FDS4465 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SOIC
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 48.42 грн |
| 5000+ | 44.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS4465 onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Supplier Device Package: 8-SOIC.
Інші пропозиції FDS4465 за ціною від 34.63 грн до 167.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDS4465 | Виробник : ON-Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC FDS4465-F085 FDS4465 TFDS4465кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDS4465 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs SO-8 |
на замовлення 1824 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDS4465 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOICInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 7431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDS4465 | Виробник : ONS/FAI |
P-Channel 20V 13.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
