Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > FDS4685

FDS4685

fds4685-d.pdf
Код товару: 82291
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDS4685 за ціною від 39.22 грн до 52.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDS4685 FDS4685 Fairchild info-tfds4685.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 42mOhm; 8,2A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS4685 TFDS4685
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+39.22 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685 FDS4685 ON Semiconductor fds4685-d.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685 FDS4685 ON Semiconductor fds4685-d.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685 FDS4685 ON Semiconductor fds4685-d.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.55 грн
5000+52.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685 FDS4685 onsemi / Fairchild FDS4685_D-2312997.pdf MOSFETs 40V PCH POWER TRENCH MOSFET
на замовлення 6867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685 FDS4685 ONSEMI fds4685-d.pdf Description: ONSEMI - FDS4685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.2 A, 0.027 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 21316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685 FDS4685 ONSEMI 2303996.pdf Description: ONSEMI - FDS4685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.2 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 28945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685 info-tfds4685.pdf
FDS4685
Виробник: Fairchild
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 42mOhm; 8,2A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS4685 TFDS4685
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+39.22 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685 fds4685-d.pdf
FDS4685
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+44.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685 fds4685-d.pdf
FDS4685
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+44.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685 fds4685-d.pdf
FDS4685
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+52.55 грн
5000+52.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685 FDS4685_D-2312997.pdf
FDS4685
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 40V PCH POWER TRENCH MOSFET
на замовлення 6867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685 fds4685-d.pdf
FDS4685
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.2 A, 0.027 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 21316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685 2303996.pdf
FDS4685
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.2 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 28945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.