Продукція > ONSEMI > FDS4685
FDS4685

FDS4685 onsemi

fds4685-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1872 pF @ 20 V
на замовлення 3450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+27.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS4685 onsemi

Description: ONSEMI - FDS4685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.2 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.2W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDS4685 за ціною від 29.33 грн до 123.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS4685 FDS4685 Виробник : ON Semiconductor fds4685-d.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685 FDS4685 Виробник : ON Semiconductor fds4685-d.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685 FDS4685 Виробник : ON Semiconductor fds4685-d.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+35.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685 FDS4685 Виробник : ONSEMI 2303996.pdf Description: ONSEMI - FDS4685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.2 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 28945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+53.16 грн
500+41.88 грн
1000+33.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685 FDS4685 Виробник : onsemi / Fairchild FDS4685_D-2312997.pdf MOSFETs 40V PCH POWER TRENCH MOSFET
на замовлення 6867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.66 грн
10+68.26 грн
100+46.22 грн
500+39.19 грн
1000+31.93 грн
2500+31.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685 FDS4685 Виробник : ONSEMI 2303996.pdf Description: ONSEMI - FDS4685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.2 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 25790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+98.50 грн
50+68.14 грн
100+49.17 грн
500+36.89 грн
1000+31.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685 FDS4685 Виробник : onsemi fds4685-d.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1872 pF @ 20 V
на замовлення 4188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.91 грн
10+62.06 грн
100+43.69 грн
500+32.71 грн
1000+29.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685 FDS4685 Виробник : ONSEMI FDS4685.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.2A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.2A
On-state resistance: 42mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.57 грн
10+62.82 грн
21+43.84 грн
56+41.42 грн
250+41.20 грн
500+39.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685 FDS4685 Виробник : ONSEMI FDS4685.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.2A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.2A
On-state resistance: 42mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 793 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.08 грн
10+78.28 грн
21+52.61 грн
56+49.71 грн
250+49.44 грн
500+47.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685 Виробник : Fairchild fds4685-d.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 42mOhm; 8,2A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS4685 TFDS4685
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+34.78 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685 FDS4685
Код товару: 82291
Додати до обраних Обраний товар

fds4685-d.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685 FDS4685 Виробник : ON Semiconductor fds4685-d.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685 FDS4685 Виробник : ON Semiconductor fds4685-d.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.