на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 21.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS5351 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDS5351 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.0265 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDS5351 за ціною від 17.86 грн до 92.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS5351 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS5351 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS5351 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 6.1A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.1A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 30 V |
на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS5351 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS5351 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench |
на замовлення 3575 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS5351 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS5351 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS5351 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS5351 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.0265 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS5351 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.1A; 5W; SO8 Case: SO8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 6.1A On-state resistance: 58.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 27nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD |
на замовлення 79 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS5351 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.1A; 5W; SO8 Case: SO8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 6.1A On-state resistance: 58.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 27nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 79 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS5351 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 6.1A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.1A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 30 V |
на замовлення 23281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDS5351 | Виробник : Fairchild |
N-MOSFET 6.1A 60V 2.5W 35mΩ FDS5351 TFDS5351 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| FDS5351 | Виробник : On Semiconductor/Fairchild |
MOSFET N-CH 60V 6.1A SOIC-8 |
на замовлення 8 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
FDS5351 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |