Технічний опис FDS4435BZ UMW
Description: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FDS4435BZ за ціною від 13.52 грн до 81.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS4435BZ | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS4435BZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS4435BZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS4435BZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 38476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS4435BZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS4435BZ | Виробник : UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS4435BZ | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -8.8A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 910 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS4435BZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 31813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS4435BZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1074 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS4435BZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V |
на замовлення 46909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS4435BZ | Виробник : onsemi |
MOSFETs 30V.PCH POWER TRENCH MOSFET |
на замовлення 555 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDS4435BZ | Виробник : ON-Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC FDS4435BZ-F085 FDS4435BZ TFDS4435bz кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
FDS4435BZ Код товару: 45479
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
| FDS4435BZ | Виробник : ONS/FAI |
MOSFET Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |