FDS4435BZ

FDS4435BZ ON Semiconductor


fds4435bz-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 37500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS4435BZ ON Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDS4435BZ за ціною від 13.36 грн до 102.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS4435BZ FDS4435BZ Виробник : onsemi FAIRS27615-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+17.02 грн
5000+ 15.53 грн
12500+ 14.38 грн
25000+ 13.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4435BZ FDS4435BZ Виробник : ON Semiconductor fds4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+17.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4435BZ FDS4435BZ Виробник : ON Semiconductor fds4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
533+21.6 грн
Мінімальне замовлення: 533
FDS4435BZ FDS4435BZ Виробник : onsemi FAIRS27615-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
на замовлення 33227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.47 грн
10+ 37.36 грн
100+ 25.88 грн
500+ 20.29 грн
1000+ 17.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDS4435BZ FDS4435BZ Виробник : ON Semiconductor fds4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+48.29 грн
15+ 37.99 грн
100+ 28.83 грн
500+ 23.49 грн
1000+ 18.51 грн
Мінімальне замовлення: 12
FDS4435BZ FDS4435BZ Виробник : onsemi / Fairchild FDS4435BZ_D-2313190.pdf MOSFET 30V.PCH POWER TRENCH MOSFET
на замовлення 85507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+48.89 грн
10+ 37.97 грн
100+ 25.06 грн
500+ 21.15 грн
1000+ 18.03 грн
2500+ 15.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDS4435BZ FDS4435BZ Виробник : ONSEMI 2304326.pdf Description: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -999
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+56.75 грн
Мінімальне замовлення: 14
FDS4435BZ FDS4435BZ Виробник : ONSEMI FDS4435BZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+85.53 грн
12+ 31.08 грн
25+ 26.93 грн
37+ 22.1 грн
101+ 20.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS4435BZ FDS4435BZ Виробник : ONSEMI FDS4435BZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1603 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+102.64 грн
7+ 38.73 грн
25+ 32.32 грн
37+ 26.52 грн
101+ 24.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS4435BZ FDS4435BZ Виробник : ONSEMI 673294.pdf Description: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -999
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS4435BZ Виробник : ON-Semicoductor FAIRS27615-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC FDS4435BZ-F085 FDS4435BZ TFDS4435bz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+21.73 грн
Мінімальне замовлення: 30
FDS4435BZ
Код товару: 45479
FAIRS27615-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
FDS4435BZ FDS4435BZ Виробник : ON Semiconductor fds4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4435BZ FDS4435BZ Виробник : ON Semiconductor fds4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній