FDS5351 Fairchild
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 24.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS5351 Fairchild
Description: ONSEMI - FDS5351 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.0265 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm.
Інші пропозиції FDS5351 за ціною від 28.83 грн до 97.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDS5351 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
FDS5351 | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.1A; 5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 6.1A Power dissipation: 5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 58.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 27nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||
|
FDS5351 | ONS/FAI |
MOSFET N-CH 60V 6.1A SOIC-8 Транзистори |
на замовлення 8 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||||
|
FDS5351 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS5351 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.0265 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
FDS5351 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 55 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDS5351 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 27+ | 28.83 грн |
| FDS5351 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.1A; 5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.1A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.1A; 5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.1A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 61.08 грн |
| 10+ | 43.85 грн |
| 25+ | 38.85 грн |
| FDS5351 |
![]() |
Виробник: ONS/FAI
MOSFET N-CH 60V 6.1A SOIC-8 Транзистори
MOSFET N-CH 60V 6.1A SOIC-8 Транзистори
на замовлення 8 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 97.50 грн |
| FDS5351 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS5351 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.0265 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
Description: ONSEMI - FDS5351 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.0265 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDS5351 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






