FDS3890
Код товару: 49621
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FDS3890 за ціною від 49.70 грн до 197.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS3890 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 40V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS3890 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs SO-8 |
на замовлення 20675 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS3890 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 40V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 21618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS3890 | Виробник : onsemi |
MOSFETs SO-8 |
на замовлення 10586 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS3890 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS3890 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.034 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDS3890 | Виробник : FAIRCHILD |
SO-8 |
на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
FDS3890 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 4.7A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| FDS3890 | Виробник : ONS/FAI |
2 N-ChMOSFET, 80 V, 4,7 A, SOIC8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |