Продукція > ONSEMI > FDS4559
FDS4559

FDS4559 onsemi

fds4559-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 759pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.00 грн
5000+21.55 грн
7500+19.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS4559 onsemi

Description: ONSEMI - FDS4559 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDS4559 за ціною від 20.77 грн до 106.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS4559 FDS4559 Виробник : ON Semiconductor fds4559-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 FDS4559 Виробник : ON Semiconductor fds4559-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+27.60 грн
5000+25.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 FDS4559 Виробник : ON Semiconductor fds4559-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.54 грн
5000+26.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 FDS4559 Виробник : ON Semiconductor fds4559-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+32.67 грн
23+30.78 грн
100+28.37 грн
500+25.63 грн
1000+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 FDS4559 Виробник : ON Semiconductor fds4559-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+34.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 FDS4559 Виробник : ON Semiconductor fds4559-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
842+36.01 грн
1000+33.20 грн
10000+29.60 грн
Мінімальне замовлення: 842
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 FDS4559 Виробник : ONSEMI 2304388.pdf Description: ONSEMI - FDS4559 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+44.45 грн
500+32.45 грн
1000+27.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 FDS4559 Виробник : ON Semiconductor fds4559-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
194+62.55 грн
201+60.43 грн
288+42.06 грн
295+39.69 грн
500+28.94 грн
1000+20.77 грн
Мінімальне замовлення: 194
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 FDS4559 Виробник : onsemi fds4559-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 759pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 30362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.61 грн
10+55.37 грн
100+36.58 грн
500+26.76 грн
1000+24.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 FDS4559 Виробник : ON Semiconductor fds4559-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+95.33 грн
11+67.02 грн
25+64.75 грн
100+43.46 грн
250+39.37 грн
500+29.77 грн
1000+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 FDS4559 Виробник : onsemi / Fairchild FDS4559-D.PDF MOSFETs 60V/-60V N/P
на замовлення 3648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.80 грн
10+61.13 грн
100+35.16 грн
500+27.67 грн
1000+24.95 грн
2500+22.38 грн
5000+21.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 FDS4559 Виробник : ONSEMI fds4559-d.pdf Description: ONSEMI - FDS4559 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+106.03 грн
50+67.27 грн
100+44.45 грн
500+32.45 грн
1000+27.05 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 FDS4559 Виробник : ON Semiconductor fds4559-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 FDS4559 Виробник : ON Semiconductor fds4559-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.