Продукція > FDS
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDS | PRODEC | Description: PRODEC - FDS - Schwamm tariffCode: 96034090 Tuchmaterial: Schaumstoff Tuchbreite: 110mm productTraceability: No rohsCompliant: NA euEccn: NLR hazardous: false Tuchlänge: 190mm rohsPhthalatesCompliant: NA usEccn: EAR99 Produktpalette: Multicomp Pro Raspberry Pi-4 PSU SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) | на замовлення 515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS 09 L 1000 | Fischer Elektronik | D-Sub filter connector | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS 09 T 1000 | Fischer Elektronik | Conn Filtered D-Sub M 9 POS Solder ST Thru-Hole 9 Terminal 1 Port | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS-216 | Jonard Tools | Description: FIBER DROP CABLE STRIPPER, 1.6 X Packaging: Box Features: Ergonomic Type: Stripper Cable Type: 1.6mm ~ 2mm Cable Diameter | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS-216 | Jonard Tools | Wire Stripping & Cutting Tools Fiber Drop Cable Stripper (1.6mm x 2.0mm( | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS-312 | Jonard Tools | Description: FIBER DROP CABLE STRIPPER (3.1MM Features: Ergonomic, Side Entry Packaging: Bulk Type: Stripper Cable Type: 2mm ~ 3.1mm Cable Diameter | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS-320-05 | Autonics | Description: FIBER OPTIC CABLE RETRO 40MM Packaging: Bag Sensing Distance: 1.575" (40mm) Sensing Method: Reflective, Diffuse Operating Temperature: -40°C ~ 70°C (TA) Cable Length: 78.74" (2m) Connection Method: Connector, M3 Light Source: LED Part Status: Active | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS-42-1050 LD ADV | EAGLERISE ELECTRIC & ELECTRONIC CO. LTD | AC/DC, 42W, Вхід: 200-240VAC, LED In-Track Driver | на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS-E 206P | FSC | на замовлення 1165 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS-E 206P | FSC | 09+ SO-8 | на замовлення 2165 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS-E 3170N3 | FSC | на замовлення 17 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS-E 3170N3 | FSC | 09+ SO-8 | на замовлення 1017 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS-E 3170N7 | FSC | 09+ SO-8 | на замовлення 1056 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS-E 3170N7 | FSC | на замовлення 56 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS-E 4080N3 | FSC | 09+ SO-8 | на замовлення 1202 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS-E 4080N3 | FSC | на замовлення 202 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS-E 5170N3 | FSC | 09+ SO-8 | на замовлення 1050 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS-E 5170N3 | FSC | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS-E 5170N7 | FSC | на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS-E 5170N7 | FSC | 09+ SO-8 | на замовлення 1090 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS-E 7060N7 | FSC | на замовлення 445 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS-E 7060N7 | FSC | 09+ SO-8 | на замовлення 1445 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS-E 7082N3 | FSC | 09+ SO-8 | на замовлення 1012 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS-E 7082N3 | FSC | на замовлення 12 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS-E 7088N7 | FSC | 09+ SO-8 | на замовлення 2020 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS-E 7088N7 | FSC | на замовлення 1020 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS-E 7096N3 | FSC | 09+ SO-8 | на замовлення 3438 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS-E 7096N3 | FSC | на замовлення 2438 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS-E 7288N3 | FSC | на замовлення 170 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS-E 7288N3 | FSC | 09+ SO-8 | на замовлення 1170 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS-E7064N | FSC | на замовлення 1475 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS-E7064N | FSC | 09+ SO-8 | на замовлення 2475 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS-E7064N3 | FSC | на замовлення 1380 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS-E7064N3 | FSC | 09+ SO-8 | на замовлення 2380 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS-E7296N3 | FSC | 09+ SO-8 | на замовлення 1295 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS-E7296N3 | FSC | на замовлення 295 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS-E9 7096N3 | FSC | 09+ SO-8 | на замовлення 1204 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS-E9 7096N3 | FSC | на замовлення 204 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS-N 7064N3 | FSC | 09+ SO-8 | на замовлення 1032 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS-N 7064N3 | FSC | на замовлення 32 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS-O 7064N3 | FSC | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS-O 7064N3 | FSC | 09+ SO-8 | на замовлення 1019 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS-PC | RLE Technologies | Description: TRANSLATOR - SNMP/MODBUS/BACNET | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS-PC-DP | RLE Technologies | Description: TRANSLATOR - SNMP/MODBUS/BACNET | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS-Q 2170N3 | FSC | на замовлення 128 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS-Q 2170N3 | FSC | 09+ SO-8 | на замовлення 1128 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS-Q 2170N7 | FSC | 09+ SO-8 | на замовлення 1245 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS-Q 2170N7 | FSC | на замовлення 245 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS005S102 | Molex / FCT | RF Connectors / Coaxial Connectors FCT TERM HFREQ CRP RCPT 50 OHM | на замовлення 312 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS009 | FDS | 07+/08+ SOP8 | на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS06L | Siemens | Switch Fixings SW OP ONLY FXD DEPTH LF 30-100A MCS SW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS06R | Siemens | Switch Fixings SW OP ONLY FXD DEPTH RT 30-100A MCS SW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS1 | HAMMOND | Description: HAMMOND - FDS1 - REMOTE DOOR SWITCH, 115/230VAC, HME tariffCode: 85365080 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 Produktpalette: RDS Series SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS1 | Hammond Manufacturing | Racks & Rack Cabinet Accessories Door Switch | на замовлення 39 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS1 | Hammond Manufacturing | Description: DOOR SWITCH Packaging: Bulk For Use With/Related Products: Air Conditioners Accessory Type: Door Switch | на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS1 | Hammond | Remote Door Switch For Use With Eclipse, Hme | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS1 | Hammond Manufacturing | Description: DOOR SWITCH Packaging: Bulk For Use With/Related Products: Air Conditioners Accessory Type: Door Switch | на замовлення 164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS100AA(BA)60 | SanRex | 07+; | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS100AA40 | SanRex | 100A/400V/High Speed Diode/2U | на замовлення 55 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS100AA40 | module | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS100AA60 | EUPEC | MODULE | на замовлення 84 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS100AA60 | SanRex | 100A/600V/High Speed Diode/2U | на замовлення 55 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS100AA60 | module | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS100AA60 | SANREX | CDH2-1 | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS100BA60 | module | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS100BA60 | SanRex | 100A/600V/High Speed Diode/2U | на замовлення 55 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS100BA60 | SANREX | F4-5 | на замовлення 134 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS100BA60 | EUPEC | MODULE | на замовлення 186 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS100BA60 | SANREX | на замовлення 45 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS100BA60 | SANREX | CDH2-1 | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS100BA80 | SANREX | F4-5 | на замовлення 5 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS100CA100 | module | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS100CA100 | EUPEC | MODULE | на замовлення 80 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS100CA100 | SanRex | 100A/1000V/High Speed Diode/2U | на замовлення 55 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS100CA100(120) | SanRex | 07+; | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS100CA120 | SANREX | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS100CA120 | SanRex Corporation | Description: DIODE MODULE 1200V 100A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS100CA120 | SANREX | CDH2-1 | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS100CA120 | module | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS100CA120 | SanRex | Diode Modules Discrete Semiconductor Modules 1000V 120A | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS100CA120 | SanRex | 100A/1200V/High Speed Diode/2U | на замовлення 55 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS100CA120 | SANREX | F4-5 | на замовлення 5 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS100CA120 | EUPEC | MODULE | на замовлення 59 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS1102 | OWON | Category: Digital Oscilloscopes Description: Oscilloscope: digital; Ch: 2; 100MHz; 1Gsps; 10Mpts; LCD TFT 10,4" Interface: HDMI; LAN; USB Kind of display used: LCD TFT 10,4" Standard equipment: mains cable; oscilloscope probe (1 per channel); test lead (BNC - crocodile clips); test leads ( 2pcs.); trimmer; USB cable; user's manual Display resolution: 1024x768 Supply voltage: 100...240V AC Additional functions: frequency meter; function generator; multimeter; power supply Connectors for the country: Europe Output current: 3A Number of channels: 2 Output voltage 2: 15V DC Measurement memory: 100 Input impedance: 1MΩ/15pF Measuring instrument features: mathematical functions: addition, subtraction, division, multiplication and FFT; measurements by means of cursors Sampling: 1Gsps Output current 2: 3A Waveform frequency range: 1µHz...1MHz (ramp waveform); 1µHz...10MHz (pulse waveform); 1µHz...25MHz (rectangular waveform); 1µHz...50MHz (sinus waveform) Type of oscilloscope: digital Trigger: CAN; falling-edge; I2C; LIN; logic; Nth Edge; pulse; rising-edge; RS232; runt; slope; timeout; video signal; window Input coupling: AC, DC, GND Vertical resolution: 8bit Trigger modes: automatic; normal; single Max. input voltage: 300V Manufacturer series: FDS Measurement: AC current; AC voltage; capacitance; DC current; DC voltage; frequency; resistance Band: 100MHz Rise time: ≤3.5ns Input sensitivity: 1mV/div...10V/div Software: download from manufacturers website Memory record length: 10Mpts Touchpad: yes Power consumption: 30W Body dimensions: 421x221x115mm Output voltage: 15V DC | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS1102 | OWON | Category: Digital Oscilloscopes Description: Oscilloscope: digital; Ch: 2; 100MHz; 1Gsps; 10Mpts; LCD TFT 10,4" Interface: HDMI; LAN; USB Kind of display used: LCD TFT 10,4" Standard equipment: mains cable; oscilloscope probe (1 per channel); test lead (BNC - crocodile clips); test leads ( 2pcs.); trimmer; USB cable; user's manual Display resolution: 1024x768 Supply voltage: 100...240V AC Additional functions: frequency meter; function generator; multimeter; power supply Connectors for the country: Europe Output current: 3A Number of channels: 2 Output voltage 2: 15V DC Measurement memory: 100 Input impedance: 1MΩ/15pF Measuring instrument features: mathematical functions: addition, subtraction, division, multiplication and FFT; measurements