FDP26N40

FDP26N40 onsemi / Fairchild


FDP26N40_D-2312565.pdf Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 400V N-Channel
на замовлення 2747 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+248.02 грн
10+220.46 грн
25+180.52 грн
100+156.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP26N40 onsemi / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 400V 26A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 265W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3185 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDP26N40

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDP26N40 FDP26N40 Виробник : ON Semiconductor fdp26n40-d.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP26N40 Виробник : ONSEMI fdp26n40-d.pdf FDP26N40 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP26N40 FDP26N40 Виробник : onsemi fdp26n40-d.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 26A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 265W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3185 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.