
FDS4465 onsemi

Description: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 49.26 грн |
5000+ | 45.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS4465 onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V.
Інші пропозиції FDS4465 за ціною від 42.92 грн до 170.30 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDS4465 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDS4465 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDS4465 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDS4465 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDS4465 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDS4465 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -13.5A; 2.5W; SO8 Mounting: SMD Drain-source voltage: -20V Drain current: -13.5A On-state resistance: 10.5mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Case: SO8 Kind of package: reel; tape Gate charge: 0.12µC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V |
на замовлення 1266 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDS4465 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 7661 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDS4465 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -13.5A; 2.5W; SO8 Mounting: SMD Drain-source voltage: -20V Drain current: -13.5A On-state resistance: 10.5mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Case: SO8 Kind of package: reel; tape Gate charge: 0.12µC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1266 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDS4465 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V |
на замовлення 7431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
FDS4465 | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
FDS4465 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
FDS4465 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |