Продукція > FDP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDP-1000Panasonic Industrial Automation SalesDescription: PROTECT TUBE M6 DIF. FIBER 1M
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDP-14-TAdam TechHeaders & Wire Housings 14P DIP PLUG TIN PLATED
товар відсутній
FDP-1500Panasonic Industrial AutomationSensor Fixings & Accessories PROTECTIVE TUBE FOR M6 DIF. FIBER, 1.5M LENGTH
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2277.17 грн
10+ 2020.17 грн
25+ 1678.47 грн
FDP-16-TAdam TechnologiesConn IDC Connector M 16 POS 1.27mm Solder RA Thru-Hole
товар відсутній
FDP-24-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 24 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole Tray
товар відсутній
FDP-308-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 8P 2.54MM PI
Features: Feed Through
Packaging: Tray
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 8
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.45 грн
10+ 44.91 грн
25+ 43.05 грн
40+ 39.54 грн
204+ 37.83 грн
408+ 34.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDP-308-TAdam TechnologiesFDP-308-T
товар відсутній
FDP-310-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 10 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole
товар відсутній
FDP-310-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 10P 2.54MM P
Features: Feed Through
Packaging: Tray
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 10
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.11 грн
10+ 53.88 грн
25+ 51.67 грн
40+ 47.46 грн
180+ 45.4 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDP-310-TAdam TechHeaders & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 10P 2.54MM P
товар відсутній
FDP-314-GAdam TechnologiesCONNECTOR, IDC DIP PLUG
товар відсутній
FDP-314-SGAdam TechnologiesCONNECTOR, IDC DIP PLUG
товар відсутній
FDP-314-TAdam TechnologiesFDP-314-T
товар відсутній
FDP-314-TAdam TechHeaders & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 14P 2.54MM P
товар відсутній
FDP-314-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 14P 2.54MM P
Packaging: Tray
Features: Feed Through
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 14
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.49 грн
10+ 62.84 грн
25+ 60.27 грн
40+ 55.36 грн
144+ 52.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDP-314-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 14 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole
товар відсутній
FDP-316-SGAdam TechnologiesFDP-316-SG
товар відсутній
FDP-316-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 16 POS 1.27mm Solder RA Thru-Hole
товар відсутній
FDP-316-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 16P 2.54MM P
Features: Feed Through
Packaging: Tray
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 16
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.13 грн
10+ 75.78 грн
25+ 72.7 грн
40+ 66.77 грн
120+ 63.86 грн
240+ 58.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDP-318-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 18 POS 1.27mm Solder RA Thru-Hole
товар відсутній
FDP-318-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 18P 2.54MM P
Features: Feed Through
Packaging: Tray
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 18
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+97.39 грн
10+ 81.88 грн
25+ 78.4 грн
40+ 71.95 грн
108+ 68.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDP-318-TAdam TechnologiesFlat Cable IDC Plug 18P 2.54mm Pitch
товар відсутній
FDP-320-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 20P 2.54MM P
Features: Feed Through
Packaging: Tray
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 20
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
товар відсутній
FDP-320-TAdam TechnologiesFlat Cable IDC Plug 20P 2.54mm Pitch
товар відсутній
FDP-324-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 24P 2.54MM P
Features: Feed Through
Packaging: Tray
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 24
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.35 грн
10+ 89.68 грн
25+ 85.87 грн
40+ 78.8 грн
84+ 75.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDP-324-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 24 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole
товар відсутній
FDP-328-TAdam TechnologiesFlat Cable IDC Plug 28P 2.54mm Pitch
товар відсутній
FDP-328-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 28P 2.54MM P
Features: Feed Through
Packaging: Tray
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 28
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.59 грн
10+ 97.48 грн
25+ 93.35 грн
72+ 85.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDP-334-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 34 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole
товар відсутній
FDP-500Panasonic Industrial Automation SalesDescription: PROTECT TUBE M6 DIF. FIBER 500MM
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDP-624-TAdam TechnologiesFlat Cable IDC Plug 24P 2.54mm Pitch
товар відсутній
FDP-624-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 24 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole
товар відсутній
FDP-624-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 24P 2.54MM P
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDP-628-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 28P 2.54MM P
Features: Feed Through
Packaging: Tray
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 28
Row Spacing: 0.600" (15.24mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
товар відсутній
FDP-628-TAdam TechnologiesFlat Cable IDC Plug 28P 2.54mm Pitch
товар відсутній
FDP-632-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 32P 2.54MM P
Features: Feed Through
Packaging: Tray
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 32
Row Spacing: 0.600" (15.24mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.35 грн
10+ 89.68 грн
25+ 85.87 грн
60+ 78.8 грн
120+ 75.22 грн
240+ 68.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDP-632-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 32 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole
товар відсутній
FDP-632-TAdam TechnologiesFlat Cable IDC Plug 32P 2.54mm Pitch
товар відсутній
FDP-634-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 34 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole
товар відсутній
FDP-636-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 36P 2.54MM P
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDP-636-TAdam TechnologiesFDP-636-T
товар відсутній
FDP-640-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 40P 2.54MM P
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDP-640-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 40 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole
товар відсутній
FDP-N1000Panasonic Industrial AutomationSensor Fixings & Accessories PROTECTIVE TUBE FOR M4 DIF. FIBER, 1M LENGTH
товар відсутній
FDP-N1000Panasonic Industrial Automation SalesDescription: PROTECT TUBE M4 DIF. FIBER 1M
Packaging: Box
For Use With/Related Products: FX-300 Series
Accessory Type: Protective Tube
товар відсутній
FDP-N500Panasonic Industrial Automation SalesDescription: PROTECT TUBE M4 DIF. FIBER 500MM
товар відсутній
FDP01ECUGEN
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP020N06Bonsemionsemi FET 60V 1.5 MOHM TO220
товар відсутній
FDP020N06B-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 268 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20930 pF @ 30 V
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+390.29 грн
50+ 297.65 грн
100+ 255.13 грн
500+ 212.82 грн
1000+ 182.23 грн
FDP020N06B-F102ON Semiconductor
на замовлення 720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP020N06B-F102onsemi / FairchildMOSFET N-Channel PwrTrench 60V 313A 2mOhm
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+423.23 грн
10+ 350.68 грн
50+ 230.67 грн
100+ 211.62 грн
250+ 209.64 грн
500+ 195.84 грн
1000+ 176.78 грн
FDP020N06B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 313A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP020N06B-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP020N06B-F102 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDP020N06B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 313A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP022AN03LD0-EVAL
на замовлення 1672 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP023601-20
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP023N08BONSEMIDescription: ONSEMI - FDP023N08B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+230.02 грн
Мінімальне замовлення: 156
FDP023N08BFairchild SemiconductorDescription: 75V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
FDP023N08Bonsemionsemi FET 80V 2.7 MOHM TO220
товар відсутній
FDP023N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 242A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP023N08B-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13765 pF @ 37.5 V
на замовлення 7708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.44 грн
50+ 181.3 грн
100+ 155.41 грн
500+ 129.64 грн
1000+ 111.01 грн
2000+ 104.52 грн
5000+ 98.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP023N08B-F102onsemi / FairchildMOSFET FET 75V 2.35 MOHM TO220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+258.39 грн
10+ 216.15 грн
50+ 185.33 грн
100+ 136.7 грн
250+ 118.29 грн
500+ 112.38 грн
1000+ 108.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP023N08B-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP023N08B-F102 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+193.89 грн
Мінімальне замовлення: 185
FDP023N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 242A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP025N06Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14885 pF @ 25 V
на замовлення 1401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+166.74 грн
Мінімальне замовлення: 119
FDP025N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDP025N06
Код товару: 189620		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDP025N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP025N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14885 pF @ 25 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+308.53 грн
FDP025N06ON Semiconductor
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP025N06onsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel PowerTrench
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+315.89 грн
10+ 277.37 грн
50+ 232.65 грн
100+ 194.53 грн
250+ 184.01 грн
500+ 163.64 грн
1000+ 153.13 грн
FDP027N08Bonsemionsemi FET 80V 2.7 MOHM TO220
товар відсутній
FDP027N08BonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13530 pF @ 40 V
товар відсутній
FDP027N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 223A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP027N08B-F102onsemi / FairchildMOSFET N-Channel PwrTrench 80V 223A 2.7mOhm
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.12 грн
10+ 191.21 грн
50+ 161.01 грн
100+ 134.72 грн
250+ 130.78 грн
500+ 117.64 грн
1000+ 99.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP027N08B-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP027N08B-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 223 A, 0.00221 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 246W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00221ohm
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+246.24 грн
10+ 184.31 грн
100+ 149.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDP027N08B-F102
Код товару: 194545		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDP027N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 223A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP027N08B-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13530 pF @ 40 V
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.45 грн
50+ 156.99 грн
100+ 134.56 грн
500+ 112.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP027N08B_F102onsemiDescription: FDP027N08B_F102
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDP030N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP030N06ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 138A; 205W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 138A
Power dissipation: 205W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDP030N06ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 138A; 205W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 138A
Power dissipation: 205W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP030N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDP030N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9815 pF @ 25 V
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+302.85 грн
50+ 231.14 грн
100+ 198.12 грн
500+ 165.26 грн
FDP030N06onsemi / FairchildMOSFET NCH 60V 3.0Mohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 851-860 дні (днів)
1+328.92 грн
10+ 272.83 грн
50+ 233.96 грн
100+ 191.24 грн
500+ 170.21 грн
1000+ 151.15 грн
FDP030N06ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP030N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 231
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 231
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDP030N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP030N06BFairchild SemiconductorDescription: 1-ELEMENT, N-CHANNEL, MOS FET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+106.34 грн
Мінімальне замовлення: 185
FDP030N06B-F102ON Semiconductor
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP030N06B-F102onsemi / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 195A, 3.1mO
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+170.98 грн
10+ 135.28 грн
100+ 96.61 грн
500+ 79.52 грн
1000+ 67.03 грн
2500+ 65.72 грн
5000+ 64.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP030N06B-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP030N06B-F102 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDP030N06B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+72.46 грн
Мінімальне замовлення: 50
FDP030N06B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP030N06B-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 30 V
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.82 грн
50+ 121.81 грн
100+ 100.22 грн
500+ 79.59 грн
1000+ 67.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP032N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 37691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+245.33 грн
10+ 227.39 грн
50+ 225.15 грн
100+ 210.16 грн
250+ 190.86 грн
500+ 173.16 грн
1000+ 156.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDP032N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP032N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP032N08onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15160 pF @ 25 V
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+376.78 грн
50+ 287.34 грн
100+ 246.3 грн
500+ 205.46 грн
FDP032N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 37691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+264.2 грн
48+ 244.88 грн
50+ 242.47 грн
100+ 226.33 грн
250+ 205.54 грн
500+ 186.48 грн
1000+ 169.05 грн
Мінімальне замовлення: 45
FDP032N08onsemi / FairchildMOSFET 75V N-Channel PowerTrench
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+300.56 грн
10+ 280.39 грн
50+ 221.47 грн
100+ 203.73 грн
250+ 201.1 грн
500+ 187.96 грн
1000+ 171.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP032N08-F102onsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 75V 120A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15160 pF @ 25 V
товар відсутній
FDP032N08-F102ON SemiconductorN-Channel PowerTrench® MOSFET
товар відсутній
FDP032N08-F102onsemi / FairchildMOSFET PT3 MV 75V 3.2mohm for Delta
товар відсутній
FDP032N08-F102ON SemiconductorN-Channel PowerTrench® MOSFET
товар відсутній
FDP032N08-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP032N08-F102 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
FDP032N08Bonsemionsemi FET 80V 3.1 MOHM TO220
товар відсутній
FDP032N08BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 80V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
FDP032N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 211A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP032N08B-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10965 pF @ 40 V
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.84 грн
50+ 140.6 грн
100+ 120.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP032N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 211A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP032N08B-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP032N08B-F102 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDP032N08B-F102onsemi / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET 80V, 211A, 3.3mO
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202.41 грн
10+ 167.78 грн
50+ 140.64 грн
100+ 117.64 грн
500+ 104.49 грн
1000+ 84.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP032N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 211A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP036N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+401.8 грн
10+ 357.26 грн
100+ 289.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP036N10AONSEMIDescription: ONSEMI - FDP036N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+406.22 грн
10+ 303 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP036N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+432.71 грн
31+ 384.74 грн
100+ 312.25 грн
Мінімальне замовлення: 27
FDP036N10Aonsemi / FairchildMOSFET PT5 NCH 100V 3.6Mohm PowerTrench MOSFET
на замовлення 8426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+290.59 грн
10+ 279.63 грн
50+ 212.27 грн
100+ 193.87 грн
250+ 191.9 грн
500+ 172.18 грн
1000+ 159.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP036N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP036N10AFairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 120 А; Ptot, Вт = 227; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 7295 @ 25; Qg, нКл = 116 @ 10 В; Rds = 3,6 мОм @ 75 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+416.74 грн
10+ 388.95 грн
100+ 361.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP036N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP036N10AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V
на замовлення 1693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+351.9 грн
