Продукція > ONSEMI > FDPF2D3N10C
FDPF2D3N10C

FDPF2D3N10C ONSEMI

fdp2d3n10c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 157A; Idm: 888A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 157A
Pulsed drain current: 888A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+469.51 грн
5+355.73 грн
10+318.50 грн
25+289.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDPF2D3N10C ONSEMI

Description: ONSEMI - FDPF2D3N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 222 A, 2100 µohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 222A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDPF2D3N10C за ціною від 186.40 грн до 493.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDPF2D3N10C FDPF2D3N10C onsemi fdp2d3n10c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 222A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11180 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220F
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
на замовлення 721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+493.29 грн
10+322.02 грн
100+235.07 грн
500+186.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF2D3N10C FDPF2D3N10C onsemi / Fairchild FC7E3CE37D845FBC55C35CE5E474EA3BE78F00092D36B9B74D336E40D0259539.pdf MOSFETs PTNG N-CH 100V/120V
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF2D3N10C FDPF2D3N10C ONSEMI 2310546.pdf Description: ONSEMI - FDPF2D3N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 222 A, 2100 µohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 222A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF2D3N10C fdp2d3n10c-d.pdf
FDPF2D3N10C
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 222A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11180 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220F
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
на замовлення 721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+493.29 грн
10+322.02 грн
100+235.07 грн
500+186.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF2D3N10C FC7E3CE37D845FBC55C35CE5E474EA3BE78F00092D36B9B74D336E40D0259539.pdf
FDPF2D3N10C
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs PTNG N-CH 100V/120V
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF2D3N10C 2310546.pdf
FDPF2D3N10C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF2D3N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 222 A, 2100 µohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 222A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.