НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
FDP-1000Panasonic Industrial Automation SalesDescription: PROTECT TUBE M6 DIF. FIBER 1M
Packaging: Box
For Use With/Related Products: FX-300 Series
Accessory Type: Protective Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2072.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-1000Panasonic Industrial AutomationSensor Fixings & Accessories PROTECTIVE TUBE FOR M6 DIF. FIBER, 1M LENGTH
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2308.55 грн
10+2079.12 грн
25+1727.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-14-TAdam TechHeaders & Wire Housings 14P DIP PLUG TIN PLATED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-1500Panasonic Industrial AutomationSensor Fixings & Accessories PROTECTIVE TUBE FOR M6 DIF. FIBER, 1.5M LENGTH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-1500Panasonic Industrial Automation SalesDescription: PROTECT TUBE M6 DIF. FIBER 1.5M
Packaging: Box
For Use With/Related Products: FX-300 Series
Accessory Type: Protective Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2483.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-16-TAdam TechDescription: CONNECTOR, IDC DIP PLUG
Features: Feed Through
Packaging: Bulk
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 16
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Number of Rows: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-16-TAdam TechHeaders & Wire Housings 16pos. DIP Plug .100 x .300
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-24-TAdam TechHeaders & Wire Housings 24pos. DIP Plug .100 x .600
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-308-TAdam TechHeaders & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 8P 2.54MM PI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-308-TAdam TechnologiesFDP-308-T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-308-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 8P 2.54MM PI
Packaging: Tray
Features: Feed Through
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 8
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.12 грн
10+43.81 грн
25+41.00 грн
40+37.23 грн
204+33.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-310-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 10P 2.54MM P
Packaging: Tray
Features: Feed Through
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 10
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.12 грн
10+44.41 грн
25+41.66 грн
40+37.82 грн
80+36.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-310-TAdam TechHeaders & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 10P 2.54MM P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-314-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 14P 2.54MM P
Packaging: Tray
Features: Feed Through
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 14
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.75 грн
10+51.29 грн
25+48.07 грн
50+42.96 грн
144+39.86 грн
288+37.96 грн
576+35.55 грн
1008+34.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-314-TAdam TechHeaders & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 14P 2.54MM P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-314-TAdam TechnologiesFDP-314-T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-316-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 16P 2.54MM P
Packaging: Tray
Features: Feed Through
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 16
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.50 грн
10+69.57 грн
25+65.20 грн
50+58.25 грн
120+54.77 грн
360+50.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-316-TAdam TechHeaders & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 16P 2.54MM P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-318-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 18P 2.54MM P
Packaging: Tray
Features: Feed Through
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 18
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.65 грн
10+63.30 грн
25+59.37 грн
40+53.87 грн
80+51.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-318-TAdam TechHeaders & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 18P 2.54MM P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-318-TAdam TechnologiesFlat Cable IDC Plug 18P 2.54mm Pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-320-TAdam TechHeaders & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 20P 2.54MM P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-320-TAdam TechnologiesFlat Cable IDC Plug 20P 2.54mm Pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-320-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 20P 2.54MM P
Packaging: Tray
Features: Feed Through
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 20
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.40 грн
10+82.11 грн
25+76.89 грн
50+68.70 грн
108+65.07 грн
324+60.22 грн
540+57.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-324-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 24P 2.54MM P
Packaging: Tray
Features: Feed Through
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 24
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.50 грн
10+102.80 грн
25+96.41 грн
40+87.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-324-TAdam TechHeaders & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 24P 2.54MM P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-328-TAdam TechnologiesFlat Cable IDC Plug 28P 2.54mm Pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-328-TAdam TechHeaders & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 28P 2.54MM P
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.39 грн
10+98.62 грн
50+81.58 грн
100+80.88 грн
1000+78.79 грн
2500+76.00 грн
5000+75.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-328-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 28P 2.54MM P
Packaging: Tray
Features: Feed Through
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 28
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.90 грн
10+119.34 грн
25+111.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-334-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 34 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-40-TAdam TechHeaders & Wire Housings 40pos. DIP Plug .100 x .600
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-500Panasonic Industrial Automation SalesDescription: PROTECT TUBE M6 DIF. FIBER 500MM
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-624-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 24P 2.54MM P
Packaging: Tray
Features: Feed Through
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 24
Row Spacing: 0.600" (15.24mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Number of Rows: 2
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.58 грн
10+66.47 грн
25+62.33 грн
40+56.57 грн
80+53.87 грн
230+50.00 грн
440+46.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-624-TAdam TechnologiesFlat Cable IDC Plug 24P 2.54mm Pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-624-TAdam TechHeaders & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 24P 2.54MM P
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.78 грн
10+70.32 грн
25+53.83 грн
100+52.78 грн
250+45.81 грн
500+45.60 грн
1000+44.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-628-TAdam TechHeaders & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 28P 2.54MM P
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.85 грн
10+73.77 грн
25+56.20 грн
500+52.71 грн
1000+44.41 грн
2000+41.42 грн
5000+39.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-628-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 28 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+98.88 грн
300+81.43 грн
540+77.96 грн
Мінімальне замовлення: 131
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-628-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 28 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-628-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 28P 2.54MM P
Packaging: Tray
Features: Feed Through
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 28
Row Spacing: 0.600" (15.24mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.50 грн
10+69.64 грн
25+65.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-628-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 28 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-632-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 32 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-632-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 32P 2.54MM P
Packaging: Tray
Features: Feed Through
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 32
Row Spacing: 0.600" (15.24mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.19 грн
10+83.09 грн
25+77.80 грн
40+70.64 грн
80+67.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-632-TAdam TechHeaders & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 32P 2.54MM P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-632-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 32 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-634-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 34 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-636-TAdam TechHeaders & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 36P 2.54MM P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-636-TAdam TechnologiesFDP-636-T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-636-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 36P 2.54MM P
Packaging: Tray
Features: Feed Through
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 36
Row Spacing: 0.600" (15.24mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Number of Rows: 2
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.12 грн
10+145.48 грн
25+134.09 грн
50+118.34 грн
100+111.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-640-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 40P 2.54MM P
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-640-TAdam TechHeaders & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 40P 2.54MM P
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.64 грн
5+121.07 грн
10+93.43 грн
25+90.64 грн
40+76.70 грн
280+65.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-N1000Panasonic Industrial Automation SalesDescription: PROTECT TUBE M4 DIF. FIBER 1M
Packaging: Box
For Use With/Related Products: FX-300 Series
Accessory Type: Protective Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-N1000Panasonic Industrial AutomationSensor Fixings & Accessories PROTECTIVE TUBE FOR M4 DIF. FIBER, 1M LENGTH
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2345.15 грн
10+2080.72 грн
25+1728.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-N1500Panasonic Industrial Automation SalesDescription: PROTECT TUBE M4 DIF. FIBER 1.5M
Packaging: Box
For Use With/Related Products: FX-300 Series
Accessory Type: Protective Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2219.04 грн
10+1942.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP-N500Panasonic Industrial Automation SalesDescription: PROTECT TUBE M4 DIF. FIBER 500MM
Packaging: Box
For Use With/Related Products: FX-300 Series
Accessory Type: Protective Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1680.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP01ECUGEN
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP020N06Bonsemi FET 60V 2.0 MOHM TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP020N06B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 313A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP020N06B-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP020N06B-F102 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP020N06B-F102onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel PwrTrench 60V 313A 2mOhm
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+385.57 грн
10+226.92 грн
100+190.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP020N06B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 313A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+296.85 грн
500+281.79 грн
Мінімальне замовлення: 109
В кошику  од. на суму  грн.
FDP020N06B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 313A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+389.56 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDP020N06B-F102ON Semiconductor
на замовлення 720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP020N06B-F102onsemiMOSFETs N-Channel PwrTrench 60V 313A 2mOhm
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+449.02 грн
10+235.74 грн
100+190.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP020N06B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 313A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+296.85 грн
500+281.79 грн
1000+265.66 грн
Мінімальне замовлення: 109
В кошику  од. на суму  грн.
FDP020N06B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 313A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+417.44 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDP020N06B-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 268 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20930 pF @ 30 V
на замовлення 1531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+425.14 грн
50+217.48 грн
100+198.99 грн
500+156.35 грн
1000+153.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP022AN03LD0-EVAL
на замовлення 1672 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP023601-20
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP023N08BFairchild SemiconductorDescription: 75V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP023N08BONSEMIDescription: ONSEMI - FDP023N08B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
157+200.11 грн
Мінімальне замовлення: 157
В кошику  од. на суму  грн.
FDP023N08Bonsemionsemi FET 80V 2.7 MOHM TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP023N08B-F102onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 242A, 2.35m?
на замовлення 5868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+296.91 грн
10+232.53 грн
50+140.84 грн
100+128.99 грн
250+128.29 грн
500+115.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP023N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 242A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP023N08B-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13765 pF @ 37.5 V
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+319.25 грн
50+158.85 грн
100+144.47 грн
500+111.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP023N08B-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP023N08B-F102 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 20529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+168.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
FDP023N08B-F102ONN
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP023N08B-F102onsemiMOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 242A, 2.35mOhm
на замовлення 5386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+342.46 грн
10+174.80 грн
100+138.05 грн
500+122.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP023N08B_F102ONS/FAIN-CH 75V 120A TO-220-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP025N06ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 265A; Idm: 1060A; 395W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 265A
Pulsed drain current: 1060A
Power dissipation: 395W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP025N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP025N06
Код товару: 189620
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP025N06ON Semiconductor
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP025N06onsemiMOSFETs 60V N-Channel PowerTrench
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+308.29 грн
10+218.90 грн
100+177.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP025N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP025N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14885 pF @ 25 V
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+370.23 грн
50+187.31 грн
100+171.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP025N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP027N08Bonsemionsemi FET 80V 2.7 MOHM TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP027N08BonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13530 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP027N08B-F102
Код товару: 194545
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP027N08B-F102ONN
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP027N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 223A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP027N08B-F102onsemiMOSFETs N-Channel PwrTrench 80V 223A 2.7mOhm
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+296.91 грн
10+149.94 грн
100+117.83 грн
500+113.65 грн
1000+100.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP027N08B-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13530 pF @ 40 V
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.38 грн
50+138.86 грн
100+126.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP027N08B-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP027N08B-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 223 A, 2210 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 246W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2210µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+248.91 грн
10+141.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP027N08B_F102onsemiDescription: FDP027N08B_F102
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9815 pF @ 25 V
на замовлення 664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+370.23 грн
50+186.98 грн
100+170.65 грн
500+133.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06onsemi / FairchildMOSFETs NCH 60V 3.0Mohm
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+194.41 грн
10+165.18 грн
100+141.54 грн
500+133.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP030N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+217.19 грн
10+200.11 грн
100+183.02 грн
500+148.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06BFairchild SemiconductorDescription: 1-ELEMENT, N-CHANNEL, MOS FET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
162+124.88 грн
Мінімальне замовлення: 162
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06B-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP030N06B-F102 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+112.57 грн
2400+107.59 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06B-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 30 V
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.49 грн
50+104.42 грн
100+94.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06B-F102ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; Idm: 780A; 205W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Pulsed drain current: 780A
Power dissipation: 205W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06B-F102ON Semiconductor
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 138050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.21 грн
10+154.69 грн
100+130.36 грн
250+119.48 грн
500+100.48 грн
800+82.41 грн
2400+77.29 грн
5600+75.47 грн
10400+73.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06B-F102onsemiMOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 195A, 3.1mO
на замовлення 2806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+224.51 грн
10+110.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+231.03 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 235A; Idm: 940A; 375W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 235A
Pulsed drain current: 940A
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 169nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08ONN
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+290.40 грн
500+275.34 грн
Мінімальне замовлення: 112
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+247.53 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08onsemiMOSFETs 75V N-Channel PowerTrench
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+453.90 грн
10+194.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15160 pF @ 25 V
на замовлення 632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+440.04 грн
50+225.97 грн
100+206.92 грн
500+165.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+290.40 грн
Мінімальне замовлення: 112
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08-F102onsemi / FairchildMOSFET PT3 MV 75V 3.2mohm for Delta
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08-F102onsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 75V 120A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15160 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP032N08-F102 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08-F102ON SemiconductorN-Channel PowerTrench® MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 80V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08Bonsemi FET 80V 3.3 MOHM TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 211A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+143.05 грн
500+135.52 грн
Мінімальне замовлення: 226
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08B-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP032N08B-F102 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08B-F102onsemiMOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET 80V, 211A, 3.3mO
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+274.13 грн
10+137.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 211A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08B-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10965 pF @ 40 V
на замовлення 4868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.91 грн
50+130.05 грн
100+117.87 грн
500+90.58 грн
1000+84.14 грн
2000+80.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08B-F102ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 211A; Idm: 844A; 263W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 211A
Pulsed drain current: 844A
Power dissipation: 263W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 111nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08B-F102ONS/FAITrans MOSFET N-CH Si 80V TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08_F149onsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+234.73 грн
100+231.11 грн
500+218.72 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V
на замовлення 3874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+425.92 грн
50+217.73 грн
100+199.15 грн
500+156.37 грн
1000+152.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+251.49 грн
100+247.62 грн
500+234.35 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10AONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 214A; Idm: 856A; 333W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 214A
Pulsed drain current: 856A
Power dissipation: 333W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+216.47 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10AFairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 120 А, Ptot, Вт = 227, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 7295 @ 25, Qg, нКл = 116 @ 10 В, Rds = 3,6 мОм @ 75 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220A
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
50+453.96 грн
100+389.10 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10AonsemiMOSFETs PT5 NCH 100V 3.6Mohm PowerTrench MOSFET
на замовлення 2252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+427.06 грн
10+226.11 грн
100+180.58 грн
500+173.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10A
Код товару: 94301
Додати до обраних Обраний товар

8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+242.46 грн
10+237.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10AUMWDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220
Packaging: Tube
на замовлення 2174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.58 грн
10+74.10 грн
100+49.57 грн
500+36.66 грн
1000+33.49 грн
2000+30.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+226.30 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10AONSEMIDescription: ONSEMI - FDP036N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+460.41 грн
10+260.30 грн
100+237.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06
на замовлення 5863 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0onsemi / FairchildMOSFETs 60V 80a .38 Ohms/VGS=1V
на замовлення 5390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.70 грн
10+143.53 грн
100+118.53 грн
500+115.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0
Код товару: 51728
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+314.54 грн
50+156.22 грн
100+142.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+160.07 грн
50+158.47 грн
100+156.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP038AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 80
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 310
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+153.31 грн
100+152.02 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+143.09 грн
100+141.89 грн
Мінімальне замовлення: 91
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0-F102ON SemiconductorN-Channel PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP038AN06A0-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 80
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 310
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Power Trench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0-F102onsemi / FairchildMOSFET 60V80A3.8OHMS MOSFET NCH PWR TRENCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0_Qonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP039N08BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 80V
Packaging: Bulk
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+182.94 грн
Мінімальне замовлення: 109
В кошику  од. на суму  грн.
FDP039N08BONSEMIDescription: ONSEMI - FDP039N08B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
149+209.87 грн
Мінімальне замовлення: 149
В кошику  од. на суму  грн.
FDP039N08Bonsemionsemi FET 80V 3.9 MOHM TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP039N08B-F102Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9450 pF @ 40 V
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+318.45 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
FDP039N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP039N08B-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP039N08B-F102 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+372.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDP039N08B-F102onsemi / FairchildMOSFETs Hi Intg PWM contrlr Green-Mode
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+558.83 грн
10+392.09 грн
50+340.25 грн
100+263.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP039N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP039N08B-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9450 pF @ 40 V
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+608.69 грн
10+400.86 грн
100+295.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP039N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+257.27 грн
10+250.48 грн
25+213.97 грн
100+204.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP040N06onsemi / FairchildMOSFET PT3 Low Qg 60V, 4.0Mohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP040N06Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8235 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+142.95 грн
Мінімальне замовлення: 142
В кошику  од. на суму  грн.
FDP040N06ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP040N06 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+161.06 грн
Мінімальне замовлення: 194
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10AON SemiconductorFDP045N10A
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+203.28 грн
500+192.52 грн
Мінімальне замовлення: 159
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10AUMWDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220
Packaging: Tube
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.86 грн
10+103.78 грн
100+71.04 грн
500+53.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10Aonsemi FET 100V 4.5 MOHM TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F032onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F032onsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F032ON Semiconductor
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+199.66 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.77 грн
10+163.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102ONN
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+189.49 грн
Мінімальне замовлення: 69
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP045N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+270.88 грн
10+182.21 грн
100+170.82 грн
500+157.11 грн
1000+142.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+152.47 грн
Мінімальне замовлення: 85
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
на замовлення 184236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+339.64 грн
50+170.10 грн
100+154.97 грн
500+120.54 грн
1000+113.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 189600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+163.86 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102onsemiMOSFETs 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
на замовлення 1203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+325.38 грн
10+184.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10AF102Fairchild SemiconductorDescription: 120A, 100V, N-CHANNEL POWER MOSF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+282.90 грн
50+155.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+167.79 грн
500+159.18 грн
1000+149.50 грн
Мінімальне замовлення: 193
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0onsemiMOSFETs 75V N-Ch PowerTrench
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+309.11 грн
10+156.36 грн
100+123.41 грн
500+106.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+167.79 грн
500+159.18 грн
1000+149.50 грн
Мінімальне замовлення: 193
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0
Код товару: 119329
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+296.50 грн
50+146.82 грн
100+133.38 грн
500+103.05 грн
1000+95.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0-F102onsemi / FairchildMOSFETs SNGL NCH 75V 4.7MOHM ULTRAFET TRENCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0_NL
на замовлення 11629 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08AOFAIRCHILD08+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08ON Semiconductor
на замовлення 740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9415 pF @ 25 V
на замовлення 3381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+291.01 грн
50+143.79 грн
100+130.59 грн
500+100.85 грн
1000+93.88 грн
2000+91.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+163.48 грн
Мінімальне замовлення: 198
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 164A; Idm: 656A; 268W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 164A
Pulsed drain current: 656A
Power dissipation: 268W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08onsemiMOSFETs 75V N-Channel PowerTrench
на замовлення 3596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+302.60 грн
10+141.12 грн
100+114.35 грн
500+100.40 грн
1000+95.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08-F10ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP047N08-F10 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+268.44 грн
Мінімальне замовлення: 117
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08-F10Fairchild SemiconductorDescription: 164A, 75V, N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+235.49 грн
Мінімальне замовлення: 85
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08-F10ON SemiconductorFDP047N08-F10
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+289.32 грн
Мінімальне замовлення: 112
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08-F102onsemi / FairchildMOSFETs PT3 75V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9415 pF @ 25 V
на замовлення 3169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.18 грн
10+146.23 грн
100+102.17 грн
800+74.25 грн
1600+70.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP047N08-F102 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+117.14 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08V_F102onsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08V_F149onsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08_F149onsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+294.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N10ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 164A; Idm: 656A; 375W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 164A
Pulsed drain current: 656A
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+229.09 грн
500+217.26 грн
Мінімальне замовлення: 141
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N10onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 4533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+356.29 грн
10+344.78 грн
25+147.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+407.88 грн
50+206.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP050AN06A0onsemiMOSFETs N-Channel PowerTrench
на замовлення 1582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+257.86 грн
10+102.63 грн
100+83.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP050AN06A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP050AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+243.22 грн
10+193.60 грн
100+126.90 грн
500+95.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP050AN06A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
на замовлення 4555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.69 грн
50+102.06 грн
100+98.41 грн
500+83.84 грн
1000+76.88 грн
2000+73.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP050AN06A0ONN
на замовлення 790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP050AN06A0onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel PowerTrench
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+245.66 грн
10+110.65 грн
100+88.55 грн
500+83.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP050AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP050AN06A0_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP053N08Bonsemi FET 60V 5.0 MOHM TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP053N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+127.99 грн
Мінімальне замовлення: 253
В кошику  од. на суму  грн.
FDP053N08B-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 146W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5960 pF @ 40 V
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.10 грн
50+93.81 грн
100+84.55 грн
500+64.08 грн
1000+59.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP053N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 49396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+127.99 грн
Мінімальне замовлення: 253
В кошику  од. на суму  грн.
FDP053N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP053N08B-F102onsemi / FairchildMOSFETs Smart Power Module
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+187.09 грн
10+89.80 грн
100+71.12 грн
500+61.78 грн
1000+60.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP053N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+127.99 грн
Мінімальне замовлення: 253
В кошику  од. на суму  грн.
FDP053N08B-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP053N08B-F102 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP054N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 144A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+271.04 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
FDP054N10onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Chan PowerTrench MOSFET
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+367.68 грн
10+191.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP054N10ONN
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP054N10ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP054N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 263
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP054N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 144A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+236.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
FDP054N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13280 pF @ 25 V
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+353.76 грн
50+182.29 грн
100+156.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP054N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 144A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08
на замовлення 5589 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP060AN08A0 - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 75 V, 80 A, 4800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+305.85 грн
10+142.35 грн
100+129.34 грн
500+109.52 грн
1000+99.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+114.76 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 16A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 25 V
на замовлення 8943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+287.09 грн
50+140.39 грн
100+127.24 грн
500+97.79 грн
1000+90.85 грн
2000+89.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0onsemi / FairchildMOSFETs 75V 80a .6Ohms/VGS=1V
на замовлення 3356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+209.87 грн
10+194.84 грн
50+98.31 грн
100+96.22 грн
250+92.73 грн
500+86.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0onsemiMOSFETs 75V 80a .6Ohms/VGS=1V
на замовлення 3069 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+275.76 грн
10+121.07 грн
100+100.40 грн
500+87.85 грн
1000+82.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 47200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+141.97 грн
500+134.44 грн
1000+126.91 грн
10000+115.12 грн
Мінімальне замовлення: 228
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0_Qonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP070AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP070AN06A0ON Semiconductor
на замовлення 770 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP070AN06A0onsemi / FairchildMOSFET N-Channel PwrTrench
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+181.40 грн
10+149.14 грн
100+102.49 грн
250+101.80 грн
500+76.00 грн
800+68.12 грн
5600+67.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP070AN06A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP070AN06A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP070AN06A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 15A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.67 грн
10+170.93 грн
100+137.39 грн
500+105.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15Aonsemi FET 150V 7.5 MOHM TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15AonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F032onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+205.75 грн
100+190.45 грн
250+181.50 грн
500+168.90 грн
1000+151.99 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+154.60 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ONS/FAIMOSFET 150V NChan PwrTrench Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+228.68 грн
78+166.43 грн
100+161.98 грн
500+146.31 грн
Мінімальне замовлення: 57
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP075N15A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 0.0075 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+304.23 грн
10+166.76 грн
100+165.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+241.23 грн
10+175.58 грн
100+170.87 грн
500+154.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+199.97 грн
87+149.46 грн
100+145.76 грн
500+132.17 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+214.25 грн
10+160.13 грн
100+156.17 грн
500+141.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+313.76 грн
50+156.31 грн
100+142.16 грн
500+110.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102onsemiMOSFETs 150V NChan PwrTrench
на замовлення 5373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+372.56 грн
10+238.94 грн
100+163.15 грн
500+136.66 грн
1000+126.20 грн
2500+118.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+259.27 грн
10+223.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A_F102onsemi / FairchildMOSFET 150V NChan PwrTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A_F102
Код товару: 154614
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15AonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15Aonsemionsemi FET 150V 8.3 MOHM TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A-F102onsemi / FairchildMOSFETs 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
на замовлення 2686 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+398.59 грн
10+199.65 грн
100+163.15 грн
500+155.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A-F102onsemiMOSFETs 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
на замовлення 11406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+409.16 грн
10+213.28 грн
100+168.73 грн
500+156.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A-F102ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 294W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
On-state resistance: 8.3mΩ
Drain current: 83A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+379.61 грн
5+261.85 грн
10+232.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+360.69 грн
40+329.28 грн
41+315.38 грн
100+266.02 грн
500+214.47 грн
1000+177.23 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP083N15A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 117 A, 6850 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 117A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6850µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+452.27 грн
10+239.15 грн
100+217.19 грн
500+188.08 грн
1000+170.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+395.33 грн
50+200.63 грн
100+183.24 грн
500+143.39 грн
1000+138.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A_F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+349.03 грн
41+315.07 грн
50+297.43 грн
100+241.22 грн
500+201.93 грн
800+170.79 грн
1000+161.64 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A_F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A_F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+374.84 грн
10+338.36 грн
50+319.42 грн
100+259.06 грн
500+216.86 грн
800+183.41 грн
1000+173.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A_F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP085N10AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 96A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2695 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP085N10A-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 96A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2695 pF @ 50 V
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.67 грн
50+115.34 грн
100+104.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP085N10A-F102onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
на замовлення 5308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+237.52 грн
10+117.07 грн
100+93.43 грн
500+80.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP085N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP085N10A-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP085N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 96 A, 0.00735 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00735ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+236.71 грн
10+141.54 грн
100+120.39 грн
500+92.91 грн
1000+85.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP085N10A-F102onsemiMOSFETs 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
на замовлення 5133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+251.35 грн
10+111.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP085N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP090N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+183.39 грн
1000+152.04 грн
2000+151.58 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDP090N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+156.62 грн
1000+129.84 грн
2000+129.44 грн
Мінімальне замовлення: 83
В кошику  од. на суму  грн.
FDP090N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8225 pF @ 25 V
на замовлення 11789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+309.05 грн
50+153.33 грн
100+139.38 грн
500+107.84 грн
1000+100.47 грн
2000+99.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP090N10FAIRCHILDTO-220 09+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP090N10onsemi / FairchildMOSFETs 100V 75A N-Chan PowerTrench
на замовлення 7984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.60 грн
10+118.67 грн
100+100.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP090N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP100N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+333.37 грн
50+165.59 грн
100+150.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP100N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+168.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDP100N10onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+292.03 грн
10+157.96 грн
100+125.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP100N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP10AN06A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP10AN06A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+122.83 грн
Мінімальне замовлення: 255
В кошику  од. на суму  грн.
FDP10AN06A0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 12A/75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V
на замовлення 5110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
211+104.29 грн
Мінімальне замовлення: 211
В кошику  од. на суму  грн.
FDP10N60NZFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
на замовлення 10506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+75.33 грн
Мінімальне замовлення: 264
В кошику  од. на суму  грн.
FDP120AN15A0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+95.34 грн
Мінімальне замовлення: 209
В кошику  од. на суму  грн.
FDP120AN15A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP120AN15A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
369+84.60 грн
Мінімальне замовлення: 369
В кошику  од. на суму  грн.
FDP120AN15A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP120N10onsemiMOSFETs N Chan 100V 12Mohm
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+231.02 грн
10+114.66 грн
100+87.15 грн
500+72.51 грн
1000+71.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP120N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 74A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 74A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5605 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.84 грн
50+105.38 грн
100+95.20 грн
500+72.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP120N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+152.73 грн
Мінімальне замовлення: 212
В кошику  од. на суму  грн.
FDP120N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+134.44 грн
500+120.46 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N50ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP12N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.55 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 165
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 165
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.55
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N50onsemi / FairchildMOSFETs 500V N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N50Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
304+83.15 грн
Мінімальне замовлення: 304
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N50NZonsemi / FairchildMOSFET 500V N-Chan MOSFET UniFET-II
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N50NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N50NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N50NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDP12N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.46 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 170
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 170
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.46
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+155.37 грн
10+152.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N50NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N60NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1676 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N60NZonsemi / FairchildMOSFET The factory is currently not accepting orders for this product.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP13AN06A0
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP13AN06A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP13AN06A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 23918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
369+84.60 грн
Мінімальне замовлення: 369
В кошику  од. на суму  грн.
FDP13AN06A0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 23918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+73.59 грн
Мінімальне замовлення: 307
В кошику  од. на суму  грн.
FDP13AN06A0_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP13AN06A0 
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP14AN06LA0
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP14AN06LA0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP14AN06LA0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 14481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+203.97 грн
Мінімальне замовлення: 109
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 57A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+305.69 грн
100+302.75 грн
250+299.80 грн
500+286.26 грн
1000+262.42 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10onsemiMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+235.04 грн
100+232.76 грн
250+230.48 грн
500+220.05 грн
1000+201.70 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10Aonsemionsemi FET 100V 15.0 MOHM TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10A-F102ON Semiconductor
на замовлення 670 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10A-F102
Код товару: 150159
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10A-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 50 V
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.98 грн
50+107.06 грн
100+96.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10A-F102onsemiMOSFETs N-Channel PwrTrench 100V 50A 15mOhm
на замовлення 3696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+257.86 грн
10+165.18 грн
100+105.28 грн
500+87.85 грн
1000+81.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10A-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP150N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+260.30 грн
10+130.96 грн
100+116.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP15N40onsemi / FairchildMOSFET 400V N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP15N40ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP15N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 15 A, 0.24 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 170
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 170
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP15N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP15N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP15N50ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP15N50 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+191.97 грн
Мінімальне замовлення: 163
В кошику  од. на суму  грн.
FDP15N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+207.58 грн
500+196.83 грн
1000+186.07 грн
Мінімальне замовлення: 156
В кошику  од. на суму  грн.
FDP15N50Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 4753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+171.46 грн
Мінімальне замовлення: 118
В кошику  од. на суму  грн.
FDP15N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+207.58 грн
Мінімальне замовлення: 156
В кошику  од. на суму  грн.
FDP15N50onsemi / FairchildMOSFETs 15a 500V N-Ch SMPS Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP15N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+207.58 грн
500+196.83 грн
1000+186.07 грн
Мінімальне замовлення: 156
В кошику  од. на суму  грн.
FDP15N50F102Fairchild SemiconductorDescription: 15A, 500V, 0.38OHM, N CHANNEL ,
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP15N65onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3095 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP15N65onsemi / FairchildMOSFETs SINGLE N-CH 500V .38OHM SMPS PWR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP16AN08A0onsemi / FairchildMOSFETs 75V 58a 0.016 Ohms/VGS=10V
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDP16AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+74.83 грн
14+53.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDP16AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
365+88.62 грн
500+84.84 грн
1000+80.13 грн
Мінімальне замовлення: 365
В кошику  од. на суму  грн.
FDP16AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP16AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+69.84 грн
Мінімальне замовлення: 185
В кошику  од. на суму  грн.
FDP16AN08A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP16AN08A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+78.82 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDP16AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
365+88.62 грн
500+84.84 грн
1000+80.13 грн
Мінімальне замовлення: 365
В кошику  од. на суму  грн.
FDP16AN08A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 9A/58A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V
на замовлення 942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.98 грн
50+86.12 грн
100+77.50 грн
500+58.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP16N50Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1945 pF @ 25 V
на замовлення 14108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+128.26 грн
Мінімальне замовлення: 158
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N20FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N20FonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N20FONSEMIDescription: ONSEMI - FDP18N20F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.12 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 18
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 100
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N20FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.62 грн
10+80.78 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N20Fonsemi / FairchildMOSFET 200V N-Channel
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.90 грн
10+113.06 грн
100+76.00 грн
500+62.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+129.25 грн
100+126.95 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50ON-SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 235W; -55°C ~ 150°C; FDP18N50 TFDP18n50
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+109.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50onsemiMOSFETs 500V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+286.33 грн
10+183.62 грн
100+124.81 грн
500+105.28 грн
1000+96.92 грн
2000+91.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 12470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+212.36 грн
98+132.51 грн
100+129.57 грн
500+112.96 грн
1000+102.79 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+249.46 грн
3+190.51 грн
10+125.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50ON-SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 235W; -55°C ~ 150°C; FDP18N50 TFDP18n50
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+109.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
на замовлення 6516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+262.77 грн
50+128.54 грн
100+116.52 грн
500+89.55 грн
1000+83.19 грн
2000+79.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 12471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+227.47 грн
10+141.94 грн
100+138.80 грн
500+121.00 грн
1000+110.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP18N50 - MOSFET, N-KANAL, 18A, 500V, TO220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 235W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+296.09 грн
10+133.40 грн
100+120.39 грн
500+101.22 грн
1000+89.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 11950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+135.52 грн
500+129.07 грн
1000+121.54 грн
10000+109.94 грн
Мінімальне замовлення: 239
В кошику  од. на суму  грн.
FDP19N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+141.97 грн
Мінімальне замовлення: 228
В кошику  од. на суму  грн.
FDP19N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2115 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP19N40ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP19N40 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP19N40onsemi / FairchildMOSFETs UniFET, 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP1XSZAM63R262XCONECD-Sub Standard Connectors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20AN06A0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 45A TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N40onsemi / FairchildMOSFETs 20a 400V N-Ch SMPS Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP20N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.23 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+318.87 грн
10+253.79 грн
100+194.41 грн
500+129.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+311.99 грн
45+288.34 грн
49+265.58 грн
52+242.17 грн
100+213.27 грн
500+197.62 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50onsemi / FairchildMOSFETs 500V NCH UNIFET MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+334.27 грн
10+308.94 грн
25+284.55 грн
50+259.47 грн
100+228.51 грн
500+211.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50FonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+173.10 грн
250+169.05 грн
500+153.86 грн
1000+139.59 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50FonsemiMOSFETs 500V N-Channel
на замовлення 6662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+322.12 грн
10+179.61 грн
100+130.38 грн
500+105.98 грн
1000+101.10 грн
2500+100.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50F
Код товару: 190678
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50FONSEMIDescription: ONSEMI - FDP20N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+294.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+229.12 грн
3+214.85 грн
4+203.94 грн
10+167.85 грн
30+141.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP22N50N
Код товару: 60060
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP22N50NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP22N50NONSEMIDescription: ONSEMI - FDP22N50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.185 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 312.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312.5
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+264.37 грн
10+238.34 грн
100+195.23 грн
500+154.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP22N50NONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.2A; 312.5W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.2A
Power dissipation: 312.5W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+451.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP22N50NonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 22A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 312.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
на замовлення 1634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+334.15 грн
50+166.98 грн
100+152.00 грн
500+118.05 грн
1000+110.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP22N50NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP22N50NonsemiMOSFETs UniFETII 500V 22A
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+346.53 грн
10+177.20 грн
100+139.45 грн
500+130.38 грн
1000+124.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP22N50NONS/FAITrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP24AN06LA0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP24AN06LA0Fairchild
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP24N40onsemi / FairchildMOSFET 400V N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP24N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+266.13 грн
61+214.16 грн
100+193.08 грн
500+159.06 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
FDP24N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP24N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+285.14 грн
10+229.46 грн
100+206.87 грн
500+170.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP24N40ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP24N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 24 A, 0.14 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 24
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 227
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 227
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP24N40ON Semiconductor
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56A
Power dissipation: 310W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+286.51 грн
10+188.83 грн
50+171.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532ONS/FAITO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+182.84 грн
Мінімальне замовлення: 177
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 8A/79A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
на замовлення 2186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+318.46 грн
50+158.41 грн
100+144.09 грн
500+111.68 грн
1000+104.12 грн
2000+103.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 79 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+293.65 грн
10+162.69 грн
100+160.25 грн
500+147.29 грн
1000+133.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532ON-SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 48mOhm; 79A; 310W; -55°C ~ 175°C; FDP2532 TFDP2532
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+199.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532
Код товару: 44129
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-263AB
Uds,V: 150 V
Idd,A: 79 A
Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
очікується 2 шт:
2 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532onsemiMOSFETs 150V NCh UltraFET Power Trench
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+342.46 грн
10+174.80 грн
100+135.96 грн
500+119.92 грн
1000+117.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2552onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.31 грн
50+93.36 грн
100+84.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2552onsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Ch UltraFET Trench
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.53 грн
10+93.01 грн
100+78.09 грн
500+70.42 грн
1000+61.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2552ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+184.06 грн
10+168.72 грн
100+143.43 грн
500+117.90 грн
1000+92.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2552onsemiMOSFETs 150V N-Ch UltraFET Trench
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.48 грн
10+88.20 грн
100+68.33 грн
500+59.26 грн
1000+55.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2552ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2552_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2552_NL
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2552_Qonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2570onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 22A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1911 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2570onsemi / FairchildMOSFETs TO-220 N-CH 150V 22A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2570_Qonsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2572onsemi / FairchildMOSFETs TO-220 N-CH 150V 29A
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+194.41 грн
10+94.61 грн
100+78.79 грн
500+66.59 грн
1000+64.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+191.35 грн
100+153.04 грн
500+124.96 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2572FAIRCHIL09+ PLCC-44
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2572onsemiMOSFETs TO-220 N-CH 150V 29A
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+209.87 грн
10+101.83 грн
100+80.88 грн
500+66.59 грн
1000+58.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+162.79 грн
100+130.20 грн
500+106.31 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2572onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 1293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.94 грн
50+97.71 грн
100+88.16 грн
500+66.98 грн
1000+61.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2614ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2614onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 62A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V
на замовлення 13354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+412.59 грн
50+208.50 грн
100+190.33 грн
500+148.74 грн
1000+146.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2614ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2614On SemiconductorMOSFET N-CH 200V 62A TO220-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2614onsemi / FairchildMOSFETs 200V N-Channel PowerTrench
на замовлення 2249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+178.96 грн
10+160.36 грн
100+135.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2614ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+224.11 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2614ON Semiconductor
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2670ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP2670 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+137.47 грн
Мінімальне замовлення: 228
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2670Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 100 V
на замовлення 6893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+115.14 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
FDP26N40ONS/FAIMOSFET N-CH 400V 26A TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP26N40onsemi / FairchildMOSFET 400V N-Channel
на замовлення 2747 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+231.83 грн
10+206.07 грн
25+168.73 грн
100+146.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP26N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 26A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 265W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3185 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2710onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+304.34 грн
50+231.93 грн
100+198.80 грн
500+165.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2710ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2710onsemi / FairchildMOSFETs 250V N-Channel PowerTrench
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+263.55 грн
10+176.40 грн
50+133.17 грн
100+130.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2710-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2710-F085onsemi / FairchildMOSFETs 250V NCHAN PwrTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2710-F085ON Semiconductor
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2710-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5690 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2710_F085Fairchild SemiconductorDescription: 4A, 250V, 0.047OHM, N-CHANNEL ,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2710_SN00168Fairchild SemiconductorDescription: 1-ELEMENT, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2710_SW82258Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2D3N10Consemi / FairchildMOSFETs PTNG 100/20V inTO220 3L JEDEC GREEN EMC
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+490.51 грн
10+477.89 грн
25+243.34 грн
100+223.81 грн
500+222.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2D3N10ConsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11180 pF @ 50 V
на замовлення 153574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+558.49 грн
50+290.44 грн
100+266.65 грн
500+219.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2D3N10CONN
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2D3N10CONSEMIDescription: ONSEMI - FDP2D3N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 222 A, 2100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 222A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+554.77 грн
5+435.19 грн
10+314.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2D3N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 222A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2D9N12ConsemiMOSFETs PTNG 120V N-FET
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+464.47 грн
10+392.09 грн
25+309.57 грн
100+283.77 грн
250+267.74 грн
500+251.00 грн
800+225.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2D9N12ConsemiDescription: PTNG 120V N-FET TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 686µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8894 pF @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2XPZAM63R262XCONECD-Sub Standard Connectors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2XSZAM63R262XCONECD-Sub Standard Connectors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3205ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP3205 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
306+102.49 грн
Мінімальне замовлення: 306
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3205onsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7730 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3205Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7730 pF @ 25 V
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
208+104.91 грн
Мінімальне замовлення: 208
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+118.56 грн
159+81.59 грн
163+79.66 грн
500+76.77 грн
1000+68.52 грн
Мінімальне замовлення: 109
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25
Код товару: 107817
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25onsemi / FairchildMOSFETs 250V N-Channel MOSFET
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.23 грн
10+73.13 грн
100+61.78 грн
500+60.59 грн
1000+55.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 33A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V
на замовлення 2173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.39 грн
50+90.85 грн
100+81.83 грн
500+61.94 грн
1000+57.17 грн
2000+53.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+127.01 грн
10+87.41 грн
100+85.34 грн
500+82.25 грн
1000+73.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP33N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.094 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 235W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+163.50 грн
10+82.97 грн
100+80.29 грн
500+73.12 грн
1000+61.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25
на замовлення 580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP34N33Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 330V 34A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3632onsemiMOSFETs 100V 80a .9 Ohms/VGS=1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3632ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3632ONS/FAIГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3632onsemi / FairchildMOSFETs 100V 80a .9 Ohms/VGS=1V
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+317.24 грн
10+156.36 грн
100+126.20 грн
500+110.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3632onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 6188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+305.91 грн
50+151.64 грн
100+137.83 грн
500+106.64 грн
1000+99.34 грн
2000+97.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3632 (TO-220AB)
Код товару: 52946
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3632_NL
на замовлення 19219 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3651UonsemiMOSFETs 100V 80A 18 mOHM NCH POWER TREN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3651UonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5522 pF @ 25 V
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+225.12 грн
50+108.16 грн
100+97.60 грн
500+74.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3651UON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+126.96 грн
128+100.83 грн
136+95.18 грн
250+85.65 грн
Мінімальне замовлення: 102
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3651UONSEMIDescription: ONSEMI - FDP3651U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.58 грн
10+84.60 грн
100+81.26 грн
500+72.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3651UON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.03 грн
10+108.04 грн
100+101.98 грн
250+91.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3651U
Код товару: 144911
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3651UON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3651Uonsemi / FairchildMOSFETs 100V 80A 18 mOHM NCH POWER TREN
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+213.94 грн
10+114.66 грн
100+87.85 грн
250+85.06 грн
500+72.51 грн
1000+65.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3651UON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3652ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3652ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+113.35 грн
Мінімальне замовлення: 114
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3652onsemi / FairchildMOSFETs 100V 61a 0.016 Ohm
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+179.77 грн
10+103.43 грн
100+65.33 грн
500+52.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3652ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3652onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.18 грн
10+100.99 грн
100+74.49 грн
800+58.08 грн
1600+54.06 грн
2400+52.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3652ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+231.72 грн
10+134.70 грн
100+98.51 грн
800+86.54 грн
1600+77.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3652_NL
на замовлення 14881 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3652_Qonsemi / FairchildMOSFET 100V 61a 0.016 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3672ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP3672 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+79.23 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3672FAIRCHILD05+06+
на замовлення 24350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3672onsemiDescription: MOSFET N-CH 105V 5.9A/41A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 105 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 25 V
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.12 грн
10+115.49 грн
100+79.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 105V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3672onsemi / FairchildMOSFETs 105V 41a 0.033 Ohms/VGS=10V
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.17 грн
10+113.06 грн
100+80.88 грн
500+68.75 грн
800+55.15 грн
2400+53.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3682onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 6A/32A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.12 грн
50+88.00 грн
100+79.20 грн
500+59.87 грн
1000+55.23 грн
2000+51.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3682
Код товару: 107819
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3682onsemi / FairchildMOSFETs 100V 32a .36Ohm/VGS=1V
на замовлення 16770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.08 грн
10+62.54 грн
100+50.76 грн
500+50.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+126.91 грн
109+118.56 грн
137+94.24 грн
139+89.97 грн
500+77.19 грн
Мінімальне замовлення: 102
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+78.99 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3682ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 32
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 95
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 95
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+135.98 грн
10+127.03 грн
25+100.98 грн
100+96.40 грн
500+82.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+92.87 грн
Мінімальне замовлення: 139
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3682_Qonsemi / FairchildMOSFET 100V 32a .36Ohm/VGS=1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP39N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+260.20 грн
56+232.92 грн
58+222.77 грн
105+119.15 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDP39N20onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 39A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 251W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP39N20ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP39N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.056 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 39
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 251
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 251
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.056
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP39N20onsemi / FairchildMOSFET SINGLE N-CH 200V ULTRAFET TRENCH
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+233.46 грн
10+207.67 грн
25+170.13 грн
100+147.81 грн
500+125.50 грн
1000+105.28 грн
2000+99.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP39N20Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 251W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 25 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+115.04 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
FDP39N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+278.78 грн
10+249.56 грн
25+238.68 грн
100+127.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP39N20FAIRCHILD
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4020P
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4020PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 16A TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4030LFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 15 V
на замовлення 6570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
410+54.31 грн
Мінімальне замовлення: 410
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4030LONSEMIDescription: ONSEMI - FDP4030L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
494+63.29 грн
Мінімальне замовлення: 494
В кошику  од. на суму  грн.
FDP42AN15A0onsemiMOSFETs 150V 35a .42 Ohms/VGS=1V
на замовлення 4818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+233.46 грн
10+115.46 грн
100+90.64 грн
500+73.91 грн
1000+71.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP42AN15A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 5A/35A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
на замовлення 8150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.06 грн
50+105.07 грн
100+94.89 грн
500+72.32 грн
1000+66.94 грн
2000+62.42 грн
5000+61.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP42AN15A0ON-SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 107mOhm; 30A; 150W; -55°C ~ 175°C; FDP42AN15A0 TFDP42an15a0
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+59.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDP42AN15A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP42AN15A0On SemiconductorMOSFET N-CH 150V 5A/35A TO220-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP42AN15A0
Код товару: 111207
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP42AN15A0_Qonsemi / FairchildMOSFETs 150V 35a .42 Ohms/VGS=1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP42AN15AO
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP46N30
на замовлення 580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4D5N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+236.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4D5N10ConsemiMOSFETs FET 100V 128A 4.5 mOhm
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+339.20 грн
10+282.24 грн
50+199.41 грн
100+184.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4D5N10CON Semiconductor
на замовлення 356 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4D5N10CONSEMIDescription: ONSEMI - FDP4D5N10C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+261.93 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4D5N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4D5N10ConsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 128A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5065 pF @ 50 V
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+407.10 грн
50+223.46 грн
100+206.46 грн
500+180.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4D5N10CAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+220.27 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4D5N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP51N25ON-SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 250V; 30V; 60mOhm; 51A; 320W; -55°C ~ 150°C; FDP51N25 TFDP51n25
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+112.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDP51N25ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP51N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 51 A, 0.048 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+238.34 грн
10+104.93 грн
100+104.12 грн
500+94.42 грн
1000+85.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP51N25onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 51A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 25 V
на замовлення 573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.35 грн
50+99.16 грн
100+94.02 грн
500+83.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP51N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP51N25ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 320W; TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Case: TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 60mΩ
Drain current: 30A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 320W
Drain-source voltage: 250V
Polarisation: unipolar
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+228.67 грн
5+149.39 грн
10+132.60 грн
50+118.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP51N25onsemi / FairchildMOSFET 250V N-Channel MOSFET
на замовлення 8912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+214.75 грн
10+165.18 грн
100+122.02 грн
500+103.19 грн
1000+87.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+236.79 грн
10+130.49 грн
100+117.54 грн
500+90.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20ON-SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 49mOhm; 52A; 357W; -55°C ~ 150°C; FDP52N20 TFDP52n20
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+103.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20
Код товару: 129721
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20onsemi / FairchildMOSFETs 200V N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 7663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+194.41 грн
10+103.43 грн
100+84.37 грн
500+69.58 грн
1000+68.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+219.85 грн
107+121.15 грн
119+109.14 грн
500+84.20 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20Fairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 52 А, Ptot, Вт = 357, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2900 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 49 мОм @ 26 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220-3 О
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP52N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+212.31 грн
10+122.83 грн
100+109.81 грн
500+83.84 грн
1000+76.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 52A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 6828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.61 грн
50+96.09 грн
100+93.13 грн
500+70.96 грн
1000+66.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5500ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP5500 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+195.23 грн
Мінімальне замовлення: 161
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5500Fairchild SemiconductorDescription: N CHANNEL ULTRAFET 55V, 80A, 7M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3565 pF @ 25 V
на замовлення 4045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+165.98 грн
Мінімальне замовлення: 133
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5500onsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5500-F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3565 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5500-F085onsemi / FairchildMOSFET 55V NCHAN UltraFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5500-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP55N06onsemi / FairchildMOSFET SINGLE N-CH 60V ULTRAFET TRENCH
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.10 грн
10+122.68 грн
100+82.97 грн
500+68.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP55N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP55N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 55A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP55N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP55N06ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP55N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.40 грн
10+107.37 грн
100+69.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5645onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5645ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP5645 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+254.61 грн
Мінімальне замовлення: 123
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5645Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+201.04 грн
Мінімальне замовлення: 111
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5680ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP5680 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+154.55 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5680onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5680onsemi / FairchildMOSFET 60V N-Ch PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5680FAIRCHILD
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5680Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
на замовлення 7661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+129.42 грн
Мінімальне замовлення: 182
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5680_Qonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5690FAIRCHILDTO-220
на замовлення 276 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5690Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 32A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5690ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP5690 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
236+132.59 грн
Мінімальне замовлення: 236
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5800ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5800onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 14A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9160 pF @ 15 V
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.04 грн
10+143.89 грн
100+100.04 грн
500+76.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5800ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP5800 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242mW
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+233.46 грн
10+213.12 грн
100+104.93 грн
500+84.60 грн
1000+72.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5800ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5800ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5800onsemiMOSFETs 60V N-Ch Logic Level MOSFET
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+232.64 грн
10+110.65 грн
100+89.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5800
Код товару: 60606
Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Rds(on), Ohm: 6 mOhm
Монтаж: THT
у наявності 1 шт:
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5N50Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 1761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
523+41.28 грн
Мінімальне замовлення: 523
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5N50ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP5N50 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
629+49.70 грн
Мінімальне замовлення: 629
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5N50NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5N50NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 3522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.70 грн
10+75.61 грн
100+58.80 грн
500+46.78 грн
1000+38.11 грн
2000+35.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5N50NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDP5N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.38 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 78
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 78
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.38
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.39 грн
10+108.19 грн
100+84.60 грн
500+64.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5N50NZonsemi / FairchildMOSFET N-Chan UniFET2 500V
на замовлення 2688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.39 грн
10+106.64 грн
100+72.51 грн
500+59.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5N60NZonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Channel MOSFET, UniFET-II
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5N60NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6030BLFAIRCHILD2002 TO-220
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6030BLFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 15 V
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
516+45.49 грн
Мінімальне замовлення: 516
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6030BLonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6030BLONSEMIDescription: ONSEMI - FDP6030BL - MOSFET, N-CH, 30V, 40A, 175DEG C, 60W
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+54.58 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6030BL_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6030LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 48A TO220-3
на замовлення 63536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
566+42.17 грн
Мінімальне замовлення: 566
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6030LONSEMIDescription: ONSEMI - FDP6030L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 61536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
629+49.70 грн
Мінімальне замовлення: 629
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6030LFAI2003 TO-220
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6030Lonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6035A
на замовлення 4530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6035ALonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 48A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6035ALonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6035ALFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 48A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V
на замовлення 106637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+106.68 грн
Мінімальне замовлення: 221
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6035ALFAIRCHILD07+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6035AL_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V N-CH. FET, 12.5 MO, TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6035AL_Qonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6035LONSEMIDescription: ONSEMI - FDP6035L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+70.12 грн
Мінімальне замовлення: 446
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6035Lonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6035LFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
401+58.83 грн
Мінімальне замовлення: 401
В кошику  од. на суму  грн.
FDP603AL
на замовлення 745 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20ONS/FAIКод виробника: FDP61N20 MOSFET N-CH 200V 61A TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+127.99 грн
500+122.61 грн
1000+116.16 грн
Мінімальне замовлення: 253
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+223.71 грн
100+144.30 грн
250+128.64 грн
800+119.73 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+126.61 грн
100+119.38 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 61A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 25 V
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.28 грн
50+124.86 грн
100+112.93 грн
500+86.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20
Код товару: 150150
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20ON-SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 41mOhm; 61A; 417W; -55°C ~ 150°C; FDP61N20 TFDP61n20
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+126.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+173.54 грн
109+119.48 грн
112+116.17 грн
250+103.51 грн
500+88.43 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP61N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.32 грн
10+107.37 грн
100+104.93 грн
500+95.17 грн
1000+86.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+118.17 грн
116+111.42 грн
Мінімальне замовлення: 110
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20onsemi / FairchildMOSFETs 200V N-Channel MOSFET
на замовлення 4100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.55 грн
10+104.24 грн
100+85.76 грн
250+82.97 грн
500+78.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+127.99 грн
500+122.61 грн
1000+116.16 грн
Мінімальне замовлення: 253
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20ON-SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 41mOhm; 61A; 417W; -55°C ~ 150°C; FDP61N20 TFDP61n20
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+187.18 грн
10+128.87 грн
100+125.30 грн
250+111.66 грн
500+95.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP65N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 65A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP65N06onsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP65N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP65N06
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP65N06,ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP65N06, - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 65 A, 0.016 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 65
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 135
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+160.25 грн
10+147.23 грн
100+118.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6670ALonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6670ALonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6670ALFAIRCHILDTO-220
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6670ALFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V
на замовлення 28285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
503+44.07 грн
Мінімальне замовлення: 503
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6670AL_NLON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-CH. FET, 6.5 MO, TO220,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6670AL_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6676onsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6676Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5324 pF @ 15 V
на замовлення 20082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
332+70.60 грн
Мінімальне замовлення: 332
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6676ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP6676 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
369+84.60 грн
Мінімальне замовлення: 369
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6676SFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4853 pF @ 15 V
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
332+70.60 грн
Мінімальне замовлення: 332
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6676SONSEMIDescription: ONSEMI - FDP6676S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
369+84.60 грн
Мінімальне замовлення: 369
В кошику  од. на суму  грн.
