FDS5672 Fairchild

Name: FDS5672
Brand: Fairchild
SKU: 466868808-1
Price: 1651.20 UAH
Availability: InStock

Виробник: Fairchild
Код виробника: FDS5672 RoHS Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 23mOhm; 12A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Transistors
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 40 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
50+	41.28 грн
200+	39.02 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис FDS5672 Fairchild

Description: ONSEMI - FDS5672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDS5672 за ціною від 39.42 грн до 222.88 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

FDS5672

Виробник : onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	48.34 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

FDS5672

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	58.06 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

FDS5672

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	61.43 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

FDS5672

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	65.86 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

FDS5672

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 492 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
156+	83.03 грн

Мінімальне замовлення: 156

В кошику од. на суму грн.

FDS5672

Виробник : ONSEMI

Description: ONSEMI - FDS5672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 7838 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	84.60 грн
500+	63.15 грн
1000+	54.38 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDS5672

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 492 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
9+	88.96 грн
10+	82.88 грн
25+	82.05 грн
100+	71.38 грн
250+	60.75 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

FDS5672

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 1250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
625+	94.08 грн
1250+	89.74 грн

Мінімальне замовлення: 625

В кошику од. на суму грн.

FDS5672

Виробник : onsemi / Fairchild

MOSFETs 60V 12A 10 OHM NCH POWER TRENCH MOSFET

на замовлення 38215 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	142.35 грн
10+	97.82 грн
100+	64.15 грн
500+	51.32 грн
1000+	47.90 грн
2500+	47.13 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDS5672

Виробник : onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

на замовлення 3906 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	164.72 грн
10+	102.05 грн
100+	69.67 грн
500+	52.39 грн
1000+	51.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDS5672

Виробник : onsemi

MOSFETs 60V 12A 10 OHM NCH POWER TRENCH MOSFET

на замовлення 32921 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	192.79 грн
10+	121.07 грн
100+	73.21 грн
500+	61.78 грн
1000+	55.08 грн
2500+	52.08 грн
5000+	49.50 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDS5672

Виробник : ONSEMI

Description: ONSEMI - FDS5672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 3691 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	222.88 грн
50+	143.98 грн
100+	97.61 грн
500+	72.89 грн
1000+	62.75 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDS5672

Виробник : Fairchild

Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 23mOhm; 12A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS5672 TFDS5672
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 40 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
20+	39.42 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

FDS5672

Виробник : ON-Semiconductor

Код виробника: FDS5672 Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 23mOhm; 12A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Transistors
кількість в упаковці: 2500 шт

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	63.21 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

FDS5672

Виробник : ONS/FAI

N-Channel MOSFET, 60 V, 12 A, - 55 C... 150 C, SOIC8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDS5672

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.