Продукція > ONSEMI > FDPF2D3N10C
FDPF2D3N10C

FDPF2D3N10C onsemi

fdp2d3n10c-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 222A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11180 pF @ 50 V
на замовлення 721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+533.25 грн
10+348.10 грн
100+254.11 грн
500+201.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDPF2D3N10C onsemi

Description: ONSEMI - FDPF2D3N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 222 A, 2100 µohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 222A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDPF2D3N10C за ціною від 234.89 грн до 592.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDPF2D3N10C FDPF2D3N10C Виробник : onsemi / Fairchild FC7E3CE37D845FBC55C35CE5E474EA3BE78F00092D36B9B74D336E40D0259539.pdf MOSFETs PTNG N-CH 100V/120V
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+547.17 грн
10+408.74 грн
100+275.84 грн
500+234.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF2D3N10C FDPF2D3N10C Виробник : ONSEMI 2310546.pdf Description: ONSEMI - FDPF2D3N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 222 A, 2100 µohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 222A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+583.33 грн
10+453.32 грн
100+352.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF2D3N10C Виробник : ONSEMI fdp2d3n10c-d.pdf FDPF2D3N10C THT N channel transistors
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+592.87 грн
4+371.84 грн
9+351.56 грн
100+351.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF2D3N10C FDPF2D3N10C Виробник : ON Semiconductor 3658378775715742fdp2d3n10c.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 222A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF2D3N10C FDPF2D3N10C Виробник : ON Semiconductor fdp2d3n10cd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 222A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.