50+ 268.28 грн
100+ 229.96 грн
500+ 191.83 грн
1000+ 164.25 грн
FDP036N10A
Код товару: 94301		Мікросхеми > Інші мікросхеми
8542 39 90 00
товар відсутній
FDP038AN06
на замовлення 5863 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP038AN06A0ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+235.18 грн
3+ 196.47 грн
6+ 156.08 грн
15+ 147.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP038AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP038AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDP038AN06A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.31 грн
50+ 179.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP038AN06A0
Код товару: 51728		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
FDP038AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+178.62 грн
10+ 173.29 грн
50+ 155.37 грн
100+ 140.18 грн
250+ 114.37 грн
500+ 108.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDP038AN06A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP038AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 80
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 310
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDP038AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP038AN06A0ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+282.21 грн
3+ 244.84 грн
6+ 187.3 грн
15+ 177.44 грн
250+ 174.98 грн
FDP038AN06A0onsemi / FairchildMOSFET 60V 80a .38 Ohms/VGS=1V
на замовлення 6151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.98 грн
10+ 185.92 грн
50+ 143.92 грн
100+ 130.12 грн
250+ 111.72 грн
500+ 109.75 грн
1000+ 107.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP038AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+193.86 грн
62+ 188.08 грн
70+ 168.62 грн
100+ 152.14 грн
250+ 124.13 грн
500+ 117.4 грн
Мінімальне замовлення: 61
FDP038AN06A0-F102ON SemiconductorN-Channel PowerTrench MOSFET
товар відсутній
FDP038AN06A0-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
товар відсутній
FDP038AN06A0-F102ON SemiconductorN-Channel PowerTrench MOSFET
товар відсутній
FDP038AN06A0-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP038AN06A0-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 80
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 310
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Power Trench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDP038AN06A0-F102onsemi / FairchildMOSFET 60V80A3.8OHMS MOSFET NCH PWR TRENCH
товар відсутній
FDP038AN06A0_Qonsemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
FDP039N08BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 80V
Packaging: Bulk
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+158.86 грн
Мінімальне замовлення: 124
FDP039N08Bonsemionsemi FET 80V 3.9 MOHM TO220
товар відсутній
FDP039N08BONSEMIDescription: ONSEMI - FDP039N08B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+241.81 грн
Мінімальне замовлення: 148
FDP039N08B-F102Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9450 pF @ 40 V
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+312.09 грн
Мінімальне замовлення: 69
FDP039N08B-F102onsemi / FairchildMOSFET Hi Intg PWM contrlr Green-Mode
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+536.71 грн
10+ 453.46 грн
50+ 371.97 грн
100+ 316.77 грн
250+ 288.51 грн
500+ 249.08 грн
1000+ 248.42 грн
FDP039N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP039N08B-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP039N08B-F102 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+472.57 грн
Мінімальне замовлення: 75
FDP039N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP039N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP039N08B-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9450 pF @ 40 V
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+562.33 грн
10+ 488.92 грн
100+ 404.79 грн
500+ 330.8 грн
FDP039N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+201.13 грн
10+ 195.82 грн
25+ 167.28 грн
100+ 159.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDP040N06ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP040N06 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+134.18 грн
Мінімальне замовлення: 194
FDP040N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 168A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товар відсутній
FDP040N06Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8235 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+122.76 грн
Мінімальне замовлення: 161
FDP040N06onsemi / FairchildMOSFET PT3 Low Qg 60V, 4.0Mohm
товар відсутній
FDP045N10AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
товар відсутній
FDP045N10Aonsemionsemi FET 100V 4.5 MOHM TO220
товар відсутній
FDP045N10A-F032onsemionsemi
товар відсутній
FDP045N10A-F032ON Semiconductor
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP045N10A-F032onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
товар відсутній
FDP045N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+309.3 грн
39+ 303.09 грн
50+ 246.59 грн
100+ 204.4 грн
250+ 187.39 грн
500+ 161.8 грн
Мінімальне замовлення: 38
FDP045N10A-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.88 грн
50+ 202.99 грн
100+ 174 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP045N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+287.21 грн
10+ 281.44 грн
50+ 228.97 грн
100+ 189.8 грн
250+ 174 грн
500+ 150.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDP045N10A-F102onsemi / FairchildMOSFET 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+327.39 грн
10+ 306.84 грн
50+ 227.39 грн
100+ 212.93 грн
250+ 199.13 грн
500+ 161.67 грн
1000+ 142.61 грн
FDP045N10A-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP045N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0038 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+350.19 грн
10+ 255.08 грн
100+ 223.38 грн
500+ 168.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDP045N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP045N10AF102Fairchild SemiconductorDescription: 120A, 100V, N-CHANNEL POWER MOSF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
товар відсутній
FDP047AN08A0ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+261.87 грн
3+ 226.92 грн
6+ 163.48 грн
17+ 154.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP047AN08A0
Код товару: 119329		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDP047AN08A0onsemi / FairchildMOSFET 75V N-Ch PowerTrench
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+236.15 грн
10+ 195.74 грн
50+ 160.35 грн
100+ 137.35 грн
250+ 129.47 грн
500+ 122.24 грн
1000+ 109.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP047AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+144.3 грн
85+ 138.09 грн
88+ 132.83 грн
100+ 123.75 грн
250+ 111.1 грн
Мінімальне замовлення: 81
FDP047AN08A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
на замовлення 1828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.25 грн
50+ 166.26 грн
100+ 142.5 грн
500+ 118.87 грн
1000+ 101.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP047AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDP047AN08A0ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+218.22 грн
3+ 182.1 грн
6+ 136.23 грн
17+ 128.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP047AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP047AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+208.76 грн
10+ 180.69 грн
50+ 173.13 грн
100+ 143.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDP047AN08A0-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
товар відсутній
FDP047AN08A0-F102ON Semiconductor / FairchildMOSFET SNGL NCH 75V 4.7MOHM ULTRAFET TRENCH
товар відсутній
FDP047AN08A0_NL
на замовлення 11629 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP047AN08AOFAIRCHILD
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP047AN08AOFSC07+ QFP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP047AN08AOFAIRCHILD08+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP047N08ON Semiconductor
на замовлення 740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP047N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP047N08onsemi / FairchildMOSFET 75V N-Channel PowerTrench
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+233.08 грн
10+ 193.48 грн
50+ 158.38 грн
100+ 126.84 грн
250+ 116.32 грн
500+ 107.78 грн
1000+ 97.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP047N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP047N08onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9415 pF @ 25 V
на замовлення 34210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.69 грн
50+ 163.94 грн
100+ 140.52 грн
500+ 117.22 грн
1000+ 100.37 грн
2000+ 94.51 грн
5000+ 89.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP047N08-F10Fairchild SemiconductorDescription: 164A, 75V, N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+203.5 грн
Мінімальне замовлення: 97
FDP047N08-F10ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP047N08-F10 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+223.38 грн
Мінімальне замовлення: 117
FDP047N08-F102onsemi / FairchildMOSFET PT3 75V
товар відсутній
FDP047N08-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP047N08-F102ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 116A; Idm: 656A; 168W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 116A
Pulsed drain current: 656A
Power dissipation: 168W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.91 грн
8+ 104.06 грн
22+ 98.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDP047N08-F102ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 116A; Idm: 656A; 168W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 116A
Pulsed drain current: 656A
Power dissipation: 168W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+196.4 грн
3+ 170.62 грн
8+ 124.87 грн
22+ 118.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP047N08-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP047N08-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9415 pF @ 25 V
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.12 грн
10+ 146.98 грн
100+ 116.99 грн
800+ 92.9 грн
1600+ 78.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP047N08-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP047N08-F102 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 15597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+127.54 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDP047N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP047N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP047N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+298.58 грн
50+ 227.92 грн
100+ 195.37 грн
FDP047N10onsemi / FairchildMOSFET 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 5307 шт:
термін постачання 410-419 дні (днів)
1+321.26 грн
10+ 281.9 грн
50+ 241.19 грн
100+ 199.79 грн
250+ 197.16 грн
500+ 168.9 грн
1000+ 148.53 грн
FDP047N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+321.3 грн
10+ 269.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP047N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDP050AN06A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
на замовлення 6629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.68 грн
10+ 150.06 грн
100+ 119.44 грн
500+ 94.85 грн
1000+ 80.48 грн
2000+ 76.45 грн
5000+ 72.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP050AN06A0ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 18A; 245W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Technology: PowerTrench®
Power dissipation: 245W
Gate charge: 80nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 18A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP050AN06A0onsemi / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+206.25 грн
10+ 168.54 грн
100+ 116.98 грн
250+ 107.78 грн
500+ 97.92 грн
1000+ 84.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP050AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP050AN06A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP050AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 245W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+234.44 грн
10+ 186.52 грн
25+ 154.82 грн
100+ 114.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDP050AN06A0ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 18A; 245W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Technology: PowerTrench®
Power dissipation: 245W
Gate charge: 80nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 18A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
товар відсутній
FDP050AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP050AN06A0_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench
товар відсутній
FDP053N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP053N08B-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP053N08B-F102 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDP053N08B-F102onsemi / FairchildMOSFET Smart Power Module
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.74 грн
10+ 117.9 грн
100+ 83.46 грн
500+ 70.98 грн
1000+ 57.44 грн
5000+ 55.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDP053N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP053N08B-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 146W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5960 pF @ 40 V
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.76 грн
10+ 121.44 грн
100+ 97.59 грн
500+ 75.24 грн
1000+ 62.35 грн
2000+ 58.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDP054N10onsemi / FairchildMOSFET 100V N-Chan PowerTrench MOSFET
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+368.03 грн
10+ 305.33 грн
50+ 249.08 грн
100+ 207.67 грн
250+ 192.56 грн
500+ 191.9 грн
1000+ 155.75 грн
FDP054N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 144A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP054N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13280 pF @ 25 V
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+346.92 грн
10+ 300.19 грн
100+ 245.96 грн
500+ 196.5 грн
FDP054N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 144A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP054N10ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP054N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 263
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар відсутній
FDP060AN08
на замовлення 5589 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP060AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP060AN08A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP060AN08A0 - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0048 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 80
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 255
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 255
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0048
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDP060AN08A0ONSEMIFDP060AN08A0 THT N channel transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+234.44 грн
7+ 142.12 грн
19+ 134.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP060AN08A0onsemi / FairchildMOSFET 75V 80a .6Ohms/VGS=1V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202.41 грн
10+ 167.78 грн
50+ 140.64 грн
100+ 117.64 грн
250+ 113.04 грн
500+ 101.86 грн
1000+ 84.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP060AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP060AN08A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 16A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 25 V
на замовлення 5416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.26 грн
50+ 142.16 грн
100+ 121.85 грн
500+ 101.65 грн
1000+ 87.04 грн
2000+ 81.95 грн
5000+ 77.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP070AN06A0ON Semiconductor
на замовлення 770 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP070AN06A0onsemi / FairchildMOSFET N-Channel PwrTrench
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177.88 грн
10+ 157.2 грн
100+ 107.12 грн
500+ 85.43 грн
1000+ 68.35 грн
2500+ 66.38 грн
5000+ 63.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP070AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP070AN06A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 15A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.15 грн
10+ 154.92 грн
100+ 124.52 грн
500+ 96.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP070AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP070AN06A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP070AN06A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
310+115.75 грн
Мінімальне замовлення: 310
FDP075N15Aonsemionsemi FET 150V 7.5 MOHM TO220
товар відсутній
FDP075N15AonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V
товар відсутній
FDP075N15A-F032onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V
товар відсутній
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+317.79 грн
10+ 301.25 грн
50+ 293.9 грн
100+ 259.65 грн
250+ 237.33 грн
500+ 211.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+305.66 грн
10+ 292.18 грн
50+ 286.05 грн
100+ 255.89 грн
250+ 234.36 грн
500+ 217.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP075N15A-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+409.48 грн
50+ 314.67 грн
100+ 281.54 грн
500+ 233.13 грн
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+451.1 грн
29+ 408.42 грн
50+ 390.56 грн
100+ 323.92 грн
250+ 293.62 грн
500+ 250.48 грн
Мінімальне замовлення: 26
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+103.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+315.34 грн
39+ 298.92 грн
50+ 291.63 грн
100+ 257.64 грн
250+ 235.5 грн
500+ 210.19 грн
Мінімальне замовлення: 37
FDP075N15A-F102ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 92A; 333W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 92A
Power dissipation: 333W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+495.42 грн
3+ 301.21 грн
8+ 284.78 грн
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+418.88 грн
10+ 379.24 грн
50+ 362.67 грн
100+ 300.79 грн
250+ 272.65 грн
500+ 232.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP075N15A-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP075N15A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 0.00625 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00625ohm
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+449.71 грн
5+ 408.43 грн
10+ 367.14 грн
50+ 330.65 грн
100+ 264.14 грн
250+ 260.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP075N15A-F102onsemi / FairchildMOSFET 150V NChan PwrTrench
на замовлення 5066 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+427.83 грн
