Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > FDS4435BZ

FDS4435BZ

FDS4435BZ-D.PDF
Код товару: 45479
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS4435BZ

  • Transistor
  • Transistor Polarity:P Channel
  • Continuous Drain Current, Id:-8.8A
  • Drain Source Voltage, Vds:-30V
  • On Resistance, Rds(on):0.02ohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V
  • Threshold Voltage, Vgs Typ:-2.1V

Інші пропозиції FDS4435BZ за ціною від 16.40 грн до 84.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDS4435BZ FDS4435BZ onsemi FDS4435BZ-D.PDF description Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.49 грн
5000+16.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ FDS4435BZ ON-Semiconductor info-tfds4435bz.pdf description Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC FDS4435BZ-F085 FDS4435BZ TFDS4435bz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+25.64 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ FDS4435BZ ONSEMI 2304326.pdf description Description: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 18317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.70 грн
500+24.96 грн
1000+20.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ FDS4435BZ ON Semiconductor fds4435bz-d.pdf description Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+45.18 грн
387+36.64 грн
500+31.37 грн
1000+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ FDS4435BZ ON Semiconductor fds4435bz-d.pdf description Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+52.94 грн
500+33.91 грн
2500+26.25 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ FDS4435BZ ONSEMI FDS4435BZ.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 478 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+69.70 грн
8+53.46 грн
10+46.56 грн
50+31.77 грн
100+27.15 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ FDS4435BZ onsemi FDS4435BZ-D.PDF description Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
на замовлення 43976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.77 грн
10+46.83 грн
100+30.65 грн
500+22.25 грн
1000+20.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ FDS4435BZ onsemi FDS4435BZ-D.PDF description MOSFETs 30V.PCH POWER TRENCH MOSFET
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.30 грн
10+49.55 грн
100+28.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ FDS4435BZ ON Semiconductor fds4435bz-d.pdf description Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+84.52 грн
16+48.20 грн
100+38.16 грн
500+31.03 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ FDS4435BZ ONSEMI 2304326.pdf description Description: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 18317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+84.72 грн
50+51.65 грн
100+34.70 грн
500+24.96 грн
1000+20.81 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ description FDS4435BZ-D.PDF
FDS4435BZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+18.49 грн
5000+16.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ description info-tfds4435bz.pdf
FDS4435BZ
Виробник: ON-Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC FDS4435BZ-F085 FDS4435BZ TFDS4435bz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
30+25.64 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ description 2304326.pdf
FDS4435BZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 18317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+34.70 грн
500+24.96 грн
1000+20.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ description fds4435bz-d.pdf
FDS4435BZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
314+45.18 грн
387+36.64 грн
500+31.37 грн
1000+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ description fds4435bz-d.pdf
FDS4435BZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
268+52.94 грн
500+33.91 грн
2500+26.25 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ description FDS4435BZ.pdf
FDS4435BZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 478 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+69.70 грн
8+53.46 грн
10+46.56 грн
50+31.77 грн
100+27.15 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ description FDS4435BZ-D.PDF
FDS4435BZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
на замовлення 43976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+77.77 грн
10+46.83 грн
100+30.65 грн
500+22.25 грн
1000+20.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ description FDS4435BZ-D.PDF
FDS4435BZ
Виробник: onsemi
MOSFETs 30V.PCH POWER TRENCH MOSFET
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+81.30 грн
10+49.55 грн
100+28.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ description fds4435bz-d.pdf
FDS4435BZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+84.52 грн
16+48.20 грн
100+38.16 грн
500+31.03 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ description 2304326.pdf
FDS4435BZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 18317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+84.72 грн
50+51.65 грн
100+34.70 грн
500+24.96 грн
1000+20.81 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.