FDS4465 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SOIC
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 48.07 грн |
| 5000+ | 43.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS4465 onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Supplier Device Package: 8-SOIC.
Інші пропозиції FDS4465 за ціною від 34.38 грн до 166.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDS4465 | ON-Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC FDS4465-F085 FDS4465 TFDS4465кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS4465 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS4465 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs SO-8 |
на замовлення 1824 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS4465 | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -13.5A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -13.5A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 10.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.12µC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 352 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS4465 | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOICInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 7431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FDS4465 |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC FDS4465-F085 FDS4465 TFDS4465
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC FDS4465-F085 FDS4465 TFDS4465
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 72.34 грн |
| FDS4465 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 123+ | 115.62 грн |
| 250+ | 95.50 грн |
| 500+ | 75.16 грн |
| 1000+ | 71.93 грн |
| FDS4465 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SO-8
MOSFETs SO-8
на замовлення 1824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 116.78 грн |
| 10+ | 87.33 грн |
| 100+ | 54.12 грн |
| 500+ | 44.25 грн |
| 1000+ | 41.35 грн |
| 2500+ | 38.66 грн |
| 5000+ | 34.38 грн |
| FDS4465 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -13.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -13.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 352 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 138.71 грн |
| 5+ | 101.38 грн |
| 10+ | 88.91 грн |
| 50+ | 63.98 грн |
| 100+ | 62.32 грн |
| FDS4465 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 166.20 грн |
| 10+ | 102.61 грн |
| 100+ | 69.78 грн |
| 500+ | 52.28 грн |
| 1000+ | 48.03 грн |