10+ 393.76 грн
50+ 306.91 грн
100+ 270.11 грн
500+ 240.53 грн
1000+ 229.36 грн
FDP075N15A-F102ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 92A; 333W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 92A
Power dissipation: 333W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+594.51 грн
3+ 375.36 грн
8+ 341.74 грн
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+425.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+329.17 грн
38+ 314.66 грн
50+ 308.06 грн
100+ 275.58 грн
250+ 252.39 грн
500+ 233.98 грн
Мінімальне замовлення: 36
FDP075N15A_F102onsemi / FairchildMOSFET 150V NChan PwrTrench
товар відсутній
FDP075N15A_F102
Код товару: 154614		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDP083N15Aonsemionsemi FET 150V 8.3 MOHM TO220
товар відсутній
FDP083N15AonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
товар відсутній
FDP083N15A-F102ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 294W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
On-state resistance: 8.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+323.65 грн
3+ 270.41 грн
4+ 207.43 грн
11+ 195.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP083N15A-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP083N15A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 117 A, 0.00685 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 117A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00685ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+322.17 грн
10+ 251.4 грн
100+ 207.16 грн
500+ 169.77 грн
1000+ 137.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDP083N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+326.97 грн
10+ 298.5 грн
25+ 285.9 грн
100+ 241.15 грн
500+ 194.42 грн
1000+ 160.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP083N15A-F102ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 294W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
On-state resistance: 8.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+388.37 грн
3+ 336.97 грн
4+ 248.91 грн
11+ 234.95 грн
FDP083N15A-F102onsemi / FairchildMOSFET 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
на замовлення 9391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+335.06 грн
10+ 292.48 грн
50+ 234.62 грн
100+ 201.1 грн
500+ 174.16 грн
800+ 143.92 грн
FDP083N15A-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V
на замовлення 4627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+318.49 грн
50+ 242.74 грн
100+ 208.07 грн
500+ 173.57 грн
1000+ 148.62 грн
2000+ 139.94 грн
FDP083N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP083N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP083N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+325.36 грн
40+ 297.03 грн
41+ 284.49 грн
100+ 239.96 грн
500+ 193.46 грн
1000+ 159.87 грн
Мінімальне замовлення: 36
FDP083N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+176.92 грн
51+ 174.36 грн
251+ 163.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDP085N10AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 96A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2695 pF @ 50 V
товар відсутній
FDP085N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP085N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP085N10A-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 96A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2695 pF @ 50 V
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.7 грн
50+ 141.38 грн
100+ 116.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP085N10A-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP085N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 96 A, 0.00735 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00735ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.1 грн
10+ 163.67 грн
100+ 131.23 грн
500+ 101.32 грн
1000+ 71.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDP085N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP085N10A-F102onsemi / FairchildMOSFET 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
на замовлення 3803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.58 грн
10+ 162.49 грн
100+ 112.38 грн
250+ 107.12 грн
500+ 93.98 грн
1000+ 80.83 грн
2500+ 77.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP090N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8225 pF @ 25 V
на замовлення 12044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.78 грн
50+ 173.57 грн
100+ 148.78 грн
500+ 124.11 грн
1000+ 106.27 грн
2000+ 100.06 грн
5000+ 94.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP090N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+143.37 грн
1000+ 118.86 грн
2000+ 118.5 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDP090N10onsemi / FairchildMOSFET 100V 75A N-Chan PowerTrench
на замовлення 8484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+246.88 грн
10+ 204.81 грн
50+ 167.58 грн
100+ 143.92 грн
250+ 135.38 грн
500+ 127.5 грн
800+ 102.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP090N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+141.28 грн
1000+ 117.12 грн
2000+ 116.77 грн
Мінімальне замовлення: 83
FDP090N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP090N10FAIRCHILDTO-220 09+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP090N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP100N10onsemi / FairchildMOSFET 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+249.95 грн
10+ 225.22 грн
50+ 170.21 грн
100+ 145.24 грн
500+ 128.81 грн
800+ 104.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP100N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP100N10Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+124.07 грн
Мінімальне замовлення: 159
FDP100N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+131.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDP100N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.33 грн
50+ 175.77 грн
100+ 150.66 грн
500+ 125.68 грн
1000+ 107.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP100N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP10AN06A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP10AN06A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
254+141.55 грн
Мінімальне замовлення: 254
FDP10AN06A0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 12A/75A TO220-3
на замовлення 5110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDP10N60NZFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 10506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+85.99 грн
Мінімальне замовлення: 229
FDP10N60NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP120AN15A0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
на замовлення 10798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+64.33 грн
Мінімальне замовлення: 307
FDP120AN15A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
FDP120AN15A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
товар відсутній
FDP120AN15A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP120AN15A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
368+97.31 грн
Мінімальне замовлення: 368
FDP120N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 74A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 74A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5605 pF @ 25 V
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.51 грн
50+ 126.26 грн
100+ 103.88 грн
500+ 82.49 грн
1000+ 69.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP120N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP120N10onsemi / FairchildMOSFET N Chan 100V 12Mohm
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177.88 грн
10+ 140.57 грн
100+ 100.55 грн
500+ 83.46 грн
1000+ 73.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP120N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP120N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP12N50onsemi / FairchildMOSFET 500V N-Channel
товар відсутній
FDP12N50ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP12N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.55 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 165
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 165
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.55
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDP12N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V
товар відсутній
FDP12N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP12N50Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
304+75.36 грн
Мінімальне замовлення: 304
FDP12N50NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDP12N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.46 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 170
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 170
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.46
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.81 грн
10+ 138.6 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDP12N50NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDP12N50NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP12N50NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP12N50NZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 25 V
товар відсутній
FDP12N50NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 25 V
товар відсутній
FDP12N50NZonsemi / FairchildMOSFET 500V N-Chan MOSFET UniFET-II
на замовлення 7146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.44 грн
10+ 142.08 грн
500+ 74.92 грн
800+ 61.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDP12N60NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP12N60NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1676 pF @ 25 V
товар відсутній
FDP13AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP13AN06A0
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP13AN06A0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 24718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+69.67 грн
Мінімальне замовлення: 307
FDP13AN06A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP13AN06A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 24718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
368+97.31 грн
Мінімальне замовлення: 368
FDP13AN06A0_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товар відсутній
FDP13AN06A0 
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP14AN06LA0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товар відсутній
FDP14AN06LA0
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP14AN06LA0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 14481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+184.86 грн
Мінімальне замовлення: 109
FDP14AN06LA0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товар відсутній
FDP150N10onsemi / FairchildMOSFET 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+185.55 грн
10+ 146.62 грн
100+ 104.49 грн
250+ 101.21 грн
500+ 87.41 грн
1000+ 76.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP150N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP150N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP150N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 57A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.62 грн
50+ 132.08 грн
100+ 108.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP150N10Aonsemionsemi FET 100V 15.0 MOHM TO220
товар відсутній
FDP150N10AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 50 V
товар відсутній
FDP150N10A-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 50 V
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.93 грн
50+ 127.5 грн
100+ 104.89 грн
500+ 83.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP150N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
товар відсутній
FDP150N10A-F102ON Semiconductor
на замовлення 670 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP150N10A-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP150N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0125 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 91W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+210.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDP150N10A-F102
Код товару: 150159		Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
FDP150N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
товар відсутній
FDP150N10A-F102onsemi / FairchildMOSFET N-Channel PwrTrench 100V 50A 15mOhm
на замовлення 10047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+180.95 грн
10+ 143.6 грн
100+ 101.86 грн
250+ 101.21 грн
500+ 80.83 грн
1000+ 69.66 грн
2500+ 69.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP150N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
товар відсутній
FDP15N40onsemi / FairchildMOSFET 400V N-Channel
товар відсутній
FDP15N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 25 V
товар відсутній
FDP15N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP15N40ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP15N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 15 A, 0.24 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 170
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 170
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDP15N50Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 5253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+145.55 грн
Мінімальне замовлення: 135
FDP15N50ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP15N50 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
162+221.91 грн
Мінімальне замовлення: 162
FDP15N50onsemi / FairchildMOSFET 15a 500V N-Ch SMPS Power MOSFET
товар відсутній
FDP15N50F102Fairchild SemiconductorDescription: 15A, 500V, 0.38OHM, N CHANNEL ,
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
FDP15N65onsemi / FairchildMOSFET SINGLE N-CH 500V .38OHM SMPS PWR
товар відсутній
FDP15N65onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3095 pF @ 25 V
товар відсутній
FDP16AN08A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP16AN08A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
396+90.68 грн
Мінімальне замовлення: 396
FDP16AN08A0onsemi / FairchildMOSFET 75V 58a 0.016 Ohms/VGS=10V
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+102.74 грн
10+ 89.18 грн
100+ 64.8 грн
250+ 62.37 грн
500+ 58.1 грн
1000+ 51.79 грн
2500+ 51.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDP16AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+74.13 грн
10+ 69.82 грн
100+ 64.26 грн
250+ 58.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDP16AN08A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 9A/58A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.7 грн
50+ 95.48 грн
100+ 78.58 грн
500+ 62.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDP16AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP16AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP16AN08A0ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 44A; 135W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 44A
Power dissipation: 135W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDP16AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
146+79.84 грн
155+ 75.19 грн
169+ 69.2 грн
250+ 63.4 грн
Мінімальне замовлення: 146
FDP16AN08A0ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 44A; 135W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 44A
Power dissipation: 135W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP16N50Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1945 pF @ 25 V
на замовлення 14198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+85.34 грн
Мінімальне замовлення: 231
FDP18N20FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+69.28 грн
10+ 63.15 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDP18N20FonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
товар відсутній
FDP18N20FONSEMIDescription: ONSEMI - FDP18N20F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.12 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 18
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 100
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDP18N20Fonsemi / FairchildMOSFET 200V N-Channel
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.61 грн
10+ 106.56 грн
100+ 71.63 грн
500+ 59.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDP18N20FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDP18N20FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP18N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP18N50ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP18N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.265 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 18
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 235
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.265
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDP18N50ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.87 грн
7+ 115.69 грн
19+ 109.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDP18N50onsemi / FairchildMOSFET 500V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 9814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+192.45 грн
10+ 185.92 грн
50+ 103.84 грн
100+ 95.95 грн
250+ 95.29 грн
500+ 90.69 грн
1000+ 80.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP18N50ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+211.44 грн
3+ 184.27 грн
7+ 138.83 грн
19+ 131.44 грн
250+ 126.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP18N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP18N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP18N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.02 грн
50+ 135.46 грн
100+ 116.12 грн
500+ 96.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP18N50ON-SemicoductorTransistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 235W; -55°C ~ 150°C; FDP18N50 TFDP18n50
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+119.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDP19N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 19A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2115 pF @ 25 V
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+103.17 грн
Мінімальне замовлення: 197
FDP19N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP19N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2115 pF @ 25 V
товар відсутній
FDP19N40ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP19N40 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDP19N40onsemi / FairchildMOSFET UniFET, 400V
товар відсутній
FDP1XSZAM63R262XCONECD-Sub Standard Connectors
товар відсутній
FDP20AN06A0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 45A TO-220AB
товар відсутній
FDP20AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP20N40onsemi / FairchildMOSFET 20a 400V N-Ch SMPS Power MOSFET
товар відсутній
FDP20N50ON-SemicoductorN-MOSFET 500V 20A 230mΩ 250W FDP20N50F FDP20N50 CSD18532KCS FDP20N50 Fairchild TFDP20n50
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+101.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDP20N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+281.43 грн
45+ 260.1 грн
49+ 239.57 грн
52+ 218.45 грн
100+ 192.38 грн
500+ 178.26 грн
Мінімальне замовлення: 42
FDP20N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V
товар відсутній
FDP20N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP20N50ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP20N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.23 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+289 грн
10+ 230.02 грн
100+ 176.2 грн
500+ 117.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDP20N50ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 67 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+185.78 грн
5+ 161.23 грн
9+ 114.19 грн
24+ 108.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP20N50onsemi / FairchildMOSFET 500V NCH UNIFET MOSFET
товар відсутній
FDP20N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+261.33 грн
10+ 241.52 грн
25+ 222.46 грн
50+ 202.84 грн
100+ 178.64 грн
500+ 165.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDP20N50ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.82 грн
5+ 129.38 грн
9+ 95.16 грн
24+ 90.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDP20N50Fonsemi / FairchildMOSFET 500V N-Channel
на замовлення 5085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+213.15 грн
10+ 176.09 грн
50+ 144.58 грн
100+ 124.21 грн
250+ 117.64 грн
500+ 109.75 грн
1000+ 97.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP20N50FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDP20N50FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP20N50FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP20N50FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP20N50FonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.21 грн
50+ 149.99 грн
100+ 128.56 грн
500+ 107.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP20N50F
Код товару: 190678		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDP20N50FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP20N50FONSEMIDescription: ONSEMI - FDP20N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+230.75 грн
10+ 134.18 грн
100+ 120.91 грн
500+ 106.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDP22N50NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP22N50NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+205.6 грн
62+ 190.47 грн
100+ 171.61 грн
Мінімальне замовлення: 57
FDP22N50NONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.2A; 312.5W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.2A
Power dissipation: 312.5W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP22N50NonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 22A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 312.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.71 грн
50+ 184.47 грн
100+ 158.12 грн
500+ 131.9 грн
1000+ 112.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP22N50N
Код товару: 60060		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDP22N50NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP22N50NONSEMIDescription: ONSEMI - FDP22N50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.185 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 312.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312.5
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+239.6 грн
10+ 216.01 грн
100+ 176.94 грн
500+ 139.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDP22N50NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+190.92 грн
10+ 176.86 грн
100+ 159.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDP22N50NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+218.73 грн
10+ 195.45 грн
100+ 169.08 грн
500+ 146.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDP22N50Nonsemi / FairchildMOSFET UniFETII 500V 22A
на замовлення 1446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+262.99 грн
10+ 217.66 грн
50+ 178.76 грн
100+ 153.13 грн
250+ 144.58 грн
500+ 136.04 грн
1000+ 120.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP22N50NONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.2A; 312.5W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.2A
Power dissipation: 312.5W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDP24AN06LA0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TO-220AB
товар відсутній
FDP24AN06LA0Fairchild
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP24N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP24N40ON Semiconductor
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP24N40ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP24N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 24 A, 0.14 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 24
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 227
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 227
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDP24N40onsemi / FairchildMOSFET 400V N-Channel
товар відсутній
FDP24N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+240.07 грн
61+ 193.19 грн
100+ 174.17 грн
500+ 143.48 грн
Мінімальне замовлення: 49
FDP24N40FAIRCHILTO220 09+
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP24N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 25 V
товар відсутній
FDP24N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+222.92 грн
10+ 179.39 грн
100+ 161.73 грн
500+ 133.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDP2532ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP2532
Код товару: 44129		Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-263AB
Uds,V: 150 V
Idd,A: 79 A
Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm
Монтаж: SMD
товар відсутній
FDP2532ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP2532onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 8A/79A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
товар відсутній
FDP2532ON-SemicoductorTransistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 48mOhm; 79A; 310W; -55°C ~ 175°C; FDP2532 TFDP2532
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+160.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDP2532ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56A
Power dissipation: 310W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDP2532ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP2532ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP2532ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56A
Power dissipation: 310W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP2532ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 79 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 2337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+280.15 грн
10+ 210.11 грн
100+ 169.56 грн
500+ 143.08 грн
1000+ 118.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDP2532onsemi / FairchildMOSFET 150V NCh UltraFET Power Trench
на замовлення 4065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+266.05 грн
10+ 216.15 грн
50+ 187.3 грн
100+ 155.1 грн
250+ 152.47 грн
500+ 139.98 грн
1000+ 129.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP2552ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; 150W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 26A
On-state resistance: 97mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
FDP2552ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDP2552ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+143.89 грн
10+ 131.9 грн
100+ 112.13 грн
500+ 92.17 грн
1000+ 72.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDP2552onsemi / FairchildMOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.81 грн
10+ 95.23 грн
100+ 72.29 грн
250+ 70.98 грн
500+ 58.69 грн
1000+ 58.56 грн
5000+ 56.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDP2552ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP2552onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.63 грн
50+ 107.29 грн
100+ 88.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDP2552ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; 150W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 26A
On-state resistance: 97mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP2552_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
товар відсутній
FDP2552_NL
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP2552_Qonsemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
FDP2570ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 22A TO-220AB
товар відсутній
FDP2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP2572FAIRCHIL09+ PLCC-44
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+149.59 грн
100+ 119.65 грн
500+ 97.69 грн
Мінімальне замовлення: 50
FDP2572ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 20A; 135W; TO220AB
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 20A
On-state resistance: 146mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 135W
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+146.84 грн
100+ 117.45 грн
500+ 95.89 грн
Мінімальне замовлення: 80
FDP2572onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+147.87 грн
50+ 114.13 грн
100+ 93.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP2572FSC09+ TO220
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP2572onsemi / FairchildMOSFET TO-220 N-CH 150V 29A
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+160.25 грн
10+ 135.28 грн
100+ 92.66 грн
250+ 86.09 грн
500+ 82.81 грн
1000+ 65.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP2572ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 20A; 135W; TO220AB
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 20A
On-state resistance: 146mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 135W
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
товар відсутній
FDP2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDP2614onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 62A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V
на замовлення 9582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+305.69 грн
50+ 233.37 грн
100+ 200.03 грн
500+ 166.87 грн
1000+ 142.88 грн
2000+ 134.54 грн
FDP2614onsemi / FairchildMOSFET 200V N-Channel PowerTrench
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+248.42 грн
10+ 238.82 грн
50+ 183.36 грн
100+ 164.96 грн
250+ 162.98 грн
500+ 153.78 грн
1000+ 138.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP2614ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 39.3A; 260W; TO220-3
Polarisation: unipolar
Gate charge: 99nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 39.3A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 260W
Kind of package: tube
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+325.12 грн
3+ 271.78 грн
4+ 204 грн
10+ 203.32 грн
11+ 192.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP2614ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP2614ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 39.3A; 260W; TO220-3
Polarisation: unipolar
Gate charge: 99nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 39.3A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 260W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+390.14 грн
3+ 338.67 грн
4+ 244.8 грн
10+ 243.98 грн
11+ 230.84 грн
FDP2614ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP2614ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+257.51 грн
10+ 244.9 грн
50+ 224.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDP2614ON Semiconductor
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP2614ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+277.32 грн
45+ 263.74 грн
50+ 241.85 грн
Мінімальне замовлення: 42
FDP2670ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP2670 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+157.77 грн
Мінімальне замовлення: 227
FDP2670Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3
на замовлення 6893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDP26N40ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 15.6A; 265W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 15.6A
Power dissipation: 265W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP26N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP26N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 26A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 265W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3185 pF @ 25 V
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.26 грн
10+ 150.4 грн
100+ 121.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP26N40FairchildTransistor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 160mOhm; 26A; 265W; -55°C ~ 150°C; FDP26N40 TFDP26n40
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+140.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDP26N40onsemi / FairchildMOSFET 400V N-Channel
на замовлення 2747 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+218.52 грн
10+ 194.23 грн
25+ 159.04 грн
100+ 138.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP26N40ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 15.6A; 265W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 15.6A
Power dissipation: 265W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDP2710onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+270.14 грн
50+ 206.03 грн
100+ 176.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP2710ONSEMIFDP2710 THT N channel transistors
на замовлення 36 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+344.14 грн
5+ 209.48 грн
13+ 197.98 грн
FDP2710onsemi / FairchildMOSFET 250V N-Channel PowerTrench
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+294.42 грн
10+ 252.43 грн
50+ 201.1 грн
100+ 170.21 грн
250+ 162.33 грн
500+ 126.84 грн
1000+ 123.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP2710ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP2710ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP2710-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 250V NCHAN PwrTrench
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDP2710-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP2710-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 50A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP2710-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5690 pF @ 25 V
товар відсутній
FDP2710-F085ON Semiconductor
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP2710_F085Fairchild SemiconductorDescription: 4A, 250V, 0.047OHM, N-CHANNEL ,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5690 pF @ 25 V
товар відсутній
FDP2710_SN00168Fairchild SemiconductorDescription: 1-ELEMENT, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
товар відсутній
FDP2710_SW82258Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V
товар відсутній
FDP2D3N10CONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 157A; Idm: 888A; 214W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 157A
Pulsed drain current: 888A
Power dissipation: 214W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP2D3N10CONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 157A; Idm: 888A; 214W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 157A
Pulsed drain current: 888A
Power dissipation: 214W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDP2D3N10Consemi / FairchildMOSFET PTNG 100/20V inTO220 3L JEDEC GREEN EMC
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+443.17 грн
10+ 374.11 грн
50+ 294.42 грн
100+ 270.76 грн
250+ 254.99 грн
500+ 236.59 грн
1000+ 205.04 грн
FDP2D3N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 222A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP2D3N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 222A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP2D3N10CONSEMIDescription: ONSEMI - FDP2D3N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 222 A, 0.0021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 222A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+468.14 грн
5+ 416.54 грн
10+ 364.93 грн
50+ 321.07 грн
100+ 260.35 грн
250+ 251.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP2D3N10ConsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11180 pF @ 50 V
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+407.35 грн
50+ 313.25 грн
100+ 280.28 грн
500+ 232.08 грн
FDP2D9N12ConsemiMOSFET PTNG 120V N-FET
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDP2D9N12CON SemiconductorN-Channel Shielded Gate Power Trench MOSFET 120 V, 2.9 mW, 210 A, Single N-Channel
товар відсутній
FDP2D9N12ConsemiDescription: PTNG 120V N-FET TO220
товар відсутній
FDP2XPZAM63R262XCONECD-Sub Standard Connectors
товар відсутній
FDP2XSZAM63R262XCONECD-Sub Standard Connectors
товар відсутній
FDP3205onsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7730 pF @ 25 V
товар відсутній
FDP3205ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP3205 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
305+117.96 грн
Мінімальне замовлення: 305
FDP3205Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7730 pF @ 25 V
на замовлення 2301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
254+83.89 грн
Мінімальне замовлення: 254
FDP33N25
на замовлення 580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP33N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDP33N25onsemi / FairchildMOSFET 250V N-Channel MOSFET
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 170-179 дні (днів)
3+142.61 грн
10+ 117.14 грн
100+ 80.83 грн
500+ 68.35 грн
1000+ 58.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDP33N25ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP33N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.094 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 33
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 235
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.094
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+151.13 грн
10+ 135.65 грн
100+ 109.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDP33N25ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 20.4A; Idm: 132A; 235W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 20.4A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDP33N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP33N25onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 33A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V
