Продукція > ONSEMI > FDS4559
FDS4559

FDS4559 onsemi

fds4559-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 759pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+25.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS4559 onsemi

Description: ONSEMI - FDS4559 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції FDS4559 за ціною від 27.01 грн до 129.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDS4559 FDS4559 ON Semiconductor fds4559-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
376+37.74 грн
1000+35.76 грн
Мінімальне замовлення: 376 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 FDS4559 ON Semiconductor fds4559-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+44.35 грн
1000+40.90 грн
10000+36.47 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 FDS4559 ON Semiconductor fds4559-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.55 грн
16+47.85 грн
100+39.25 грн
500+32.80 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 FDS4559 ONSEMI FDS4559.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 4.5/-3.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55/105mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 2314 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+93.07 грн
7+62.49 грн
10+52.60 грн
50+36.56 грн
100+32.32 грн
250+28.42 грн
500+27.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 FDS4559 onsemi fds4559-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 759pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 3942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.74 грн
10+62.22 грн
100+41.24 грн
500+30.26 грн
1000+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 FDS4559 ON Semiconductor fds4559-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+129.05 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 FDS4559 onsemi fds4559-d.pdf MOSFETs 60V/-60V N/P
на замовлення 4430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 FDS4559 ONSEMI 2304388.pdf Description: ONSEMI - FDS4559 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 6380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 FDS4559 ONSEMI 2304388.pdf Description: ONSEMI - FDS4559 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 6380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 fds4559-d.pdf
FDS4559
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
376+37.74 грн
1000+35.76 грн
Мінімальне замовлення: 376 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 fds4559-d.pdf
FDS4559
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+44.35 грн
1000+40.90 грн
10000+36.47 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 fds4559-d.pdf
FDS4559
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+57.55 грн
16+47.85 грн
100+39.25 грн
500+32.80 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 FDS4559.pdf
FDS4559
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 4.5/-3.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55/105mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 2314 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+93.07 грн
7+62.49 грн
10+52.60 грн
50+36.56 грн
100+32.32 грн
250+28.42 грн
500+27.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 fds4559-d.pdf
FDS4559
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 759pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 3942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+101.74 грн
10+62.22 грн
100+41.24 грн
500+30.26 грн
1000+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 fds4559-d.pdf
FDS4559
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+129.05 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 fds4559-d.pdf
FDS4559
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V/-60V N/P
на замовлення 4430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 2304388.pdf
FDS4559
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4559 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 6380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559 2304388.pdf
FDS4559
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4559 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 6380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.