Продукція > ONSEMI > FDS4435BZ
FDS4435BZ

FDS4435BZ onsemi

FDS4435BZ-D.PDF Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.42 грн
5000+16.63 грн
7500+16.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS4435BZ onsemi

Description: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDS4435BZ за ціною від 13.29 грн до 75.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS4435BZ FDS4435BZ Виробник : ON Semiconductor fds4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.27 грн
5000+17.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ FDS4435BZ Виробник : ON Semiconductor fds4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ FDS4435BZ Виробник : ON Semiconductor fds4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ FDS4435BZ Виробник : ON Semiconductor fds4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+20.55 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ FDS4435BZ Виробник : ON Semiconductor fds4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.60 грн
5000+23.49 грн
7500+23.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ FDS4435BZ Виробник : ONSEMI 2304326.pdf Description: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 40022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.08 грн
500+25.28 грн
1000+21.81 грн
5000+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ FDS4435BZ Виробник : ON Semiconductor fds4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+38.99 грн
23+31.25 грн
25+30.94 грн
100+26.26 грн
250+18.70 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ FDS4435BZ Виробник : ON Semiconductor fds4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
241+50.31 грн
332+36.50 грн
500+34.88 грн
1000+29.04 грн
2500+26.75 грн
Мінімальне замовлення: 241
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ FDS4435BZ Виробник : UMW 476500aab9f59b1da76fa78cf62f49b7.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.17 грн
10+31.98 грн
100+20.66 грн
500+14.78 грн
1000+13.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ FDS4435BZ Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC7F0EAF8F4259&compId=FDS4435BZ.pdf?ci_sign=4e3b4b27557dd1929c9ebe5eb764fa744f2c0cf7 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+62.77 грн
10+42.22 грн
43+21.82 грн
117+20.56 грн
1000+19.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ
Код товару: 45479
Додати до обраних Обраний товар

FDS4435BZ-D.PDF 476500aab9f59b1da76fa78cf62f49b7.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ FDS4435BZ Виробник : ONSEMI FDS4435BZ-D.PDF 476500aab9f59b1da76fa78cf62f49b7.pdf Description: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 39498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+67.52 грн
22+39.19 грн
100+29.86 грн
500+22.84 грн
1000+19.70 грн
5000+16.21 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ FDS4435BZ Виробник : onsemi FDS4435BZ-D.PDF Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
на замовлення 10675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.52 грн
10+39.85 грн
100+29.14 грн
500+21.89 грн
1000+19.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ FDS4435BZ Виробник : onsemi / Fairchild FDS4435BZ-D.PDF MOSFETs 30V.PCH POWER TRENCH MOSFET
на замовлення 26638 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+69.78 грн
10+39.91 грн
100+26.46 грн
500+21.78 грн
1000+20.34 грн
2500+16.26 грн
5000+15.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ FDS4435BZ Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC7F0EAF8F4259&compId=FDS4435BZ.pdf?ci_sign=4e3b4b27557dd1929c9ebe5eb764fa744f2c0cf7 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.32 грн
10+52.61 грн
43+26.18 грн
117+24.67 грн
1000+23.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ FDS4435BZ Виробник : ON Semiconductor fds4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ Виробник : ON-Semicoductor FDS4435BZ-D.PDF 476500aab9f59b1da76fa78cf62f49b7.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC FDS4435BZ-F085 FDS4435BZ TFDS4435bz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+22.69 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ FDS4435BZ Виробник : UMW 476500aab9f59b1da76fa78cf62f49b7.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.