Продукція > ONSEMI > FDP3632
FDP3632

FDP3632 ONSEMI

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDE33690743E28&compId=FDB3632.pdf?ci_sign=b3680f3107d38a415f18e5077e2c8328a1368657 Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 310W; TO220AB
Mounting: THT
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 110nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+293.09 грн
6+160.54 грн
16+152.13 грн
50+149.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP3632 ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 310W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDP3632 за ціною від 101.76 грн до 356.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDP3632 FDP3632 Виробник : onsemi fdp3632-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+308.82 грн
50+152.85 грн
100+138.93 грн
500+107.49 грн
1000+101.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3632 FDP3632 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDE33690743E28&compId=FDB3632.pdf?ci_sign=b3680f3107d38a415f18e5077e2c8328a1368657 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 310W; TO220AB
Mounting: THT
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 110nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+351.71 грн
6+200.06 грн
16+182.56 грн
50+179.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3632 FDP3632 Виробник : onsemi / Fairchild fdp3632-d.pdf MOSFETs 100V 80a .9 Ohms/VGS=1V
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+356.19 грн
25+180.62 грн
100+143.11 грн
500+118.89 грн
1000+117.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3632 FDP3632 Виробник : ON Semiconductor fdp3632-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3632 FDP3632 Виробник : ON Semiconductor fdp3632-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.