на замовлення 981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.52 грн
50+ 101.73 грн
100+ 83.7 грн
500+ 66.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDP33N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+126.62 грн
10+ 116.48 грн
100+ 98.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDP33N25ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 20.4A; Idm: 132A; 235W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 20.4A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP33N25
Код товару: 107817		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDP33N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+126.6 грн
100+ 116.46 грн
119+ 98.22 грн
Мінімальне замовлення: 92
FDP34N33Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 330V 34A TO-220
товар відсутній
FDP3632ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP3632ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 310W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 310W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP3632onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
товар відсутній
FDP3632ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP3632onsemi / FairchildMOSFET 100V 80a .9 Ohms/VGS=1V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 221-230 дні (днів)
2+250.72 грн
10+ 207.84 грн
100+ 146.55 грн
500+ 130.12 грн
1000+ 113.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP3632ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 310W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 310W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDP3632ON-SemicoductorTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 22mOhm; 80A; 310W; -55°C ~ 175°C; FDP3632 TFDP3632
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+127.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDP3632 (TO-220AB)
Код товару: 52946		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDP3632_NL
на замовлення 19219 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP3651UonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5522 pF @ 25 V
на замовлення 1573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.09 грн
10+ 140.13 грн
100+ 112.62 грн
500+ 86.83 грн
1000+ 71.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP3651UON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP3651Uonsemi / FairchildMOSFET 100V 80A 18 mOHM NCH POWER TREN
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+156.41 грн
10+ 129.24 грн
100+ 90.04 грн
500+ 77.55 грн
800+ 62.37 грн
5600+ 60.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP3651UON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+133.63 грн
99+ 118.12 грн
118+ 99.18 грн
Мінімальне замовлення: 88
FDP3651UONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 255W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 255W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 9.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDP3651UON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+124.09 грн
10+ 109.69 грн
100+ 92.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDP3651UON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP3651UONSEMIDescription: ONSEMI - FDP3651U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.3 грн
10+ 126.07 грн
100+ 101 грн
500+ 80.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDP3651UFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5522 pF @ 25 V
товар відсутній
FDP3651U
Код товару: 144911		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDP3651UON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP3651UONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 255W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 255W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 9.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
FDP3652ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP3652onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
товар відсутній
FDP3652ONSEMIFDP3652 THT N channel transistors
товар відсутній
FDP3652ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP3652ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDP3652onsemi / FairchildMOSFET 100V 61a 0.016 Ohm
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.58 грн
10+ 105.81 грн
100+ 73.61 грн
250+ 67.69 грн
500+ 61.71 грн
1000+ 53.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDP3652Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
товар відсутній
FDP3652_NL
на замовлення 14881 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP3652_Qonsemi / FairchildMOSFET 100V 61a 0.016 Ohm
товар відсутній
FDP3672onsemi / FairchildMOSFET 105V 41a 0.033 Ohms/VGS=10V
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+156.41 грн
10+ 139.06 грн
100+ 96.61 грн
500+ 62.37 грн
1000+ 61.32 грн
5000+ 59.15 грн
10000+ 57.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 105V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP3672ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP3672 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+86.99 грн
Мінімальне замовлення: 413
FDP3672ONSEMIFDP3672 THT N channel transistors
товар відсутній
FDP3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 105V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP3672onsemiDescription: MOSFET N-CH 105V 5.9A/41A TO220
на замовлення 2267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDP3672FAIRCHILD05+06+
на замовлення 24350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP3682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+114.48 грн
109+ 106.95 грн
137+ 85.01 грн
139+ 81.16 грн
500+ 69.63 грн
Мінімальне замовлення: 102
FDP3682onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 6A/32A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
на замовлення 7161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.49 грн
10+ 118.29 грн
100+ 95.08 грн
500+ 73.31 грн
1000+ 60.74 грн
2000+ 56.55 грн
5000+ 53.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDP3682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+71.25 грн
Мінімальне замовлення: 500
FDP3682
Код товару: 107819		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDP3682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+106.31 грн
10+ 99.31 грн
25+ 78.94 грн
100+ 75.36 грн
500+ 64.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDP3682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+83.77 грн
Мінімальне замовлення: 139
FDP3682onsemi / FairchildMOSFET 100V 32a .36Ohm/VGS=1V
на замовлення 20887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.91 грн
10+ 86.16 грн
100+ 64.8 грн
500+ 58.95 грн
800+ 52.18 грн
2400+ 51.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDP3682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP3682ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 32
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 95
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 95
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDP3682ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; 95W; TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 95W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220-3
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.84 грн
10+ 84.89 грн
11+ 72.56 грн
31+ 68.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDP3682ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; 95W; TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 95W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+135.36 грн
3+ 119.43 грн
10+ 101.86 грн
11+ 87.08 грн
31+ 82.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP3682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP3682_Qonsemi / FairchildMOSFET 100V 32a .36Ohm/VGS=1V
товар відсутній
FDP39N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+217.95 грн
10+ 195.1 грн
25+ 186.59 грн
100+ 99.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDP39N20ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP39N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.056 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 39
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 251
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 251
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.056
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDP39N20FAIRCHILD
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP39N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP39N20Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 251W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 25 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+103.4 грн
Мінімальне замовлення: 189
FDP39N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+234.71 грн
56+ 210.11 грн
58+ 200.95 грн
105+ 107.48 грн
Мінімальне замовлення: 50
FDP39N20onsemi / FairchildMOSFET SINGLE N-CH 200V ULTRAFET TRENCH
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+220.05 грн
10+ 195.74 грн
25+ 160.35 грн
100+ 139.32 грн
500+ 118.29 грн
1000+ 99.24 грн
2000+ 93.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP4020P
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP4020PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R
товар відсутній
FDP4020PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 16A TO-220AB
товар відсутній
FDP4030LONSEMIDescription: ONSEMI - FDP4030L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
493+72.99 грн
Мінімальне замовлення: 493
FDP4030LFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 15 V
на замовлення 6570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
410+49.22 грн
Мінімальне замовлення: 410
FDP42AN15A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP42AN15A0
Код товару: 111207		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDP42AN15A0ON-SemicoductorTransistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 107mOhm; 30A; 150W; -55°C ~ 175°C; FDP42AN15A0 TFDP42an15a0
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+47.59 грн
Мінімальне замовлення: 20
FDP42AN15A0onsemi / FairchildMOSFET 150V 35a .42 Ohms/VGS=1V
на замовлення 17543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+175.58 грн
10+ 139.06 грн
100+ 99.24 грн
250+ 93.98 грн
500+ 80.83 грн
1000+ 69.01 грн
5000+ 66.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP42AN15A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 5A/35A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
товар відсутній
FDP42AN15A0ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 150W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 24A
On-state resistance: 0.107Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 39nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 150V
товар відсутній
FDP42AN15A0ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 150W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 24A
On-state resistance: 0.107Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 39nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 150V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP42AN15A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP42AN15AO
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP46N30
на замовлення 580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP4D5N10ConsemiMOSFET FET 100V 128A 4.5 mOhm
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+384.13 грн
10+ 322.71 грн
50+ 272.08 грн
100+ 231.33 грн
250+ 224.1 грн
500+ 207.67 грн
1000+ 174.16 грн
FDP4D5N10ConsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 128A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5065 pF @ 50 V
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+378.91 грн
10+ 306.83 грн
100+ 248.21 грн
500+ 207.05 грн
1000+ 177.29 грн
FDP4D5N10CON Semiconductor
на замовлення 356 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP4D5N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP4D5N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP4D5N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+203.35 грн
Мінімальне замовлення: 58
FDP4D5N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP4D5N10CONSEMIDescription: ONSEMI - FDP4D5N10C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+330.28 грн
Мінімальне замовлення: 108
FDP4D5N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+188.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDP51N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP51N25ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 320W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 30A
Power dissipation: 320W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDP51N25ON-SemicoductorTransistor N-Channel MOSFET; 250V; 30V; 60mOhm; 51A; 320W; -55°C ~ 150°C; FDP51N25 TFDP51n25
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+81.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDP51N25onsemi / FairchildMOSFET 250V N-Channel MOSFET
на замовлення 8912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202.41 грн
10+ 155.69 грн
100+ 115.01 грн
500+ 97.26 грн
1000+ 82.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP51N25onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 51A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 25 V
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP51N25ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 320W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 30A
Power dissipation: 320W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP51N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDP52N20onsemi / FairchildMOSFET 200V N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+173.28 грн
10+ 136.79 грн
100+ 98.58 грн
500+ 82.81 грн
1000+ 69.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP52N20onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 52A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товар відсутній
FDP52N20ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP52N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+187.99 грн
10+ 133.44 грн
100+ 110.59 грн
500+ 86.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDP52N20ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 357W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 33A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDP52N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP52N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP52N20
Код товару: 129721		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDP52N20ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 357W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 33A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP5500onsemionsemi
товар відсутній
FDP5500Fairchild SemiconductorDescription: N CHANNEL ULTRAFET 55V, 80A, 7M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3565 pF @ 25 V
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+160.66 грн
Мінімальне замовлення: 133
FDP5500ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP5500 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+224.12 грн
Мінімальне замовлення: 160
FDP5500-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP5500-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP5500-F085onsemi / FairchildMOSFET 55V NCHAN UltraFET
товар відсутній
FDP5500-F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3565 pF @ 25 V
товар відсутній
FDP55N06onsemi / FairchildMOSFET SINGLE N-CH 60V ULTRAFET TRENCH
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.11 грн
10+ 115.63 грн
100+ 78.21 грн
500+ 65 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDP55N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 55A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.79 грн
50+ 80.07 грн
100+ 63.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDP55N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP55N06ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP55N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 114
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+123.12 грн
10+ 101 грн
100+ 75.2 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDP55N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP55N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP5645ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP5645 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+293.42 грн
Мінімальне замовлення: 122
FDP5645Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+182.21 грн
Мінімальне замовлення: 111
FDP5645onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
товар відсутній
FDP5680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP5680Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
на замовлення 7661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+117.3 грн
Мінімальне замовлення: 182
FDP5680FAIRCHILD
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP5680onsemi / FairchildMOSFET 60V N-Ch PowerTrench
товар відсутній
FDP5680ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP5680 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
201+178.41 грн
Мінімальне замовлення: 201
FDP5680onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
товар відсутній
FDP5680_Qonsemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
FDP5690Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 32A TO-220
товар відсутній
FDP5690FAIRCHILDTO-220
на замовлення 276 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP5690ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP5690 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+152.61 грн
Мінімальне замовлення: 235
FDP5800ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP5800Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
товар відсутній
FDP5800
Код товару: 60606		FairchildТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Rds(on), Ohm: 6 mOhm
Монтаж: THT
у наявності 1 шт:
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
FDP5800ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDP5800onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 14A/80A TO220-3
на замовлення 1482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.83 грн
10+ 187.23 грн
100+ 150.5 грн
500+ 116.04 грн
1000+ 96.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP5800onsemi / FairchildMOSFET 60V N-Ch Logic Level MOSFET
на замовлення 3799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.88 грн
10+ 198.01 грн
100+ 139.32 грн
500+ 114.35 грн
1000+ 92.01 грн
2500+ 86.09 грн
5000+ 82.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP5800ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP5800 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 242mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242mW
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 3425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+195.37 грн
10+ 162.19 грн
25+ 136.39 грн
100+ 102 грн
800+ 89.1 грн
1600+ 84.68 грн
3200+ 79.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDP5800ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP5800ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP5N50ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP5N50 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
628+56.77 грн
Мінімальне замовлення: 628
FDP5N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товар відсутній
FDP5N50Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 1761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
523+37.42 грн
Мінімальне замовлення: 523
FDP5N50NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDP5N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.38 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 78
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 78
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.38
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+109.11 грн
10+ 98.05 грн
100+ 76.67 грн
500+ 58.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDP5N50NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP5N50NZonsemi / FairchildMOSFET N-Chan UniFET2 500V
на замовлення 2688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.48 грн
10+ 100.52 грн
100+ 68.35 грн
500+ 56.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDP5N50NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 3522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.73 грн
10+ 68.53 грн
100+ 53.29 грн
500+ 42.4 грн
1000+ 34.54 грн
2000+ 32.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDP5N50NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP5N60NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP5N60NZonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Channel MOSFET, UniFET-II
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDP5N60NZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220-3
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
545+35.74 грн
Мінімальне замовлення: 545
FDP6030BLON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP6030BLonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
товар відсутній
FDP6030BLFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 15 V
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
516+41.23 грн
Мінімальне замовлення: 516
FDP6030BLONSEMIDescription: ONSEMI - FDP6030BL - MOSFET, N-CH, 30V, 40A, 175DEG C, 60W
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDP6030BLFAIRCHILD2002 TO-220
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP6030BL_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
товар відсутній
FDP6030LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 48A TO220-3
на замовлення 63536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
566+38.22 грн
Мінімальне замовлення: 566
FDP6030LONSEMIDescription: ONSEMI - FDP6030L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 61536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
628+56.77 грн
Мінімальне замовлення: 628
FDP6030LFAI2003 TO-220
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP6030Lonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
товар відсутній
FDP6035A
на замовлення 4530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP6035ALFAIRCHILD07+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP6035ALonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 48A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V
товар відсутній
FDP6035ALonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
товар відсутній
FDP6035ALFAIRCHID99+
на замовлення 2068 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP6035ALFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 48A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V
на замовлення 106637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+96.68 грн
Мінімальне замовлення: 221
FDP6035ALON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
товар відсутній
FDP6035AL_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V N-CH. FET, 12.5 MO, TO220
товар відсутній
FDP6035AL_Qonsemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
FDP6035Lonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic
товар відсутній
FDP6035LONSEMIDescription: ONSEMI - FDP6035L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
445+81.1 грн
Мінімальне замовлення: 445
FDP6035LFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
401+53.32 грн
Мінімальне замовлення: 401
FDP603AL
на замовлення 745 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP61N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+180.97 грн
10+ 165.56 грн
100+ 138.83 грн
500+ 112.97 грн
1000+ 84.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDP61N20ON-SemicoductorTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 41mOhm; 61A; 417W; -55°C ~ 150°C; FDP61N20 TFDP61n20
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+107.3 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDP61N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP61N20ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP61N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+205.69 грн
10+ 164.4 грн
100+ 132.7 грн
500+ 119.8 грн
1000+ 89.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDP61N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDP61N20onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 61A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 25 V
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.12 грн
10+ 159.16 грн
100+ 127.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP61N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+178.71 грн
72+ 163.5 грн
100+ 137.09 грн
500+ 111.56 грн
1000+ 83.81 грн
Мінімальне замовлення: 66
FDP61N20onsemi / FairchildMOSFET 200V N-Channel MOSFET
на замовлення 6078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+188.61 грн
10+ 167.03 грн
100+ 116.32 грн
500+ 113.04 грн
1000+ 91.35 грн
2500+ 90.69 грн
5000+ 88.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP61N20
Код товару: 150150		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDP61N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP65N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP65N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 65A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 25 V
товар відсутній
FDP65N06onsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel MOSFET
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+161.01 грн
10+ 145.86 грн
100+ 101.86 грн
500+ 84.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP65N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP65N06
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP65N06,ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP65N06, - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 65 A, 0.016 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 65
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 135
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.24 грн
10+ 133.44 грн
100+ 107.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDP6670ALFAIRCHIL
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP6670ALFSCTO-220
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP6670ALFAIRCHID99+
на замовлення 196 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP6670ALFAIRCHILDTO-220
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP6670ALON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товар відсутній
FDP6670ALFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V
на замовлення 26871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
503+38.99 грн
Мінімальне замовлення: 503
FDP6670ALFSC09+
на замовлення 365 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP6670ALonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
товар відсутній
FDP6670AL_NLON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-CH. FET, 6.5 MO, TO220,
товар відсутній
FDP6670AL_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
товар відсутній
FDP6676Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5324 pF @ 15 V
на замовлення 20082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
332+63.98 грн
Мінімальне замовлення: 332
FDP6676ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP6676 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
368+97.31 грн
Мінімальне замовлення: 368
FDP6676onsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench Logic Level
товар відсутній
FDP6676SONSEMIDescription: ONSEMI - FDP6676S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
368+97.31 грн
Мінімальне замовлення: 368
FDP6676SFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4853 pF @ 15 V
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
332+63.98 грн
Мінімальне замовлення: 332
FDP70301_88RF002A
на замовлення 64890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP7030BLONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 60W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDP7030BLFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V
на замовлення 72127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
436+44.83 грн
Мінімальне замовлення: 436
FDP7030BLON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP7030BLonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
товар відсутній
FDP7030BLON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+42.55 грн
Мінімальне замовлення: 14
FDP7030BLonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 60A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V
товар відсутній
FDP7030BLONSEMIDescription: ONSEMI - FDP7030BL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.009 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 65
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 65
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
FDP7030BLONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 60W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP7030BLNLFSC
на замовлення 3993 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP7030BLSonsemi / FairchildMOSFET TO-220
товар відсутній
FDP7030BL_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V N-CH. FET, 9 MO, TO220, T
товар відсутній
FDP7030BL_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
товар відсутній
FDP7030LFAITO220
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP7030LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V
на замовлення 29300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+150.09 грн
Мінімальне замовлення: 130
FDP7030Lonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
товар відсутній
FDP7030LonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V
товар відсутній
FDP7030L_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
товар відсутній
FDP7042LONSEMIDescription: ONSEMI - FDP7042L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 33223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
543+66.35 грн
Мінімальне замовлення: 543
FDP7042LFAIRCHILDTO-220 02+
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP7042LFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 15 V
на замовлення 33223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
489+43.37 грн
Мінімальне замовлення: 489
FDP7045LFAIR0408
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP7045LFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4357 pF @ 15 V
на замовлення 167095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+216.11 грн
Мінімальне замовлення: 99
FDP7045Lonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
товар відсутній
FDP7045LFAIRCHILD0307
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP7045LONSEMIDescription: ONSEMI - FDP7045L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 166005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+328.07 грн
Мінімальне замовлення: 109
FDP7045L_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
товар відсутній
FDP75N08onsemi / FairchildMOSFET 75V N-Channel MOSFET
товар відсутній
FDP75N08Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 75V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 25 V
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
267+73.24 грн
Мінімальне замовлення: 267
FDP75N08ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP75N08 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
320+112.06 грн
Мінімальне замовлення: 320
FDP75N08AONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 47A; Idm: 300A; 137W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 137W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 104nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP75N08AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDP75N08A
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP75N08Aonsemi / FairchildMOSFET 75V N-Channel MOSFET
товар відсутній
FDP75N08AonsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 25 V
товар відсутній
FDP75N08AONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 47A; Idm: 300A; 137W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 137W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 104nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDP75N08AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP75N08AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+102.36 грн
10+ 97.92 грн
25+ 92.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDP79N15Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 79A TO-220
товар відсутній
FDP7N50ON Semiconductor500V, NCH , MOSFET
товар відсутній
FDP7N50onsemi / FairchildSupervisory Circuits
товар відсутній
FDP7N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP7N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V
товар відсутній
FDP7N60NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP7N60NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 25 V
товар відсутній
FDP7N60NZonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II
товар відсутній
FDP8030LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V
на замовлення 7127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+335.55 грн
Мінімальне замовлення: 64
FDP8030LONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8030L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+508.69 грн
Мінімальне замовлення: 70
FDP8030Lonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+518.31 грн
10+ 461.78 грн
25+ 383.14 грн
100+ 323.34 грн
FDP8030LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP8030LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
FDP8030LN/A09+
на замовлення 20018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP80N06onsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel
товар відсутній
FDP80N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP80N06ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 65A; Idm: 320A; 176W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 176W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDP80N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP80N06ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 65A; Idm: 320A; 176W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 176W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP80N06
Код товару: 66797		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDP80N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3190 pF @ 25 V
товар відсутній
FDP80N06ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP80N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0085 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+48.66 грн
Мінімальне замовлення: 16
FDP8440Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24740 pF @ 25 V
на замовлення 18984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+164.93 грн
Мінімальне замовлення: 130
FDP8440ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8440 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDP8440ON Semiconductor
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP8440onsemi / FairchildMOSFET 40V N-Channel Power Trench
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+369.56 грн
10+ 328 грн
25+ 269.45 грн
100+ 233.3 грн
500+ 199.13 грн
800+ 166.93 грн
2400+ 157.07 грн
FDP8440ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 277A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDP8440ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 277A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+297.69 грн
10+ 260.17 грн
100+ 230.04 грн
130+ 180.88 грн
500+ 142.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP8440FAIRCHILD
на замовлення 795 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP8441ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDP8441onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
на замовлення 2187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.84 грн
10+ 149.31 грн
100+ 120.79 грн
500+ 100.77 грн
1000+ 86.28 грн
2000+ 81.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP8441ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
FDP8441onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
товар відсутній
FDP8441_F085ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB
товар відсутній
FDP8442Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3
на замовлення 22479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+238.68 грн
Мінімальне замовлення: 91
FDP8442onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3
товар відсутній
FDP8442onsemi / FairchildMOSFET 40V N-Channel
товар відсутній
FDP8442ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8442 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 22479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+356.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDP8442-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V/80A/2.8ohm/N-CH POWERTRENCH
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDP8442-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP8442-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8442-F085 - FDP8442-F085, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+111.32 грн
Мінімальне замовлення: 400
FDP8442-F085Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+87.08 грн
Мінімальне замовлення: 237
FDP8442_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDP8443ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8443 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+131.96 грн
Мінімальне замовлення: 271
FDP8443onsemi / FairchildMOSFET 40V N-Channel PowerTrench
товар відсутній
FDP8443Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 20A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9310 pF @ 25 V
на замовлення 11973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+87.31 грн
Мінімальне замовлення: 226
FDP8443-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP8443-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-CH PowerTrench N-Ch PowerTrench Mos
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDP8443-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 20A/80A TO220-3
товар відсутній
FDP8443_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V TO-220AB-3
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDP8447LONSEMIFDP8447L THT N channel transistors
товар відсутній
FDP8447Lonsemi / FairchildMOSFET 40V N-CH PowerTrench MOSFET
товар відсутній
FDP8447LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP8447LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 12A/50A TO220-3
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDP86363-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP86363-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP86363-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 110A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.67 грн
10+ 189.56 грн
100+ 155.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP86363-F085ON Semiconductor
на замовлення 42400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP86363-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP86363-F085 - N-CHANNEL POWERTRENCH® 80V, 110A, 2.8M
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDP86363-F085onsemi / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench 80V, 110A, 2.8mohm
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+251.49 грн
10+ 223.71 грн
100+ 159.7 грн
500+ 136.04 грн
1000+ 114.35 грн
2500+ 108.44 грн
5000+ 104.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP86363_F085Fairchild SemiconductorDescription: 110A, 80V, 0.0028OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
товар відсутній
FDP87314B07+
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP8860Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12240 pF @ 15 V
на замовлення 18336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+82.71 грн
Мінімальне замовлення: 239
FDP8860ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+97.43 грн
10+ 92.27 грн
100+ 84.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDP8860onsemi / FairchildMOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
товар відсутній
FDP8860onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12240 pF @ 15 V
товар відсутній
FDP8860ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP8860ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP8860ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 556A; 254W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 556A
Power dissipation: 254W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 222nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDP8860ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 556A; 254W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 556A
Power dissipation: 254W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 222nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP8870ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+106.69 грн
10+ 97.97 грн
25+ 91.26 грн
50+ 83.96 грн
100+ 73.1 грн
500+ 65.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDP8870Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
товар відсутній
FDP8870ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8870 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 156 A, 0.0034 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 156
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 160
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 160
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товар відсутній
FDP8870ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP8870ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 147A; 160W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 160W
Polarisation: unipolar
Drain current: 147A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
товар відсутній
FDP8870ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDP8870onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 156A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
товар відсутній
FDP8870ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+95.03 грн
10+ 92.44 грн
25+ 88.15 грн
50+ 82.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDP8870onsemi / FairchildMOSFET 30V N-Channel PowerTrench
товар відсутній
FDP8870-F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/156A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
291+73.22 грн
Мінімальне замовлення: 291
FDP8870-F085onsemi / FairchildMOSFET 30V/156A/4.1Mohm/NCH POWERTRENCH
товар відсутній
FDP8870-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/156A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
товар відсутній
FDP8870_F085Aonsemi / Fairchildonsemi
товар відсутній
FDP8870_NL
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP8870_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V,156A,4.1 OHMS,NCH,TO220,POWER TRENCH MOSFET
товар відсутній
FDP8874FAIRCHILTO220 10+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP8874Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 15 V
товар відсутній
FDP8874onsemi / FairchildMOSFET 30V 114A 5.3 OHM N-CH
товар відсутній
FDP8874ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDP8874ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8874 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 114 A, 0.0053 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+83.31 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDP8874ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP8874-SN00117onsemionsemi
товар відсутній
FDP8874.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8874. - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 114
Qualifikation: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
FDP8874_SN00117onsemi / Fairchildonsemi
товар відсутній
FDP8876ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товар відсутній
FDP8876Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 70A TO-220
товар відсутній
FDP8878ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товар відсутній
FDP8878Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 40A TO-220AB
товар відсутній
FDP8880
Код товару: 113618		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDP8880ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 48A; 55W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 55W
Polarisation: unipolar
Drain current: 48A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 19mΩ
Gate-source voltage: ±20V
товар відсутній
FDP8880ON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDP8880ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 54 A, 0.0116 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 54
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 55
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 55
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0116
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
FDP8880ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP8880ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP8880ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 48A; 55W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 55W
Polarisation: unipolar
Drain current: 48A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 19mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP8880ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+53 грн
12+ 48.09 грн
100+ 39.73 грн
250+ 37.29 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDP8880ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 54A TO-220AB
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDP8896ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP8896FSC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP8896ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP8896onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/92A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
на замовлення 1596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+95.97 грн
50+ 74.22 грн
100+ 58.82 грн
500+ 46.79 грн
1000+ 38.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDP8896
Код товару: 107361		Транзистори > Польові N-канальні
очікується 3 шт:
3 шт - очікується
FDP8896ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP8896onsemi / FairchildMOSFET 30V N-Channel PowerTrench
на замовлення 5705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+103.51 грн
10+ 83.13 грн
100+ 56.85 грн
500+ 48.17 грн
1000+ 39.23 грн
2500+ 38.31 грн
25000+ 38.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDP8896ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP8896ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8896 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDP8896ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP8D5N10ConsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 76A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 76A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475 pF @ 50 V
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.15 грн
10+ 144.51 грн
100+ 116.87 грн
500+ 97.49 грн
1000+ 83.48 грн
2000+ 78.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP8D5N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP8D5N10ConsemiMOSFET FET 100V 76A 8.5 mOhm
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+196.28 грн
10+ 162.49 грн
50+ 133.41 грн
100+ 114.35 грн
250+ 107.78 грн
500+ 101.21 грн
1000+ 86.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP8D5N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP8D5N10CONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8D5N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 76 A, 0.0074 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0074ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+123.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDP8D5N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP8D5N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+234.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDP8D5N10CON Semiconductor
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDP8D5N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP8N50NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.77 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+135.65 грн
10+ 109.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDP8N50NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP8N50NZONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 130W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP8N50NZONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 130W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDP8N50NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 25 V
товар відсутній
FDP8N50NZonsemi / FairchildMOSFET UNIFET2 500V
на замовлення 9944 шт:
термін постачання 280-289 дні (днів)
3+132.64 грн
10+ 117.9 грн
100+ 80.18 грн
500+ 66.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDPC1002SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Ta), 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 20A (Tc), 27A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @13V, 4335pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V, 1.8mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 64nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Obsolete
на замовлення 10941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
761+25.6 грн
Мінімальне замовлення: 761
FDPC1002SON Semiconductor / FairchildMOSFET
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDPC1002SONSEMIDescription: ONSEMI - FDPC1002S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
915+39.81 грн
Мінімальне замовлення: 915
FDPC1012Sonsemionsemi
товар відсутній
FDPC1012SONSEMIDescription: ONSEMI - FDPC1012S - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
843+42.02 грн
Мінімальне замовлення: 843
FDPC1012SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta), 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 35A (Tc), 26A (Ta), 88A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V, 3456pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V, 2.2mOhm @ 23A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
на замовлення 6672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+28.23 грн
Мінімальне замовлення: 701
FDPC1012S-Ponsemionsemi
товар відсутній
FDPC1012S-PONSEMIDescription: ONSEMI - FDPC1012S-P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
843+42.02 грн
Мінімальне замовлення: 843
FDPC3D5N025X9DON Semiconductor / FairchildMOSFET Gaming/DT/Notebook/ NVDC/Server
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDPC3D5N025X9DonsemiDescription: MOSFET 2 N-CH 25V 74A 12-PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 26W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.01mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
FDPC4044onsemiDescription: MOSFET 2N-CH POWERCLIP-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3215pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Obsolete
товар відсутній
FDPC4044ON SemiconductorFDPC4044 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 27A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R - Arrow.com
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+243.03 грн
10+ 197.12 грн
25+ 195.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDPC4044ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R
товар відсутній
FDPC4044ON SemiconductorFDPC4044 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 27A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R - Arrow.com
товар відсутній
FDPC4044ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R
товар відсутній
FDPC4044onsemi / FairchildMOSFET Common Drain N-Chan Power Trench MOSFET
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDPC4044-PonsemiON Semiconductor
товар відсутній
FDPC4044-PonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
FDPC4044-PON SemiconductorFDPC4044-P
товар відсутній
FDPC4044-PON SemiconductorFDPC4044-P
товар відсутній
FDPC5018SGONSEMIDescription: ONSEMI - FDPC5018SG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 109 A, 109 A, 0.0014 ohm
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 109A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 29W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 29W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.78 грн
500+ 60.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDPC5018SGonsemi / FairchildMOSFET PT8+ N & PT8 N
на замовлення 3679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.61 грн
10+ 116.39 грн
100+ 80.83 грн
250+ 74.26 грн
500+ 67.69 грн
1000+ 58.16 грн
3000+ 55.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDPC5018SGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W, 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 32A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+59.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDPC5018SGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+97.35 грн
10+ 88.76 грн
25+ 88.33 грн
100+ 74.93 грн
250+ 66.74 грн
500+ 58.61 грн
1000+ 55.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDPC5018SGONSEMIDescription: ONSEMI - FDPC5018SG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 109 A, 109 A, 0.0014 ohm
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 109A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 29W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 29W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.38 грн
10+ 102.48 грн
100+ 84.78 грн
500+ 60.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDPC5018SGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+104.84 грн
122+ 95.58 грн
123+ 95.13 грн
140+ 80.7 грн
250+ 71.88 грн
500+ 63.12 грн
1000+ 60.15 грн
Мінімальне замовлення: 112
FDPC5018SGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W, 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 32A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active
на замовлення 8724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.23 грн
10+ 105.36 грн
100+ 83.88 грн
500+ 66.6 грн
1000+ 56.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDPC5018SGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
FDPC5030SGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W, 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active
на замовлення 6008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.14 грн
10+ 96.11 грн
100+ 76.46 грн
500+ 60.71 грн
1000+ 51.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDPC5030SGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 56A/84A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
FDPC5030SG
Код товару: 139909		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDPC5030SGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W, 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active
товар відсутній
FDPC5030SGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 56A/84A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
FDPC5030SGonsemi / FairchildMOSFET PT8+ N & PT8 N
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.58 грн
10+ 105.81 грн
100+ 73.61 грн
250+ 67.69 грн
500+ 61.71 грн
1000+ 53.04 грн
3000+ 50.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDPC5030SGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 56A/84A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
FDPC8011SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 13A/27A 8-Pin Power Clip 33 T/R
товар відсутній
FDPC8011SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta), 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 20A (Tc), 27A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 13V, 4335pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V, 1.8mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 64nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
на замовлення 2729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.07 грн
10+ 182.78 грн
100+ 147.85 грн
500+ 123.33 грн
1000+ 105.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDPC8011Sonsemi / FairchildMOSFET 25V Asymmetric 2xNCh MOSFET PowerTrench
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+245.35 грн
10+ 204.06 грн
25+ 175.47 грн
100+ 143.27 грн
500+ 126.84 грн
1000+ 109.09 грн
3000+ 102.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDPC8011SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 13A/27A 8-Pin Power Clip 33 T/R
товар відсутній
FDPC8011SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 13A/27A 8-Pin Power Clip 33 T/R
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+254.7 грн
10+ 223.35 грн
25+ 219.03 грн
100+ 172.36 грн
250+ 145.37 грн
500+ 128.56 грн
1000+ 110.7 грн
3000+ 109.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDPC8011SONSEMIDescription: ONSEMI - FDPC8011S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0012 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 60
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDPC8011SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta), 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 20A (Tc), 27A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 13V, 4335pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V, 1.8mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 64nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
товар відсутній
FDPC8011SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 13A/27A 8-Pin Power Clip 33 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+251.89 грн
10+ 220.9 грн
25+ 216.65 грн
100+ 170.55 грн
250+ 143.82 грн
500+ 127.2 грн
1000+ 109.53 грн
3000+ 107.86 грн
6000+ 101.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDPC8011S-AU01onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta), 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 20A (Tc), 27A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 13V, 4335pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V, 1.8mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 64nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: Powerclip-33
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.61 грн
10+ 164.09 грн
100+ 132.74 грн
500+ 110.73 грн
1000+ 94.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDPC8011S-AU01onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta), 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 20A (Tc), 27A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 13V, 4335pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V, 1.8mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 64nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+98.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDPC8011S-AU01onsemiMOSFET PT8 N 25/12 & PT8 N 25/12
товар відсутній
FDPC8012SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDPC8012SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+110.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDPC8012SONSEMIDescription: ONSEMI - FDPC8012S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 65700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+185.78 грн
Мінімальне замовлення: 193
FDPC8012SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDPC8012Sonsemi / FairchildMOSFET 25V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
на замовлення 9017 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+246.88 грн
10+ 205.57 грн
25+ 178.1 грн
100+ 144.58 грн
250+ 143.92 грн
500+ 128.81 грн
1000+ 109.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDPC8012SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
на замовлення 7951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.78 грн
10+ 183.74 грн
100+ 148.64 грн
500+ 123.99 грн
1000+ 106.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDPC8012SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R
товар відсутній
FDPC8012SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R
товар відсутній
FDPC8012SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
на замовлення 7951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.78 грн
10+ 183.74 грн
100+ 148.64 грн
500+ 123.99 грн
1000+ 106.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDPC8012SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
товар відсутній
FDPC8013Sonsemi / FairchildMOSFET Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic
на замовлення 3130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+161.78 грн
10+ 133.02 грн
100+ 92.01 грн
250+ 84.78 грн
500+ 76.89 грн
1000+ 65.72 грн
3000+ 60.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDPC8013SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 T/R
товар відсутній
FDPC8013SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
на замовлення 3942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+149.29 грн
10+ 119.25 грн
100+ 94.88 грн
500+ 75.34 грн
1000+ 63.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDPC8013SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 T/R
товар відсутній
FDPC8013SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+67.2 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDPC8014ASON SemiconductorFDPC8014AS ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 25V 20A/40A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
товар відсутній
FDPC8014ASonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
товар відсутній
FDPC8014ASON SemiconductorFDPC8014AS ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 25V 20A/40A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+81.23 грн
10+ 81.12 грн
25+ 80.99 грн
100+ 78 грн
250+ 72.12 грн
500+ 69.13 грн
1000+ 69.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDPC8014ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active
на замовлення 2043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+86.65 грн
Мінімальне замовлення: 228
FDPC8014ASON Semiconductor / FairchildMOSFET PT9 N 30/12 & PT9 N 25/12S inPowerClip56
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDPC8014ASON SemiconductorFDPC8014AS ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 25V 20A/40A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
товар відсутній
FDPC8014ASonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
товар відсутній
FDPC8014ASON SemiconductorFDPC8014AS ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 25V 20A/40A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
на замовлення 1391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+77.12 грн
10+ 75.62 грн
100+ 75.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDPC8014SON Semiconductor / FairchildMOSFET PT9N 30/12 & PT9N 25/12
на замовлення 3797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDPC8014SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 20A/41A 8-Pin Power 56 EP T/R
товар відсутній
FDPC8014SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 41A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+80.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDPC8014SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 20A/41A 8-Pin Power 56 EP T/R
товар відсутній
FDPC8014SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 41A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.15 грн
10+ 143.14 грн
100+ 113.92 грн
500+ 90.46 грн
1000+ 76.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDPC8016SON Semiconductor
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDPC8016SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 35A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active
на замовлення 4809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.14 грн
10+ 95.98 грн
100+ 76.39 грн
500+ 60.66 грн
1000+ 51.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDPC8016SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 20A/35A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
FDPC8016SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 35A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+54.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDPC8016SONSEMIDescription: ONSEMI - FDPC8016S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
407+87.73 грн
Мінімальне замовлення: 407
FDPC8016Sonsemi / FairchildMOSFET PowerTrench Power Clip 25V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.34 грн
10+ 106.56 грн
100+ 74.26 грн
250+ 68.35 грн
500+ 62.37 грн
1000+ 53.04 грн
3000+ 50.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDPE 0501 1001COLSONCategory: Wheels
Description: Transport wheel; Ø: 50mm; W: 20mm; H: 68mm; rigid; 40kg
Version: rigid; with mounting plate
Base dimensions: 60x60mm
Kind of Bearing: slide bearing
Height: 68mm
Type of mounting element: transport wheel
Force: 40kg
Wheel diameter: 50mm
Wheel width: 20mm
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.83 грн
6+ 67.77 грн
10+ 59.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDPE 0501 1001COLSONCategory: Wheels
Description: Transport wheel; Ø: 50mm; W: 20mm; H: 68mm; rigid; 40kg
Version: rigid; with mounting plate
Base dimensions: 60x60mm
Kind of Bearing: slide bearing
Height: 68mm
Type of mounting element: transport wheel
Force: 40kg
Wheel diameter: 50mm
Wheel width: 20mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 210 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+98.2 грн
4+ 84.46 грн
10+ 71.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDPE 0751 1001COLSONCategory: Wheels
Description: Transport wheel; Ø: 75mm; W: 25mm; H: 100mm; rigid; 60kg
Type of mounting element: transport wheel
Wheel diameter: 75mm
Wheel width: 25mm
Height: 100mm
Version: rigid; with mounting plate
Force: 60kg
Kind of Bearing: slide bearing
Base dimensions: 60x60mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+191.98 грн
4+ 164.65 грн
7+ 142.94 грн
10+ 138.83 грн
19+ 134.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDPE 0751 1001COLSONCategory: Wheels
Description: Transport wheel; Ø: 75mm; W: 25mm; H: 100mm; rigid; 60kg
Type of mounting element: transport wheel
Wheel diameter: 75mm
Wheel width: 25mm
Height: 100mm
Version: rigid; with mounting plate
Force: 60kg
Kind of Bearing: slide bearing
Base dimensions: 60x60mm
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+159.98 грн
4+ 132.12 грн
7+ 119.12 грн
10+ 115.69 грн
19+ 112.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDPE 1251 1001COLSONFDPE-1251-1001 Wheels
товар відсутній
FDPF 4001 EHFIBRE DATADescription: FIBRE DATA - FDPF 4001 EH - Glasfaserkabel, Einmodenfaser, 1mm, 1 Faser(n), 2.2 mm, 65 ft, 20 m
tariffCode: 85447000
Faserdurchmesser: 1mm
Fasertyp: Einmodenfaser
Länge auf Rolle (metrisch): 20m
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Mantelmaterial: PE
Länge auf Rolle (imperial): 65ft
usEccn: EAR99
Mantelfarbe: -
euEccn: NLR
Außendurchmesser: 2.2mm
Anzahl der Fasern: 1Fibres
productTraceability: No
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1920.49 грн
5+ 1723.65 грн
10+ 1526.07 грн
50+ 1373.94 грн
100+ 1182.94 грн
FDPF 4001 EH (100M)FIBRE DATADescription: FIBRE DATA - FDPF 4001 EH (100M) - Glasfaserkabel, Polymerfaser, 1mm, 1 Faser(n), 2.2 mm, 328 ft, 100 m
tariffCode: 85447000
Faserdurchmesser: 1mm
Fasertyp: Polymerfaser
Länge auf Rolle (metrisch): 100m
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Mantelmaterial: PE
Länge auf Rolle (imperial): 328ft
usEccn: EAR99
Mantelfarbe: Grau
euEccn: NLR
Außendurchmesser: 2.2mm
Anzahl der Fasern: 1Fibres
productTraceability: No
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8548.23 грн
5+ 7878.82 грн
10+ 7200.56 грн
FDPF 4002 EHFIBRE DATADescription: FIBRE DATA - FDPF 4002 EH - Glasfaserkabel, Polymer, Duplex, Polymerfaser, 1mm, 2 Faser(n), 4.4 mm, 65 ft, 20 m
tariffCode: 85447000
Faserdurchmesser: 1mm
Fasertyp: Polymerfaser
Länge auf Rolle (metrisch): 20m
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Mantelmaterial: PE
Länge auf Rolle (imperial): 65ft
usEccn: EAR99
Mantelfarbe: Grau
euEccn: NLR
Außendurchmesser: 4.4mm
Anzahl der Fasern: 2Faser(n)
Produktpalette: FDPF
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3484.91 грн
5+ 3174.53 грн
10+ 2719.66 грн
50+ 2475.42 грн
FDPF 4002 EH (100M)FIBRE DATADescription: FIBRE DATA - FDPF 4002 EH (100M) - Glasfaserkabel, Polymerfaser, 1mm, 2 Faser(n), 4.4 mm, 328 ft, 100 m
tariffCode: 85447000
Faserdurchmesser: 1mm
Fasertyp: Polymerfaser
Länge auf Rolle (metrisch): 100m
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Mantelmaterial: PE
Länge auf Rolle (imperial): 328ft
usEccn: EAR99
Mantelfarbe: Grau
euEccn: NLR
Außendurchmesser: 4.4mm
Anzahl der Fasern: 2Fibres
productTraceability: No
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18787.67 грн
5+ 17114.89 грн
10+ 14665.06 грн
FDPF-210-05RAUTONICSCategory: Fiber-Optic Sensors
Description: Sensor: fiber-optic; Range: 0÷70mm; Oper.mode: diffuse-reflective
Type of sensor: fiber-optic
Range: 0...70mm
Operation mode: diffuse-reflective
Operating temperature: -30...70°C
Cable length: 1m
Sensors features: flexible
Related items: BF5R-D1-N; BF5R-D1-P; BF5R-S1-N; BF5R-S1-P; BFX-D1-N; BFX-D1-P
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDPF-210-05RAUTONICSCategory: Fiber-Optic Sensors
Description: Sensor: fiber-optic; Range: 0÷70mm; Oper.mode: diffuse-reflective
Type of sensor: fiber-optic
Range: 0...70mm
Operation mode: diffuse-reflective
Operating temperature: -30...70°C
Cable length: 1m
Sensors features: flexible
Related items: BF5R-D1-N; BF5R-D1-P; BF5R-S1-N; BF5R-S1-P; BFX-D1-N; BFX-D1-P
товар відсутній
FDPF035N06BFairchild SemiconductorDescription: 88A, 60V, 0.0035OHM, N CHANNEL ,
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 178237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
243+80.37 грн
Мінімальне замовлення: 243
FDPF035N06BONSEMIDescription: ONSEMI - FDPF035N06B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 178237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
291+123.12 грн
Мінімальне замовлення: 291
FDPF035N06B-F152ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
товар відсутній
FDPF035N06B-F154onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 88A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 46.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 30 V
товар відсутній
FDPF035N06B-F154onsemiMOSFET FET 60V 3.5 MOHM TO220F
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+227.72 грн
10+ 201.79 грн
100+ 140.64 грн
500+ 100.55 грн
1000+ 84.78 грн
2000+ 80.83 грн
5000+ 78.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDPF035N06B-F154ON SemiconductorN Channel Power Trench MOSFET
товар відсутній
FDPF035N06B_F152Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 88A TO220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 46.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 30 V
товар відсутній
FDPF041N06BL1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
товар відсутній
FDPF041N06BL1Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 77A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 77A, 10V
Power Dissipation (Max): 44.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5690 pF @ 30 V
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
315+74.53 грн
Мінімальне замовлення: 315
FDPF041N06BL1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
товар відсутній
FDPF041N06BL1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
товар відсутній
FDPF041N06BL1onsemi / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET 60 V, 77 A, 4.1 mO
товар відсутній
FDPF041N06BL1-F154ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 77A TO220F-3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDPF041N06BL1-F154ON SemiconductorN Channel Power Trench MOSFET 60 V, 77 A, 4.1 m
товар відсутній
FDPF041N06BL1-F154onsemiMOSFET FET 60V 4.1 MOHM TO220F
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.64 грн
10+ 108.83 грн
100+ 74.92 грн
250+ 69.01 грн
500+ 62.96 грн
1000+ 54.09 грн
2000+ 51.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDPF045N10AON Semiconductor
на замовлення 10662 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDPF045N10Aonsemi / FairchildMOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+290.59 грн
10+ 240.33 грн
50+ 196.5 грн
100+ 168.9 грн
250+ 159.7 грн
500+ 149.84 грн
1000+ 120.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDPF045N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 67A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
FDPF045N10AONSEMIDescription: ONSEMI - FDPF045N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67 A, 0.0037 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+311.85 грн
10+ 220.43 грн
100+ 179.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDPF045N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 67A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
FDPF045N10AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 67A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
на замовлення 37890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+267.3 грн
50+ 203.89 грн
100+ 174.76 грн
500+ 145.79 грн
1000+ 124.83 грн
2000+ 117.54 грн
5000+ 110.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDPF045N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 67A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
FDPF085N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+148.71 грн
86+ 136.68 грн
101+ 115.65 грн
500+ 101.26 грн
Мінімальне замовлення: 79
FDPF085N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
FDPF085N10AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 33.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2695 pF @ 50 V
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.68 грн
50+ 145.43 грн
100+ 119.66 грн
500+ 95.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDPF085N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+138.09 грн
10+ 126.92 грн
100+ 107.39 грн
500+ 94.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDPF085N10Aonsemi / FairchildMOSFET 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177.11 грн
10+ 147.38 грн
100+ 104.49 грн
500+ 91.35 грн
1000+ 78.86 грн
5000+ 76.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDPF085N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
FDPF085N10AONSEMIDescription: ONSEMI - FDPF085N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0065 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 33.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.3
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+215.27 грн
10+ 183.57 грн
100+ 156.29 грн
500+ 119.8 грн
1000+ 91 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDPF10N50FTonsemi / FairchildMOSFET UniFET 500V 10A
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.94 грн
10+ 120.17 грн
25+ 98.58 грн
100+ 83.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDPF10N50FTonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 9A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 25 V
товар відсутній
FDPF10N50FTON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
FDPF10N50FTON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній