НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
FDP-1000Panasonic Industrial Automation SalesDescription: PROTECT TUBE M6 DIF. FIBER 1M
Packaging: Box
For Use With/Related Products: FX-300 Series
Accessory Type: Protective Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2157.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-1000Panasonic Industrial AutomationSensor Fixings & Accessories PROTECTIVE TUBE FOR M6 DIF. FIBER, 1M LENGTH
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2499.46 грн
10+2251.06 грн
25+1870.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-14-TAdam TechHeaders & Wire Housings 14P DIP PLUG TIN PLATED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-1500Panasonic Industrial Automation SalesDescription: PROTECT TUBE M6 DIF. FIBER 1.5M
Packaging: Box
For Use With/Related Products: FX-300 Series
Accessory Type: Protective Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2585.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-1500Panasonic Industrial AutomationSensor Fixings & Accessories PROTECTIVE TUBE FOR M6 DIF. FIBER, 1.5M LENGTH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-16-TAdam TechDescription: CONNECTOR, IDC DIP PLUG
Features: Feed Through
Packaging: Bulk
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 16
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Number of Rows: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-16-TAdam TechnologiesConn IDC Connector M 16 POS 1.27mm Solder RA Thru-Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-16-TAdam TechHeaders & Wire Housings 16pos. DIP Plug .100 x .300
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-24-TAdam TechHeaders & Wire Housings 24pos. DIP Plug .100 x .600
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-24-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 24 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-308-TAdam TechHeaders & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 8P 2.54MM PI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-308-TAdam TechnologiesFDP-308-T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-308-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 8P 2.54MM PI
Packaging: Tray
Features: Feed Through
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 8
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.35 грн
10+45.61 грн
25+42.68 грн
40+38.76 грн
204+34.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-310-TAdam TechHeaders & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 10P 2.54MM P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-310-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 10P 2.54MM P
Packaging: Tray
Features: Feed Through
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 10
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.35 грн
10+46.24 грн
25+43.38 грн
40+39.37 грн
80+37.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-310-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 10 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-314-GAdam TechnologiesCONNECTOR, IDC DIP PLUG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-314-SGAdam TechnologiesCONNECTOR, IDC DIP PLUG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-314-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 14P 2.54MM P
Packaging: Tray
Features: Feed Through
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 14
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
на замовлення 1838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.69 грн
10+52.21 грн
25+48.88 грн
50+43.67 грн
144+40.53 грн
288+38.59 грн
576+36.14 грн
1008+34.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-314-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 14 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-314-TAdam TechnologiesFDP-314-T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-314-TAdam TechHeaders & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 14P 2.54MM P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-316-SGAdam TechnologiesFDP-316-SG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-316-TAdam TechHeaders & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 16P 2.54MM P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-316-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 16 POS 1.27mm Solder RA Thru-Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-316-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 16P 2.54MM P
Packaging: Tray
Features: Feed Through
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 16
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.19 грн
10+71.87 грн
25+67.37 грн
50+60.20 грн
120+56.60 грн
360+52.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-318-TAdam TechHeaders & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 18P 2.54MM P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-318-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 18 POS 1.27mm Solder RA Thru-Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-318-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 18P 2.54MM P
Packaging: Tray
Features: Feed Through
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 18
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+80.84 грн
10+65.90 грн
25+61.81 грн
40+56.08 грн
80+53.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-318-TAdam TechnologiesFlat Cable IDC Plug 18P 2.54mm Pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-320-TAdam TechnologiesFlat Cable IDC Plug 20P 2.54mm Pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-320-TAdam TechHeaders & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 20P 2.54MM P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-320-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 20P 2.54MM P
Packaging: Tray
Features: Feed Through
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 20
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.52 грн
10+85.48 грн
25+80.05 грн
50+71.52 грн
108+67.74 грн
324+62.69 грн
540+59.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-324-TAdam TechHeaders & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 24P 2.54MM P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-324-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 24P 2.54MM P
Packaging: Tray
Features: Feed Through
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 24
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.66 грн
10+107.02 грн
25+100.37 грн
40+91.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-324-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 24 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-328-TAdam TechnologiesFlat Cable IDC Plug 28P 2.54mm Pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-328-TAdam TechHeaders & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 28P 2.54MM P
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+165.57 грн
10+139.77 грн
25+111.72 грн
50+104.18 грн
72+103.42 грн
504+101.91 грн
1008+99.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-328-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 28P 2.54MM P
Packaging: Tray
Features: Feed Through
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 28
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.89 грн
10+124.24 грн
25+116.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-334-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 34 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-40-TAdam TechHeaders & Wire Housings 40pos. DIP Plug .100 x .600
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-500Panasonic Industrial Automation SalesDescription: PROTECT TUBE M6 DIF. FIBER 500MM
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-624-TAdam TechHeaders & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 24P 2.54MM P
на замовлення 209 шт:
термін постачання 149-158 дні (днів)
3+130.35 грн
5+127.62 грн
10+85.30 грн
25+76.24 грн
70+62.51 грн
280+55.48 грн
560+51.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-624-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 24P 2.54MM P
Packaging: Tray
Features: Feed Through
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 24
Row Spacing: 0.600" (15.24mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Number of Rows: 2
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.64 грн
10+73.92 грн
25+69.29 грн
40+62.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-624-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 24 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-624-TAdam TechnologiesFlat Cable IDC Plug 24P 2.54mm Pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-628-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 28 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+94.83 грн
300+78.09 грн
540+74.77 грн
Мінімальне замовлення: 131
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-628-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 28 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-628-TAdam TechHeaders & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 28P 2.54MM P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-628-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 28P 2.54MM P
Packaging: Tray
Features: Feed Through
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 28
Row Spacing: 0.600" (15.24mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.38 грн
10+71.72 грн
25+67.19 грн
50+60.06 грн
100+57.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-628-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 28 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-628-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 28 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-632-TAdam TechHeaders & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 32P 2.54MM P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-632-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 32 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-632-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 32P 2.54MM P
Packaging: Tray
Features: Feed Through
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 32
Row Spacing: 0.600" (15.24mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.34 грн
10+86.50 грн
25+80.99 грн
40+73.54 грн
80+70.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-632-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 32 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-632-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 32 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-634-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 34 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-636-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 36 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-636-TAdam TechnologiesFDP-636-T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-636-TAdam TechHeaders & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 36P 2.54MM P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-636-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 36P 2.54MM P
Packaging: Tray
Features: Feed Through
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 36
Row Spacing: 0.600" (15.24mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Number of Rows: 2
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.72 грн
10+151.45 грн
25+139.59 грн
50+123.20 грн
100+115.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-640-TAdam TechHeaders & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 40P 2.54MM P
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.87 грн
5+131.09 грн
10+101.16 грн
25+98.14 грн
40+83.04 грн
280+70.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-640-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 40P 2.54MM P
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-640-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 40 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-N1000Panasonic Industrial AutomationSensor Fixings & Accessories PROTECTIVE TUBE FOR M4 DIF. FIBER, 1M LENGTH
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2539.09 грн
10+2252.80 грн
25+1871.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-N1000Panasonic Industrial Automation SalesDescription: PROTECT TUBE M4 DIF. FIBER 1M
Packaging: Box
For Use With/Related Products: FX-300 Series
Accessory Type: Protective Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-N1500Panasonic Industrial Automation SalesDescription: PROTECT TUBE M4 DIF. FIBER 1.5M
Packaging: Box
For Use With/Related Products: FX-300 Series
Accessory Type: Protective Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2311.78 грн
10+2023.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-N500Panasonic Industrial Automation SalesDescription: PROTECT TUBE M4 DIF. FIBER 500MM
Packaging: Box
For Use With/Related Products: FX-300 Series
Accessory Type: Protective Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1751.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP01ECUGEN
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP020N06Bonsemi FET 60V 2.0 MOHM TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP020N06B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 313A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP020N06B-F102onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel PwrTrench 60V 313A 2mOhm
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+356.69 грн
10+215.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP020N06B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 313A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP020N06B-F102ON Semiconductor
на замовлення 720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP020N06B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 313A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+284.68 грн
500+270.24 грн
Мінімальне замовлення: 109
В кошику  од. на суму  грн.
FDP020N06B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 313A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+373.59 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDP020N06B-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP020N06B-F102 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP020N06B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 313A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+284.68 грн
500+270.24 грн
1000+254.77 грн
Мінімальне замовлення: 109
В кошику  од. на суму  грн.
FDP020N06B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 313A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+400.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDP020N06B-F102ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 313A; Idm: 1252A; 333W; TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 333W
Pulsed drain current: 1252A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 206nC
On-state resistance: 2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 313A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP020N06B-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 268 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20930 pF @ 30 V
на замовлення 1542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+332.35 грн
50+217.39 грн
100+209.17 грн
500+191.60 грн
1000+160.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP022AN03LD0-EVAL
на замовлення 1672 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP023601-20
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP023N08BONSEMIDescription: ONSEMI - FDP023N08B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
157+208.32 грн
Мінімальне замовлення: 157
В кошику  од. на суму  грн.
FDP023N08BFairchild SemiconductorDescription: 75V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP023N08Bonsemionsemi FET 80V 2.7 MOHM TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP023N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 242A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP023N08B-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13765 pF @ 37.5 V
на замовлення 27404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+309.49 грн
50+163.28 грн
100+148.50 грн
500+115.07 грн
1000+109.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP023N08B-F102onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 242A, 2.35m?
на замовлення 5868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+321.46 грн
10+251.76 грн
50+152.49 грн
100+139.66 грн
250+138.90 грн
500+125.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP023N08B-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP023N08B-F102 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 20529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+175.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
FDP023N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 242A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP025N06ON Semiconductor
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP025N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP025N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP025N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP025N06ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 265A; Idm: 1060A; 395W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 265A
Pulsed drain current: 1060A
Power dissipation: 395W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP025N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP025N06
Код товару: 189620
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP025N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14885 pF @ 25 V
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+355.22 грн
50+213.38 грн
100+200.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP025N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+328.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
FDP025N06onsemi / FairchildMOSFETs 60V N-Channel PowerTrench
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+347.88 грн
10+237.00 грн
100+192.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP027N08BonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13530 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP027N08Bonsemionsemi FET 80V 2.7 MOHM TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP027N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 223A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP027N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 223A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP027N08B-F102ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 223A; Idm: 892A; 246W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 223A
Pulsed drain current: 892A
Power dissipation: 246W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 137nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP027N08B-F102onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel PwrTrench 80V 223A 2.7mOhm
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+241.32 грн
10+136.30 грн
100+113.99 грн
500+104.18 грн
1000+98.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP027N08B-F102
Код товару: 194545
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP027N08B-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP027N08B-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 223 A, 2210 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 246W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2210µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+259.13 грн
10+147.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP027N08B-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13530 pF @ 40 V
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.65 грн
50+125.88 грн
100+121.99 грн
500+101.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP027N08B_F102onsemiDescription: FDP027N08B_F102
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9815 pF @ 25 V
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.62 грн
50+162.70 грн
100+161.34 грн
500+137.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 138A; 205W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 138A
Power dissipation: 205W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06onsemi / FairchildMOSFETs NCH 60V 3.0Mohm
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.49 грн
10+178.83 грн
100+153.24 грн
500+144.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP030N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+226.11 грн
10+208.32 грн
100+190.54 грн
500+154.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06BFairchild SemiconductorDescription: 1-ELEMENT, N-CHANNEL, MOS FET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+106.48 грн
Мінімальне замовлення: 197
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+83.23 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06B-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 30 V
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.75 грн
50+101.86 грн
100+97.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06B-F102ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; Idm: 780A; 205W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Pulsed drain current: 780A
Power dissipation: 205W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06B-F102onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 195A, 3.1mO
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+243.08 грн
10+115.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 138050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+174.74 грн
10+148.35 грн
100+125.01 грн
250+114.58 грн
500+96.36 грн
800+79.03 грн
2400+74.12 грн
5600+72.38 грн
10400+70.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06B-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP030N06B-F102 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06B-F102ON Semiconductor
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+107.96 грн
2400+103.18 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+239.38 грн
100+230.38 грн
500+221.64 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+291.90 грн
Мінімальне замовлення: 107
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+239.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15160 pF @ 25 V
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+310.31 грн
50+215.29 грн
100+207.16 грн
500+184.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08onsemi / FairchildMOSFETs 75V N-Channel PowerTrench
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+326.74 грн
50+230.05 грн
100+192.50 грн
250+191.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+250.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+256.48 грн
100+246.84 грн
500+237.47 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP032N08-F102 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08-F102ON SemiconductorN-Channel PowerTrench® MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08-F102onsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 75V 120A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15160 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08-F102onsemi / FairchildMOSFET PT3 MV 75V 3.2mohm for Delta
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08-F102ON SemiconductorN-Channel PowerTrench® MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 80V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08Bonsemi FET 80V 3.3 MOHM TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 211A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 211A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08B-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP032N08B-F102 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08B-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10965 pF @ 40 V
на замовлення 4343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+267.03 грн
50+137.23 грн
100+124.33 грн
500+108.89 грн
1000+88.63 грн
2000+87.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 211A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08B-F102onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET 80V, 211A, 3.3mO
на замовлення 1348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+274.78 грн
10+138.90 грн
100+114.74 грн
500+99.65 грн
1000+98.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08B-F102ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 211A; Idm: 844A; 263W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 211A
Pulsed drain current: 844A
Power dissipation: 263W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 111nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08_F149onsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+380.09 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10AONSEMIDescription: ONSEMI - FDP036N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+378.54 грн
10+226.95 грн
100+216.79 грн
500+171.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V
на замовлення 1553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+371.55 грн
50+207.14 грн
100+202.35 грн
500+172.16 грн
1000+157.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10AFairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 120 А; Ptot, Вт = 227; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 7295 @ 25; Qg, нКл = 116 @ 10 В; Rds = 3,6 мОм @ 75 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+292.93 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+328.71 грн
10+327.38 грн
25+243.04 грн
100+220.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+306.79 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+233.54 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10A
Код товару: 94301
Додати до обраних Обраний товар


8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10Aonsemi / FairchildMOSFETs PT5 NCH 100V 3.6Mohm PowerTrench MOSFET
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+465.02 грн
10+414.10 грн
25+216.66 грн
100+205.33 грн
500+176.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06
на замовлення 5863 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+202.50 грн
63+198.55 грн
73+171.62 грн
100+141.62 грн
250+128.05 грн
500+121.70 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0ONSEMIFDP038AN06A0 THT N channel transistors
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+341.45 грн
6+217.98 грн
15+206.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0
Код товару: 51728
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0onsemi / FairchildMOSFETs 60V 80a .38 Ohms/VGS=1V
на замовлення 6457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+220.18 грн
10+214.43 грн
50+161.55 грн
100+127.58 грн
250+125.31 грн
800+123.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+216.75 грн
10+212.53 грн
50+183.70 грн
100+151.60 грн
250+137.07 грн
500+130.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP038AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 80
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 310
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
на замовлення 8066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.53 грн
50+135.39 грн
100+129.47 грн
500+119.70 грн
1000+113.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0-F102onsemi / FairchildMOSFET 60V80A3.8OHMS MOSFET NCH PWR TRENCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0-F102ON SemiconductorN-Channel PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP038AN06A0-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 80
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 310
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Power Trench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0-F102ON SemiconductorN-Channel PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0_Qonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP039N08BONSEMIDescription: ONSEMI - FDP039N08B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
149+218.48 грн
Мінімальне замовлення: 149
В кошику  од. на суму  грн.
FDP039N08BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 80V
Packaging: Bulk
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+192.63 грн
Мінімальне замовлення: 109
В кошику  од. на суму  грн.
FDP039N08Bonsemionsemi FET 80V 3.9 MOHM TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP039N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+246.73 грн
10+240.21 грн
25+205.20 грн
100+195.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP039N08B-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9450 pF @ 40 V
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+633.68 грн
10+417.32 грн
100+307.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP039N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP039N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP039N08B-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP039N08B-F102 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+387.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDP039N08B-F102Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9450 pF @ 40 V
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+331.53 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
FDP039N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP039N08B-F102onsemi / FairchildMOSFETs Hi Intg PWM contrlr Green-Mode
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+605.05 грн
10+424.52 грн
50+368.39 грн
100+285.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP040N06ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP040N06 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+167.67 грн
Мінімальне замовлення: 194
В кошику  од. на суму  грн.
FDP040N06onsemi / FairchildMOSFET PT3 Low Qg 60V, 4.0Mohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP040N06Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8235 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+147.71 грн
Мінімальне замовлення: 142
В кошику  од. на суму  грн.
FDP040N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 168A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10Aonsemi FET 100V 4.5 MOHM TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10AUMWDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220
Packaging: Tube
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.28 грн
10+112.13 грн
100+76.73 грн
500+57.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F032ON Semiconductor
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F032onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F032onsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 202400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+157.14 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
на замовлення 207980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+312.76 грн
50+181.24 грн
100+165.08 грн
500+135.75 грн
1000+122.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+146.22 грн
Мінімальне замовлення: 85
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+257.17 грн
10+171.02 грн
100+141.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+200.69 грн
10+194.24 грн
25+192.29 грн
50+163.00 грн
100+145.64 грн
250+139.51 грн
500+134.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP045N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+282.00 грн
10+189.69 грн
100+177.84 грн
500+163.56 грн
1000+148.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10AF102Fairchild SemiconductorDescription: 120A, 100V, N-CHANNEL POWER MOSF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0
Код товару: 119329
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+309.53 грн
50+170.69 грн
100+165.82 грн
500+137.27 грн
1000+120.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+323.37 грн
50+159.72 грн
100+145.09 грн
500+112.10 грн
1000+105.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+167.09 грн
500+159.87 грн
1000+150.59 грн
Мінімальне замовлення: 186
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0ONSEMIFDP047AN08A0 THT N channel transistors
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+335.35 грн
6+186.84 грн
17+176.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+167.09 грн
Мінімальне замовлення: 186
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0onsemi / FairchildMOSFETs 75V N-Ch PowerTrench
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+341.72 грн
10+335.10 грн
50+142.68 грн
100+135.13 грн
500+127.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+288.11 грн
78+158.88 грн
100+154.35 грн
500+127.78 грн
1000+112.24 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0-F102onsemi / FairchildMOSFETs SNGL NCH 75V 4.7MOHM ULTRAFET TRENCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0_NL
на замовлення 11629 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08AOFAIRCHILD08+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08AOFAIRCHILD
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08AOFSC07+ QFP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08onsemi / FairchildMOSFETs 75V N-Channel PowerTrench
на замовлення 3822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+263.33 грн
10+131.09 грн
100+108.71 грн
500+104.93 грн
1000+103.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+156.78 грн
Мінімальне замовлення: 198
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 164A; Idm: 656A; 268W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 164A
Pulsed drain current: 656A
Power dissipation: 268W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9415 pF @ 25 V
на замовлення 5781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+249.06 грн
50+118.00 грн
100+114.90 грн
500+106.19 грн
1000+98.85 грн
2000+96.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08ON Semiconductor
на замовлення 740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+126.91 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08-F10Fairchild SemiconductorDescription: 164A, 75V, N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+247.97 грн
Мінімальне замовлення: 85
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08-F10ON SemiconductorFDP047N08-F10
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+277.46 грн
Мінімальне замовлення: 112
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08-F10ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP047N08-F10 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+279.46 грн
Мінімальне замовлення: 117
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08-F102onsemi / FairchildMOSFETs PT3 75V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9415 pF @ 25 V
на замовлення 3169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.16 грн
10+153.97 грн
100+107.58 грн
800+78.18 грн
1600+74.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP047N08-F102 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+121.94 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08V_F102onsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08V_F149onsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08_F149onsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N10onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 4533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+385.75 грн
10+373.30 грн
25+159.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+424.63 грн
50+214.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+241.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP050AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP050AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP050AN06A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP050AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+253.20 грн
10+201.55 грн
100+132.11 грн
500+99.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP050AN06A0onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel PowerTrench
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+253.65 грн
10+114.59 грн
100+94.36 грн
500+90.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP050AN06A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
на замовлення 4555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.00 грн
50+106.25 грн
100+102.45 грн
500+87.29 грн
1000+80.04 грн
2000+76.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP050AN06A0_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP053N08Bonsemi FET 60V 5.0 MOHM TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP053N08B-F102ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 480A; 146W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 146W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65.4nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 480A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP053N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP053N08B-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP053N08B-F102 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP053N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+122.74 грн
Мінімальне замовлення: 253
В кошику  од. на суму  грн.
FDP053N08B-F102onsemi / FairchildMOSFETs Smart Power Module
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+186.71 грн
10+87.68 грн
100+72.70 грн
500+66.20 грн
1000+65.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP053N08B-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 146W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5960 pF @ 40 V
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.93 грн
50+79.08 грн
100+77.02 грн
500+66.21 грн
1000+61.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP053N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+122.74 грн
Мінімальне замовлення: 253
В кошику  од. на суму  грн.
FDP053N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 49396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+122.74 грн
Мінімальне замовлення: 253
В кошику  од. на суму  грн.
FDP053N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP054N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 144A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+227.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
FDP054N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13280 pF @ 25 V
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+368.28 грн
50+189.78 грн
100+162.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP054N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 144A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP054N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 144A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+259.93 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
FDP054N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 144A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP054N10ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP054N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 263
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP054N10onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Chan PowerTrench MOSFET
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+398.08 грн
10+207.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08
на замовлення 5589 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP060AN08A0 - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 75 V, 80 A, 4800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+237.96 грн
10+126.18 грн
100+118.56 грн
500+106.16 грн
1000+92.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 47200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+136.15 грн
500+128.93 грн
1000+121.71 грн
10000+110.40 грн
Мінімальне замовлення: 228
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0onsemi / FairchildMOSFETs 75V 80a .6Ohms/VGS=1V
на замовлення 3356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+227.22 грн
10+210.96 грн
50+106.44 грн
100+104.18 грн
250+100.40 грн
500+93.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 16A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 25 V
на замовлення 8943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+298.87 грн
50+146.15 грн
100+132.47 грн
500+101.81 грн
1000+94.58 грн
2000+93.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0ONSEMIFDP060AN08A0 THT N channel transistors
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+254.05 грн
7+163.25 грн
19+154.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+110.05 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0_Qonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP070AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP070AN06A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 15A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.78 грн
10+177.95 грн
100+143.03 грн
500+110.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP070AN06A0ON Semiconductor
на замовлення 770 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP070AN06A0onsemi / FairchildMOSFET N-Channel PwrTrench
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+196.40 грн
10+161.47 грн
100+110.97 грн
250+110.21 грн
500+82.28 грн
800+73.75 грн
5600+73.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP070AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP070AN06A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP070AN06A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15Aonsemi FET 150V 7.5 MOHM TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15AonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F032onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+435.25 грн
50+277.44 грн
100+265.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+213.72 грн
100+207.94 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+348.53 грн
50+251.72 грн
100+243.17 грн
250+232.05 грн
500+212.78 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+372.06 грн
50+269.01 грн
100+259.91 грн
250+248.06 грн
500+227.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP075N15A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 6250 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6250µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+344.66 грн
10+315.02 грн
100+285.38 грн
500+236.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+277.67 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+331.76 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+217.10 грн
68+182.36 грн
100+178.73 грн
250+170.68 грн
500+156.41 грн
1000+148.67 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+232.61 грн
50+195.39 грн
100+191.50 грн
250+182.87 грн
500+167.58 грн
1000+159.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102onsemi / FairchildMOSFETs 150V NChan PwrTrench
на замовлення 2034 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+349.64 грн
10+200.54 грн
100+170.61 грн
500+124.56 грн
2500+123.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+354.82 грн
100+337.28 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ONSEMIFDP075N15A-F102 THT N channel transistors
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+333.32 грн
6+205.71 грн
15+194.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+357.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A_F102onsemi / FairchildMOSFET 150V NChan PwrTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A_F102
Код товару: 154614
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15Aonsemionsemi FET 150V 8.3 MOHM TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15AonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP083N15A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 117 A, 6850 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 117A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6850µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+442.90 грн
10+232.03 грн
100+220.18 грн
500+195.01 грн
1000+176.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V
на замовлення 2599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+389.52 грн
50+191.60 грн
100+186.45 грн
500+156.77 грн
1000+143.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+345.90 грн
40+315.78 грн
41+302.45 грн
100+255.11 грн
500+205.68 грн
1000+169.96 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A-F102ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 8.3mΩ
Drain current: 83A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 294W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+403.43 грн
5+327.29 грн
10+276.48 грн
50+259.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A-F102ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 8.3mΩ
Drain current: 83A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 294W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+336.20 грн
5+262.64 грн
10+230.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A-F102onsemi / FairchildMOSFETs 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
на замовлення 2741 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+420.98 грн
10+212.69 грн
100+178.91 грн
500+168.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A_F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A_F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+359.47 грн
10+324.49 грн
50+306.32 грн
100+248.43 грн
500+207.97 грн
800+175.89 грн
1000+166.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A_F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A_F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+334.72 грн
41+302.15 грн
50+285.23 грн
100+231.33 грн
500+193.65 грн
800+163.78 грн
1000+155.01 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
FDP085N10AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 96A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2695 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP085N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP085N10A-F102onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
на замовлення 6362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+242.20 грн
10+125.01 грн
100+100.40 грн
500+86.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP085N10A-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 96A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2695 pF @ 50 V
на замовлення 4664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.75 грн
50+120.83 грн
100+109.59 грн
500+86.26 грн
1000+79.99 грн
2000+78.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP085N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP085N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP085N10A-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP085N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 96 A, 0.00735 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00735ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+246.43 грн
10+147.35 грн
100+125.33 грн
500+96.72 грн
1000+88.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP090N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8225 pF @ 25 V
на замовлення 11791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.80 грн
50+115.18 грн
100+112.11 грн
500+103.22 грн
1000+101.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP090N10FAIRCHILDTO-220 09+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP090N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP090N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+150.20 грн
1000+124.52 грн
2000+124.14 грн
Мінімальне замовлення: 83
В кошику  од. на суму  грн.
FDP090N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP090N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+175.87 грн
1000+145.81 грн
2000+145.36 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDP090N10onsemi / FairchildMOSFETs 100V 75A N-Chan PowerTrench
на замовлення 7984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+209.61 грн
10+128.48 грн
100+108.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP100N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+161.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDP100N10ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; Idm: 300A; 208W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 208W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP100N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP100N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+347.05 грн
50+172.38 грн
100+156.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP100N10onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+316.18 грн
10+171.02 грн
100+135.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP100N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP10AN06A0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 12A/75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V
на замовлення 5110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
211+108.57 грн
Мінімальне замовлення: 211
В кошику  од. на суму  грн.
FDP10AN06A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP10AN06A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+127.87 грн
Мінімальне замовлення: 255
В кошику  од. на суму  грн.
