Продукція > ONSEMI > FDS3890
FDS3890

FDS3890 onsemi

fds3890-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+55.89 грн
5000+52.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS3890 onsemi

Description: ONSEMI - FDS3890 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.034 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDS3890 за ціною від 55.66 грн до 197.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS3890 FDS3890 Виробник : ON Semiconductor fds3890-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 4.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+59.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3890 FDS3890 Виробник : onsemi / Fairchild FDS3890_D-2312873.pdf MOSFETs SO-8
на замовлення 20675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+163.08 грн
10+115.06 грн
100+71.29 грн
500+59.30 грн
1000+59.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3890 FDS3890 Виробник : onsemi fds3890-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 9627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+188.61 грн
10+117.02 грн
100+80.15 грн
500+60.42 грн
1000+55.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3890 FDS3890 Виробник : ONSEMI fds3890-d.pdf Description: ONSEMI - FDS3890 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+197.24 грн
10+129.57 грн
100+89.13 грн
500+65.45 грн
1000+56.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3890 Виробник : FAIRCHILD fds3890-d.pdf 07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3890 Виробник : FAIRCHILD fds3890-d.pdf 09+
на замовлення 618 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3890 Виробник : FAIRCHILD fds3890-d.pdf SO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3890 FDS3890
Код товару: 49621
Додати до обраних Обраний товар

fds3890-d.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3890 FDS3890 Виробник : ON Semiconductor fds3890-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 4.7A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3890 Виробник : ONSEMI fds3890-d.pdf FDS3890 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.