FDS5351 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 6.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 30 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 21.37 грн |
| 5000+ | 19.01 грн |
| 7500+ | 18.21 грн |
| 12500+ | 16.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS5351 onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 6.1A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 30 V.
Інші пропозиції FDS5351 за ціною від 18.50 грн до 81.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDS5351 | Fairchild |
N-MOSFET 6.1A 60V 2.5W 35mΩ FDS5351 TFDS5351кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS5351 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench |
на замовлення 3575 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS5351 | ONS/FAI |
MOSFET N-CH 60V 6.1A SOIC-8 Транзистори |
на замовлення 8 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS5351 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 6.1A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.1A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 30 V |
на замовлення 17592 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FDS5351 |
![]() |
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 25.20 грн |
| FDS5351 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench
MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench
на замовлення 3575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 39.51 грн |
| 10+ | 38.38 грн |
| 100+ | 26.67 грн |
| 500+ | 21.23 грн |
| 1000+ | 20.25 грн |
| 2500+ | 18.50 грн |
| FDS5351 |
![]() |
Виробник: ONS/FAI
MOSFET N-CH 60V 6.1A SOIC-8 Транзистори
MOSFET N-CH 60V 6.1A SOIC-8 Транзистори
на замовлення 8 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 64.32 грн |
| FDS5351 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 6.1A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 6.1A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 30 V
на замовлення 17592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 81.70 грн |
| 10+ | 49.70 грн |
| 100+ | 32.75 грн |
| 500+ | 23.90 грн |
| 1000+ | 21.69 грн |




