FDPF2D3N10C

FDPF2D3N10C onsemi / Fairchild


FDP2D3N10C_D-3150350.pdf Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs PTNG N-CH 100V/120V
на замовлення 2711 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+506.14 грн
10+352.57 грн
50+305.84 грн
100+230.68 грн
500+227.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDPF2D3N10C onsemi / Fairchild

Description: ONSEMI - FDPF2D3N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 222 A, 0.0021 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 222A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FDPF2D3N10C за ціною від 244.95 грн до 520.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDPF2D3N10C FDPF2D3N10C Виробник : onsemi fdp2d3n10c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 222A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11180 pF @ 50 V
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+511.95 грн
10+358.97 грн
100+262.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF2D3N10C FDPF2D3N10C Виробник : ONSEMI 2310546.pdf Description: ONSEMI - FDPF2D3N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 222 A, 0.0021 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 222A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+520.90 грн
10+387.33 грн
100+282.15 грн
500+244.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF2D3N10C FDPF2D3N10C Виробник : ON Semiconductor 3658378775715742fdp2d3n10c.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 222A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF2D3N10C FDPF2D3N10C Виробник : ON Semiconductor fdp2d3n10cd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 222A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF2D3N10C Виробник : ONSEMI fdp2d3n10c-d.pdf FDPF2D3N10C THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.