Продукція > ONSEMI > FDS5670
FDS5670

FDS5670 onsemi

fds5670-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+65.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS5670 onsemi

Description: ONSEMI - FDS5670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDS5670 за ціною від 60.11 грн до 211.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS5670 FDS5670 Виробник : ON Semiconductor fds5670-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+69.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670 FDS5670 Виробник : ON Semiconductor fds5670-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+70.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670 FDS5670 Виробник : ON Semiconductor fds5670-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+75.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670 FDS5670 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013339610-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS5670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+103.05 грн
500+78.78 грн
1000+67.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670 FDS5670 Виробник : ON Semiconductor fds5670-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
109+113.93 грн
128+97.32 грн
129+96.34 грн
148+81.10 грн
250+74.46 грн
500+61.94 грн
1000+60.11 грн
Мінімальне замовлення: 109
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670 FDS5670 Виробник : ON Semiconductor fds5670-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+122.07 грн
10+104.27 грн
25+103.22 грн
100+86.89 грн
250+79.78 грн
500+66.37 грн
1000+64.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670 FDS5670 Виробник : ON Semiconductor fds5670-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+123.41 грн
500+98.96 грн
1000+90.89 грн
2500+82.84 грн
5000+75.13 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670 FDS5670 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE9DE96E8BEA259&compId=FDS5670.pdf?ci_sign=4bf2c66031aeb831fd2322b7c6cbdab35e3da19f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.72 грн
5+121.20 грн
10+107.65 грн
50+80.54 грн
100+74.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670 FDS5670 Виробник : onsemi / Fairchild fds5670-d.pdf MOSFETs SO-8 N-CH 60V
на замовлення 4732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+194.69 грн
10+131.17 грн
100+81.91 грн
500+67.13 грн
1000+62.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670 FDS5670 Виробник : onsemi fds5670-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 15 V
на замовлення 20147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.73 грн
10+129.26 грн
100+91.64 грн
500+69.33 грн
1000+63.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670 FDS5670 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013339610-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS5670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+211.25 грн
50+143.41 грн
100+103.05 грн
500+78.78 грн
1000+67.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670 FDS5670
Код товару: 66965
Додати до обраних Обраний товар

fds5670-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670 FDS5670 Виробник : ON Semiconductor fds5670-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.