FDP10N60NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP10N60NZFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 10506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
157+133.71 грн
Мінімальне замовлення: 157
В кошику  од. на суму  грн.
FDP120AN15A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP120AN15A0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
на замовлення 13998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+74.93 грн
Мінімальне замовлення: 307
В кошику  од. на суму  грн.
FDP120AN15A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP120AN15A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
369+88.07 грн
Мінімальне замовлення: 369
В кошику  од. на суму  грн.
FDP120N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 74A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 74A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5605 pF @ 25 V
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.20 грн
50+108.01 грн
100+102.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP120N10onsemi / FairchildMOSFETs N Chan 100V 12Mohm
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+176.14 грн
10+94.63 грн
100+79.26 грн
500+78.51 грн
1000+77.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP120N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP120N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP120N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP120N10ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 74A; Idm: 296A; 170W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP120N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
276+112.43 грн
500+107.27 грн
Мінімальне замовлення: 276
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+128.93 грн
500+115.52 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N50ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP12N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.55 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 165
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 165
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.55
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N50Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
304+86.56 грн
Мінімальне замовлення: 304
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N50onsemi / FairchildMOSFETs 500V N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N50NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N50NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDP12N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.46 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 170
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 170
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.46
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+161.75 грн
10+159.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N50NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N50NZonsemi / FairchildMOSFET 500V N-Chan MOSFET UniFET-II
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N50NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N50NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N60NZonsemi / FairchildMOSFET The factory is currently not accepting orders for this product.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N60NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N60NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1676 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP13AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP13AN06A0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 23918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+76.61 грн
Мінімальне замовлення: 307
В кошику  од. на суму  грн.
FDP13AN06A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP13AN06A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 23918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
369+88.07 грн
Мінімальне замовлення: 369
В кошику  од. на суму  грн.
FDP13AN06A0
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP13AN06A0_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP13AN06A0 
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP14AN06LA0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP14AN06LA0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP14AN06LA0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 14481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+212.34 грн
Мінімальне замовлення: 109
В кошику  од. на суму  грн.
FDP14AN06LA0
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+225.40 грн
100+223.21 грн
250+221.03 грн
500+211.02 грн
1000+193.43 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; Idm: 228A; 110W; TO220-3
Mounting: THT
Case: TO220-3
Power dissipation: 110W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 53nC
On-state resistance: 15mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 57A
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 228A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+293.16 грн
100+290.34 грн
250+287.51 грн
500+274.52 грн
1000+251.66 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+246.60 грн
10+125.01 грн
100+99.65 грн
500+88.32 грн
1000+73.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 57A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.73 грн
50+110.36 грн
100+104.40 грн
500+81.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10Aonsemionsemi FET 100V 15.0 MOHM TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10A-F102ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 91W; TO220-3
Mounting: THT
Case: TO220-3
Power dissipation: 91W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16.2nC
On-state resistance: 15mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10A-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 50 V
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.36 грн
50+105.89 грн
100+102.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10A-F102
Код товару: 150159
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10A-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP150N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0125 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+267.60 грн
10+131.26 грн
100+121.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10A-F102ON Semiconductor
на замовлення 670 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10A-F102onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel PwrTrench 100V 50A 15mOhm
на замовлення 1628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+253.65 грн
10+118.07 грн
100+97.38 грн
500+81.53 грн
1000+79.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP15N40onsemi / FairchildMOSFET 400V N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP15N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP15N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP15N40ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP15N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 15 A, 0.24 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 170
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 170
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP15N50onsemi / FairchildMOSFETs 15a 500V N-Ch SMPS Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP15N50Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 4753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+177.82 грн
Мінімальне замовлення: 118
В кошику  од. на суму  грн.
FDP15N50ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP15N50 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+199.85 грн
Мінімальне замовлення: 163
В кошику  од. на суму  грн.
FDP15N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP15N50F102Fairchild SemiconductorDescription: 15A, 500V, 0.38OHM, N CHANNEL ,
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP15N65onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3095 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP15N65onsemi / FairchildMOSFETs SINGLE N-CH 500V .38OHM SMPS PWR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP16AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP16AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP16AN08A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP16AN08A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+82.06 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDP16AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+66.98 грн
Мінімальне замовлення: 185
В кошику  од. на суму  грн.
FDP16AN08A0onsemi / FairchildMOSFETs 75V 58a 0.016 Ohms/VGS=10V
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+68.70 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDP16AN08A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 9A/58A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V
на замовлення 10200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+70.76 грн
Мінімальне замовлення: 330
В кошику  од. на суму  грн.
FDP16AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
365+84.98 грн
500+81.36 грн
1000+76.85 грн
Мінімальне замовлення: 365
В кошику  од. на суму  грн.
FDP16AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+71.76 грн
14+51.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDP16AN08A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 9A/58A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP16AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
365+84.98 грн
500+81.36 грн
1000+76.85 грн
Мінімальне замовлення: 365
В кошику  од. на суму  грн.
FDP16AN08A0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 75V 9A/58A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+70.76 грн
Мінімальне замовлення: 330
В кошику  од. на суму  грн.
FDP16N50Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1945 pF @ 25 V
на замовлення 14108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+101.21 грн
Мінімальне замовлення: 231
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N20FonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N20FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N20FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N20FONSEMIDescription: ONSEMI - FDP18N20F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.12 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 18
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 100
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N20Fonsemi / FairchildMOSFET 200V N-Channel
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.39 грн
10+122.41 грн
100+82.28 грн
500+68.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N20FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+84.99 грн
10+77.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+243.89 грн
3+195.98 грн
10+156.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+129.96 грн
500+123.77 грн
1000+116.55 грн
Мінімальне замовлення: 239
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 9921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP18N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.265 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 235W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 10731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+237.96 грн
10+125.33 грн
100+115.17 грн
500+99.08 грн
1000+89.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50onsemi / FairchildMOSFETs 500V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+259.81 грн
10+124.14 грн
100+104.18 грн
500+95.12 грн
1000+94.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 23720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+208.22 грн
68+183.50 грн
89+140.52 грн
100+126.47 грн
500+107.96 грн
1000+100.25 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157.27 грн
10+130.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50ON-SemicoductorTransistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 235W; -55°C ~ 150°C; FDP18N50 TFDP18n50
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+101.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+128.64 грн
100+120.06 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 23721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+222.13 грн
10+195.76 грн
50+149.91 грн
100+134.92 грн
500+115.17 грн
1000+106.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP19N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2115 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP19N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+136.15 грн
Мінімальне замовлення: 228
В кошику  од. на суму  грн.
FDP19N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP19N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 19A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2115 pF @ 25 V
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+121.81 грн
Мінімальне замовлення: 173
В кошику  од. на суму  грн.
FDP19N40ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP19N40 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP19N40onsemi / FairchildMOSFETs UniFET, 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP1XSZAM63R262XCONECD-Sub Standard Connectors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20AN06A0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 45A TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N40onsemi / FairchildMOSFETs 20a 400V N-Ch SMPS Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+320.57 грн
10+296.27 грн
25+272.89 грн
50+248.83 грн
100+219.14 грн
500+203.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP20N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.23 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+331.96 грн
10+264.21 грн
100+202.39 грн
500+134.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50onsemi / FairchildMOSFETs 500V NCH UNIFET MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+299.19 грн
45+276.52 грн
49+254.69 грн
52+232.24 грн
100+204.53 грн
500+189.52 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50FONSEMIDescription: ONSEMI - FDP20N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+304.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50Fonsemi / FairchildMOSFETs 500V N-Channel
на замовлення 8421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+286.23 грн
10+128.48 грн
100+109.46 грн
500+104.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50FonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+270.29 грн
50+118.63 грн
100+118.27 грн
500+98.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+163.09 грн
250+160.18 грн
500+151.44 грн
1000+142.29 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+226.95 грн
10+171.42 грн
50+143.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50F
Код товару: 190678
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP22N50NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP22N50NonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 22A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 312.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+333.99 грн
50+188.63 грн
100+165.83 грн
500+134.71 грн
1000+119.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP22N50NONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.2A; 312.5W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.2A
Power dissipation: 312.5W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+320.11 грн
10+269.48 грн
50+192.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP22N50NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP22N50NONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.2A; 312.5W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.2A
Power dissipation: 312.5W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+266.75 грн
10+216.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP22N50N
Код товару: 60060
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP22N50NONSEMIDescription: ONSEMI - FDP22N50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.185 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 312.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312.5
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+275.22 грн
10+248.12 грн
100+203.24 грн
500+160.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP22N50NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP22N50Nonsemi / FairchildMOSFETs UniFETII 500V 22A
на замовлення 1316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+361.09 грн
10+209.22 грн
100+159.28 грн
500+137.39 грн
1000+127.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP24AN06LA0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP24AN06LA0Fairchild
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP24N40ON Semiconductor
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP24N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+255.22 грн
61+205.38 грн
100+185.17 грн
500+152.53 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
FDP24N40ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP24N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 24 A, 0.14 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 24
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 227
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 227
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP24N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP24N40FAIRCHILTO220 09+
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP24N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+273.45 грн
10+220.05 грн
100+198.39 грн
500+163.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP24N40onsemi / FairchildMOSFET 400V N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP24N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 8A/79A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+301.32 грн
50+156.78 грн
100+150.18 грн
500+116.40 грн
1000+108.52 грн
2000+107.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532
Код товару: 44129
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-263AB
Uds,V: 150 V
Idd,A: 79 A
Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+277.24 грн
10+247.49 грн
50+230.19 грн
100+193.11 грн
500+161.91 грн
800+127.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532onsemi / FairchildMOSFETs 150V NCh UltraFET Power Trench
на замовлення 3892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+319.70 грн
10+173.63 грн
100+142.68 грн
500+126.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532ON-SemicoductorTransistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 48mOhm; 79A; 310W; -55°C ~ 175°C; FDP2532 TFDP2532
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+184.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+257.76 грн
54+230.10 грн
58+214.02 грн
100+179.55 грн
500+150.53 грн
800+118.65 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+296.31 грн
50+249.78 грн
54+231.37 грн
100+172.11 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PowerTrench®
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 107nC
On-state resistance: 14mΩ
Drain current: 56A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 310W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+330.27 грн
6+219.50 грн
10+200.05 грн
50+192.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+317.48 грн
10+267.62 грн
50+247.90 грн
100+184.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 79 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+305.71 грн
10+169.37 грн
100+166.83 грн
500+153.34 грн
1000+139.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PowerTrench®
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 107nC
On-state resistance: 14mΩ
Drain current: 56A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 310W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+275.22 грн
6+176.14 грн
10+166.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2552ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2552ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; 150W; TO220AB
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 97mΩ
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 150W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2552onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.93 грн
50+100.18 грн
100+95.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2552onsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Ch UltraFET Trench
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.21 грн
10+100.70 грн
100+84.55 грн
500+76.24 грн
1000+66.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2552ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.51 грн
10+161.80 грн
100+137.55 грн
500+113.06 грн
1000+88.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2552ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2552_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2552_NL
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2552_Qonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2570onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 22A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1911 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2570onsemi / FairchildMOSFETs TO-220 N-CH 150V 22A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2570_Qonsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+156.11 грн
100+124.86 грн
500+101.95 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2572FSC09+ TO220
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2572onsemi / FairchildMOSFETs TO-220 N-CH 150V 29A
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.49 грн
10+102.44 грн
100+85.30 грн
500+72.09 грн
1000+70.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2572ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 20A; 135W; TO220AB
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 146mΩ
Drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 135W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2572onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.58 грн
50+110.94 грн
100+100.07 грн
500+76.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2572FAIRCHIL09+ PLCC-44
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+183.50 грн
100+146.77 грн
500+119.84 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2614ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2614ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+214.92 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2614ONSEMIFDP2614 THT N channel transistors
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+448.15 грн
4+285.92 грн
11+269.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2614ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2614ON Semiconductor
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2614onsemi / FairchildMOSFETs 200V N-Channel PowerTrench
на замовлення 2249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.76 грн
10+173.63 грн
100+147.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2614ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2614onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 62A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V
на замовлення 13354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+429.53 грн
50+217.06 грн
100+198.14 грн
500+154.85 грн
1000+152.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2670ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP2670 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+143.12 грн
Мінімальне замовлення: 228
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2670Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 100 V
на замовлення 6893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+119.87 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
FDP26N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 26A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 265W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3185 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP26N40onsemi / FairchildMOSFET 400V N-Channel
на замовлення 2747 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+251.00 грн
10+223.11 грн
25+182.68 грн
100+158.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP26N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2710ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2710onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+316.84 грн
50+241.46 грн
100+206.96 грн
500+172.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2710onsemi / FairchildMOSFETs 250V N-Channel PowerTrench
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+285.35 грн
10+190.99 грн
50+144.19 грн
100+141.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2710ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2710-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5690 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2710-F085onsemi / FairchildMOSFETs 250V NCHAN PwrTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2710-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2710-F085ON Semiconductor
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2710-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 50A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2710_F085Fairchild SemiconductorDescription: 4A, 250V, 0.047OHM, N-CHANNEL ,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2710_SN00168Fairchild SemiconductorDescription: 1-ELEMENT, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2710_SW82258Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2D3N10CONSEMIDescription: ONSEMI - FDP2D3N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 222 A, 2100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 222A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+577.54 грн
5+453.06 грн
10+327.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2D3N10Consemi / FairchildMOSFETs PTNG 100/20V inTO220 3L JEDEC GREEN EMC
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+531.07 грн
10+517.41 грн
25+263.46 грн
100+242.32 грн
500+240.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2D3N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 222A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2D3N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 222A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2D3N10ConsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11180 pF @ 50 V
на замовлення 153574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+581.42 грн
50+302.37 грн
100+277.60 грн
500+228.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2D9N12CON SemiconductorN-Channel Shielded Gate Power Trench MOSFET 120 V, 2.9 mW, 210 A, Single N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2D9N12ConsemiDescription: PTNG 120V N-FET TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 686µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8894 pF @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2D9N12ConsemiMOSFETs PTNG 120V N-FET
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+502.89 грн
10+424.52 грн
25+335.17 грн
100+307.24 грн
250+289.88 грн
500+271.76 грн
800+243.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2XPZAM63R262XCONECD-Sub Standard Connectors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2XSZAM63R262XCONECD-Sub Standard Connectors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3205ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP3205 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
306+106.70 грн
Мінімальне замовлення: 306
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3205Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7730 pF @ 25 V
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
208+109.22 грн
Мінімальне замовлення: 208
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3205onsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7730 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 20.4A; Idm: 132A; 235W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 20.4A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+168.69 грн
10+138.17 грн
11+108.52 грн
29+101.91 грн
250+98.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP33N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.094 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 235W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+165.98 грн
11+84.35 грн
100+82.74 грн
500+74.62 грн
1000+66.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 33A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.35 грн
50+70.60 грн
100+69.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+113.70 грн
159+78.24 грн
163+76.39 грн
500+73.63 грн
1000+65.71 грн
Мінімальне замовлення: 109
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25
на замовлення 580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25onsemi / FairchildMOSFETs 250V N-Channel MOSFET
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+159.41 грн
10+79.17 грн
100+66.88 грн
500+65.60 грн
1000+59.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25
Код товару: 107817
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+69.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 20.4A; Idm: 132A; 235W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 20.4A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+140.58 грн
10+110.88 грн
11+90.43 грн
29+84.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+121.80 грн
10+83.82 грн
100+81.84 грн
500+78.88 грн
1000+70.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDP34N33Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 330V 34A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3632onsemi / FairchildMOSFETs 100V 80a .9 Ohms/VGS=1V
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+343.48 грн
10+164.94 грн
100+136.64 грн
500+120.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3632ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+133.96 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3632ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3632ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 310W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 310W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+301.47 грн
6+165.13 грн
16+156.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3632onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 6382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+318.47 грн
50+148.53 грн
100+143.66 грн
500+111.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3632ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3632ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 310W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 310W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+361.77 грн
6+205.78 грн
16+187.78 грн
50+184.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3632 (TO-220AB)
Код товару: 52946
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3632_NL
на замовлення 19219 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3651UonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5522 pF @ 25 V
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.36 грн
50+112.61 грн
100+101.60 грн
500+77.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3651UON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+121.75 грн
128+96.70 грн
136+91.28 грн
250+82.14 грн
Мінімальне замовлення: 102
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3651UON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+130.45 грн
10+103.61 грн
100+97.80 грн
250+88.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3651Uonsemi / FairchildMOSFETs 100V 80A 18 mOHM NCH POWER TREN
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+231.63 грн
10+124.14 грн
100+95.12 грн
250+92.10 грн
500+78.51 грн
1000+71.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3651UON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3651UONSEMIDescription: ONSEMI - FDP3651U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.76 грн
10+106.70 грн
100+98.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3651U
Код товару: 144911
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3651UON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3651UON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3652ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3652onsemi / FairchildMOSFETs 100V 61a 0.016 Ohm
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+194.64 грн
10+111.99 грн
100+70.73 грн
500+56.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3652ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+108.70 грн
Мінімальне замовлення: 114
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3652ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3652onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.07 грн
10+105.14 грн
100+77.55 грн
800+60.47 грн
1600+56.28 грн
2400+54.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3652ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3652ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+222.22 грн
10+129.18 грн
100+94.47 грн
800+82.99 грн
1600+73.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3652_NL
на замовлення 14881 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3652_Qonsemi / FairchildMOSFET 100V 61a 0.016 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 105V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3672onsemiDescription: MOSFET N-CH 105V 5.9A/41A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 105 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 25 V
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.72 грн
10+120.23 грн
100+82.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3672FAIRCHILD05+06+
на замовлення 24350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3672ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP3672 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+82.48 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3672onsemi / FairchildMOSFETs 105V 41a 0.033 Ohms/VGS=10V
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.01 грн
10+122.41 грн
100+87.57 грн
500+74.43 грн
800+59.71 грн
2400+57.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 105V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3682onsemi / FairchildMOSFETs 100V 32a .36Ohm/VGS=1V
на замовлення 17606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+121.71 грн
109+113.70 грн
137+90.38 грн
139+86.28 грн
500+74.03 грн
Мінімальне замовлення: 102
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3682
Код товару: 107819
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+75.75 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+130.40 грн
10+121.82 грн
25+96.84 грн
100+92.45 грн
500+79.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3682onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 6A/32A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
на замовлення 7161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+156.79 грн
10+135.88 грн
100+109.22 грн
500+84.21 грн
1000+69.77 грн
2000+64.96 грн
5000+61.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+89.06 грн
Мінімальне замовлення: 139
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3682ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 32
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 95
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 95
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3682_Qonsemi / FairchildMOSFET 100V 32a .36Ohm/VGS=1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP39N20onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 39A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 251W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP39N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+249.53 грн
56+223.37 грн
58+213.63 грн
105+114.26 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDP39N20onsemi / FairchildMOSFET SINGLE N-CH 200V ULTRAFET TRENCH
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+252.76 грн
10+224.85 грн
25+184.19 грн
100+160.04 грн
500+135.88 грн
1000+113.99 грн
2000+107.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP39N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP39N20Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 251W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 25 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+119.76 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
FDP39N20ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP39N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.056 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 39
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 251
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 251
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.056
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP39N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+267.35 грн
10+239.33 грн
25+228.89 грн
100+122.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP39N20FAIRCHILD
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4020P
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4020PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 16A TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4020PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4030LONSEMIDescription: ONSEMI - FDP4030L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
494+65.88 грн
Мінімальне замовлення: 494
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4030LFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 15 V
на замовлення 6570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
410+56.54 грн
Мінімальне замовлення: 410
В кошику  од. на суму  грн.