FDP70301_88RF002A
на замовлення 64890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030BLonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 60A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030BLON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.53 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030BLONSEMIDescription: ONSEMI - FDP7030BL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.009 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 65
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 65
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030BLonsemi / FairchildMOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030BLFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V
на замовлення 72127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
297+68.42 грн
Мінімальне замовлення: 297
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030BLNLFSC
на замовлення 3993 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030BLSonsemi / FairchildMOSFET TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030BL_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V N-CH. FET, 9 MO, TO220, T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030BL_Qonsemi / FairchildMOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030LFAITO220
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030LonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030LON SemiconductorFDP7030L
на замовлення 29300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+215.11 грн
500+203.28 грн
1000+192.52 грн
10000+174.24 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030Lonsemi / FairchildMOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V
на замовлення 29300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+176.86 грн
Мінімальне замовлення: 114
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030L_Qonsemi / FairchildMOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7042LFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 15 V
на замовлення 33223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
452+47.79 грн
Мінімальне замовлення: 452
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7042LONSEMIDescription: ONSEMI - FDP7042L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 33223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
544+57.51 грн
Мінімальне замовлення: 544
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7042LFAIRCHILDTO-220 02+
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7045Lonsemi / FairchildMOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7045LFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4357 pF @ 15 V
на замовлення 165881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+231.80 грн
Мінімальне замовлення: 92
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7045LONSEMIDescription: ONSEMI - FDP7045L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 165881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+284.70 грн
Мінімальне замовлення: 110
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7045LFAIR0408
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7045L_Qonsemi / FairchildMOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP75N08onsemi / FairchildMOSFETs 75V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP75N08onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP75N08ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP75N08 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
321+97.61 грн
Мінімальне замовлення: 321
В кошику  од. на суму  грн.
FDP75N08AonsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP75N08AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+130.94 грн
10+125.25 грн
25+118.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDP75N08Aonsemi / FairchildMOSFET 75V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP75N08AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP75N08A
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP79N15Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 79A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7N50onsemi / FairchildSupervisory Circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7N50ON Semiconductor500V, NCH , MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7N60NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7N60NZonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8030LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8030LonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+437.69 грн
10+361.05 грн
100+300.90 грн
500+249.16 грн
1000+224.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8030LONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8030L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+421.36 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8030LN/A09+
на замовлення 20018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8030Lonsemi / FairchildMOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8030LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V
на замовлення 6859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+360.02 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8030LonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP80N06ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP80N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0085 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.67 грн
10+134.22 грн
100+100.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDP80N06
Код товару: 66797
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP80N06onsemi / FairchildMOSFETs 60V N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP80N06ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 65A; Idm: 320A; 176W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 176W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS; UniFET™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP80N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3190 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP80N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8440ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 277A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+234.47 грн
500+221.56 грн
1000+209.73 грн
Мінімальне замовлення: 138
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8440FAIRCHILD
на замовлення 795 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8440onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24740 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8440ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 277A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8440ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 277A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+234.47 грн
500+221.56 грн
1000+209.73 грн
Мінімальне замовлення: 138
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8440ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 277A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 14780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+234.47 грн
500+221.56 грн
1000+209.73 грн
10000+189.80 грн
Мінімальне замовлення: 138
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8440onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24740 pF @ 25 V
на замовлення 25490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+192.32 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8440ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 277A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 6778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+234.47 грн
500+221.56 грн
1000+209.73 грн
Мінімальне замовлення: 138
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8440ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8440 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8440onsemi / FairchildMOSFETs 40V N-Channel Power Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8440UMWDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO220
Packaging: Tube
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.01 грн
10+73.65 грн
100+49.42 грн
500+36.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8440ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 277A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+234.47 грн
500+221.56 грн
1000+209.73 грн
Мінімальне замовлення: 138
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8440Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24740 pF @ 25 V
на замовлення 11109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+192.32 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8441onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8441ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8441ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8441onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
на замовлення 2187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.94 грн
10+164.74 грн
100+133.28 грн
500+111.18 грн
1000+95.20 грн
2000+89.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8441_F085ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8442onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8442ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8442 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 22479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+309.92 грн
Мінімальне замовлення: 101
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8442Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3
на замовлення 22479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+263.35 грн
Мінімальне замовлення: 91
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8442onsemi / FairchildMOSFET 40V N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8442-F085Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+96.08 грн
Мінімальне замовлення: 237
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8442-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V/80A/2.8ohm/N-CH POWERTRENCH
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8442-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8442-F085 - FDP8442-F085, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+118.76 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8442_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8443onsemi / FairchildMOSFET 40V N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8443ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8443 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
272+114.70 грн
Мінімальне замовлення: 272
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8443Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 20A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9310 pF @ 25 V
на замовлення 11973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+96.33 грн
Мінімальне замовлення: 226
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8443-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 20A/80A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8443-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-CH PowerTrench N-Ch PowerTrench Mos
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8443_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V TO-220AB-3
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8447LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 12A/50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8447Lonsemi / FairchildMOSFETs 40V N-CH PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8447LONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 100A; 60W; TO220-3
Case: TO220-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 49nC
On-state resistance: 13.7mΩ
Power dissipation: 60W
Drain current: 50A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 100A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP86363-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP86363-F085 - N-CHANNEL POWERTRENCH® 80V, 110A, 2.8M
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP86363-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP86363-F085ON Semiconductor
на замовлення 42400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP86363-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 110A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+332.58 грн
50+164.33 грн
100+149.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP86363-F085onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel PowerTrench 80V, 110A, 2.8mohm
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+253.79 грн
10+209.28 грн
50+133.17 грн
100+122.02 грн
1000+112.25 грн
2500+105.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP86363_F085Fairchild SemiconductorDescription: 110A, 80V, 0.0028OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP87314B07+
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8860ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+159.18 грн
500+143.05 грн
Мінімальне замовлення: 203
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8860onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12240 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8860ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 13482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+159.18 грн
500+143.05 грн
1000+132.29 грн
10000+114.09 грн
Мінімальне замовлення: 203
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8860UMWDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220
Packaging: Tube
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.43 грн
10+105.22 грн
100+72.02 грн
500+54.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8860onsemiMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8860ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+159.18 грн
500+143.05 грн
Мінімальне замовлення: 203
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8860Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12240 pF @ 15 V
на замовлення 14977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
162+122.49 грн
Мінімальне замовлення: 162
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8860
Код товару: 215317
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8860ONN
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8870ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.47 грн
10+125.32 грн
25+116.74 грн
50+107.40 грн
100+93.51 грн
500+84.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8870onsemi / FairchildMOSFET 30V N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8870ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8870Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8870ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8870 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 156 A, 0.0034 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 156
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 160
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 160
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8870ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.55 грн
10+118.24 грн
25+112.76 грн
50+105.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8870onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 156A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8870-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/156A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8870-F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/156A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
291+80.79 грн
Мінімальне замовлення: 291
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8870-F085onsemi / FairchildMOSFET 30V/156A/4.1Mohm/NCH POWERTRENCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8870_F085Aonsemi / Fairchildonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8870_NL
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8870_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V,156A,4.1 OHMS,NCH,TO220,POWER TRENCH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8874FAIRCHILTO220 10+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8874ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 125076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+110.78 грн
500+99.71 грн
1000+91.95 грн
10000+79.05 грн
100000+61.33 грн
Мінімальне замовлення: 292
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8874Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8874ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8874 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 114 A, 0.0053 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+75.73 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8874onsemi / FairchildMOSFET 30V 114A 5.3 OHM N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8874ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 15200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+110.78 грн
500+99.71 грн
1000+91.95 грн
10000+79.05 грн
Мінімальне замовлення: 292
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8874ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8874-SN00117onsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8874.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8874. - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 114
Qualifikation: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8874_SN00117onsemi / Fairchildonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8876Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 70A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8878Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 40A TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8880onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/54A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8880ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 9936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
569+56.75 грн
1000+52.34 грн
Мінімальне замовлення: 569
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8880onsemiMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8880
Код товару: 113618
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8880ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
569+56.75 грн
1000+52.34 грн
Мінімальне замовлення: 569
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8880ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 54 A, 0.0116 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 54
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 55
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 55
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0116
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8880ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 48A; 55W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 48A
Power dissipation: 55W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8880ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
569+56.75 грн
1000+52.34 грн
Мінімальне замовлення: 569
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8880Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 15 V
на замовлення 59064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
409+48.67 грн
Мінімальне замовлення: 409
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8880ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 45280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
569+56.75 грн
1000+52.34 грн
10000+46.67 грн
Мінімальне замовлення: 569
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8896ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8896 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8896onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/92A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.82 грн
50+69.88 грн
100+62.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8896ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8896FSC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8896ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8896onsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench
на замовлення 1361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.93 грн
10+73.69 грн
100+57.31 грн
500+55.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8896
Код товару: 107361
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8896_F085Aonsemi / FairchildArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8D5N10ConsemiMOSFETs FET 100V 76A 8.5 mOhm
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+183.02 грн
10+123.48 грн
100+102.49 грн
500+84.37 грн
800+83.67 грн
2400+80.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8D5N10CON Semiconductor
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8D5N10CUMWDescription: MOSFET N-CH 100V 76A TO220
Packaging: Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.45 грн
10+97.89 грн
100+66.75 грн
500+50.13 грн
1000+46.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8D5N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8D5N10CONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8D5N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 76 A, 7400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+195.23 грн
10+128.52 грн
100+120.39 грн
500+108.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8D5N10ConsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 76A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 76A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475 pF @ 50 V
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.19 грн
50+115.23 грн
100+110.64 грн
500+84.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8D5N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8N50NZONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 130W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8N50NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.77 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+132.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8N50NZonsemi / FairchildMOSFETs UNIFET2 500V
на замовлення 7504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+163.50 грн
10+103.43 грн
25+76.70 грн
100+61.43 грн
250+55.99 грн
500+49.02 грн
1000+45.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8N50NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPA-40Festo CorporationDescription: FLANGE MOUNTING
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Valves
Type: Flange
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPBS324FEaton ElectricalDisconnect Switches FDPBS 324F 200A Switch Final Assembly
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPBS324REaton ElectricalDisconnect Switches FDPBS 324R 200A Switch Final Assembly
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPBS364FEaton ElectricalDisconnect Switches FDPBS 364F 200A Switch Final Assembly
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPBS364JEaton ElectricalDisconnect Switches FDPBS 364J 200A Switch Final Assembly
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPBS364REaton ElectricalDisconnect Switches FDPBS 364R 200A Switch Final Assembly
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPBT3644JEaton ElectricalDisconnect Switches FDPBT 3644J 200A SW Twin Final ASSY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC1002SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Ta), 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 20A (Tc), 27A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @13V, 4335pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V, 1.8mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 64nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Obsolete
на замовлення 10941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
519+39.15 грн
Мінімальне замовлення: 519
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC1002SON Semiconductor / FairchildMOSFET
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC1002SONSEMIDescription: ONSEMI - FDPC1002S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC1012SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta), 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 35A (Tc), 26A (Ta), 88A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V, 3456pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V, 2.2mOhm @ 23A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: Powerclip-33
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC1012Sonsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC1012SONSEMIDescription: ONSEMI - FDPC1012S - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC1012SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta), 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 35A (Tc), 26A (Ta), 88A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V, 3456pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V, 2.2mOhm @ 23A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
на замовлення 6672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
478+42.53 грн
Мінімальне замовлення: 478
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC1012S-PONSEMIDescription: ONSEMI - FDPC1012S-P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 26162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC1012S-PonsemiDescription: POWERTRENCH POWER CLIP 25V ASYME
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Ta), 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 35A (Tc), 26A (Ta), 88A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V, 3456pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V, 2.2mOhm @ 23A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: Powerclip-33
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC1012S-Ponsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC3D5N025X9DonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 74A 12PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 26W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.01mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC3D5N025X9DON Semiconductor / FairchildMOSFET Gaming/DT/Notebook/ NVDC/Server
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC4044ON SemiconductorFDPC4044 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 27A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC4044onsemiDescription: MOSFET 2N-CH POWERCLIP-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3215pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC4044onsemi / FairchildMOSFET Common Drain N-Chan Power Trench MOSFET
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC4044ON SemiconductorFDPC4044 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 27A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R - Arrow.com
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+310.86 грн
10+252.14 грн
25+249.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC4044-PON SemiconductorFDPC4044-P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC4044-PonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC4044-PonsemiON Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 33319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
323+100.19 грн
500+90.17 грн
1000+83.15 грн
10000+71.49 грн
Мінімальне замовлення: 323
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+70.00 грн
188+68.92 грн
191+67.84 грн
194+64.38 грн
250+58.64 грн
500+55.37 грн
1000+54.44 грн
Мінімальне замовлення: 185
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SGONSEMIDescription: ONSEMI - FDPC5018SG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 109 A, 109 A, 0.0014 ohm
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 109A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 29W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 29W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.76 грн
500+63.22 грн
1500+57.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 18618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
323+100.19 грн
500+90.17 грн
1000+83.15 грн
10000+71.49 грн
Мінімальне замовлення: 323
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W, 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 32A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+58.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SGonsemiMOSFETs PT8+ N & PT8 N
на замовлення 2729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.16 грн
10+121.07 грн
100+72.51 грн
500+59.61 грн
1000+57.59 грн
3000+50.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
323+100.19 грн
500+90.17 грн
1000+83.15 грн
Мінімальне замовлення: 323
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SGONSEMIDescription: ONSEMI - FDPC5018SG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 109 A, 109 A, 0.0014 ohm
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 109A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 29W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 29W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+100.05 грн
50+88.67 грн
100+74.76 грн
500+63.22 грн
1500+57.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 17619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
323+100.19 грн
500+90.17 грн
1000+83.15 грн
10000+71.49 грн
Мінімальне замовлення: 323
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 16241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
323+100.19 грн
500+90.17 грн
1000+83.15 грн
10000+71.49 грн
Мінімальне замовлення: 323
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+73.84 грн
25+72.68 грн
100+68.98 грн
250+62.83 грн
500+59.33 грн
1000+58.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W, 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 32A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active
на замовлення 7743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.99 грн
10+90.11 грн
100+70.45 грн
500+64.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5030SGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W, 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active
на замовлення 7980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.84 грн
10+85.58 грн
100+57.90 грн
500+43.20 грн
1000+40.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5030SGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 56A/84A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5030SGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W, 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5030SG
Код товару: 139909
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5030SGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 56A/84A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5030SGONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 56/84A; 23/25W; PQFN8
Mounting: SMD
Case: PQFN8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17/39nC
On-state resistance: 5/2.4mΩ
Power dissipation: 23/25W
Gate-source voltage: ±20/±12V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 56/84A
Semiconductor structure: asymmetric
Polarisation: unipolar
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+75.92 грн
10+63.78 грн
100+55.39 грн
500+50.36 грн
1000+47.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5030SGonsemiMOSFETs PT8+ N & PT8 N
на замовлення 3848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.17 грн
10+63.42 грн
100+42.04 грн
500+37.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8011SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 13A/27A 8-Pin Power Clip 33 T/R
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+325.80 грн
10+285.70 грн
25+280.17 грн
100+220.47 грн
250+185.94 грн
500+164.44 грн
1000+141.60 грн
3000+139.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8011Sonsemi / FairchildMOSFETs 25V Asymmetric 2xNCh MOSFET PowerTrench
на замовлення 3175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+176.52 грн
10+125.89 грн
100+92.04 грн
500+87.15 грн
1000+85.06 грн
3000+40.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8011SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta), 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 20A (Tc), 27A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 13V, 4335pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V, 1.8mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 64nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
на замовлення 1732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+306.70 грн
10+195.03 грн
100+138.16 грн
500+120.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8011SONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 20/60A; 1.6/2W; PQFN8
Kind of channel: enhancement
Case: PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19/64nC
On-state resistance: 6/1.8mΩ
Power dissipation: 1.6/2W
Drain current: 20/60A
Drain-source voltage: 25V
Semiconductor structure: asymmetric
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8011SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 13A/27A 8-Pin Power Clip 33 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+322.20 грн
10+282.56 грн
25+277.12 грн
100+218.15 грн
250+183.97 грн
500+162.70 грн
1000+140.10 грн
3000+137.97 грн
6000+130.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8011SonsemiMOSFETs 25V Asymmetric 2xNCh MOSFET PowerTrench
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.99 грн
10+149.94 грн
100+85.76 грн
500+74.60 грн
1000+70.42 грн
3000+44.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8011SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta), 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 20A (Tc), 27A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 13V, 4335pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V, 1.8mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 64nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8011SONSEMIDescription: ONSEMI - FDPC8011S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0012 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 60
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8011SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 13A/27A 8-Pin Power Clip 33 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8011S-AU01onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta), 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 20A (Tc), 27A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 13V, 4335pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V, 1.8mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 64nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: Powerclip-33
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.16 грн
10+179.39 грн
100+126.47 грн
500+97.48 грн
1000+90.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8011S-AU01onsemiMOSFET PT8 N 25/12 & PT8 N 25/12
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8011S-AU01onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta), 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 20A (Tc), 27A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 13V, 4335pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V, 1.8mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 64nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+97.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8012SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8012SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8012SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+109.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8012SonsemiMOSFETs 25V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.08 грн
10+80.98 грн
100+47.06 грн
500+37.23 грн
1000+34.23 грн
3000+32.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8012SONSEMIDescription: ONSEMI - FDPC8012S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 111973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+161.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8012SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8012SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
на замовлення 2947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.27 грн
10+84.14 грн
100+56.68 грн
500+42.15 грн
1000+38.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8012SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8012SONN
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8012SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
на замовлення 4951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.85 грн
10+172.22 грн
100+126.32 грн
500+99.64 грн
1000+98.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8012Sonsemi / FairchildMOSFETs 25V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
на замовлення 2928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.83 грн
10+80.98 грн
100+47.06 грн
500+37.93 грн
1000+34.16 грн
3000+30.33 грн
6000+29.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8012SONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 35/88A; 1.6/2W; PQFN8
Kind of channel: enhancement
Case: PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8/25nC
On-state resistance: 7/2.2mΩ
Power dissipation: 1.6/2W
Drain current: 35/88A
Drain-source voltage: 25V
Semiconductor structure: asymmetric
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8013SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8013Sonsemi / FairchildMOSFETs Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+175.70 грн
10+111.45 грн
100+66.59 грн
500+53.20 грн
1000+52.57 грн
3000+44.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8013SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.43 грн
10+104.84 грн
100+71.71 грн
500+53.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8013SonsemiMOSFETs Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic
на замовлення 2483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+175.70 грн
10+111.45 грн
100+66.59 грн
500+53.13 грн
1000+52.57 грн
3000+49.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8013SONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 20/55A; 1.6/2W; PQFN8
Kind of channel: enhancement
Case: PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13/44nC
On-state resistance: 6.4/1.9mΩ
Power dissipation: 1.6/2W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 20/55A
Drain-source voltage: 30V
Semiconductor structure: asymmetric
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8014ASON SemiconductorFDPC8014AS ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 25V 20A/40A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.91 грн
10+103.76 грн
25+103.60 грн
100+99.77 грн
250+92.25 грн
500+88.43 грн
1000+88.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8014ASON SemiconductorFDPC8014AS ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 25V 20A/40A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8014ASonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8014ASON SemiconductorFDPC8014AS ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 25V 20A/40A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
на замовлення 1391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+98.65 грн
10+96.73 грн
100+96.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8014ASON SemiconductorFDPC8014AS ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 25V 20A/40A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8014ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active
на замовлення 1943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+130.96 грн
Мінімальне замовлення: 155
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8014ASON Semiconductor / FairchildMOSFET PT9 N 30/12 & PT9 N 25/12S inPowerClip56
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8014SON Semiconductor / FairchildMOSFET PT9N 30/12 & PT9N 25/12
на замовлення 3797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8014SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 20A/41A 8-Pin Power 56 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8014SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 41A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
