на замовлення 3321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.52 грн |
| 10+ | 57.70 грн |
| 100+ | 41.36 грн |
| 500+ | 34.82 грн |
| 1000+ | 34.36 грн |
| 2500+ | 32.01 грн |
| 10000+ | 31.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS4480 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): +30V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1686 pF @ 20 V.
Інші пропозиції FDS4480 за ціною від 38.97 грн до 128.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDS4480 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 45A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 10.8A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Gate charge: 41nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2328 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS4480 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 45A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 10.8A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Gate charge: 41nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2328 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS4480 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +30V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1686 pF @ 20 V |
на замовлення 803 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| FDS4480 | Виробник : FAIRCHIL |
09+ SOP8 |
на замовлення 1455 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| FDS4480 | Виробник : Fairchild |
|
на замовлення 4863 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| FDS4480 | Виробник : FAIRCHILD |
07+ SO-8 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| FDS4480 | Виробник : FAIRCHILD |
09+ |
на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| FDS4480 | Виробник : FAIRCHILD |
SO-8 |
на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
|
FDS4480 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 10.8A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
FDS4480 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 10.8A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
FDS4480 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +30V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1686 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |



