Продукція > FAIRCHILD > FDS2572
FDS2572

FDS2572 Fairchild

info-tfds2572.pdf
Виробник: Fairchild
Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 53mOhm; 4,9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS2572 TFDS2572
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+44.10 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS2572 Fairchild

Description: ONSEMI - FDS2572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 4.9 A, 0.047 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDS2572 за ціною від 47.22 грн до 153.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDS2572 FDS2572 onsemi FAIRS45105-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 150V 4.9A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.36 грн
5000+47.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572 FDS2572 ON Semiconductor fds2572d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+86.57 грн
10+79.16 грн
25+78.74 грн
100+69.92 грн
250+64.09 грн
500+61.02 грн
1000+60.51 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572 FDS2572 ON Semiconductor fds2572d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+86.57 грн
179+79.16 грн
180+78.74 грн
195+69.92 грн
250+64.09 грн
500+61.02 грн
1000+60.51 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572 FDS2572 ON Semiconductor fds2572d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
322+109.80 грн
500+98.82 грн
1000+91.14 грн
Мінімальне замовлення: 322 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572 FDS2572 onsemi FAIRS45105-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 150V 4.9A 8SOIC
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.9A, 10V
на замовлення 14221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.71 грн
10+84.06 грн
100+67.81 грн
500+53.49 грн
1000+49.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572 FDS2572 ONSEMI FDS2572.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3.1A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 53mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+153.24 грн
10+94.31 грн
25+81.07 грн
100+70.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572 FDS2572 onsemi FAIRS45105-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs 150V N-Ch UltraFET Trench
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572 FDS2572 ONSEMI ONSM-S-A0003584155-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS2572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 4.9 A, 0.047 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572 FDS2572 ONSEMI ONSM-S-A0003584155-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS2572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 4.9 A, 0.047 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572 FAIRS45105-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDS2572
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 4.9A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+49.36 грн
5000+47.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572 fds2572d.pdf
FDS2572
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+86.57 грн
10+79.16 грн
25+78.74 грн
100+69.92 грн
250+64.09 грн
500+61.02 грн
1000+60.51 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572 fds2572d.pdf
FDS2572
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
164+86.57 грн
179+79.16 грн
180+78.74 грн
195+69.92 грн
250+64.09 грн
500+61.02 грн
1000+60.51 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572 fds2572d.pdf
FDS2572
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
322+109.80 грн
500+98.82 грн
1000+91.14 грн
Мінімальне замовлення: 322 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572 FAIRS45105-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDS2572
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 4.9A 8SOIC
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.9A, 10V
на замовлення 14221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+123.71 грн
10+84.06 грн
100+67.81 грн
500+53.49 грн
1000+49.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572 FDS2572.pdf
FDS2572
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3.1A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 53mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+153.24 грн
10+94.31 грн
25+81.07 грн
100+70.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572 FAIRS45105-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDS2572
Виробник: onsemi
MOSFETs 150V N-Ch UltraFET Trench
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572 ONSM-S-A0003584155-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS2572
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS2572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 4.9 A, 0.047 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572 ONSM-S-A0003584155-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS2572
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS2572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 4.9 A, 0.047 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.