FDS4559 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 759pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 22.4 грн |
| 5000+ | 20.44 грн |
| 12500+ | 18.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS4559 onsemi
Description: ONSEMI - FDS4559 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -888, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -888, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm, productTraceability: No, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції FDS4559 за ціною від 20.78 грн до 72.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS4559 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDS4559 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS4559 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: -888 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: -888 Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm productTraceability: No Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 6356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDS4559 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 759pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 15097 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDS4559 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 60V/-60V N/P |
на замовлення 6571 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDS4559 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS4559 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm productTraceability: No Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 6326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDS4559 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FDS4559 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
FDS4559 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FDS4559 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |