Продукція > FDP > FDP2552_NL

FDP2552_NL


FAIR-S-A0001350337-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник:

на замовлення 1717 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP2552_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 16A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 37A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції FDP2552_NL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDP2552_NL FDP2552_NL Виробник : Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0001350337-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 37A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.