FDS4685

FDS4685 ON Semiconductor


fds4685-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+30.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS4685 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS4685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.2 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.2W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDS4685 за ціною від 26.4 грн до 90.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS4685 FDS4685 Виробник : onsemi fds4685-d.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1872 pF @ 20 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+30.18 грн
5000+ 27.68 грн
12500+ 26.4 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4685 FDS4685 Виробник : ON Semiconductor fds4685-d.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+32.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4685 FDS4685 Виробник : ON Semiconductor fds4685-d.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+34.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4685 FDS4685 Виробник : ONSEMI 2303996.pdf Description: ONSEMI - FDS4685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.2 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 21776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+50.45 грн
500+ 39.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDS4685 FDS4685 Виробник : ONSEMI FDS4685.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.2A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+68.59 грн
10+ 52.93 грн
21+ 40.34 грн
56+ 38.21 грн
500+ 36.3 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDS4685 FDS4685 Виробник : onsemi fds4685-d.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1872 pF @ 20 V
на замовлення 20360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+73.49 грн
10+ 57.46 грн
100+ 44.71 грн
500+ 35.57 грн
1000+ 28.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS4685 FDS4685 Виробник : onsemi / Fairchild FDS4685_D-2312997.pdf MOSFET 40V PCH POWER TRENCH MOSFET
на замовлення 8609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+78.86 грн
10+ 63.91 грн
100+ 43.27 грн
500+ 36.69 грн
1000+ 29.89 грн
2500+ 29.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS4685 FDS4685 Виробник : ONSEMI FDS4685.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.2A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1112 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+82.31 грн
10+ 65.96 грн
21+ 48.4 грн
56+ 45.86 грн
500+ 43.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS4685 FDS4685 Виробник : ONSEMI 2303996.pdf Description: ONSEMI - FDS4685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.2 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 21776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+90.69 грн
11+ 69.88 грн
100+ 50.45 грн
500+ 39.77 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDS4685 Виробник : Fairchild fds4685-d.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 42mOhm; 8,2A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS4685 TFDS4685
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+32.28 грн
Мінімальне замовлення: 20
FDS4685 FDS4685
Код товару: 82291
fds4685-d.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
FDS4685 FDS4685 Виробник : ON Semiconductor fds4685-d.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4685 FDS4685 Виробник : ON Semiconductor fds4685-d.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній