FDS5351 Fairchild


TFDS5351_5352.pdf
Виробник: Fairchild
N-MOSFET 6.1A 60V 2.5W 35mΩ FDS5351 TFDS5351
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+24.60 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS5351 Fairchild

Description: ONSEMI - FDS5351 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.0265 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm.

Інші пропозиції FDS5351 за ціною від 28.83 грн до 97.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDS5351 FDS5351 ON Semiconductor fds5351d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351 FDS5351 ONSEMI FDS5351.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.1A; 5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.1A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+61.08 грн
10+43.85 грн
25+38.85 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351 FDS5351 ONS/FAI FDS5351.pdf MOSFET N-CH 60V 6.1A SOIC-8 Транзистори
на замовлення 8 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
8+97.50 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351 FDS5351 ONSEMI 2304903.pdf Description: ONSEMI - FDS5351 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.0265 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351 FDS5351 ON Semiconductor fds5351d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351 fds5351d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351 FDS5351.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.1A; 5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.1A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+61.08 грн
10+43.85 грн
25+38.85 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351 FDS5351.pdf
Виробник: ONS/FAI
MOSFET N-CH 60V 6.1A SOIC-8 Транзистори
на замовлення 8 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+97.50 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351 2304903.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS5351 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.0265 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351 fds5351d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.