Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDP22N50N
FDP22N50N

FDP22N50N ON Semiconductor

3653988336198750fdp22n50n-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP22N50N ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDP22N50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.185 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 22, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 312.5, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 312.5, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: UniFET II, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції FDP22N50N за ціною від 128.45 грн до 363.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDP22N50N FDP22N50N Виробник : ONSEMI 2729314.pdf Description: ONSEMI - FDP22N50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.185 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 312.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312.5
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+277.10 грн
10+249.82 грн
100+204.63 грн
500+161.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP22N50N FDP22N50N Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE91A81D4CFE259&compId=FDP22N50N.pdf?ci_sign=d78cca91e5c318fcd01fc984ce6f1c626cac85a7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.2A; 312.5W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.2A
Power dissipation: 312.5W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+289.89 грн
6+177.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP22N50N FDP22N50N Виробник : onsemi fdp22n50n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 312.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+336.27 грн
50+190.03 грн
100+167.05 грн
500+135.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP22N50N FDP22N50N Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE91A81D4CFE259&compId=FDP22N50N.pdf?ci_sign=d78cca91e5c318fcd01fc984ce6f1c626cac85a7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.2A; 312.5W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.2A
Power dissipation: 312.5W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+347.87 грн
6+221.00 грн
15+201.41 грн
50+194.76 грн
100+193.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP22N50N FDP22N50N Виробник : onsemi / Fairchild FDP22N50N-D.PDF MOSFETs UniFETII 500V 22A
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+363.56 грн
10+210.65 грн
100+160.37 грн
500+138.33 грн
1000+128.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP22N50N FDP22N50N
Код товару: 60060
Додати до обраних Обраний товар

fdp22n50n-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP22N50N FDP22N50N Виробник : ON Semiconductor fdp22n50n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP22N50N FDP22N50N Виробник : ON Semiconductor fdp22n50n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.