FDP42AN15A0ONSEMIFDP42AN15A0 THT N channel transistors
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+254.05 грн
9+133.99 грн
23+126.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP42AN15A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP42AN15A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP42AN15A0ON-SemicoductorTransistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 107mOhm; 30A; 150W; -55°C ~ 175°C; FDP42AN15A0 TFDP42an15a0
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+54.81 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDP42AN15A0onsemi / FairchildMOSFETs 150V 35a .42 Ohms/VGS=1V
на замовлення 8759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+239.55 грн
10+126.75 грн
100+98.89 грн
500+81.53 грн
1000+80.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP42AN15A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 5A/35A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
на замовлення 2389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.01 грн
50+106.25 грн
100+99.65 грн
500+75.94 грн
1000+71.32 грн
2000+65.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP42AN15A0
Код товару: 111207
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP42AN15A0_Qonsemi / FairchildMOSFETs 150V 35a .42 Ohms/VGS=1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP42AN15AO
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP46N30
на замовлення 580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4D5N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+226.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4D5N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4D5N10ConsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 128A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5065 pF @ 50 V
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+423.81 грн
50+232.63 грн
100+214.94 грн
500+187.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4D5N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4D5N10CON Semiconductor
на замовлення 356 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4D5N10CAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+211.24 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4D5N10CONSEMIDescription: ONSEMI - FDP4D5N10C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+272.68 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4D5N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4D5N10CONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 128A; Idm: 512A; 150W; TO220-3
Case: TO220-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 48nC
On-state resistance: 4.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 150W
Drain current: 128A
Pulsed drain current: 512A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4D5N10ConsemiMOSFETs FET 100V 128A 4.5 mOhm
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+367.26 грн
10+305.58 грн
50+215.90 грн
100+199.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP51N25ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 320W; TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 60mΩ
Drain current: 30A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 320W
Drain-source voltage: 250V
Polarisation: unipolar
Case: TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+238.81 грн
5+178.34 грн
8+146.26 грн
10+143.43 грн
21+138.71 грн
50+134.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP51N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP51N25ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP51N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 51 A, 0.048 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+238.81 грн
10+107.55 грн
100+105.01 грн
500+95.93 грн
1000+86.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP51N25ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 320W; TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 60mΩ
Drain current: 30A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 320W
Drain-source voltage: 250V
Polarisation: unipolar
Case: TO220-3
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+199.01 грн
5+143.12 грн
8+121.88 грн
10+119.53 грн
21+115.59 грн
50+112.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP51N25onsemi / FairchildMOSFET 250V N-Channel MOSFET
на замовлення 8912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+232.51 грн
10+178.83 грн
100+132.11 грн
500+111.72 грн
1000+94.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP51N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP51N25ON-SemicoductorTransistor N-Channel MOSFET; 250V; 30V; 60mOhm; 51A; 320W; -55°C ~ 150°C; FDP51N25 TFDP51n25
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+103.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDP51N25onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 51A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 25 V
на замовлення 573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.11 грн
50+103.23 грн
100+97.88 грн
500+86.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 357W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 33A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+184.61 грн
9+107.73 грн
24+101.44 грн
100+97.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20onsemi / FairchildMOSFETs 200V N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 7663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.49 грн
10+111.99 грн
100+91.34 грн
500+75.34 грн
1000+73.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 357W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 33A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+221.53 грн
9+134.25 грн
24+121.73 грн
100+117.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+210.84 грн
107+116.18 грн
119+104.66 грн
500+80.75 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20
Код товару: 129721
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 52A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 6828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.43 грн
50+100.04 грн
100+96.96 грн
500+73.87 грн
1000+68.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20ON-SemicoductorTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 49mOhm; 52A; 357W; -55°C ~ 150°C; FDP52N20 TFDP52n20
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+96.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP52N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+221.02 грн
10+127.87 грн
100+114.32 грн
500+87.28 грн
1000+79.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+227.08 грн
10+125.14 грн
100+112.72 грн
500+86.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5500Fairchild SemiconductorDescription: N CHANNEL ULTRAFET 55V, 80A, 7M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3565 pF @ 25 V
на замовлення 4045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+172.79 грн
Мінімальне замовлення: 133
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5500ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP5500 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+203.24 грн
Мінімальне замовлення: 161
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5500onsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5500-F085onsemi / FairchildMOSFET 55V NCHAN UltraFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5500-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5500-F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3565 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5500-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP55N06ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP55N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+188.85 грн
10+111.78 грн
100+72.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDP55N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP55N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 55A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP55N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP55N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP55N06onsemi / FairchildMOSFET SINGLE N-CH 60V ULTRAFET TRENCH
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.60 грн
10+132.82 грн
100+89.83 грн
500+74.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5645Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+209.30 грн
Мінімальне замовлення: 111
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5645ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP5645 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+265.06 грн
Мінімальне замовлення: 123
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5645onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5680onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5680ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP5680 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+160.90 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5680FAIRCHILD
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5680onsemi / FairchildMOSFET 60V N-Ch PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5680Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
на замовлення 7661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+134.74 грн
Мінімальне замовлення: 182
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5680_Qonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5690FAIRCHILDTO-220
на замовлення 276 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5690Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 32A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5690ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP5690 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
236+138.03 грн
Мінімальне замовлення: 236
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5800
Код товару: 60606
Додати до обраних Обраний товар

FairchildТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Rds(on), Ohm: 6 mOhm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5800ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5800ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP5800 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242mW
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+243.04 грн
10+221.87 грн
100+109.24 грн
500+88.07 грн
1000+75.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5800ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5800ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5800onsemi / FairchildMOSFETs 60V N-Ch Logic Level MOSFET
на замовлення 1246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+201.68 грн
10+98.97 грн
100+81.53 грн
500+77.00 грн
1000+74.66 грн
2500+71.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5800onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 14A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9160 pF @ 15 V
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+238.45 грн
10+149.80 грн
100+104.15 грн
500+79.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5800ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5N50ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP5N50 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
629+51.74 грн
Мінімальне замовлення: 629
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5N50Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 1761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
523+42.98 грн
Мінімальне замовлення: 523
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5N50NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 3522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.62 грн
10+78.71 грн
100+61.22 грн
500+48.70 грн
1000+39.67 грн
2000+37.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5N50NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5N50NZonsemi / FairchildMOSFET N-Chan UniFET2 500V
на замовлення 2688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.35 грн
10+115.46 грн
100+78.51 грн
500+64.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5N50NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDP5N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.38 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 78
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 78
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.38
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.33 грн
10+112.63 грн
100+88.07 грн
500+67.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5N50NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5N60NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5N60NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5N60NZonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Channel MOSFET, UniFET-II
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6030BLON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6030BLFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 15 V
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
516+47.36 грн
Мінімальне замовлення: 516
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6030BLONSEMIDescription: ONSEMI - FDP6030BL - MOSFET, N-CH, 30V, 40A, 175DEG C, 60W
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+56.82 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6030BLonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6030BLFAIRCHILD2002 TO-220
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6030BL_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6030LFAI2003 TO-220
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6030Lonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6030LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 48A TO220-3
на замовлення 63536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
566+43.90 грн
Мінімальне замовлення: 566
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6030LONSEMIDescription: ONSEMI - FDP6030L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 61536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
629+51.74 грн
Мінімальне замовлення: 629
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6035A
на замовлення 4530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6035ALonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 48A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6035ALFAIRCHILD07+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6035ALonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6035ALFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 48A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V
на замовлення 106637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+111.06 грн
Мінімальне замовлення: 221
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6035ALFAIRCHID99+
на замовлення 2068 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6035ALON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6035AL_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V N-CH. FET, 12.5 MO, TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6035AL_Qonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6035Lonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6035LONSEMIDescription: ONSEMI - FDP6035L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+73.00 грн
Мінімальне замовлення: 446
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6035LFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
401+61.24 грн
Мінімальне замовлення: 401
В кошику  од. на суму  грн.
