Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDS4435BZ
FDS4435BZ

FDS4435BZ ON Semiconductor

fds4435bz-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS4435BZ ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDS4435BZ за ціною від 13.86 грн до 99.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS4435BZ FDS4435BZ Виробник : ON Semiconductor fds4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ FDS4435BZ Виробник : ON Semiconductor fds4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ FDS4435BZ Виробник : onsemi FDS4435BZ-D.PDF Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.28 грн
5000+18.00 грн
7500+17.21 грн
12500+15.33 грн
17500+14.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ FDS4435BZ Виробник : ON Semiconductor fds4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.69 грн
5000+21.07 грн
7500+21.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ FDS4435BZ Виробник : ON Semiconductor fds4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+21.71 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ FDS4435BZ Виробник : ONSEMI 2304326.pdf Description: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 38476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.62 грн
500+24.21 грн
1000+20.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ FDS4435BZ Виробник : ON Semiconductor fds4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
379+33.37 грн
462+27.39 грн
500+27.31 грн
1000+23.00 грн
2500+21.22 грн
Мінімальне замовлення: 379
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ FDS4435BZ Виробник : UMW 476500aab9f59b1da76fa78cf62f49b7.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+55.29 грн
10+33.36 грн
100+21.53 грн
500+15.41 грн
1000+13.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ FDS4435BZ Виробник : ONSEMI FDS4435BZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+60.02 грн
13+34.36 грн
50+27.53 грн
100+25.12 грн
250+22.29 грн
500+21.21 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ
Код товару: 45479
Додати до обраних Обраний товар

FDS4435BZ-D.PDF 476500aab9f59b1da76fa78cf62f49b7.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ FDS4435BZ Виробник : ONSEMI 2304326.pdf Description: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 38476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+71.49 грн
22+41.48 грн
100+31.62 грн
500+24.21 грн
1000+20.81 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ FDS4435BZ Виробник : ONSEMI FDS4435BZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1932 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.02 грн
10+42.81 грн
50+33.04 грн
100+30.15 грн
250+26.75 грн
500+25.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ FDS4435BZ Виробник : onsemi FDS4435BZ-D.PDF Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
на замовлення 67560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.47 грн
10+48.00 грн
100+31.44 грн
500+22.82 грн
1000+20.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ FDS4435BZ Виробник : onsemi FDS4435BZ-D.PDF MOSFETs 30V.PCH POWER TRENCH MOSFET
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+87.30 грн
10+53.91 грн
100+30.67 грн
500+23.72 грн
1000+21.40 грн
2500+19.56 грн
5000+17.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ FDS4435BZ Виробник : ON Semiconductor fds4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+99.49 грн
14+54.78 грн
100+42.94 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ Виробник : ON-Semiconductor FDS4435BZ-D.PDF 476500aab9f59b1da76fa78cf62f49b7.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC FDS4435BZ-F085 FDS4435BZ TFDS4435bz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+24.11 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ FDS4435BZ Виробник : UMW 476500aab9f59b1da76fa78cf62f49b7.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.