Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDS5670
FDS5670

FDS5670 ON Semiconductor

fds5670-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+59.5 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS5670 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDS5670 за ціною від 57.77 грн до 143.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS5670 FDS5670 Виробник : ON Semiconductor fds5670-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+61.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS5670 FDS5670 Виробник : ON Semiconductor fds5670-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+61.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS5670 FDS5670 Виробник : ON Semiconductor fds5670-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+71.16 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDS5670 FDS5670 Виробник : ON Semiconductor fds5670-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
152+76.63 грн
Мінімальне замовлення: 152
FDS5670 FDS5670 Виробник : ON Semiconductor fds5670-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+82.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS5670 FDS5670 Виробник : onsemi / Fairchild FDS5670_D-2312998.pdf MOSFET SO-8 N-CH 60V
на замовлення 8013 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+143.38 грн
10+ 115.63 грн
100+ 81.49 грн
500+ 69.01 грн
1000+ 58.29 грн
2500+ 57.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS5670 FDS5670
Код товару: 66965 		fds5670-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDS5670 FDS5670 Виробник : ON Semiconductor fds5670-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS5670 FDS5670 Виробник : ONSEMI FDS5670.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDS5670 FDS5670 Виробник : onsemi fds5670-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 15 V
товар відсутній
FDS5670 FDS5670 Виробник : onsemi fds5670-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 15 V
товар відсутній
FDS5670 FDS5670 Виробник : ONSEMI FDS5670.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній