Продукція > ONSEMI > FDS4559
FDS4559

FDS4559 onsemi

fds4559-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 759pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS4559 onsemi

Description: ONSEMI - FDS4559 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDS4559 за ціною від 20.84 грн до 114.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS4559 FDS4559 Виробник : ON Semiconductor fds4559-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+28.13 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 FDS4559 Виробник : ON Semiconductor fds4559-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+28.46 грн
27+27.68 грн
100+27.45 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 FDS4559 Виробник : ON Semiconductor fds4559-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+33.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 FDS4559 Виробник : ON Semiconductor fds4559-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+36.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 FDS4559 Виробник : ON Semiconductor fds4559-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
839+38.11 грн
1000+35.15 грн
10000+31.33 грн
Мінімальне замовлення: 839
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 FDS4559 Виробник : ONSEMI 2304388.pdf Description: ONSEMI - FDS4559 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+46.93 грн
500+34.26 грн
1000+28.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 FDS4559 Виробник : ON Semiconductor fds4559-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
190+67.36 грн
192+66.76 грн
290+44.25 грн
292+42.37 грн
500+30.56 грн
1000+21.93 грн
Мінімальне замовлення: 190
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 FDS4559 Виробник : onsemi fds4559-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 759pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 4751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.86 грн
10+58.21 грн
100+38.43 грн
500+28.12 грн
1000+25.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 FDS4559 Виробник : onsemi / Fairchild FDS4559-D.PDF MOSFETs 60V/-60V N/P
на замовлення 3092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.32 грн
10+64.54 грн
100+37.12 грн
500+29.22 грн
1000+26.35 грн
2500+23.63 грн
5000+20.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 FDS4559 Виробник : ONSEMI fds4559-d.pdf Description: ONSEMI - FDS4559 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+111.95 грн
50+71.02 грн
100+46.93 грн
500+34.26 грн
1000+28.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 FDS4559 Виробник : ON Semiconductor fds4559-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+114.08 грн
11+72.17 грн
25+71.53 грн
100+45.72 грн
250+42.03 грн
500+31.43 грн
1000+23.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 FDS4559 Виробник : ON Semiconductor fds4559-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 FDS4559 Виробник : ON Semiconductor fds4559-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.