на замовлення 4744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+238.45 грн
10+149.93 грн
100+104.59 грн
500+79.99 грн
1000+74.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8014SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 20A/41A 8-Pin Power 56 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8014SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 41A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+77.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8016SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 35A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+47.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8016SONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 60/100A; 21/42W; PQFN8
Kind of channel: enhancement
Case: PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25/67nC
On-state resistance: 3.8/1.4mΩ
Power dissipation: 21/42W
Gate-source voltage: ±12V
Drain current: 60/100A
Drain-source voltage: 25V
Semiconductor structure: asymmetric
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8016SON Semiconductor
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8016Sonsemi / FairchildMOSFETs PowerTrench Power Clip 25V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+168.38 грн
10+97.82 грн
100+61.15 грн
500+52.36 грн
1000+47.76 грн
3000+45.39 грн
6000+44.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8016SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 35A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active
на замовлення 4366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.27 грн
10+109.68 грн
100+74.98 грн
500+56.43 грн
1000+52.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8016SonsemiMOSFETs PowerTrench Power Clip 25V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+167.57 грн
10+105.84 грн
100+63.59 грн
500+53.34 грн
3000+45.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8016SONSEMIDescription: ONSEMI - FDPC8016S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 27471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+76.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF 4001 EHFIBRE DATADescription: FIBRE DATA - FDPF 4001 EH - Glasfaserkabel, Einmodenfaser, 1mm, 1 Faser(n), 2.2 mm, 65 ft, 20 m
tariffCode: 85447000
Anzahl der Fasern: 1Fibres
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Länge auf Rolle (metrisch): 20m
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Länge auf Rolle (imperial): 65ft
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Außendurchmesser: 2.2mm
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1533.34 грн
5+1484.53 грн
10+1461.75 грн
50+1336.95 грн
100+1214.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF 4001 EH (100M)FIBRE DATADescription: FIBRE DATA - FDPF 4001 EH (100M) - Glasfaserkabel, Polymerfaser, 1mm, 1 Faser(n), 2.2 mm, 328 ft, 100 m
tariffCode: 85447000
Faserdurchmesser: 1mm
Fasertyp: Polymerfaser
Länge auf Rolle (metrisch): 100m
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Mantelmaterial: PE
Länge auf Rolle (imperial): 328ft
usEccn: EAR99
Mantelfarbe: Grau
euEccn: NLR
Außendurchmesser: 2.2mm
Anzahl der Fasern: 1Fibres
Produktpalette: FDPF Series
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9165.04 грн
5+8414.24 грн
10+7662.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF 4002 EHFIBRE DATADescription: FIBRE DATA - FDPF 4002 EH - Glasfaserkabel, Polymer, Duplex, Polymerfaser, 1mm, 2 Faser(n), 4.4 mm, 65 ft, 20 m
tariffCode: 85447000
Faserdurchmesser: 1mm
Fasertyp: Polymerfaser
Länge auf Rolle (metrisch): 20m
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Mantelmaterial: PE
Länge auf Rolle (imperial): 65ft
usEccn: EAR99
Mantelfarbe: Grau
euEccn: NLR
Außendurchmesser: 4.4mm
Anzahl der Fasern: 2Fibres
Produktpalette: FDPF Series
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3183.00 грн
5+2922.69 грн
10+2661.58 грн
50+2298.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF 4002 EH (100M)FIBRE DATADescription: FIBRE DATA - FDPF 4002 EH (100M) - Glasfaserkabel, Polymerfaser, 1mm, 2 Faser(n), 4.4 mm, 328 ft, 100 m
tariffCode: 85447000
Faserdurchmesser: 1mm
Fasertyp: Polymerfaser
Länge auf Rolle (metrisch): 100m
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Mantelmaterial: PE
Länge auf Rolle (imperial): 328ft
usEccn: EAR99
Mantelfarbe: Grau
euEccn: NLR
Außendurchmesser: 4.4mm
Anzahl der Fasern: 2Fibres
Produktpalette: FDPF Series
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17158.73 грн
5+15752.29 грн
10+14345.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF-210-05RAUTONICSCategory: Fiber-Optic Sensors
Description: Sensor: fiber-optic; Range: 0÷70mm; Oper.mode: diffuse-reflective
Type of sensor: fiber-optic
Range: 0...70mm
Operation mode: diffuse-reflective
Cable length: 1m
Related items: BF5R-D1-N; BF5R-D1-P; BF5R-S1-N; BF5R-S1-P; BFX-D1-N; BFX-D1-P
Operating temperature: -30...70°C
Sensors features: flexible
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+8346.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF035N06BFairchild SemiconductorDescription: 88A, 60V, 0.0035OHM, N CHANNEL ,
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 177137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+121.71 грн
Мінімальне замовлення: 166
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF035N06BONSEMIDescription: ONSEMI - FDPF035N06B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 177137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+107.37 грн
Мінімальне замовлення: 292
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF035N06B-F152onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 88A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 46.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF035N06B-F154onsemiMOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.07 грн
10+155.55 грн
100+99.70 грн
500+85.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF035N06B-F154onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 88A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 46.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 30 V
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.87 грн
10+156.13 грн
100+109.30 грн
500+83.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF035N06B-F154ON SemiconductorN Channel Power Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF035N06B_F152Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 88A TO220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 46.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF041N06BL1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF041N06BL1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF041N06BL1Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 77A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 77A, 10V
Power Dissipation (Max): 44.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5690 pF @ 30 V
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
315+82.24 грн
Мінімальне замовлення: 315
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF041N06BL1onsemi / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET 60 V, 77 A, 4.1 mO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF041N06BL1-F154ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 77A TO220F-3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF041N06BL1-F154onsemiMOSFET FET 60V 4.1 MOHM TO220F
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.54 грн
10+115.46 грн
100+80.18 грн
250+76.70 грн
500+67.42 грн
1000+57.38 грн
2000+54.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF041N06BL1-F154ON SemiconductorN Channel Power Trench MOSFET 60 V, 77 A, 4.1 m
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF045N10AON Semiconductor
на замовлення 10662 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF045N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 67A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF045N10AONSEMIDescription: ONSEMI - FDPF045N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67 A, 3700 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+375.00 грн
10+201.73 грн
100+187.90 грн
500+157.87 грн
1000+142.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF045N10AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 67A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+340.43 грн
50+170.72 грн
100+155.53 грн
500+121.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF045N10AonsemiMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+329.44 грн
10+184.42 грн
100+145.72 грн
500+118.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF045N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 67A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF085N10Aonsemi / FairchildMOSFETs 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
на замовлення 1599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.73 грн
10+101.03 грн
100+84.37 грн
500+82.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF085N10AONSEMIDescription: ONSEMI - FDPF085N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0065 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 33.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.3
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+237.52 грн
10+202.55 грн
100+172.45 грн
500+132.18 грн
1000+100.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF085N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.64 грн
10+162.35 грн
100+137.36 грн
500+120.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF085N10AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 33.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2695 pF @ 50 V
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.38 грн
50+117.97 грн
100+106.77 грн
500+81.79 грн
1000+75.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF085N10AonsemiMOSFETs 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
на замовлення 1577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+256.23 грн
10+128.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF085N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+164.86 грн
86+151.52 грн
101+128.21 грн
500+112.26 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF085N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF10N50FTON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF10N50FTonsemi / FairchildMOSFET UniFET 500V 10A
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.17 грн
10+127.49 грн
25+104.59 грн
100+88.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF10N50FTFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+85.30 грн
Мінімальне замовлення: 235
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF10N50UTonsemi / FairchildMOSFET 500V 8A N-Chan UniFET
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.93 грн
10+136.31 грн
25+112.25 грн
100+95.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF10N50UTonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF10N50UTONSEMIDescription: ONSEMI - FDPF10N50UT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF10N60NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1475 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF10N60NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDPF10N60NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.64 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 10
Rds(on)-Messspannung Vgs: 640
Verlustleistung Pd: 38
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.64
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+251.35 грн
10+213.94 грн
100+182.21 грн
500+138.98 грн
1000+105.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF10N60NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF10N60NZonsemi / FairchildMOSFETs 600V N-Chan MOSFET UniFET-II
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF10N60NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF10N60ZUTFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 25 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+200.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N35Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 350V 12A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 31.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
на замовлення 1458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
523+42.63 грн
Мінімальне замовлення: 523
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N35ONSEMIDescription: ONSEMI - FDPF12N35 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
629+49.70 грн
Мінімальне замовлення: 629
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50FTonsemi / FairchildMOSFET 500V N-Channel
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+182.21 грн
10+161.97 грн
25+115.04 грн
100+102.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50FTONSEMIDescription: ONSEMI - FDPF12N50FT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.59 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.59
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50FTFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395 pF @ 25 V
на замовлення 24145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
272+73.33 грн
Мінімальне замовлення: 272
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50NZonsemi / FairchildMOSFETs UNIFET2 500V N-CH MOSFET SINGLE GAGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+50.50 грн
50+48.49 грн
100+48.36 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50NZFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+92.00 грн
Мінімальне замовлення: 218
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDPF12N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.46 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.94 грн
10+133.40 грн
100+105.75 грн
500+86.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
338+95.51 грн
500+91.45 грн
1000+86.37 грн
Мінімальне замовлення: 338
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 25 V
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.27 грн
50+84.21 грн
100+75.81 грн
500+57.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
338+95.51 грн
500+91.45 грн
Мінімальне замовлення: 338
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50NZTonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50TON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+69.06 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50TonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.77 грн
50+107.80 грн
100+97.45 грн
500+74.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50TONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 0.65Ω
Kind of channel: enhancement
Technology: UniFET™
Drain current: 6.9A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
на замовлення 172 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+119.18 грн
10+104.91 грн
50+94.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50TON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
421+30.71 грн
422+30.60 грн
427+30.25 грн
429+29.06 грн
500+26.68 грн
Мінімальне замовлення: 421
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50Tonsemi / FairchildMOSFET 500V N-Channel
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.53 грн
10+157.16 грн
100+110.16 грн
250+108.77 грн
500+94.13 грн
1000+90.64 грн
2000+89.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50TONSEMIDescription: ONSEMI - FDPF12N50T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.55 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.55
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50TON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+87.38 грн
23+32.78 грн
25+31.26 грн
100+28.83 грн
500+27.44 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50UTonsemi / FairchildMOSFETs 500V 10A N-Chan Ultra FRFET
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.84 грн
10+133.10 грн
250+107.37 грн
500+97.61 грн
1000+55.50 грн
2000+54.80 грн
5000+54.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50UTONSEMIDescription: ONSEMI - FDPF12N50UT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.65 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET Ultra FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.65
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50UTonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N60NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 6895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+146.18 грн
114+114.21 грн
118+109.80 грн
500+96.59 грн
1000+83.95 грн
Мінімальне замовлення: 89
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N60NZ
Код товару: 216909
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N60NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N60NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+165.00 грн
250+124.51 грн
500+108.31 грн
1000+97.13 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N60NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1676 pF @ 25 V
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.92 грн
50+103.32 грн
100+93.28 грн
500+71.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N60NZONS/FAIMOSFET N-CH 600V 12A TO220F Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N60NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N60NZonsemiMOSFETs UNIFET2 600V N-CH MOSFET SINGLE GAGE
на замовлення 12478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+225.32 грн
10+110.65 грн
100+79.48 грн
500+67.77 грн
1000+62.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N60NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 6900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+156.57 грн
10+122.32 грн
100+117.61 грн
500+103.45 грн
1000+89.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N60NZONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 240W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 240W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+142.80 грн
10+108.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N60NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDPF12N60NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.53 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+303.41 грн
10+196.85 грн
100+143.98 грн
500+112.55 грн
1000+96.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF13N50FTFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 22039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+96.00 грн
Мінімальне замовлення: 209
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF13N50FTFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+129.07 грн
500+116.16 грн
1000+107.25 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF13N50FTonsemi / FairchildMOSFETs 500V N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF13N50FTON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+129.07 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF13N50FTONSEMIDescription: ONSEMI - FDPF13N50FT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 12 A, 0.42 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET FRFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.42ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+174.08 грн
10+139.10 грн
100+111.44 грн
500+85.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF13N50FTON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 21756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+129.07 грн
500+116.16 грн
1000+107.25 грн
10000+92.21 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF13N50FTonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF13N50FT
Код товару: 67232
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF13N50FTFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+129.07 грн
500+116.16 грн
1000+107.25 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.