Продукція > ONSEMI > FDS5680
FDS5680

FDS5680 ONSEMI

2298245.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS5680 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 9995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+179.46 грн
10+148.99 грн
100+110.89 грн
500+67.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS5680 ONSEMI

Description: ONSEMI - FDS5680 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).

Інші пропозиції FDS5680 за ціною від 25.12 грн до 25.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS5680 FDS5680 Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FDS5680-1300592.pdf MOSFET SO-8 N-CH 60V
на замовлення 11779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5680 Виробник : Fairchild fds5680-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 32mOhm; 8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS5680 TFDS5680
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+25.12 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5680
Код товару: 131521
Додати до обраних Обраний товар

fds5680-d.pdf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5680 FDS5680 Виробник : ON Semiconductor fds5680jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5680 FDS5680 Виробник : ON Semiconductor fds5680jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5680 FDS5680 Виробник : ON Semiconductor fds5680jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5680 Виробник : ON Semiconductor fds5680jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5680 FDS5680 Виробник : onsemi fds5680-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5680 FDS5680 Виробник : onsemi fds5680-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.