FDP603AL
на замовлення 745 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP61N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.10 грн
10+111.78 грн
100+109.24 грн
500+99.08 грн
1000+90.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+122.74 грн
500+117.59 грн
1000+111.40 грн
Мінімальне замовлення: 253
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 61A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 25 V
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+267.84 грн
50+129.98 грн
100+117.57 грн
500+89.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20ON-SemicoductorTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 41mOhm; 61A; 417W; -55°C ~ 150°C; FDP61N20 TFDP61n20
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+117.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+214.54 грн
100+138.38 грн
250+123.36 грн
800+114.82 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+121.42 грн
100+114.48 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+166.43 грн
109+114.58 грн
112+111.40 грн
250+99.27 грн
500+84.81 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20onsemi / FairchildMOSFETs 200V N-Channel MOSFET
на замовлення 4100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+167.34 грн
10+112.86 грн
100+92.85 грн
250+89.83 грн
500+85.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+113.33 грн
116+106.85 грн
Мінімальне замовлення: 110
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20
Код товару: 150150
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+122.74 грн
500+117.59 грн
1000+111.40 грн
Мінімальне замовлення: 253
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+179.51 грн
10+123.59 грн
100+120.17 грн
250+107.08 грн
500+91.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP65N06onsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP65N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP65N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 65A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP65N06
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP65N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP65N06,ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP65N06, - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 65 A, 0.016 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 65
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 135
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+166.83 грн
10+153.28 грн
100+123.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6670ALonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6670ALFAIRCHIL
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6670ALFSCTO-220
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6670ALFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V
на замовлення 28285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
503+45.88 грн
Мінімальне замовлення: 503
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6670ALFAIRCHID99+
на замовлення 196 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6670ALON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6670ALFAIRCHILDTO-220
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6670ALFSC09+
на замовлення 365 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6670ALonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6670AL_NLON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-CH. FET, 6.5 MO, TO220,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6670AL_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6676ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP6676 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
369+88.07 грн
Мінімальне замовлення: 369
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6676Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5324 pF @ 15 V
на замовлення 20082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
332+73.49 грн
Мінімальне замовлення: 332
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6676onsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6676SFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4853 pF @ 15 V
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
332+73.49 грн
Мінімальне замовлення: 332
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6676SONSEMIDescription: ONSEMI - FDP6676S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
369+88.07 грн
Мінімальне замовлення: 369
В кошику  од. на суму  грн.
FDP70301_88RF002A
на замовлення 64890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030BLON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+29.28 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030BLON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030BLonsemi / FairchildMOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030BLFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V
на замовлення 72127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
297+70.71 грн
Мінімальне замовлення: 297
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030BLONSEMIDescription: ONSEMI - FDP7030BL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.009 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 65
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 65
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030BLonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 60A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030BLNLFSC
на замовлення 3993 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030BLSonsemi / FairchildMOSFET TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030BL_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V N-CH. FET, 9 MO, TO220, T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030BL_Qonsemi / FairchildMOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030LonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V
на замовлення 29300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+184.12 грн
Мінімальне замовлення: 114
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030Lonsemi / FairchildMOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030LFAITO220
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030LON SemiconductorFDP7030L
на замовлення 29300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+206.29 грн
500+194.94 грн
1000+184.63 грн
10000+167.09 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030L_Qonsemi / FairchildMOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7042LONSEMIDescription: ONSEMI - FDP7042L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 33223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
544+59.87 грн
Мінімальне замовлення: 544
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7042LFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 15 V
на замовлення 33223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
452+49.76 грн
Мінімальне замовлення: 452
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7042LFAIRCHILDTO-220 02+
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7045LFAIRCHILD0307
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7045LONSEMIDescription: ONSEMI - FDP7045L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 165881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+296.39 грн
Мінімальне замовлення: 110
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7045LFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4357 pF @ 15 V
на замовлення 165881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+241.31 грн
Мінімальне замовлення: 92
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7045Lonsemi / FairchildMOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7045LFAIR0408
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7045L_Qonsemi / FairchildMOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP75N08ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP75N08 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
321+101.62 грн
Мінімальне замовлення: 321
В кошику  од. на суму  грн.
FDP75N08onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP75N08onsemi / FairchildMOSFETs 75V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP75N08AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+125.57 грн
10+120.11 грн
25+113.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDP75N08Aonsemi / FairchildMOSFET 75V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP75N08AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP75N08AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP75N08AonsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP75N08A
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP79N15Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 79A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7N50onsemi / FairchildSupervisory Circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7N50ON Semiconductor500V, NCH , MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7N60NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7N60NZonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7N60NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8030LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8030LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V
на замовлення 6859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+374.80 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8030Lonsemi / FairchildMOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8030LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8030LonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8030LN/A09+
на замовлення 20018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8030LONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8030L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+438.66 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8030LonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+455.66 грн
10+375.88 грн
100+313.26 грн
500+259.39 грн
1000+233.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP80N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP80N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3190 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP80N06
Код товару: 66797
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP80N06ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP80N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0085 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+155.82 грн
10+139.73 грн
100+104.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDP80N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP80N06onsemi / FairchildMOSFETs 60V N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8440FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH Si 40V 277A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 6831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+223.82 грн
500+211.45 грн
1000+200.10 грн
Мінімальне замовлення: 139
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8440ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8440 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8440FAIRCHILD
на замовлення 795 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8440ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 277A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+223.82 грн
500+211.45 грн
1000+200.10 грн
Мінімальне замовлення: 139
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8440onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24740 pF @ 25 V
на замовлення 26190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+191.13 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8440ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 277A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 14780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+223.82 грн
500+211.45 грн
1000+200.10 грн
10000+181.02 грн
Мінімальне замовлення: 139
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8440onsemi / FairchildMOSFETs 40V N-Channel Power Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8440FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH Si 40V 277A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 6778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+223.82 грн
500+211.45 грн
1000+200.10 грн
Мінімальне замовлення: 139
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8440ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 277A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8440Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24740 pF @ 25 V
на замовлення 17634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+191.13 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8440ON Semiconductor
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8440ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 277A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+223.82 грн
500+211.45 грн
1000+200.10 грн
Мінімальне замовлення: 139
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8440onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24740 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8441onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
на замовлення 2187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.31 грн
10+171.50 грн
100+138.75 грн
500+115.75 грн
1000+99.11 грн
2000+93.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8441ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8441ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8441onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8441_F085ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8442onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8442ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8442 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 22479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+322.65 грн
Мінімальне замовлення: 101
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8442onsemi / FairchildMOSFET 40V N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8442Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3
на замовлення 22479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+274.16 грн
Мінімальне замовлення: 91
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8442-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8442-F085 - FDP8442-F085, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+123.64 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8442-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8442-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V/80A/2.8ohm/N-CH POWERTRENCH
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8442-F085Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+100.02 грн
Мінімальне замовлення: 237
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8442_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8443Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 20A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9310 pF @ 25 V
на замовлення 11973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+100.29 грн
Мінімальне замовлення: 226
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8443ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8443 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
272+119.40 грн
Мінімальне замовлення: 272
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8443onsemi / FairchildMOSFET 40V N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8443-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 20A/80A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8443-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-CH PowerTrench N-Ch PowerTrench Mos
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8443-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8443_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V TO-220AB-3
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8447Lonsemi / FairchildMOSFETs 40V N-CH PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8447LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8447LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 12A/50A TO220-3
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP86363-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP86363-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 110A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+346.24 грн
50+171.08 грн
100+155.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP86363-F085ON Semiconductor
на замовлення 42400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP86363-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP86363-F085 - N-CHANNEL POWERTRENCH® 80V, 110A, 2.8M
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP86363-F085onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel PowerTrench 80V, 110A, 2.8mohm
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+274.78 грн
10+226.58 грн
50+144.19 грн
100+132.11 грн
1000+121.54 грн
2500+113.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP86363-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP86363_F085Fairchild SemiconductorDescription: 110A, 80V, 0.0028OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP87314B07+
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8860onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12240 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8860onsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8860ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+152.65 грн
500+137.18 грн
Мінімальне замовлення: 203
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8860UMWDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220
Packaging: Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.14 грн
10+107.26 грн
100+76.42 грн
500+58.87 грн
1000+54.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8860ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 13482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+152.65 грн
500+137.18 грн
1000+126.87 грн
10000+109.41 грн
Мінімальне замовлення: 203
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8860ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8860ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 556A; 254W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 556A
Power dissipation: 254W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 222nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8860Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12240 pF @ 15 V
на замовлення 15367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+98.71 грн
Мінімальне замовлення: 239
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8860ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+152.65 грн
500+137.18 грн
Мінімальне замовлення: 203
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8870onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 156A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8870ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.57 грн
10+113.39 грн
25+108.13 грн
50+101.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8870ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8870ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+130.87 грн
10+120.18 грн
25+111.95 грн
50+102.99 грн
100+89.67 грн
500+80.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8870Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8870ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8870onsemi / FairchildMOSFET 30V N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8870ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8870 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 156 A, 0.0034 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 156
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 160
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 160
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8870-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/156A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8870-F085onsemi / FairchildMOSFET 30V/156A/4.1Mohm/NCH POWERTRENCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8870-F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/156A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
291+84.11 грн
Мінімальне замовлення: 291
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8870_F085Aonsemi / Fairchildonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8870_NL
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8870_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V,156A,4.1 OHMS,NCH,TO220,POWER TRENCH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8874ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8874FAIRCHILTO220 10+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8874onsemi / FairchildMOSFET 30V 114A 5.3 OHM N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8874Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8874ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 125076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+106.24 грн
500+95.62 грн
1000+88.18 грн
10000+75.81 грн
100000+58.81 грн
Мінімальне замовлення: 292
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8874ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8874 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 114 A, 0.0053 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+78.84 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8874ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8874ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 15200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+106.24 грн
500+95.62 грн
1000+88.18 грн
10000+75.81 грн
Мінімальне замовлення: 292
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8874-SN00117onsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8874.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8874. - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 114
Qualifikation: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8874_SN00117onsemi / Fairchildonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8876ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8876Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 70A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8878ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8878Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 40A TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8880ON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8880ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 54A TO-220AB
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8880ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+65.02 грн
12+58.99 грн
100+48.74 грн
250+45.74 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8880ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8880ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 54 A, 0.0116 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 54
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 55
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 55
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0116
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8880ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8880
Код товару: 113618
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8896ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8896ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8896ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8896 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8896ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8896
Код товару: 107361
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8896ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8896onsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench
на замовлення 1361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+165.57 грн
10+79.78 грн
100+62.05 грн
500+60.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8896FSC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8896onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/92A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.97 грн
50+72.75 грн
100+65.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8896ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8896_F085Aonsemi / FairchildArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8D5N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8D5N10CONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 76A; Idm: 304A; 107W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 304A
Power dissipation: 107W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8D5N10CON Semiconductor
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8D5N10ConsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 76A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 76A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475 pF @ 50 V
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.63 грн
50+119.97 грн
100+115.18 грн
500+88.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8D5N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8D5N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8D5N10ConsemiMOSFETs FET 100V 76A 8.5 mOhm
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.16 грн
10+133.69 грн
100+110.97 грн
500+91.34 грн
800+90.59 грн
2400+86.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8D5N10CONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8D5N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 76 A, 7400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+203.24 грн
10+133.80 грн
100+125.33 грн
500+112.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8D5N10CUMWDescription: MOSFET N-CH 100V 76A TO220
Packaging: Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.95 грн
10+101.91 грн
100+69.49 грн
500+52.19 грн
1000+48.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8N50NZonsemi / FairchildMOSFETs UNIFET2 500V
на замовлення 7504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177.02 грн
10+111.99 грн
25+83.04 грн
100+66.51 грн
250+60.62 грн
500+53.07 грн
1000+49.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8N50NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.77 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+138.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8N50NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8N50NZONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 130W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8N50NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPBS324FEaton ElectricalDisconnect Switches FDPBS 324F 200A Switch Final Assembly
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPBS324REaton ElectricalDisconnect Switches FDPBS 324R 200A Switch Final Assembly
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPBS364FEaton ElectricalDisconnect Switches FDPBS 364F 200A Switch Final Assembly
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPBS364JEaton ElectricalDisconnect Switches FDPBS 364J 200A Switch Final Assembly
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPBS364REaton ElectricalDisconnect Switches FDPBS 364R 200A Switch Final Assembly
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPBT3644JEaton ElectricalDisconnect Switches FDPBT 3644J 200A SW Twin Final ASSY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC1002SONSEMIDescription: ONSEMI - FDPC1002S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC1002SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Ta), 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 20A (Tc), 27A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @13V, 4335pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V, 1.8mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 64nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Obsolete
на замовлення 10941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
519+40.63 грн
Мінімальне замовлення: 519
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC1002SON Semiconductor / FairchildMOSFET
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC1012Sonsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC1012SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta), 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 35A (Tc), 26A (Ta), 88A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V, 3456pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V, 2.2mOhm @ 23A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: Powerclip-33
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC1012SONSEMIDescription: ONSEMI - FDPC1012S - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC1012SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta), 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 35A (Tc), 26A (Ta), 88A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V, 3456pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V, 2.2mOhm @ 23A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
на замовлення 6672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
575+37.33 грн
Мінімальне замовлення: 575
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC1012S-PONSEMIDescription: ONSEMI - FDPC1012S-P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 26162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC1012S-Ponsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC1012S-PonsemiDescription: POWERTRENCH POWER CLIP 25V ASYME
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Ta), 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 35A (Tc), 26A (Ta), 88A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V, 3456pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V, 2.2mOhm @ 23A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: Powerclip-33
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC3D5N025X9DON Semiconductor / FairchildMOSFET Gaming/DT/Notebook/ NVDC/Server
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC3D5N025X9DonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 74A 12PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 26W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.01mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC4044onsemiDescription: MOSFET 2N-CH POWERCLIP-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3215pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC4044ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC4044ON SemiconductorFDPC4044 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 27A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R - Arrow.com
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+298.12 грн
10+241.80 грн
25+239.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC4044ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC4044ON SemiconductorFDPC4044 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 27A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC4044onsemi / FairchildMOSFET Common Drain N-Chan Power Trench MOSFET
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC4044-PON SemiconductorFDPC4044-P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC4044-PonsemiON Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC4044-PonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC4044-PON SemiconductorFDPC4044-P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 18618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
323+96.08 грн
500+86.47 грн
1000+79.74 грн
10000+68.56 грн
Мінімальне замовлення: 323
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SGonsemi / FairchildMOSFETs PT8+ N & PT8 N
на замовлення 2386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.28 грн
10+88.55 грн
100+65.00 грн
250+64.62 грн
500+61.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
323+96.08 грн
500+86.47 грн
1000+79.74 грн
Мінімальне замовлення: 323
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W, 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 32A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+60.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 17619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
323+96.08 грн
500+86.47 грн
1000+79.74 грн
10000+68.56 грн
Мінімальне замовлення: 323
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SGONSEMIDescription: ONSEMI - FDPC5018SG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 109 A, 109 A, 0.0014 ohm
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 109A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 29W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 29W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.82 грн
500+65.82 грн
1500+59.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 16241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
323+96.08 грн
500+86.47 грн
1000+79.74 грн
10000+68.56 грн
Мінімальне замовлення: 323
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+70.82 грн
25+69.70 грн
100+66.15 грн
250+60.25 грн
500+56.90 грн
1000+55.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 33319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
323+96.08 грн
500+86.47 грн
1000+79.74 грн
10000+68.56 грн
Мінімальне замовлення: 323
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+67.13 грн
188+66.10 грн
191+65.06 грн
194+61.74 грн
250+56.24 грн
500+53.10 грн
1000+52.21 грн
Мінімальне замовлення: 185
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W, 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 32A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active
на замовлення 7743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.37 грн
10+93.81 грн
100+73.34 грн
500+66.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SGONSEMIDescription: ONSEMI - FDPC5018SG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 109 A, 109 A, 0.0014 ohm
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 109A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 29W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 29W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+104.16 грн
50+92.31 грн
100+77.82 грн
500+65.82 грн
1500+59.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5030SGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 56A/84A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5030SGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W, 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active
на замовлення 8075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.32 грн
10+83.27 грн
100+70.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5030SG
Код товару: 139909
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5030SGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 56A/84A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5030SGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 56A/84A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5030SGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W, 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+59.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5030SGonsemi / FairchildMOSFETs PT8+ N & PT8 N
на замовлення 4447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+85.61 грн
10+69.71 грн
100+51.79 грн
500+44.24 грн
1000+40.84 грн
3000+38.73 грн
6000+36.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8011SONSEMIDescription: ONSEMI - FDPC8011S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0012 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 60
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8011SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 13A/27A 8-Pin Power Clip 33 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+308.99 грн
10+270.98 грн
25+265.76 грн
100+209.21 грн
250+176.43 грн
500+156.03 грн
1000+134.36 грн
3000+132.31 грн
6000+125.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8011SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta), 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 20A (Tc), 27A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 13V, 4335pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V, 1.8mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 64nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+325.82 грн
10+207.44 грн
100+151.14 грн
500+128.15 грн
1000+127.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8011Sonsemi / FairchildMOSFETs 25V Asymmetric 2xNCh MOSFET PowerTrench
на замовлення 3175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.11 грн
10+136.30 грн
100+99.65 грн
500+94.36 грн
1000+92.10 грн
3000+43.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8011SONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 20/60A; 1.6/2W; PQFN8
Case: PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19/64nC
On-state resistance: 6/1.8mΩ
Power dissipation: 1.6/2W
Drain current: 20/60A
Drain-source voltage: 25V
Semiconductor structure: asymmetric
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8011SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 13A/27A 8-Pin Power Clip 33 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8011SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta), 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 20A (Tc), 27A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 13V, 4335pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V, 1.8mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 64nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.