Продукція > FAIRCHILD > FDS2572
FDS2572

FDS2572 Fairchild

info-tfds2572.pdf
Виробник: Fairchild
Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 53mOhm; 4,9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS2572 TFDS2572
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20+44.99 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS2572 Fairchild

Description: MOSFET N-CH 150V 4.9A 8SOIC, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.9A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FDS2572 за ціною від 48.31 грн до 183.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS2572 FDS2572 onsemi FAIRS45105-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 150V 4.9A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.51 грн
5000+48.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572 FDS2572 ON Semiconductor fds2572d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+86.57 грн
10+79.16 грн
25+78.74 грн
100+69.92 грн
250+64.09 грн
500+61.02 грн
1000+60.51 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572 FDS2572 ON Semiconductor fds2572d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+86.57 грн
179+79.16 грн
180+78.74 грн
195+69.92 грн
250+64.09 грн
500+61.02 грн
1000+60.51 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572 FDS2572 ON Semiconductor fds2572d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
322+109.80 грн
500+98.82 грн
1000+91.14 грн
Мінімальне замовлення: 322 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572 FDS2572 onsemi FAIRS45105-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 150V 4.9A 8SOIC
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.9A, 10V
на замовлення 14221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.59 грн
10+86.01 грн
100+69.39 грн
500+54.74 грн
1000+50.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572 FDS2572 ONSEMI FDS2572.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3.1A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 53mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+156.80 грн
10+96.50 грн
25+82.96 грн
100+71.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572 FDS2572 onsemi FAIRS45105-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs 150V N-Ch UltraFET Trench
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+183.78 грн
10+115.65 грн
100+69.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572 FAIRS45105-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDS2572
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 4.9A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+50.51 грн
5000+48.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572 fds2572d.pdf
FDS2572
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+86.57 грн
10+79.16 грн
25+78.74 грн
100+69.92 грн
250+64.09 грн
500+61.02 грн
1000+60.51 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572 fds2572d.pdf
FDS2572
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
164+86.57 грн
179+79.16 грн
180+78.74 грн
195+69.92 грн
250+64.09 грн
500+61.02 грн
1000+60.51 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572 fds2572d.pdf
FDS2572
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
322+109.80 грн
500+98.82 грн
1000+91.14 грн
Мінімальне замовлення: 322 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572 FAIRS45105-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDS2572
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 4.9A 8SOIC
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.9A, 10V
на замовлення 14221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+126.59 грн
10+86.01 грн
100+69.39 грн
500+54.74 грн
1000+50.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572 FDS2572.pdf
FDS2572
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3.1A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 53mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+156.80 грн
10+96.50 грн
25+82.96 грн
100+71.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572 FAIRS45105-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDS2572
Виробник: onsemi
MOSFETs 150V N-Ch UltraFET Trench
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+183.78 грн
10+115.65 грн
100+69.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.