Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDPF12N60NZ

FDPF12N60NZ

FDPF12N60NZ-D.PDF
Код товару: 216909
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDPF12N60NZ за ціною від 72.23 грн до 306.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ ON Semiconductor fdpf12n60nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 6900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+159.78 грн
10+124.83 грн
100+120.02 грн
500+105.57 грн
1000+91.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ ON Semiconductor fdpf12n60nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 6895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+159.83 грн
114+124.87 грн
118+120.06 грн
500+105.61 грн
1000+91.79 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ ONSEMI FDPF12N60NZ-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 240W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 240W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+175.94 грн
10+113.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ ON Semiconductor fdpf12n60nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+180.41 грн
250+136.14 грн
500+118.43 грн
1000+106.20 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ onsemi FDPF12N60NZ-D.PDF Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1676 pF @ 25 V
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.36 грн
50+105.05 грн
100+94.84 грн
500+72.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ onsemi FDPF12N60NZ-D.PDF MOSFETs UNIFET2 600V N-CH MOSFET SINGLE GAGE
на замовлення 12450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+227.27 грн
10+111.61 грн
100+80.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ ONSEMI ONSM-S-A0003584576-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDPF12N60NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.53 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+306.03 грн
10+198.55 грн
100+145.22 грн
500+113.52 грн
1000+97.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ ON Semiconductor fdpf12n60nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N60NZ fdpf12n60nz-d.pdf
FDPF12N60NZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 6900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+159.78 грн
10+124.83 грн
100+120.02 грн
500+105.57 грн
1000+91.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N60NZ fdpf12n60nz-d.pdf
FDPF12N60NZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 6895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
89+159.83 грн
114+124.87 грн
118+120.06 грн
500+105.61 грн
1000+91.79 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ-D.PDF
FDPF12N60NZ
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 240W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 240W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+175.94 грн
10+113.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N60NZ fdpf12n60nz-d.pdf
FDPF12N60NZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
79+180.41 грн
250+136.14 грн
500+118.43 грн
1000+106.20 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ-D.PDF
FDPF12N60NZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1676 pF @ 25 V
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+218.36 грн
50+105.05 грн
100+94.84 грн
500+72.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ-D.PDF
FDPF12N60NZ
Виробник: onsemi
MOSFETs UNIFET2 600V N-CH MOSFET SINGLE GAGE
на замовлення 12450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+227.27 грн
10+111.61 грн
100+80.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N60NZ ONSM-S-A0003584576-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDPF12N60NZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF12N60NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.53 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+306.03 грн
10+198.55 грн
100+145.22 грн
500+113.52 грн
1000+97.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N60NZ fdpf12n60nz-d.pdf
FDPF12N60NZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

100uF 25V ESX 6,3x11mm (low imp.) (ESX101M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 31676
7 Додати до обраних Обраний товар
ESX_080418.pdf
100uF 25V ESX 6,3x11mm (low imp.) (ESX101M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: ESX
Тип: низькоімпедансні з довгим терміном служби
Темп.діап.: -55...+105°C
Габарити: 6,3х11mm
у наявності: 1965 шт
1816 шт - склад
148 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 10030 шт
30 шт - очікується
10000 шт - очікується
КількістьЦіна
8+2.50 грн
10+2.00 грн
100+1.60 грн
1000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF
Код товару: 25094
16 Додати до обраних Обраний товар
irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 1385 шт
1273 шт - склад
30 шт - РАДІОМАГ-Київ
46 шт - РАДІОМАГ-Львів
36 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна
1+30.00 грн
10+29.00 грн
100+28.00 грн
1000+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
22uF 50V EXR 6,3x11mm (low imp.) (EXR220M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 17714
3 Додати до обраних Обраний товар
EXR_080421.pdf
22uF 50V EXR 6,3x11mm (low imp.) (EXR220M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 22 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 6,3х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 6051 шт
5674 шт - склад
61 шт - РАДІОМАГ-Київ
185 шт - РАДІОМАГ-Львів
131 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 60 шт
60 шт - очікується
КількістьЦіна
10+2.00 грн
14+1.50 грн
100+1.10 грн
1000+0.80 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4,7uF 50V EXR 5x11mm (low imp.) (EXR4R7M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 11561
2 Додати до обраних Обраний товар
EXR_080421.pdf
4,7uF 50V EXR 5x11mm (low imp.) (EXR4R7M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 4,7 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 4040 шт
3685 шт - склад
120 шт - РАДІОМАГ-Київ
213 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
19 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
10+2.00 грн
15+1.40 грн
100+1.10 грн
1000+0.80 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
100uF 50V EXR 10x12,5mm (low imp.) (EXR101M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 2439
5 Додати до обраних Обраний товар
EXR_080421.pdf
100uF 50V EXR 10x12,5mm (low imp.) (EXR101M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х12,5mm
Строк життя: 5000 годин
у наявності: 2603 шт
2265 шт - склад
176 шт - РАДІОМАГ-Київ
100 шт - РАДІОМАГ-Львів
62 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
6+3.50 грн
10+3.00 грн
100+2.60 грн
1000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.