FDP26N40

FDP26N40 onsemi / Fairchild


FDP26N40_D-2312565.pdf
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 400V N-Channel
на замовлення 2747 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+233.83 грн
10+207.85 грн
25+170.19 грн
100+147.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP26N40 onsemi / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 400V 26A TO220-3, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3185 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 265W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 13A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole.

Інші пропозиції FDP26N40

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDP26N40 Виробник : ONS/FAI fdp26n40-d.pdf MOSFET N-CH 400V 26A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP26N40 FDP26N40 Виробник : onsemi fdp26n40-d.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 26A TO220-3
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3185 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 265W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.