Інші пропозиції FDS4685 за ціною від 14.95 грн до 80.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDS4685 | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOICInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1872 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDS4685 | Fairchild |
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 42mOhm; 8,2A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS4685 TFDS4685кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS4685 | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOICInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1872 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 8794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS4685 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS4685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.2 A, 0.027 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 1.2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm |
на замовлення 21316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS4685 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 40V PCH POWER TRENCH MOSFET |
на замовлення 6867 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| FDS4685 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1872 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1872 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 17.65 грн |
| 5000+ | 15.64 грн |
| 7500+ | 14.95 грн |
| FDS4685 |
![]() |
Виробник: Fairchild
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 42mOhm; 8,2A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS4685 TFDS4685
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 42mOhm; 8,2A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS4685 TFDS4685
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 40.10 грн |
| FDS4685 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1872 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1872 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 61.22 грн |
| 10+ | 42.01 грн |
| 100+ | 27.45 грн |
| 500+ | 19.89 грн |
| 1000+ | 18.00 грн |
| FDS4685 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.2 A, 0.027 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
Description: ONSEMI - FDS4685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.2 A, 0.027 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 21316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 78.91 грн |
| 50+ | 53.84 грн |
| 100+ | 50.23 грн |
| 500+ | 42.38 грн |
| 1000+ | 35.75 грн |
| FDS4685 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 40V PCH POWER TRENCH MOSFET
MOSFETs 40V PCH POWER TRENCH MOSFET
на замовлення 6867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 80.36 грн |
| 10+ | 64.80 грн |
| 100+ | 43.88 грн |
| 500+ | 37.20 грн |
| 1000+ | 30.31 грн |
| 2500+ | 29.55 грн |






