Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDS4559
FDS4559

FDS4559 ON Semiconductor

fds4559-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
761+46.48 грн
1000+42.85 грн
10000+38.22 грн
Мінімальне замовлення: 761 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 761 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS4559 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS4559 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції FDS4559 за ціною від 27.26 грн до 6760.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDS4559 FDS4559 ON Semiconductor fds4559-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+59.03 грн
16+49.43 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 FDS4559 ONSEMI FDS4559.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 4.5/-3.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55/105mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2098 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+93.93 грн
7+63.07 грн
10+53.09 грн
50+36.90 грн
100+32.62 грн
250+28.68 грн
500+27.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 FDS4559 ON Semiconductor fds4559-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+6760.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 FDS4559 onsemi fds4559-d.pdf MOSFETs 60V/-60V N/P
на замовлення 2262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 FDS4559 ON Semiconductor fds4559-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 FDS4559 ONSEMI 2304388.pdf Description: ONSEMI - FDS4559 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 7769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 FDS4559 ONSEMI 2304388.pdf Description: ONSEMI - FDS4559 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 7769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 FDS4559 ON Semiconductor fds4559-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 fds4559-d.pdf
FDS4559
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+59.03 грн
16+49.43 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 FDS4559.pdf
FDS4559
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 4.5/-3.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55/105mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2098 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+93.93 грн
7+63.07 грн
10+53.09 грн
50+36.90 грн
100+32.62 грн
250+28.68 грн
500+27.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 fds4559-d.pdf
FDS4559
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+6760.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 fds4559-d.pdf
FDS4559
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V/-60V N/P
на замовлення 2262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 fds4559-d.pdf
FDS4559
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 2304388.pdf
FDS4559
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4559 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 7769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 2304388.pdf
FDS4559
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4559 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 7769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 fds4559-d.pdf
FDS4559
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.