Продукція > ONSEMI > FDS4465
FDS4465

FDS4465 onsemi

fds4465-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+47.85 грн
5000+43.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS4465 onsemi

Description: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V.

Інші пропозиції FDS4465 за ціною від 36.50 грн до 165.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDS4465 FDS4465 ON-Semiconductor info-tfds4465.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC FDS4465-F085 FDS4465 TFDS4465
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+71.39 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465 FDS4465 ON Semiconductor fds4465-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+116.39 грн
250+96.14 грн
500+75.66 грн
1000+72.41 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465 FDS4465 onsemi / Fairchild fds4465-d.pdf MOSFETs SO-8
на замовлення 1824 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+123.99 грн
10+92.72 грн
100+57.46 грн
500+46.98 грн
1000+43.90 грн
2500+41.04 грн
5000+36.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465 FDS4465 ONSEMI FDS4465.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -13.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 352 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+138.06 грн
5+100.91 грн
10+88.50 грн
50+63.69 грн
100+62.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465 FDS4465 onsemi fds4465-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
на замовлення 7431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.43 грн
10+102.13 грн
100+69.45 грн
500+52.03 грн
1000+47.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465 FDS4465 ONSEMI FAIR-S-A0002363634-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDS4465 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 506 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465 info-tfds4465.pdf
FDS4465
Виробник: ON-Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC FDS4465-F085 FDS4465 TFDS4465
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+71.39 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465 fds4465-d.pdf
FDS4465
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
123+116.39 грн
250+96.14 грн
500+75.66 грн
1000+72.41 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465 fds4465-d.pdf
FDS4465
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SO-8
на замовлення 1824 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+123.99 грн
10+92.72 грн
100+57.46 грн
500+46.98 грн
1000+43.90 грн
2500+41.04 грн
5000+36.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465 FDS4465.pdf
FDS4465
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -13.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 352 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+138.06 грн
5+100.91 грн
10+88.50 грн
50+63.69 грн
100+62.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465 fds4465-d.pdf
FDS4465
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
на замовлення 7431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+165.43 грн
10+102.13 грн
100+69.45 грн
500+52.03 грн
1000+47.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465 FAIR-S-A0002363634-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDS4465
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4465 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 506 шт
В кошику  од. на суму  грн.