 36
Row Spacing: 0.600" (15.24mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Number of Rows: 2
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.81 грн
10+147.60 грн
25+136.04 грн
50+120.06 грн
100+112.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-636-TAdam TechHeaders & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 36P 2.54MM P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-636-TAdam TechnologiesFDP-636-T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-636-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 36 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-640-TAdam TechHeaders & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 40P 2.54MM P
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.46 грн
5+127.75 грн
10+98.58 грн
25+95.64 грн
40+80.92 грн
280+69.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-640-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 40 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-640-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 40P 2.54MM P
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-N1000Panasonic Industrial Automation SalesDescription: PROTECT TUBE M4 DIF. FIBER 1M
Packaging: Box
For Use With/Related Products: FX-300 Series
Accessory Type: Protective Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-N1000Panasonic Industrial AutomationSensor Fixings & Accessories PROTECTIVE TUBE FOR M4 DIF. FIBER, 1M LENGTH
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2474.47 грн
10+2195.46 грн
25+1823.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-N1500Panasonic Industrial Automation SalesDescription: PROTECT TUBE M4 DIF. FIBER 1.5M
Packaging: Box
For Use With/Related Products: FX-300 Series
Accessory Type: Protective Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2503.62 грн
10+2191.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-N500Panasonic Industrial Automation SalesDescription: PROTECT TUBE M4 DIF. FIBER 500MM
Packaging: Box
For Use With/Related Products: FX-300 Series
Accessory Type: Protective Tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1897.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP01ECUGEN
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP020N06Bonsemi FET 60V 1.5 MOHM TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP020N06B-F102onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel PwrTrench 60V 313A 2mOhm
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+356.19 грн
10+339.26 грн
50+201.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP020N06B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 313A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP020N06B-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 268 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20930 pF @ 30 V
на замовлення 1571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+334.24 грн
50+201.16 грн
100+187.73 грн
500+171.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP020N06B-F102ON Semiconductor
на замовлення 720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP020N06B-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP020N06B-F102 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP020N06B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 313A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP020N06B-F102ONSEMIFDP020N06B-F102 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP022AN03LD0-EVAL
на замовлення 1672 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP023601-20
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP023N08Bonsemionsemi FET 80V 2.7 MOHM TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP023N08BFairchild SemiconductorDescription: 75V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP023N08BONSEMIDescription: ONSEMI - FDP023N08B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
157+203.02 грн
Мінімальне замовлення: 157
В кошику  од. на суму  грн.
FDP023N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 242A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP023N08B-F102onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 242A, 2.35m?
на замовлення 5868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+313.28 грн
10+245.35 грн
50+148.61 грн
100+136.10 грн
250+135.37 грн
500+122.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP023N08B-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13765 pF @ 37.5 V
на замовлення 27404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+316.73 грн
50+166.94 грн
100+151.83 грн
500+117.65 грн
1000+112.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP023N08B-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP023N08B-F102 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 20529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+170.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
FDP023N08B-F102ONSEMIFDP023N08B-F102 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP023N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 242A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP025N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP025N06ON Semiconductor
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP025N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP025N06
Код товару: 189620
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP025N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP025N06onsemi / FairchildMOSFETs 60V N-Channel PowerTrench
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+357.91 грн
10+320.65 грн
25+192.75 грн
100+170.68 грн
250+169.94 грн
500+159.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP025N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+281.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
FDP025N06ONSEMIFDP025N06 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP025N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14885 pF @ 25 V
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+362.09 грн
50+246.61 грн
100+220.29 грн
500+179.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP027N08Bonsemionsemi FET 80V 2.7 MOHM TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP027N08BonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13530 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP027N08B-F102onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel PwrTrench 80V 223A 2.7mOhm
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+254.91 грн
10+212.35 грн
25+133.16 грн
100+120.65 грн
250+119.92 грн
500+105.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP027N08B-F102
Код товару: 194545
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP027N08B-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP027N08B-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 223 A, 0.00221 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 246W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00221ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+246.76 грн
10+207.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP027N08B-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13530 pF @ 40 V
на замовлення 571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.97 грн
50+129.43 грн
100+124.74 грн
500+104.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP027N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 223A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP027N08B-F102ONSEMIFDP027N08B-F102 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP027N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 223A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP027N08B_F102onsemiDescription: FDP027N08B_F102
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 138A; 205W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 138A
Power dissipation: 205W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9815 pF @ 25 V
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.38 грн
50+169.79 грн
100+167.28 грн
500+144.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06onsemi / FairchildMOSFETs NCH 60V 3.0Mohm
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+301.26 грн
10+296.11 грн
25+175.09 грн
100+164.79 грн
250+163.32 грн
500+156.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP030N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+269.04 грн
10+268.22 грн
100+182.39 грн
500+141.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 138A; 205W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 138A
Power dissipation: 205W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06BFairchild SemiconductorDescription: 1-ELEMENT, N-CHANNEL, MOS FET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+112.31 грн
Мінімальне замовлення: 197
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+81.11 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06B-F102onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 195A, 3.1mO
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+221.44 грн
10+125.21 грн
100+90.49 грн
500+73.42 грн
1000+73.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+92.23 грн
2400+88.15 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06B-F102ONSEMIFDP030N06B-F102 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06B-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP030N06B-F102 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06B-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06B-F102ON Semiconductor
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 138050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+149.29 грн
10+126.74 грн
100+106.80 грн
250+97.89 грн
500+82.32 грн
800+67.52 грн
2400+63.32 грн
5600+61.83 грн
10400+60.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15160 pF @ 25 V
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+302.41 грн
50+209.81 грн
100+201.88 грн
500+179.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+287.74 грн
Мінімальне замовлення: 107
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+235.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+219.11 грн
100+210.88 грн
500+202.87 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+214.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08onsemi / FairchildMOSFETs 75V N-Channel PowerTrench
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+329.59 грн
50+233.51 грн
100+197.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08ONSEMIFDP032N08 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+235.97 грн
100+227.10 грн
500+218.48 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08-F102ON SemiconductorN-Channel PowerTrench® MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08-F102ON SemiconductorN-Channel PowerTrench® MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08-F102onsemi / FairchildMOSFET PT3 MV 75V 3.2mohm for Delta
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08-F102onsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 75V 120A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15160 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP032N08-F102 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 80V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08Bonsemionsemi FET 80V 3.1 MOHM TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 211A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08B-F102ONSEMIFDP032N08B-F102 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08B-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP032N08B-F102 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08B-F102onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET 80V, 211A, 3.3mO
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+247.19 грн
10+239.43 грн
25+119.18 грн
100+105.94 грн
500+96.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 211A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08B-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10965 pF @ 40 V
на замовлення 4343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.23 грн
50+133.74 грн
100+121.17 грн
500+106.12 грн
1000+86.38 грн
2000+85.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 211A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 211A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+123.10 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08_F149onsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10AFairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 120 А; Ptot, Вт = 227; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 7295 @ 25; Qg, нКл = 116 @ 10 В; Rds = 3,6 мОм @ 75 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
2+416.74 грн
10+388.95 грн
100+361.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10AUMWDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220
Packaging: Tube
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.35 грн
10+75.25 грн
100+50.38 грн
500+37.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10AONSEMIDescription: ONSEMI - FDP036N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+472.06 грн
10+467.11 грн
100+233.56 грн
500+183.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+374.67 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+288.76 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+280.82 грн
10+279.69 грн
25+207.63 грн
100+188.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10AONSEMIFDP036N10A THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+302.42 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10A
Код товару: 94301
Додати до обраних Обраний товар


8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10Aonsemi / FairchildMOSFETs PT5 NCH 100V 3.6Mohm PowerTrench MOSFET
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+461.76 грн
10+440.78 грн
25+226.59 грн
100+206.73 грн
250+202.31 грн
500+200.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+199.52 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06
на замовлення 5863 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+199.62 грн
63+195.72 грн
73+169.17 грн
100+139.61 грн
250+126.23 грн
500+119.97 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0
Код товару: 51728
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0onsemi / FairchildMOSFETs 60V 80a .38 Ohms/VGS=1V
на замовлення 6457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+214.57 грн
10+208.97 грн
50+157.44 грн
100+124.33 грн
250+122.12 грн
800+119.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
на замовлення 8066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.61 грн
50+131.95 грн
100+126.18 грн
500+116.65 грн
1000+111.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP038AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 80
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 310
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0ONSEMIFDP038AN06A0 THT N channel transistors
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+332.75 грн
6+210.59 грн
15+199.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+185.18 грн
10+181.57 грн
50+156.94 грн
100+129.51 грн
250+117.10 грн
500+111.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP038AN06A0-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 80
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 310
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Power Trench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0-F102ON SemiconductorN-Channel PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0-F102ON SemiconductorN-Channel PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0-F102onsemi / FairchildMOSFET 60V80A3.8OHMS MOSFET NCH PWR TRENCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0_Qonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP039N08Bonsemionsemi FET 80V 3.9 MOHM TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP039N08BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 80V
Packaging: Bulk
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+183.61 грн
Мінімальне замовлення: 124
В кошику  од. на суму  грн.
FDP039N08BONSEMIDescription: ONSEMI - FDP039N08B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
149+212.92 грн
Мінімальне замовлення: 149
В кошику  од. на суму  грн.
FDP039N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP039N08B-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9450 pF @ 40 V
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+617.55 грн
10+406.69 грн
100+300.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP039N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+210.78 грн
10+205.22 грн
25+175.31 грн
100+167.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP039N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP039N08B-F102ONSEMIFDP039N08B-F102 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP039N08B-F102Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9450 pF @ 40 V
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+323.09 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
FDP039N08B-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP039N08B-F102 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+377.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDP039N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP039N08B-F102onsemi / FairchildMOSFETs Hi Intg PWM contrlr Green-Mode
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+589.65 грн
10+413.71 грн
50+359.01 грн
100+278.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP040N06ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP040N06 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+163.41 грн
Мінімальне замовлення: 194
В кошику  од. на суму  грн.
FDP040N06onsemi / FairchildMOSFET PT3 Low Qg 60V, 4.0Mohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP040N06Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8235 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+129.20 грн
Мінімальне замовлення: 171
В кошику  од. на суму  грн.
FDP040N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 168A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10AUMWDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220
Packaging: Tube
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.42 грн
10+115.10 грн
100+78.76 грн
500+59.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10Aonsemi FET 100V 4.5 MOHM TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F032ON Semiconductor
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F032onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F032onsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
на замовлення 208000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+350.16 грн
10+183.84 грн
100+166.65 грн
800+146.99 грн
1600+125.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+358.77 грн
10+308.80 грн
50+169.21 грн
100+154.49 грн
500+137.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+179.14 грн
Мінімальне замовлення: 69
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+147.47 грн
Мінімальне замовлення: 83
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+251.59 грн
10+217.45 грн
50+161.48 грн
100+147.85 грн
500+122.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102ONSEMIFDP045N10A-F102 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP045N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0038 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+182.42 грн
100+166.59 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10AF102Fairchild SemiconductorDescription: 120A, 100V, N-CHANNEL POWER MOSF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+284.01 грн
78+156.61 грн
100+152.15 грн
500+125.96 грн
1000+110.64 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+315.14 грн
50+155.66 грн
100+141.40 грн
500+109.24 грн
1000+102.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+264.44 грн
50+145.83 грн
100+141.66 грн
500+117.27 грн
1000+103.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+164.71 грн
500+157.60 грн
1000+148.45 грн
Мінімальне замовлення: 186
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0onsemi / FairchildMOSFETs 75V N-Ch PowerTrench
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+333.02 грн
10+326.57 грн
50+139.04 грн
100+131.69 грн
500+124.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0
Код товару: 119329
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+164.71 грн
Мінімальне замовлення: 186
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0-F102onsemi / FairchildMOSFETs SNGL NCH 75V 4.7MOHM ULTRAFET TRENCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0_NL
на замовлення 11629 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08AOFAIRCHILD
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08AOFSC07+ QFP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08AOFAIRCHILD08+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08ON Semiconductor
на замовлення 740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+162.68 грн
Мінімальне замовлення: 188
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9415 pF @ 25 V
на замовлення 32191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.07 грн
50+146.06 грн
100+134.14 грн
500+110.19 грн
1000+104.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08ONSEMIFDP047N08 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08onsemi / FairchildMOSFETs 75V N-Channel PowerTrench
на замовлення 3962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+266.93 грн
10+232.66 грн
50+136.10 грн
100+125.80 грн
250+122.86 грн
500+111.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08-F10ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP047N08-F10 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+272.34 грн
Мінімальне замовлення: 117
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08-F10Fairchild SemiconductorDescription: 164A, 75V, N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+236.68 грн
Мінімальне замовлення: 97
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08-F102ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 116A; Idm: 656A; 168W; TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 152nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 656A
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 116A
On-state resistance: 4.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 168W
Polarisation: unipolar
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.60 грн
8+120.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9415 pF @ 25 V
на замовлення 7979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+266.60 грн
10+167.83 грн
100+117.26 грн
800+85.22 грн
1600+81.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08-F102ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 116A; Idm: 656A; 168W; TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 152nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 656A
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 116A
On-state resistance: 4.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 168W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+208.96 грн
3+181.44 грн
8+144.38 грн
22+137.02 грн
250+132.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08-F102onsemi / FairchildMOSFETs PT3 75V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP047N08-F102 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+118.84 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08V_F102onsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08V_F149onsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08_F149onsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+206.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+413.82 грн
50+209.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N10onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 4791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+372.50 грн
10+355.33 грн
25+167.00 грн
100+155.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N10ONSEMIFDP047N10 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP050AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP050AN06A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
на замовлення 7475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.56 грн
50+127.98 грн
100+115.85 грн
500+88.78 грн
1000+82.37 грн
2000+80.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP050AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP050AN06A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP050AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+250.89 грн
10+179.09 грн
100+142.77 грн
500+98.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP050AN06A0onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel PowerTrench
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+282.38 грн
10+137.90 грн
100+110.35 грн
250+105.20 грн
500+97.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP050AN06A0ONSEMIFDP050AN06A0 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP050AN06A0_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP053N08Bonsemi FET 60V 5.0 MOHM TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP053N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP053N08B-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP053N08B-F102 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP053N08B-F102ONSEMIFDP053N08B-F102 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP053N08B-F102onsemi / FairchildMOSFETs Smart Power Module
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+187.97 грн
10+100.68 грн
100+78.72 грн
500+63.78 грн
1000+63.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP053N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP053N08B-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 146W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5960 pF @ 40 V
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.10 грн
50+88.47 грн
100+80.56 грн
500+62.38 грн
1000+58.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP054N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 144A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+223.96 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
FDP054N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 144A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP054N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13280 pF @ 25 V
на замовлення 1676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+393.13 грн
50+205.78 грн
100+197.55 грн
500+165.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP054N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 144A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP054N10ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP054N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 263
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP054N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 144A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+256.22 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
FDP054N10ONSEMIFDP054N10 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP054N10onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Chan PowerTrench MOSFET
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+412.84 грн
10+323.19 грн
25+200.11 грн
100+184.66 грн
500+175.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08
на замовлення 5589 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 16A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 25 V
на замовлення 8943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+291.27 грн
50+142.43 грн
100+129.10 грн
500+99.22 грн
1000+92.17 грн
2000+91.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP060AN08A0 - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0048 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+223.65 грн
10+198.89 грн
100+125.44 грн
500+98.09 грн
1000+89.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0onsemi / FairchildMOSFETs 75V 80a .6Ohms/VGS=1V
на замовлення 3907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+231.74 грн
10+203.05 грн
50+121.39 грн
100+111.09 грн
500+96.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0ONSEMIFDP060AN08A0 THT N channel transistors
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+244.61 грн
7+159.09 грн
19+150.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0_Qonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP070AN06A0ONSEMIFDP070AN06A0 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP070AN06A0ON Semiconductor
на замовлення 770 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP070AN06A0onsemi / FairchildMOSFET N-Channel PwrTrench
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.40 грн
10+157.36 грн
100+108.15 грн
250+107.41 грн
500+80.19 грн
800+71.88 грн
5600+71.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP070AN06A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 15A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.54 грн
10+173.42 грн
100+139.39 грн
500+107.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP070AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP070AN06A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP070AN06A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP070AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15Aonsemi FET 150V 7.5 MOHM TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15AonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F032onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+391.25 грн
100+372.21 грн
250+369.04 грн
500+337.51 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+436.53 грн
50+318.06 грн
100+315.59 грн
250+303.47 грн
500+260.19 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+407.02 грн
50+296.56 грн
100+294.26 грн
250+282.95 грн
500+242.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP075N15A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 0.00625 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00625ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+440.70 грн
5+392.01 грн
10+344.14 грн
50+274.35 грн
100+242.63 грн
250+241.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+349.76 грн
Мінімальне замовлення: 88
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+293.31 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+272.36 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+424.17 грн
50+270.38 грн
100+258.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+433.62 грн
50+285.91 грн
100+282.98 грн
250+270.21 грн
500+234.07 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 92A; 333W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 92A
Power dissipation: 333W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+408.52 грн
3+337.19 грн
8+318.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+402.65 грн
50+265.49 грн
100+262.77 грн
250+250.91 грн
500+217.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 92A; 333W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 92A
Power dissipation: 333W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+490.22 грн
3+420.19 грн
8+382.55 грн
50+367.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102onsemi / FairchildMOSFETs 150V NChan PwrTrench
на замовлення 3292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+465.20 грн
10+457.70 грн
50+261.90 грн
100+253.81 грн
5000+238.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+293.31 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+359.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A_F102onsemi / FairchildMOSFET 150V NChan PwrTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A_F102
Код товару: 154614
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15AonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15Aonsemionsemi FET 150V 8.3 MOHM TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP083N15A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 117 A, 0.00685 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 117A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00685ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+426.67 грн
10+421.72 грн
100+211.27 грн
500+183.92 грн
1000+158.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+340.97 грн
40+311.28 грн
41+298.14 грн
100+251.48 грн
500+202.75 грн
1000+167.54 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A-F102ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 294W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+412.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A-F102ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 294W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+394.16 грн
4+289.36 грн
11+263.01 грн
100+255.65 грн
400+252.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A-F102onsemi / FairchildMOSFETs 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
на замовлення 6905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+442.02 грн
10+429.79 грн
50+203.05 грн
100+187.60 грн
500+164.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V
на замовлення 88631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+408.25 грн
50+218.73 грн
100+199.78 грн
500+156.33 грн
1000+155.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A_F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A_F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+329.95 грн
41+297.84 грн
50+281.17 грн
100+228.03 грн
500+190.89 грн
800+161.45 грн
1000+152.81 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A_F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A_F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+307.10 грн
10+277.22 грн
50+261.70 грн
100+212.24 грн
500+177.67 грн
800+150.27 грн
1000+142.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP085N10AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 96A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2695 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP085N10A-F102onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+278.95 грн
10+137.90 грн
100+107.41 грн
250+106.67 грн
500+86.81 грн
1000+84.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP085N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP085N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP085N10A-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP085N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 96 A, 0.00735 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00735ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+240.16 грн
10+143.60 грн
100+122.14 грн
500+94.26 грн
1000+86.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP085N10A-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 96A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2695 pF @ 50 V
на замовлення 7076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.76 грн
50+128.19 грн
100+115.98 грн
500+88.77 грн
1000+82.32 грн
2000+80.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP085N10A-F102ONSEMIFDP085N10A-F102 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP085N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP090N10ONSEMIFDP090N10 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP090N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP090N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP090N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+150.25 грн
1000+124.56 грн
2000+124.19 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDP090N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8225 pF @ 25 V
на замовлення 11831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.73 грн
50+121.85 грн
100+116.08 грн
500+107.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP090N10FAIRCHILDTO-220 09+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP090N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+148.06 грн
1000+122.74 грн
2000+122.37 грн
Мінімальне замовлення: 83
В кошику  од. на суму  грн.
FDP090N10onsemi / FairchildMOSFETs 100V 75A N-Chan PowerTrench
на замовлення 8088 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+221.44 грн
10+198.82 грн
50+118.44 грн
100+117.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP100N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+338.22 грн
50+168.00 грн
100+152.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP100N10onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+279.80 грн
10+234.35 грн
50+141.99 грн
100+130.22 грн
500+116.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP100N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+138.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDP100N10ONSEMIFDP100N10 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP100N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP100N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP10AN06A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP10AN06A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+124.62 грн
Мінімальне замовлення: 255
В кошику  од. на суму  грн.
FDP10AN06A0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 12A/75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V
на замовлення 5110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
211+105.81 грн
Мінімальне замовлення: 211
В кошику  од. на суму  грн.
FDP10N60NZFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 10506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+116.71 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
FDP10N60NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP120AN15A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP120AN15A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
369+85.83 грн
Мінімальне замовлення: 369
В кошику  од. на суму  грн.
FDP120AN15A0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
на замовлення 13998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+73.02 грн
Мінімальне замовлення: 307
В кошику  од. на суму  грн.
FDP120AN15A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP120N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP120N10ONSEMIFDP120N10 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP120N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
276+110.83 грн
500+105.74 грн
Мінімальне замовлення: 276
В кошику  од. на суму  грн.
FDP120N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 74A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 74A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5605 pF @ 25 V
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.44 грн
50+105.26 грн
100+99.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP120N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP120N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP120N10onsemi / FairchildMOSFETs N Chan 100V 12Mohm
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+248.05 грн
10+125.21 грн
100+97.11 грн
250+90.49 грн
500+84.60 грн
1000+83.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N50Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
304+84.36 грн
Мінімальне замовлення: 304
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N50ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP12N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.55 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 165
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 165
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.55
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N50onsemi / FairchildMOSFET 500V N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N50NZonsemi / FairchildMOSFET 500V N-Chan MOSFET UniFET-II
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N50NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N50NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N50NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N50NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N50NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDP12N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.46 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 170
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 170
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.46
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+157.63 грн
10+155.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N60NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N60NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1676 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N60NZonsemi / FairchildMOSFET The factory is currently not accepting orders for this product.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP13AN06A0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 23918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+74.66 грн
Мінімальне замовлення: 307
В кошику  од. на суму  грн.
FDP13AN06A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP13AN06A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 23918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
369+85.83 грн
Мінімальне замовлення: 369
В кошику  од. на суму  грн.
FDP13AN06A0
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP13AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP13AN06A0_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP13AN06A0 
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP14AN06LA0
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP14AN06LA0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 14481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+206.94 грн
Мінімальне замовлення: 109
В кошику  од. на суму  грн.
FDP14AN06LA0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP14AN06LA0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.16 грн
10+120.14 грн
100+94.17 грн
500+79.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 57A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.52 грн
50+100.94 грн
100+97.33 грн
500+78.99 грн
1000+75.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10ONSEMIFDP150N10 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10Aonsemionsemi FET 100V 15.0 MOHM TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10A-F102
Код товару: 150159
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10A-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP150N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0125 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+251.71 грн
10+127.92 грн
100+113.89 грн
500+87.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10A-F102ON Semiconductor
на замовлення 670 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10A-F102onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel PwrTrench 100V 50A 15mOhm
на замовлення 7845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+254.91 грн
10+129.44 грн
100+100.79 грн
500+85.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10A-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 50 V
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.15 грн
50+112.48 грн
100+104.04 грн
500+79.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10A-F102ONSEMIFDP150N10A-F102 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP15N40onsemi / FairchildMOSFET 400V N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP15N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP15N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP15N40ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP15N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 15 A, 0.24 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 170
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 170
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP15N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP15N50ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP15N50 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+194.77 грн
Мінімальне замовлення: 163
В кошику  од. на суму  грн.
FDP15N50onsemi / FairchildMOSFETs 15a 500V N-Ch SMPS Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP15N50Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 4753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+169.96 грн
Мінімальне замовлення: 135
В кошику  од. на суму  грн.
FDP15N50F102Fairchild SemiconductorDescription: 15A, 500V, 0.38OHM, N CHANNEL ,
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP15N65onsemi / FairchildMOSFETs SINGLE N-CH 500V .38OHM SMPS PWR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP15N65onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3095 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP16AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
365+83.77 грн
500+80.20 грн
1000+75.75 грн
Мінімальне замовлення: 365
В кошику  од. на суму  грн.
FDP16AN08A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 9A/58A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP16AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP16AN08A0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 75V 9A/58A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+68.96 грн
Мінімальне замовлення: 330
В кошику  од. на суму  грн.
FDP16AN08A0ONSEMIFDP16AN08A0 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP16AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+66.02 грн
Мінімальне замовлення: 185
В кошику  од. на суму  грн.
FDP16AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
365+83.77 грн
500+80.20 грн
1000+75.75 грн
Мінімальне замовлення: 365
В кошику  од. на суму  грн.
FDP16AN08A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 9A/58A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V
на замовлення 10200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+68.96 грн
Мінімальне замовлення: 330
В кошику  од. на суму  грн.
FDP16AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP16AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+61.31 грн
14+43.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDP16AN08A0onsemi / FairchildMOSFETs 75V 58a 0.016 Ohms/VGS=10V
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+66.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDP16AN08A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP16AN08A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+79.97 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDP16N50Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1945 pF @ 25 V
на замовлення 14108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+98.64 грн
Мінімальне замовлення: 231
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N20FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+72.61 грн
10+66.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N20Fonsemi / FairchildMOSFET 200V N-Channel
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.89 грн
10+119.29 грн
100+80.19 грн
500+66.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N20FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N20FonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N20FONSEMIDescription: ONSEMI - FDP18N20F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.12 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 18
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 100
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N20FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+236.69 грн
3+206.27 грн
8+151.73 грн
20+143.46 грн
250+137.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+122.43 грн
100+112.46 грн
250+96.45 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50onsemi / FairchildMOSFETs 500V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+298.69 грн
10+293.57 грн
50+119.18 грн
100+108.88 грн
250+91.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 9921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.33 грн
50+109.59 грн
100+104.54 грн
500+91.77 грн
1000+85.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP18N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.265 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 235W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 14828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+241.81 грн
10+236.03 грн
100+113.06 грн
500+88.89 грн
1000+80.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 10571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+195.36 грн
10+189.63 грн
50+114.56 грн
100+101.62 грн
250+84.40 грн
500+76.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50ON-SemicoductorTransistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 235W; -55°C ~ 150°C; FDP18N50 TFDP18n50
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+97.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+131.85 грн
101+121.12 грн
250+103.87 грн
Мінімальне замовлення: 93
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 10571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+210.35 грн
60+204.18 грн
99+123.34 грн
108+109.42 грн
250+90.88 грн
500+82.77 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+165.53 грн
8+126.45 грн
20+119.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP19N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 19A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2115 pF @ 25 V
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+116.56 грн
Мінімальне замовлення: 197
В кошику  од. на суму  грн.
FDP19N40onsemi / FairchildMOSFET UniFET, 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP19N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP19N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2115 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP19N40ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP19N40 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP1XSZAM63R262XCONECD-Sub Standard Connectors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20AN06A0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 45A TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N40onsemi / FairchildMOSFET 20a 400V N-Ch SMPS Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+294.93 грн
45+272.58 грн
49+251.06 грн
52+228.93 грн
100+201.61 грн
500+186.81 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP20N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.23 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+323.51 грн
10+257.49 грн
100+197.24 грн
500+131.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+273.86 грн
10+253.11 грн
25+233.13 грн
50+212.58 грн
100+187.21 грн
500+173.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50onsemi / FairchildMOSFETs 500V NCH UNIFET MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50Fonsemi / FairchildMOSFETs 500V N-Channel
на замовлення 12702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+294.40 грн
10+218.28 грн
50+115.50 грн
100+108.15 грн
250+106.67 грн
500+101.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+205.50 грн
7+142.54 грн
18+134.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50FonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+269.78 грн
50+118.25 грн
100+113.92 грн
500+100.06 грн
1000+93.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+246.59 грн
7+177.62 грн
18+161.85 грн
100+158.17 грн
500+155.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50F
Код товару: 190678
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+168.13 грн
250+158.61 грн
500+148.04 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50FONSEMIDescription: ONSEMI - FDP20N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+290.50 грн
10+218.70 грн
100+124.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP22N50NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP22N50NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+346.02 грн
64+191.92 грн
100+162.67 грн
500+139.51 грн
1000+122.57 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
FDP22N50N
Код товару: 60060
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP22N50NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP22N50NONSEMIDescription: ONSEMI - FDP22N50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.185 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 312.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312.5
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+268.22 грн
10+241.81 грн
100+198.07 грн
500+156.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP22N50NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+327.60 грн
50+181.71 грн
100+154.01 грн
500+132.09 грн
1000+116.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP22N50Nonsemi / FairchildMOSFETs UniFETII 500V 22A
на замовлення 2614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+369.93 грн
10+363.79 грн
50+161.11 грн
100+141.25 грн
500+125.80 грн
1000+125.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP22N50NONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.2A; 312.5W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.2A
Power dissipation: 312.5W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+255.01 грн
6+171.66 грн
15+162.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP22N50NonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 22A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 312.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+350.95 грн
50+174.98 грн
100+150.54 грн
500+123.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP22N50NONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.2A; 312.5W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.2A
Power dissipation: 312.5W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+306.02 грн
6+213.91 грн
15+194.96 грн
250+187.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP22N50NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP24AN06LA0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP24AN06LA0Fairchild
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP24N40ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP24N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 24 A, 0.14 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 24
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 227
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 227
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP24N40onsemi / FairchildMOSFET 400V N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP24N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+251.58 грн
61+202.46 грн
100+182.53 грн
500+150.36 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
FDP24N40ON Semiconductor
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP24N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP24N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+233.61 грн
10+187.99 грн
100+169.49 грн
500+139.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP24N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP24N40FAIRCHILTO220 09+
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 107nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+299.08 грн
6+213.91 грн
15+194.96 грн
500+187.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 107nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+249.24 грн
6+171.66 грн
15+162.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+236.85 грн
10+211.44 грн
50+196.66 грн
100+164.98 грн
500+138.32 грн
800+109.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 8A/79A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
на замовлення 2136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+297.63 грн
50+167.92 грн
100+152.75 грн
500+118.39 грн
1000+112.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 79 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+297.93 грн
10+165.06 грн
100+162.58 грн
500+149.44 грн
1000+135.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+254.08 грн
54+226.82 грн
58+210.97 грн
100+176.99 грн
500+148.39 грн
800+116.96 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532ON-SemicoductorTransistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 48mOhm; 79A; 310W; -55°C ~ 175°C; FDP2532 TFDP2532
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+176.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532onsemi / FairchildMOSFETs 150V NCh UltraFET Power Trench
на замовлення 10942 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+314.99 грн
10+266.50 грн
50+165.53 грн
100+140.52 грн
500+136.84 грн
5000+136.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532
Код товару: 44129
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-263AB
Uds,V: 150 V
Idd,A: 79 A
Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+292.09 грн
50+246.22 грн
54+228.08 грн
100+169.65 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+271.23 грн
10+228.63 грн
50+211.79 грн
100+157.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2552onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.26 грн
50+97.63 грн
100+93.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2552ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+150.80 грн
10+138.23 грн
100+117.51 грн
500+96.59 грн
1000+75.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2552ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; 150W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 26A
On-state resistance: 97mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2552onsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Ch UltraFET Trench
на замовлення 1639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+220.58 грн
10+110.83 грн
100+86.07 грн
250+80.19 грн
500+79.45 грн
1000+72.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2552ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2552ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; 150W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 26A
On-state resistance: 97mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2552ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2552_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2552_NL
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2552_Qonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2570onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 22A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1911 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2570onsemi / FairchildMOSFETs TO-220 N-CH 150V 22A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2570_Qonsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2572FSC09+ TO220
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+153.89 грн
100+123.08 грн
500+100.50 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2572ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 20A; 135W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 20A
On-state resistance: 146mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 135W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2572FAIRCHIL09+ PLCC-44
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2572ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 20A; 135W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 20A
On-state resistance: 146mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 135W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2572onsemi / FairchildMOSFETs TO-220 N-CH 150V 29A
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+199.98 грн
10+105.75 грн
100+83.87 грн
500+75.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2572onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.09 грн
50+108.11 грн
100+97.52 грн
500+74.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+156.77 грн
100+125.39 грн
500+102.38 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2614ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 39.3A; 260W; TO220-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 39.3A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 260W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 99nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO220-3
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+345.79 грн
3+288.91 грн
4+237.56 грн
11+224.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2614ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2614ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2614ON Semiconductor
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2614onsemi / FairchildMOSFETs 200V N-Channel PowerTrench
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+278.95 грн
10+271.58 грн
50+167.00 грн
100+159.64 грн
500+158.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2614onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 62A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V
на замовлення 13354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+418.60 грн
50+211.54 грн
100+193.10 грн
500+150.91 грн
1000+149.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2614ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+183.61 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2614ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2614ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 39.3A; 260W; TO220-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 39.3A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 260W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 99nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+414.95 грн
3+360.02 грн
4+285.08 грн
11+269.44 грн
250+260.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2670Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 100 V
на замовлення 6893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+116.82 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2670ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP2670 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+139.47 грн
Мінімальне замовлення: 228
В кошику  од. на суму  грн.
FDP26N40ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 15.6A; 265W; TO220-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 15.6A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220-3
Power dissipation: 265W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP26N40ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 15.6A; 265W; TO220-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 15.6A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220-3
Power dissipation: 265W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP26N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP26N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 26A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 265W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3185 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP26N40onsemi / FairchildMOSFET 400V N-Channel
на замовлення 2747 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+244.61 грн
10+217.43 грн
25+178.04 грн
100+154.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2710ONSEMIFDP2710 THT N channel transistors
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+356.52 грн
5+233.58 грн
13+220.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2710ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2710onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+308.77 грн
50+235.31 грн
100+201.69 грн
500+168.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2710ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2710onsemi / FairchildMOSFETs 250V N-Channel PowerTrench
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+278.09 грн
10+186.13 грн
50+140.52 грн
100+137.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2710-F085onsemi / FairchildMOSFETs 250V NCHAN PwrTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2710-F085ON Semiconductor
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2710-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 50A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2710-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5690 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2710-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2710_F085Fairchild SemiconductorDescription: 4A, 250V, 0.047OHM, N-CHANNEL ,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2710_SN00168Fairchild SemiconductorDescription: 1-ELEMENT, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2710_SW82258Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2D3N10ConsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11180 pF @ 50 V
на замовлення 153574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+566.62 грн
50+294.67 грн
100+270.53 грн
500+222.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2D3N10CONSEMIFDP2D3N10C THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2D3N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 222A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2D3N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 222A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2D3N10Consemi / FairchildMOSFETs PTNG 100/20V inTO220 3L JEDEC GREEN EMC
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+517.55 грн
10+504.24 грн
25+256.75 грн
100+236.15 грн
500+234.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2D3N10CONSEMIDescription: ONSEMI - FDP2D3N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 222 A, 0.0021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 222A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+547.99 грн
5+452.26 грн
10+356.52 грн
50+298.87 грн
100+245.46 грн
250+240.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2D9N12ConsemiMOSFETs PTNG 120V N-FET
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+490.09 грн
10+413.71 грн
25+326.64 грн
100+299.42 грн
250+282.50 грн
500+264.85 грн
800+237.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2D9N12ConsemiDescription: PTNG 120V N-FET TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 686µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8894 pF @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2D9N12CON SemiconductorN-Channel Shielded Gate Power Trench MOSFET 120 V, 2.9 mW, 210 A, Single N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2XPZAM63R262XCONECD-Sub Standard Connectors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2XSZAM63R262XCONECD-Sub Standard Connectors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3205onsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7730 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3205ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP3205 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
306+103.99 грн
Мінімальне замовлення: 306
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3205Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7730 pF @ 25 V
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
208+106.44 грн
Мінімальне замовлення: 208
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP33N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.094 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 235W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+159.28 грн
10+94.91 грн
100+85.83 грн
500+73.11 грн
1000+61.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25onsemi / FairchildMOSFETs 250V N-Channel MOSFET
на замовлення 2434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+164.79 грн
10+97.29 грн
100+76.51 грн
250+75.78 грн
500+62.97 грн
1000+61.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25
Код товару: 107817
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25ONSEMIFDP33N25 THT N channel transistors
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+173.31 грн
11+104.83 грн
29+99.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 33A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V
на замовлення 5644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.16 грн
50+82.12 грн
100+74.74 грн
500+57.80 грн
1000+53.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+67.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25
на замовлення 580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP34N33Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 330V 34A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3632ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 310W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 310W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+302.05 грн
3+262.62 грн
6+194.04 грн
16+183.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3632ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3632ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 310W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 310W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+251.71 грн
3+210.74 грн
6+161.70 грн
16+152.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3632ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3632onsemi / FairchildMOSFETs 100V 80a .9 Ohms/VGS=1V
на замовлення 3225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+343.32 грн
25+178.51 грн
100+139.78 грн
500+129.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3632onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 1515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+315.14 грн
50+152.13 грн
100+144.20 грн
500+116.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3632 (TO-220AB)
Код товару: 52946
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3632_NL
на замовлення 19219 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3651UON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+111.44 грн
10+88.51 грн
100+83.55 грн
250+75.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3651UON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3651UONSEMIFDP3651U THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3651Uonsemi / FairchildMOSFETs 100V 80A 18 mOHM NCH POWER TREN
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+225.73 грн
10+120.98 грн
100+92.70 грн
250+89.75 грн
500+76.51 грн
1000+69.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3651UonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5522 pF @ 25 V
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.40 грн
50+109.74 грн
100+99.02 грн
500+75.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3651UON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3651U
Код товару: 144911
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3651UONSEMIDescription: ONSEMI - FDP3651U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+202.19 грн
10+118.02 грн
100+103.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3651UON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3651UON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+120.02 грн
128+95.32 грн
136+89.98 грн
250+80.97 грн
Мінімальне замовлення: 102
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3652ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3652ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3652ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+115.44 грн
10+95.89 грн
100+80.45 грн
250+75.64 грн
500+67.89 грн
800+49.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3652ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3652ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+124.46 грн
119+103.38 грн
141+86.74 грн
250+81.54 грн
500+73.19 грн
800+52.92 грн
Мінімальне замовлення: 99
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3652ONSEMIFDP3652 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3652onsemi / FairchildMOSFET 100V 61a 0.016 Ohm
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.91 грн
10+119.29 грн
100+83.13 грн
250+79.45 грн
500+75.04 грн
800+60.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3652onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.97 грн
10+102.46 грн
100+75.58 грн
800+58.93 грн
1600+54.85 грн
2400+52.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3652_NL
на замовлення 14881 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3652_Qonsemi / FairchildMOSFET 100V 61a 0.016 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3672FAIRCHILD05+06+
на замовлення 24350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3672onsemi / FairchildMOSFETs 105V 41a 0.033 Ohms/VGS=10V
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.06 грн
10+119.29 грн
100+85.34 грн
500+72.54 грн
800+58.19 грн
2400+56.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3672ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP3672 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+80.38 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3672onsemiDescription: MOSFET N-CH 105V 5.9A/41A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 105 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 25 V
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.81 грн
10+117.17 грн
100+80.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3672ONSEMIFDP3672 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 105V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 105V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3682onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 6A/32A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
на замовлення 7161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.80 грн
10+132.42 грн
100+106.44 грн
500+82.07 грн
1000+68.00 грн
2000+63.31 грн
5000+59.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+111.41 грн
10+104.07 грн
25+82.73 грн
100+78.98 грн
500+67.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3682
Код товару: 107819
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3682ONSEMIFDP3682 THT N channel transistors
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+159.44 грн
12+97.48 грн
31+91.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+87.79 грн
Мінімальне замовлення: 139
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3682onsemi / FairchildMOSFETs 100V 32a .36Ohm/VGS=1V
на замовлення 21268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.15 грн
10+71.66 грн
100+59.22 грн
250+59.15 грн
500+58.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+119.98 грн
109+112.08 грн
137+89.09 грн
139+85.05 грн
500+72.97 грн
Мінімальне замовлення: 102
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3682ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 32
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 95
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 95
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+74.67 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3682_Qonsemi / FairchildMOSFET 100V 32a .36Ohm/VGS=1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP39N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP39N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+228.40 грн
10+204.46 грн
25+195.55 грн
100+104.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP39N20onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 39A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 251W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP39N20ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP39N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.056 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 39
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 251
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 251
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.056
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP39N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+245.97 грн
56+220.19 грн
58+210.59 грн
105+112.63 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDP39N20Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 251W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 25 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+116.71 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
FDP39N20FAIRCHILD
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP39N20onsemi / FairchildMOSFET SINGLE N-CH 200V ULTRAFET TRENCH
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+246.33 грн
10+219.12 грн
25+179.51 грн
100+155.96 грн
500+132.42 грн
1000+111.09 грн
2000+104.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4020P
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4020PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4020PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 16A TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4030LONSEMIDescription: ONSEMI - FDP4030L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
494+64.21 грн
Мінімальне замовлення: 494
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4030LFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 15 V
на замовлення 6570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
410+55.10 грн
Мінімальне замовлення: 410
В кошику  од. на суму  грн.
FDP42AN15A0ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 150W; TO220AB
Mounting: THT
On-state resistance: 0.107Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 39nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 24A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+201.04 грн
9+135.61 грн
24+123.23 грн
100+119.55 грн
250+118.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP42AN15A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 5A/35A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.46 грн
50+112.21 грн
100+101.35 грн
500+77.24 грн
1000+71.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP42AN15A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP42AN15A0onsemi / FairchildMOSFETs 150V 35a .42 Ohms/VGS=1V
на замовлення 16903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+196.55 грн
10+155.67 грн
100+99.32 грн
500+83.13 грн
800+73.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP42AN15A0ON-SemicoductorTransistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 107mOhm; 30A; 150W; -55°C ~ 175°C; FDP42AN15A0 TFDP42an15a0
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+52.58 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDP42AN15A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP42AN15A0ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 150W; TO220AB
Mounting: THT
On-state resistance: 0.107Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 39nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 24A
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+167.53 грн
9+108.82 грн
24+102.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP42AN15A0
Код товару: 111207
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP42AN15A0_Qonsemi / FairchildMOSFETs 150V 35a .42 Ohms/VGS=1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP42AN15AO
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP46N30
на замовлення 580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4D5N10CAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+208.23 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4D5N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4D5N10CON Semiconductor
на замовлення 356 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4D5N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+193.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4D5N10CONSEMIDescription: ONSEMI - FDP4D5N10C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+265.74 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4D5N10ConsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 128A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5065 pF @ 50 V
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+413.03 грн
50+226.71 грн
100+209.47 грн
500+182.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4D5N10ConsemiMOSFETs FET 100V 128A 4.5 mOhm
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+357.91 грн
10+297.80 грн
50+210.40 грн
100+194.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4D5N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4D5N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4D5N10CONSEMIFDP4D5N10C THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP51N25ON-SemicoductorTransistor N-Channel MOSFET; 250V; 30V; 60mOhm; 51A; 320W; -55°C ~ 150°C; FDP51N25 TFDP51n25
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+103.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDP51N25ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP51N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 51 A, 0.048 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+199.72 грн
10+112.24 грн
100+95.73 грн
500+85.06 грн
1000+77.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDP51N25onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 51A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 25 V
на замовлення 573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.46 грн
50+100.60 грн
100+95.39 грн
500+84.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP51N25onsemi / FairchildMOSFET 250V N-Channel MOSFET
на замовлення 8912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+226.59 грн
10+174.28 грн
100+128.74 грн
500+108.88 грн
1000+91.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP51N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP51N25ONSEMIFDP51N25 THT N channel transistors
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+239.66 грн
8+142.54 грн
21+135.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP51N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20ON-SemicoductorTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 49mOhm; 52A; 357W; -55°C ~ 150°C; FDP52N20 TFDP52n20
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+92.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 357W; TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 33A
On-state resistance: 49mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 357W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 63nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO220AB
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+165.88 грн
10+101.16 грн
25+95.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20
Код товару: 129721
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+194.00 грн
10+106.91 грн
100+96.30 грн
500+74.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 357W; TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 33A
On-state resistance: 49mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 357W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 63nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+199.06 грн
10+126.06 грн
25+114.95 грн
500+110.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP52N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+202.19 грн
10+109.76 грн
100+99.03 грн
500+83.53 грн
1000+75.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 52A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 4843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.07 грн
50+109.33 грн
100+98.70 грн
500+75.13 грн
1000+69.21 грн
2000+66.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20onsemi / FairchildMOSFETs 200V N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 11587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+258.35 грн
10+126.91 грн
100+100.05 грн
500+80.92 грн
1000+79.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+207.83 грн
107+114.53 грн
119+103.17 грн
500+79.60 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5500ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP5500 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+198.07 грн
Мінімальне замовлення: 161
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5500Fairchild SemiconductorDescription: N CHANNEL ULTRAFET 55V, 80A, 7M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3565 pF @ 25 V
на замовлення 4045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+168.39 грн
Мінімальне замовлення: 133
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5500onsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5500-F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3565 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5500-F085onsemi / FairchildMOSFET 55V NCHAN UltraFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5500-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5500-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP55N06ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP55N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+184.04 грн
10+108.94 грн
100+70.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDP55N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP55N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP55N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 55A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP55N06onsemi / FairchildMOSFET SINGLE N-CH 60V ULTRAFET TRENCH
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.77 грн
10+129.44 грн
100+87.55 грн
500+72.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP55N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5645onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5645ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP5645 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+258.31 грн
Мінімальне замовлення: 123
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5645Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+203.97 грн
Мінімальне замовлення: 111
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5680Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
на замовлення 7661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+131.31 грн
Мінімальне замовлення: 182
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5680ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP5680 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+156.80 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5680onsemi / FairchildMOSFET 60V N-Ch PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5680onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5680FAIRCHILD
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5680_Qonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5690FAIRCHILDTO-220
на замовлення 276 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5690Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 32A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5690ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP5690 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
236+134.52 грн
Мінімальне замовлення: 236
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5800
Код товару: 60606
Додати до обраних Обраний товар

FairchildТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Rds(on), Ohm: 6 mOhm
Монтаж: THT
у наявності 1 шт:
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5800ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5800ONSEMIFDP5800 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5800onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 14A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9160 pF @ 15 V
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.38 грн
10+145.99 грн
100+101.50 грн
500+77.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5800ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP5800 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242mW
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+246.76 грн
10+162.58 грн
100+113.89 грн
500+85.06 грн
1000+77.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5800onsemi / FairchildMOSFET 60V N-Ch Logic Level MOSFET
на замовлення 3799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+250.62 грн
10+221.66 грн
100+155.96 грн
500+128.01 грн
1000+103.00 грн
2500+96.37 грн
5000+92.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5800ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5800ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5800ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5N50Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 1761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
523+41.89 грн
Мінімальне замовлення: 523
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5N50ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP5N50 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
629+50.42 грн
Мінімальне замовлення: 629
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5N50NZonsemi / FairchildMOSFET N-Chan UniFET2 500V
на замовлення 2688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.03 грн
10+112.52 грн
100+76.51 грн
500+63.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5N50NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 3522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.09 грн
10+76.71 грн
100+59.66 грн
500+47.46 грн
1000+38.66 грн
2000+36.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5N50NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDP5N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.38 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 78
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 78
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.38
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.14 грн
10+109.76 грн
100+85.83 грн
500+65.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5N50NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5N50NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5N60NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5N60NZonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Channel MOSFET, UniFET-II
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5N60NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6030BLONSEMIDescription: ONSEMI - FDP6030BL - MOSFET, N-CH, 30V, 40A, 175DEG C, 60W
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+55.38 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6030BLonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6030BLFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 15 V
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
516+46.16 грн
Мінімальне замовлення: 516
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6030BLFAIRCHILD2002 TO-220
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6030BLON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6030BL_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6030LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 48A TO220-3
на замовлення 63536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
566+42.78 грн
Мінімальне замовлення: 566
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6030LFAI2003 TO-220
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6030Lonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6030LONSEMIDescription: ONSEMI - FDP6030L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 61536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
629+50.42 грн
Мінімальне замовлення: 629
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6035A
на замовлення 4530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6035ALFAIRCHILD07+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6035ALonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 48A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6035ALON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6035ALFAIRCHID99+
на замовлення 2068 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6035ALFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 48A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V
на замовлення 106637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+108.23 грн
Мінімальне замовлення: 221
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6035ALonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6035AL_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V N-CH. FET, 12.5 MO, TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6035AL_Qonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6035LONSEMIDescription: ONSEMI - FDP6035L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+71.14 грн
Мінімальне замовлення: 446
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6035Lonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6035LFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
401+59.69 грн
Мінімальне замовлення: 401
В кошику  од. на суму  грн.
FDP603AL
на замовлення 745 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+164.05 грн
109+112.95 грн
112+109.82 грн
250+97.86 грн
500+83.60 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+111.71 грн
116+105.33 грн
Мінімальне замовлення: 110
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20ON-SemicoductorTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 41mOhm; 61A; 417W; -55°C ~ 150°C; FDP61N20 TFDP61n20
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+112.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20onsemi / FairchildMOSFETs 200V N-Channel MOSFET
на замовлення 4100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+163.08 грн
10+109.98 грн
100+90.49 грн
250+87.55 грн
500+83.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+120.99 грн
500+115.91 грн
1000+109.81 грн
Мінімальне замовлення: 253
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+153.36 грн
10+105.58 грн
100+102.66 грн
250+91.48 грн
500+78.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 61A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 25 V
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.03 грн
50+126.68 грн
100+114.57 грн
500+87.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+120.99 грн
500+115.91 грн
1000+109.81 грн
Мінімальне замовлення: 253
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20
Код товару: 150150
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+211.48 грн
100+136.41 грн
250+121.60 грн
800+113.18 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+103.73 грн
100+97.80 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP61N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 5012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+164.23 грн
10+108.11 грн
100+105.64 грн
500+95.03 грн
1000+85.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDP65N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 65A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP65N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP65N06
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP65N06onsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP65N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP65N06,ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP65N06, - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 65 A, 0.016 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 65
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 135
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+162.58 грн
10+149.38 грн
100+120.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6670ALFAIRCHIL
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6670ALON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6670ALFSCTO-220
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6670ALonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6670ALFAIRCHID99+
на замовлення 196 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6670ALonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6670ALFAIRCHILDTO-220
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6670ALFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V
на замовлення 28285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
503+44.71 грн
Мінімальне замовлення: 503
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6670ALFSC09+
на замовлення 365 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6670AL_NLON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-CH. FET, 6.5 MO, TO220,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6670AL_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6676ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP6676 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
369+85.83 грн
Мінімальне замовлення: 369
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6676onsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6676Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5324 pF @ 15 V
на замовлення 20082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
332+71.62 грн
Мінімальне замовлення: 332
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6676SFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4853 pF @ 15 V
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
332+71.62 грн
Мінімальне замовлення: 332
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6676SONSEMIDescription: ONSEMI - FDP6676S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
369+85.83 грн
Мінімальне замовлення: 369
В кошику  од. на суму  грн.
FDP70301_88RF002A
на замовлення 64890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030BLONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 60W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030BLonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 60A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030BLONSEMIDescription: ONSEMI - FDP7030BL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.009 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 65
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 65
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030BLON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+23.32 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030BLFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V
на замовлення 72127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
436+50.65 грн
Мінімальне замовлення: 436
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030BLON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030BLonsemi / FairchildMOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030BLONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 60W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030BLNLFSC
на замовлення 3993 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030BLSonsemi / FairchildMOSFET TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030BL_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V N-CH. FET, 9 MO, TO220, T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030BL_Qonsemi / FairchildMOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030LFAIRCHILDFDP7030L
на замовлення 29300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
144+212.50 грн
500+203.35 грн
1000+192.17 грн
Мінімальне замовлення: 144
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030LFAITO220
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030LonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030Lonsemi / FairchildMOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V
на замовлення 29300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+175.27 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030L_Qonsemi / FairchildMOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7042LFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 15 V
на замовлення 33223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
452+48.49 грн
Мінімальне замовлення: 452
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7042LFAIRCHILDTO-220 02+
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7042LONSEMIDescription: ONSEMI - FDP7042L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 33223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
544+58.35 грн
Мінімальне замовлення: 544
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7045LFAIRCHILD0307
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7045LFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4357 pF @ 15 V
на замовлення 165881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+235.17 грн
Мінімальне замовлення: 92
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7045LFAIR0408
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7045Lonsemi / FairchildMOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7045LONSEMIDescription: ONSEMI - FDP7045L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 165881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+288.85 грн
Мінімальне замовлення: 110
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7045L_Qonsemi / FairchildMOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP75N08ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP75N08 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
321+99.03 грн
Мінімальне замовлення: 321
В кошику  од. на суму  грн.
FDP75N08onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP75N08onsemi / FairchildMOSFETs 75V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP75N08AONSEMIFDP75N08A THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP75N08AonsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP75N08Aonsemi / FairchildMOSFET 75V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP75N08AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP75N08AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP75N08A
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP75N08AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+107.28 грн
10+102.62 грн
25+97.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDP79N15Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 79A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7N50onsemi / FairchildSupervisory Circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7N50ON Semiconductor500V, NCH , MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7N60NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7N60NZonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7N60NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8030Lonsemi / FairchildMOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8030LonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+444.06 грн
10+366.31 грн
100+305.28 грн
500+252.79 грн
1000+227.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8030LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8030LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8030LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V
на замовлення 6859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+365.26 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8030LONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8030L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+427.50 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8030LN/A09+
на замовлення 20018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8030LonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP80N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP80N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP80N06
Код товару: 66797
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP80N06ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP80N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0085 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.85 грн
10+136.17 грн
100+101.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDP80N06ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 65A; Idm: 320A; 176W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 176W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS; UniFET™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP80N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3190 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP80N06ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 65A; Idm: 320A; 176W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 176W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS; UniFET™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP80N06onsemi / FairchildMOSFETs 60V N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8440Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24740 pF @ 25 V
на замовлення 17634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+186.27 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8440onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24740 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8440onsemi / FairchildMOSFETs 40V N-Channel Power Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8440ON Semiconductor
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8440onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24740 pF @ 25 V
на замовлення 26190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+186.27 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8440ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 277A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8440ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 277A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+210.54 грн
10+199.83 грн
100+180.58 грн
120+150.25 грн
500+137.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8440ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8440 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8440FAIRCHILD
на замовлення 795 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8441ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8441onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
на замовлення 2187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.91 грн
10+167.14 грн
100+135.22 грн
500+112.80 грн
1000+96.59 грн
2000+90.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8441onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8441ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8441_F085ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8442Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3
на замовлення 22479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+267.18 грн
Мінімальне замовлення: 91
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8442onsemi / FairchildMOSFET 40V N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8442ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8442 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 22479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+314.43 грн
Мінімальне замовлення: 101
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8442onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8442-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V/80A/2.8ohm/N-CH POWERTRENCH
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8442-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8442-F085 - FDP8442-F085, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+120.49 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8442-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8442-F085Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+97.48 грн
Мінімальне замовлення: 237
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8442_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8443onsemi / FairchildMOSFET 40V N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8443ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8443 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
272+116.37 грн
Мінімальне замовлення: 272
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8443Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 20A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9310 pF @ 25 V
на замовлення 11973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+97.74 грн
Мінімальне замовлення: 226
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8443-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-CH PowerTrench N-Ch PowerTrench Mos
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8443-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 20A/80A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8443-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8443_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V TO-220AB-3
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8447LONSEMIFDP8447L THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8447LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8447LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 12A/50A TO220-3
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8447Lonsemi / FairchildMOSFET 40V N-CH PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP86363-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP86363-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP86363-F085 - N-CHANNEL POWERTRENCH® 80V, 110A, 2.8M
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP86363-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 110A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.42 грн
50+166.72 грн
100+151.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP86363-F085onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel PowerTrench 80V, 110A, 2.8mohm
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+267.79 грн
10+220.81 грн
50+140.52 грн
100+128.74 грн
1000+118.44 грн
2500+111.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP86363-F085ON Semiconductor
на замовлення 42400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP86363-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP86363_F085Fairchild SemiconductorDescription: 110A, 80V, 0.0028OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP87314B07+
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8860ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+102.11 грн
10+96.69 грн
100+88.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8860Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12240 pF @ 15 V
на замовлення 15367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+96.20 грн
Мінімальне замовлення: 239
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8860ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8860onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12240 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8860ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8860UMWDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220
Packaging: Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.96 грн
10+104.53 грн
100+74.47 грн
500+57.37 грн
1000+53.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8860ONSEMIFDP8860 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8860onsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8870ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8870ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8870onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 156A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8870onsemi / FairchildMOSFET 30V N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8870ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+99.59 грн
10+96.87 грн
25+92.38 грн
50+86.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8870ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8870 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 156 A, 0.0034 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 156
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 160
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 160
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8870ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+111.81 грн
10+102.68 грн
25+95.64 грн
50+87.99 грн
100+76.61 грн
500+68.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8870Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8870-F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/156A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
291+81.97 грн
Мінімальне замовлення: 291
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8870-F085onsemi / FairchildMOSFET 30V/156A/4.1Mohm/NCH POWERTRENCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8870-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/156A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8870_F085Aonsemi / Fairchildonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8870_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V,156A,4.1 OHMS,NCH,TO220,POWER TRENCH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8870_NL
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8874FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 126320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
379+80.49 грн
500+77.07 грн
1000+72.79 грн
Мінімальне замовлення: 379
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8874FAIRCHILTO220 10+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8874ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8874 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 114 A, 0.0053 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+76.83 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8874FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 15200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
379+80.49 грн
500+77.07 грн
1000+72.79 грн
Мінімальне замовлення: 379
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8874Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8874ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8874onsemi / FairchildMOSFET 30V 114A 5.3 OHM N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8874-SN00117onsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8874.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8874. - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 114
Qualifikation: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8874_SN00117onsemi / Fairchildonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8876Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 70A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8876ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8878ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8878Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 40A TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8880ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+55.54 грн
12+50.39 грн
100+41.64 грн
250+39.07 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8880ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 54A TO-220AB
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8880ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 54 A, 0.0116 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 54
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 55
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 55
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0116
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8880ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8880ONSEMIFDP8880 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8880ON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8880
Код товару: 113618
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8880ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8896onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/92A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.00 грн
50+70.90 грн
100+63.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8896ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8896ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8896ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8896 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8896FSC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8896onsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench
на замовлення 1361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+161.36 грн
10+77.75 грн
100+60.47 грн
500+58.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8896
Код товару: 107361
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8896ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8896ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8896ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8896_F085Aonsemi / FairchildArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8D5N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+245.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8D5N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8D5N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8D5N10CONSEMIFDP8D5N10C THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8D5N10ConsemiMOSFET FET 100V 76A 8.5 mOhm
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219.72 грн
10+181.90 грн
50+149.34 грн
100+128.01 грн
250+120.65 грн
500+113.30 грн
1000+97.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8D5N10ConsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 76A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 76A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475 pF @ 50 V
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.54 грн
10+161.77 грн
100+130.83 грн
500+109.13 грн
1000+93.45 грн
2000+87.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8D5N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8D5N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8D5N10CONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8D5N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 76 A, 0.0074 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+224.48 грн
10+168.36 грн
100+155.15 грн
500+143.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8D5N10CON Semiconductor
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8N50NZONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 130W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8N50NZonsemi / FairchildMOSFETs UNIFET2 500V
на замовлення 7504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+172.52 грн
10+109.14 грн
25+80.92 грн
100+64.81 грн
250+59.08 грн
500+51.72 грн
1000+47.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8N50NZONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 130W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8N50NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8N50NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.77 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8N50NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC1002SONSEMIDescription: ONSEMI - FDPC1002S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC1002SON Semiconductor / FairchildMOSFET
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC1002SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Ta), 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 20A (Tc), 27A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @13V, 4335pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V, 1.8mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 64nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Obsolete
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
761+29.71 грн
Мінімальне замовлення: 761
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC1012Sonsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC1012SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta), 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 35A (Tc), 26A (Ta), 88A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V, 3456pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V, 2.2mOhm @ 23A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
на замовлення 6672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+32.76 грн
Мінімальне замовлення: 701
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC1012SONSEMIDescription: ONSEMI - FDPC1012S - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC1012S-PonsemiDescription: POWERTRENCH POWER CLIP 25V ASYME
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Ta), 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 35A (Tc), 26A (Ta), 88A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V, 3456pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V, 2.2mOhm @ 23A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: Powerclip-33
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC1012S-PONSEMIDescription: ONSEMI - FDPC1012S-P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 26162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC1012S-Ponsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC3D5N025X9DON Semiconductor / FairchildMOSFET Gaming/DT/Notebook/ NVDC/Server
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC3D5N025X9DonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 74A 12PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 26W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.01mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC4044ON SemiconductorFDPC4044 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 27A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC4044onsemi / FairchildMOSFET Common Drain N-Chan Power Trench MOSFET
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC4044ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC4044onsemiDescription: MOSFET 2N-CH POWERCLIP-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3215pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC4044ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC4044ON SemiconductorFDPC4044 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 27A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R - Arrow.com
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+254.69 грн
10+206.57 грн
25+204.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC4044-PON SemiconductorFDPC4044-P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC4044-PonsemiON Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC4044-PON SemiconductorFDPC4044-P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC4044-PonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SGonsemi / FairchildMOSFETs PT8+ N & PT8 N
на замовлення 2386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.70 грн
10+86.30 грн
100+63.34 грн
250+62.97 грн
500+59.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W, 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 32A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+60.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SGONSEMIDescription: ONSEMI - FDPC5018SG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 109 A, 109 A, 0.0014 ohm
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 109A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 29W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 29W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.89 грн
500+65.75 грн
1500+60.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+75.27 грн
10+74.10 грн
25+72.94 грн
100+69.22 грн
250+63.05 грн
500+59.53 грн
1000+58.54 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SGONSEMIDescription: ONSEMI - FDPC5018SG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 109 A, 109 A, 0.0014 ohm
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 109A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 29W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 29W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+89.96 грн
50+80.47 грн
100+70.89 грн
500+65.75 грн
1500+60.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W, 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 32A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active
на замовлення 8198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.45 грн
10+88.89 грн
100+61.21 грн
500+54.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+73.55 грн
Мінімальне замовлення: 166
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5030SGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W, 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active
на замовлення 8162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.83 грн
10+114.34 грн
100+78.43 грн
500+59.17 грн
1000+54.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5030SGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 56A/84A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5030SGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 56A/84A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5030SGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W, 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+54.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5030SGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 56A/84A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5030SGONSEMIFDPC5030SG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5030SGonsemi / FairchildMOSFETs PT8+ N & PT8 N
на замовлення 4467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.03 грн
10+94.76 грн
100+60.18 грн
500+48.04 грн
6000+39.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5030SG
Код товару: 139909
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8011SONSEMIFDPC8011S SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8011SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta), 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 20A (Tc), 27A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 13V, 4335pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V, 1.8mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 64nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+343.79 грн
10+218.79 грн
100+155.03 грн
500+119.93 грн
1000+111.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.