FDP22N50N ON Semiconductor
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 137.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP22N50N ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDP22N50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.185 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 22, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 312.5, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 312.5, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: UniFET II, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції FDP22N50N за ціною від 115.77 грн до 369.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDP22N50N | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FDP22N50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.185 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85413000 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 22 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 312.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 euEccn: NLR Verlustleistung: 312.5 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: UniFET II productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185 SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDP22N50N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 2365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDP22N50N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 2364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDP22N50N | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 312.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V |
на замовлення 793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDP22N50N | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs UniFETII 500V 22A |
на замовлення 2614 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDP22N50N | Виробник : ONSEMI |
FDP22N50N THT N channel transistors |
на замовлення 33 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
FDP22N50N Код товару: 60060
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||
|
|
FDP22N50N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FDP22N50N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |