Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDS5670
FDS5670

FDS5670

fds5670-d.pdf
Код товару: 66965
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDS5670 за ціною від 59.86 грн до 185.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDS5670 FDS5670 onsemi fds5670-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670 FDS5670 ON Semiconductor fds5670-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+79.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670 FDS5670 ON Semiconductor fds5670-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+80.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670 FDS5670 ON Semiconductor fds5670-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+129.88 грн
10+110.94 грн
25+109.83 грн
100+92.45 грн
250+84.89 грн
500+70.61 грн
1000+68.53 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670 FDS5670 ON Semiconductor fds5670-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+129.88 грн
128+110.94 грн
129+109.83 грн
148+92.45 грн
250+84.89 грн
500+70.61 грн
1000+68.53 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670 FDS5670 ON Semiconductor fds5670-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+140.68 грн
500+112.81 грн
1000+103.62 грн
2500+94.44 грн
5000+85.64 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670 FDS5670 onsemi fds5670-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
на замовлення 20147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.98 грн
10+120.96 грн
100+85.75 грн
500+64.88 грн
1000+59.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670 FDS5670 onsemi / Fairchild fds5670-d.pdf MOSFETs SO-8 N-CH 60V
на замовлення 4732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670 FDS5670 ONSEMI ONSM-S-A0013339610-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS5670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 3958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670 FDS5670 ONSEMI ONSM-S-A0013339610-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS5670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 3958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670 fds5670-d.pdf
FDS5670
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+61.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670 fds5670-d.pdf
FDS5670
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+79.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670 fds5670-d.pdf
FDS5670
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+80.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670 fds5670-d.pdf
FDS5670
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+129.88 грн
10+110.94 грн
25+109.83 грн
100+92.45 грн
250+84.89 грн
500+70.61 грн
1000+68.53 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670 fds5670-d.pdf
FDS5670
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
109+129.88 грн
128+110.94 грн
129+109.83 грн
148+92.45 грн
250+84.89 грн
500+70.61 грн
1000+68.53 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670 fds5670-d.pdf
FDS5670
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+140.68 грн
500+112.81 грн
1000+103.62 грн
2500+94.44 грн
5000+85.64 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670 fds5670-d.pdf
FDS5670
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
на замовлення 20147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+185.98 грн
10+120.96 грн
100+85.75 грн
500+64.88 грн
1000+59.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670 fds5670-d.pdf
FDS5670
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SO-8 N-CH 60V
на замовлення 4732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670 ONSM-S-A0013339610-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS5670
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS5670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 3958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670 ONSM-S-A0013339610-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS5670
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS5670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 3958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.