Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDS5670
FDS5670

FDS5670

fds5670-d.pdf
Код товару: 66965
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDS5670 за ціною від 56.81 грн до 200.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS5670 FDS5670 Виробник : onsemi fds5670-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+62.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670 FDS5670 Виробник : ON Semiconductor fds5670-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+73.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670 FDS5670 Виробник : ON Semiconductor fds5670-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+78.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670 FDS5670 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013339610-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS5670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+97.84 грн
500+74.80 грн
1000+63.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670 FDS5670 Виробник : ON Semiconductor fds5670-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
109+118.79 грн
128+101.47 грн
129+100.45 грн
148+84.56 грн
250+77.64 грн
500+64.58 грн
1000+62.68 грн
Мінімальне замовлення: 109
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670 FDS5670 Виробник : ON Semiconductor fds5670-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+127.27 грн
10+108.72 грн
25+107.63 грн
100+90.60 грн
250+83.18 грн
500+69.20 грн
1000+67.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670 FDS5670 Виробник : ON Semiconductor fds5670-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+128.67 грн
500+103.18 грн
1000+94.77 грн
2500+86.38 грн
5000+78.33 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670 FDS5670 Виробник : onsemi / Fairchild fds5670-d.pdf MOSFETs SO-8 N-CH 60V
на замовлення 4732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.73 грн
10+119.74 грн
100+74.77 грн
500+61.29 грн
1000+56.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670 FDS5670 Виробник : onsemi fds5670-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 15 V
на замовлення 20147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+188.68 грн
10+122.72 грн
100+87.00 грн
500+65.82 грн
1000+60.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670 FDS5670 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013339610-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS5670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+200.56 грн
50+136.15 грн
100+97.84 грн
500+74.80 грн
1000+63.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670 FDS5670 Виробник : ON Semiconductor fds5670-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670 Виробник : ONS/FAI FDS5670.pdf N-Channel MOSFET, 60 V, 10 A, - 55 C... 150 C, SOIC8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.