by means of cursors Sampling: 1Gsps Output current 2: 3A Waveform frequency range: 1µHz...1MHz (ramp waveform); 1µHz...10MHz (pulse waveform); 1µHz...25MHz (rectangular waveform); 1µHz...50MHz (sinus waveform) Type of oscilloscope: digital Trigger: CAN; falling-edge; I2C; LIN; logic; Nth Edge; pulse; rising-edge; RS232; runt; slope; timeout; video signal; window Input coupling: AC, DC, GND Vertical resolution: 8bit Trigger modes: automatic; normal; single Max. input voltage: 300V Manufacturer series: FDS Measurement: AC current; AC voltage; capacitance; DC current; DC voltage; frequency; resistance Band: 100MHz Rise time: ≤3.5ns Input sensitivity: 1mV/div...10V/div Software: download from manufacturers website Memory record length: 10Mpts Touchpad: yes Power consumption: 30W Body dimensions: 421x221x115mm Output voltage: 15V DC кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS1102A | OWON | Category: Digital Oscilloscopes Description: Oscilloscope: digital; Ch: 2; 100MHz; 1Gsps; 10Mpts; LCD TFT 10,4" Interface: HDMI; LAN; USB Kind of display used: LCD TFT 10,4" Standard equipment: mains cable; oscilloscope probe (1 per channel); test lead (BNC - crocodile clips); test leads ( 2pcs.); trimmer; USB cable; user's manual Display resolution: 1024x768 Supply voltage: 100...240V AC Additional functions: frequency meter; function generator; multimeter; power supply Connectors for the country: Europe Output current: 3A Number of channels: 2 Output voltage 2: 15V DC Measurement memory: 100 Input impedance: 1MΩ/15pF Measuring instrument features: mathematical functions: addition, subtraction, division, multiplication and FFT; measurements by means of cursors Sampling: 1Gsps Output current 2: 3A Waveform frequency range: 1µHz...1MHz (ramp waveform); 1µHz...10MHz (pulse waveform); 1µHz...25MHz (rectangular waveform); 1µHz...50MHz (sinus waveform) Type of oscilloscope: digital Trigger: CAN; falling-edge; I2C; LIN; logic; Nth Edge; pulse; rising-edge; RS232; runt; slope; timeout; video signal; window Input coupling: AC, DC, GND Vertical resolution: 14bit Trigger modes: automatic; normal; single Max. input voltage: 300V Manufacturer series: FDS Measurement: AC current; AC voltage; capacitance; DC current; DC voltage; frequency; resistance Band: 100MHz Rise time: ≤3.5ns Input sensitivity: 1mV/div...10V/div Software: download from manufacturers website Memory record length: 10Mpts Touchpad: yes Power consumption: 30W Body dimensions: 421x221x115mm Output voltage: 15V DC | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS1102A | OWON | Category: Digital Oscilloscopes Description: Oscilloscope: digital; Ch: 2; 100MHz; 1Gsps; 10Mpts; LCD TFT 10,4" Interface: HDMI; LAN; USB Kind of display used: LCD TFT 10,4" Standard equipment: mains cable; oscilloscope probe (1 per channel); test lead (BNC - crocodile clips); test leads ( 2pcs.); trimmer; USB cable; user's manual Display resolution: 1024x768 Supply voltage: 100...240V AC Additional functions: frequency meter; function generator; multimeter; power supply Connectors for the country: Europe Output current: 3A Number of channels: 2 Output voltage 2: 15V DC Measurement memory: 100 Input impedance: 1MΩ/15pF Measuring instrument features: mathematical functions: addition, subtraction, division, multiplication and FFT; measurements by means of cursors Sampling: 1Gsps Output current 2: 3A Waveform frequency range: 1µHz...1MHz (ramp waveform); 1µHz...10MHz (pulse waveform); 1µHz...25MHz (rectangular waveform); 1µHz...50MHz (sinus waveform) Type of oscilloscope: digital Trigger: CAN; falling-edge; I2C; LIN; logic; Nth Edge; pulse; rising-edge; RS232; runt; slope; timeout; video signal; window Input coupling: AC, DC, GND Vertical resolution: 14bit Trigger modes: automatic; normal; single Max. input voltage: 300V Manufacturer series: FDS Measurement: AC current; AC voltage; capacitance; DC current; DC voltage; frequency; resistance Band: 100MHz Rise time: ≤3.5ns Input sensitivity: 1mV/div...10V/div Software: download from manufacturers website Memory record length: 10Mpts Touchpad: yes Power consumption: 30W Body dimensions: 421x221x115mm Output voltage: 15V DC кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS1212 | Hammond Manufacturing | Electrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf 12 x 12" | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS1212 | Hammond Manufacturing | Description: SHELF FOLD DOWN 12X12" BEIGE Packaging: Box Color: Beige Size / Dimension: 12.000" L x 12.000" W (304.80mm x 304.80mm) For Use With/Related Products: Enclosures Material: Metal, Steel Type: Shelf, Fold Down Ventilation: Non-Vented | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS1212GY | Hammond Manufacturing | Description: FOLD DOWN SHELF Packaging: Bulk Color: Gray Size / Dimension: 12.000" L x 12.000" W (304.80mm x 304.80mm) For Use With/Related Products: Enclosures Material: Metal, Steel Type: Shelf, Fold Down Ventilation: Non-Vented | на замовлення 57 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS1212GY | Hammond Manufacturing | Description: FOLD DOWN SHELF Packaging: Bulk Color: Gray Size / Dimension: 12.000" L x 12.000" W (304.80mm x 304.80mm) For Use With/Related Products: Enclosures Material: Metal, Steel Type: Shelf, Fold Down Ventilation: Non-Vented | на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS1212GY | Hammond Manufacturing | Electrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 12x12 - Steel/Gray | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS1212LG | Hammond Manufacturing | Description: FOLD DOWN SHELF - 12X12 - STEEL/ Packaging: Bulk For Use With/Related Products: Racks Accessory Type: Shelf | на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS1212LG | Hammond Manufacturing | Electrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 12x12 - Steel/Lt Gray | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS1212LG | Hammond Manufacturing | Description: FOLD DOWN SHELF - 12X12 - STEEL/ Packaging: Bulk For Use With/Related Products: Racks Accessory Type: Shelf | на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS1212S16 | Hammond Manufacturing | Electrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 12x12 - 316SS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS1212S16 | Hammond Manufacturing | Description: FOLD DOWN SHELF - 12X12 - 316SS Packaging: Bulk For Use With/Related Products: Racks Accessory Type: Shelf | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS1212S16 | Hammond Manufacturing | Description: FOLD DOWN SHELF - 12X12 - 316SS Packaging: Bulk For Use With/Related Products: Racks Accessory Type: Shelf | на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS136SBS | FAIRCHILD | 00+ SOP-8 | на замовлення 2875 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS1818 | Hammond Manufacturing | Description: SHELF FOLD DOWN 18X18" BEIGE Packaging: Box Color: Beige Size / Dimension: 18.000" L x 18.000" W (457.20mm x 457.20mm) For Use With/Related Products: Enclosures Material: Metal, Steel Type: Shelf, Fold Down Ventilation: Non-Vented | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS1818 | Hammond Manufacturing | Electrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf 18 x 18" | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS1818GY | Hammond | Fold Down Shelf, Ansi 61 Gray, Mounts With Bolts Through Doors Or Sides | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS1818GY | Hammond Manufacturing | Electrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 18x18 - Steel/Gray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS1818GY | Hammond Manufacturing | Description: FOLD DOWN SHELF Packaging: Bulk Color: Gray Size / Dimension: 18.000" L x 18.000" W (457.20mm x 457.20mm) For Use With/Related Products: Enclosures Material: Metal, Steel Type: Shelf, Fold Down Ventilation: Non-Vented | на замовлення 66 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS1818LG | Hammond Manufacturing | Description: FOLD DOWN SHELF - 18X18 - STEEL/ Packaging: Bulk For Use With/Related Products: Racks Accessory Type: Shelf | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS1818LG | Hammond Manufacturing | Electrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 18x18 - Steel/Lt Gray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS1818LG | Hammond | Fold Down Shelf, Steel, Light Gray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS1818S16 | Hammond Manufacturing | Electrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 18x18 - 316SS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS1818S16 | Hammond | Fold Down Shelf, Stainless Steel 316 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS1818S16 | Hammond Manufacturing | Description: FOLD DOWN SHELF - 18X18 - 316SS Packaging: Bulk For Use With/Related Products: Racks Accessory Type: Shelf | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS187N2 | Amphenol Positronic | Description: CONTACTS Packaging: Bag Contact Finish: Gold Contact Termination: Solder Wire Gauge: 16 AWG Type: Machined Pin or Socket: Socket Contact Finish Thickness: FLASH Contact Material: Copper Alloy | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS187N2 | Amphenol Positronic | D-Sub Contacts | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS187N2/AA | Amphenol Positronic | D-Sub Contacts | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2-320-05 | Autonics | Description: FIBER OPTIC CABLE RETRO 40MM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2-420-05 | Autonics | Description: FIBER OPTIC CABLE RETRO 40MM | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS200B | на замовлення 3490 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDS2020NZ | FDS | 07+/08+ SOP8 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2070N3 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2070N3 | onsemi / Fairchild | MOSFET 150V NCh PowerTrench | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2070N3 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SO Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1884 pF @ 75 V | на замовлення 13327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS2070N3 | FSC | 09+ SO-8 | на замовлення 1161 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2070N3 | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2070N3 | FSC | на замовлення 161 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS2070N7 | FAIRCHILD | SOP-8 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2070N7 | FSC | на замовлення 190 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS2070N7 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2070N7 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin FLMP SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2070N7 | FDS | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS2070N7 | onsemi / Fairchild | MOSFET 150V NCh PowerTrench | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2070N7 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SO Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1884 pF @ 75 V | на замовлення 12998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS2070N7 | FSC | 09+ SO-8 | на замовлення 1190 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2070N7 | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2074N3 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2074N3 | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2074N7 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2074N7 | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2170N3 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2170N3 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V | на замовлення 2627 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS2170N3 | FAIRCHILD | 09+ | на замовлення 1018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2170N3 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO FLMP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2170N3 | FSC | 09+ | на