Продукція > ONSEMI > FDP3632
FDP3632

FDP3632 onsemi

fdp3632-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 5602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+309.88 грн
50+153.69 грн
100+139.69 грн
500+108.07 грн
1000+100.68 грн
2000+99.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP3632 onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 310W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDP3632

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDP3632 ONS/FAI FDB3632%2C%20FDP3632%2C%20FDI3632%2C%20FDH3632.pdf Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3632 FDP3632 onsemi fdp3632-d.pdf MOSFETs 100V 80a .9 Ohms/VGS=1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3632 FDP3632 ONSEMI FDB3632.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 310W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 310W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3632 FDP3632 ON Semiconductor fdp3632d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3632 FDB3632%2C%20FDP3632%2C%20FDI3632%2C%20FDH3632.pdf
Виробник: ONS/FAI
Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3632 fdp3632-d.pdf
FDP3632
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V 80a .9 Ohms/VGS=1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3632 FDB3632.pdf
FDP3632
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 310W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 310W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3632 fdp3632d.pdf
FDP3632
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.