FDS3890

FDS3890 onsemi


fds3890-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+54.02 грн
5000+ 50.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS3890 onsemi

Description: ONSEMI - FDS3890 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.034 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDS3890 за ціною від 51.39 грн до 142.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS3890 FDS3890 Виробник : ON Semiconductor fds3890-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 4.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+55.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS3890 FDS3890 Виробник : onsemi fds3890-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 8565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.79 грн
10+ 95.82 грн
100+ 76.27 грн
500+ 60.57 грн
1000+ 51.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS3890 FDS3890 Виробник : onsemi / Fairchild FDS3890_D-2312873.pdf MOSFET SO-8
на замовлення 22836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+130.78 грн
10+ 107.03 грн
100+ 76.09 грн
250+ 73.37 грн
500+ 63.79 грн
1000+ 54.62 грн
2500+ 53.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS3890 FDS3890 Виробник : ONSEMI fds3890-d.pdf Description: ONSEMI - FDS3890 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+142.51 грн
10+ 107.46 грн
100+ 78.5 грн
500+ 66.45 грн
1000+ 51.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDS3890 Виробник : FAIRCHILD fds3890-d.pdf 07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3890 Виробник : FAIRCHILD fds3890-d.pdf 09+
на замовлення 618 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3890 Виробник : FAIRCHILD fds3890-d.pdf SO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3890 FDS3890
Код товару: 49621
fds3890-d.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
FDS3890 FDS3890 Виробник : ON Semiconductor fds3890-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 4.7A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS3890 FDS3890 Виробник : ONSEMI fds3890-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 4.7A; Idm: 20A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDS3890 FDS3890 Виробник : ONSEMI fds3890-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 4.7A; Idm: 20A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній