Продукція > FAIRCHILD > FDS5672
FDS5672

FDS5672 Fairchild

info-tfds5672.pdf
Виробник: Fairchild
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 23mOhm; 12A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS5672 TFDS5672
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20+40.41 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS5672 Fairchild

Description: ONSEMI - FDS5672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDS5672 за ціною від 62.84 грн до 223.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDS5672 FDS5672 ON Semiconductor fds5672-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+113.21 грн
500+88.30 грн
1000+81.83 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672 FDS5672 ON Semiconductor fds5672-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+128.19 грн
10+107.38 грн
25+106.30 грн
100+71.80 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672 FDS5672 ON Semiconductor fds5672-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+128.19 грн
133+107.38 грн
134+106.30 грн
191+71.80 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672 FDS5672 onsemi FDS5672-D.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.46 грн
10+112.56 грн
100+76.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672 FDS5672 onsemi FDS5672-D.pdf MOSFETs 60V 12A 10 OHM NCH POWER TRENCH MOSFET
на замовлення 26969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.00 грн
10+120.45 грн
100+71.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672 FDS5672 ONSEMI 2298579.pdf Description: ONSEMI - FDS5672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+223.22 грн
50+144.19 грн
100+97.76 грн
500+73.00 грн
1000+62.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672 fds5672-d.pdf
FDS5672
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
126+113.21 грн
500+88.30 грн
1000+81.83 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672 fds5672-d.pdf
FDS5672
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+128.19 грн
10+107.38 грн
25+106.30 грн
100+71.80 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672 fds5672-d.pdf
FDS5672
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
111+128.19 грн
133+107.38 грн
134+106.30 грн
191+71.80 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672 FDS5672-D.pdf
FDS5672
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+181.46 грн
10+112.56 грн
100+76.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672 FDS5672-D.pdf
FDS5672
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V 12A 10 OHM NCH POWER TRENCH MOSFET
на замовлення 26969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+189.00 грн
10+120.45 грн
100+71.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672 2298579.pdf
FDS5672
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS5672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+223.22 грн
50+144.19 грн
100+97.76 грн
500+73.00 грн
1000+62.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.