замовлення 641 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2170N3 | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2170N3 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO FLMP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2170N7 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V | на замовлення 23636 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS2170N7 | FAIRCHAL | SOP8 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2170N7 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO FLMP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2170N7 | FDS | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS2170N7 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO FLMP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2170N7 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2170N7 | NS | 2004 SOP | на замовлення 2190 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2360AM | JRC | SOP8 | на замовлення 36 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2370N3 | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2370N3 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2370N7 | FSC | 09+ SO-8 | на замовлення 1143 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2370N7 | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2370N7 | FSC | на замовлення 143 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS2370N7 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2407 | FDS | SOP-8 | на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2407 | FAIRCHIL | 09+ SOP8 | на замовлення 3420 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2424GY | Hammond Manufacturing | Electrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 24x24 - Steel/Gray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2424GY | Hammond Manufacturing | Description: FOLD DOWN SHELF - 24X24 - STEEL/ Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2424LG | Hammond Manufacturing | Description: FOLD DOWN SHELF - 24X24 - STEEL/ Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2424LG | Hammond Manufacturing | Electrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 24x24 - Steel/Lt Gray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2424S16 | Hammond Manufacturing | Description: FOLD DOWN SHELF - 24X24 - 316SS Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2424S16 | Hammond Manufacturing | Electrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 24x24 - 316SS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS24C256 | FDS | SOP-8 | на замовлення 420 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS24C64 | FDS | SOP-8 | на замовлення 450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2570 | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2570 | FDS | SOP-8 | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2570 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2570 | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 1810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS2572 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS2572 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 150V N-Ch UltraFET Trench | на замовлення 3603 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS2572 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 1692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS2572 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 4.9A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS2572 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2572 | Fairchild | Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 53mOhm; 4,9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS2572 TFDS2572 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS2572 | Aptina Imaging | Trans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS2572 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS2572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 4.9 A, 0.04 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS2572 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS2572 | ONSEMI | FDS2572 SMD N channel transistors | на замовлення 2439 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS2572 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 4.9A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V | на замовлення 14221 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS2572 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 1692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS2572NL | FAIRCHILD | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS2572_Q | onsemi / Fairchild | MOSFETs 150V N-Ch UltraFET Trench | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2574 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2574 | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2582 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V | на замовлення 5466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS2582 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2582 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2582 | onsemi / Fairchild | MOSFET 150V 4.5a .6 Ohms/VGS=1V | на замовлення 19193 шт: термін постачання 587-596 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS2582 | Fairchild | N-MOSFET 150V 4.1A 66mΩ 2.5W FDS2582 Fairchild TFDS2582 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS2582 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS2582 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 4.1A Automotive 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS2582 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2582 | ONSEMI | FDS2582 SMD N channel transistors | на замовлення 877 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS2582_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET 150V 4.5a .6 Ohms/VGS=1V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2670 | FSC | 09+ SO-8 | на замовлення 1087 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2670 | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2670 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2670 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS2670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS2670 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2670 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1228 pF @ 100 V | на замовлення 7503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS2670 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2670 | FSC | на замовлення 87 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS2670 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS2670 | onsemi / Fairchild | MOSFET SO-8 N-CH 200V | на замовлення 2306 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS2670 | ONSEMI | FDS2670 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2670 | FAIRCHILD | 09+ | на замовлення 1618 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2670 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1228 pF @ 100 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS2670 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS2670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS2670 | FDS | SOP-8 | на замовлення 550 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2670 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2670-NL | FAIRCHILD | 09+ | на замовлення 88 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2670-NL | FDS | на замовлення 94000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS2670_NL | FAIRCHILD | на замовлення 175200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS2672 | onsemi / Fairchild | MOSFET 200V 3.9A 70mOHMS NCH ULTRAFET | на замовлення 9990 шт: термін постачання 546-555 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS2672 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2672 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2535 pF @ 100 V | на замовлення 39323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS2672 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2672 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2535 pF @ 100 V | на замовлення 37500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS2672 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS2672 | ONSEMI | FDS2672 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2672-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2535 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2672-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 200V3.9A 70OHMNCH UL TRAFET TRENCH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2672-TF085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 200V,3.9A, 70OHM,NCH ULTRAFETtrenchMOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2682 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2682 | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2734 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 3A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2734 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 3A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 100 V | на замовлення 20619 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS2734 | Fairchild | Transistor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 225mOhm; 3A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS2734 TFDS2734 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS2734 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS2734 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 3 A, 0.097 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250 Dauer-Drainstrom Id: 3 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.097 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS2734 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 3A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS2734 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 3A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS2734 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 3A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2734 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 3A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 100 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS2734 | ONSEMI | FDS2734 SMD N channel transistors | на замовлення 2483 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS2734 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 3A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS2734 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 250V 3.0A 117 OHM NCH ULTRAFE | на замовлення 13302 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS2734 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS2734 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 3 A, 0.097 ohm, SOIC, Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS2734-NL | Fairchild | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS29106A | FDS | 07+/08+ SOP8 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2ND 7064N7 | FSC | на замовлення 330 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS2ND 7064N7 | FSC | 09+ SO-8 | на замовлення 1330 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2P102 | FDS | 07+/08+ SOP8 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2P102 | FDS | SOP-8 | на замовлення 35000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2P102A | FAI | 04/05/ | на замовлення 14745 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS2P103 | FDS | 07+/08+ SOP8 | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS300BB50 | SANREX | CDH4-1 | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS30C1 | MARATHON SPECIAL PRODUCTS | Description: MARATHON SPECIAL PRODUCTS - FDS30C1 - FUSED SWITCH, CLASS CC, 1P, 30A, 120VAC tariffCode: 85365080 productTraceability: No rohsCompliant: YES Anzahl der Pole: 1 Pole Kontaktkonfiguration: - Sicherungsgröße: Class CC Anzahl der Sicherungen: 1 Fuse euEccn: NLR AC-Kontaktstrom, max.: 30A AC-Kontaktspannung, max.: 120V Schalteranschlüsse: Spring Clamp hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 Produktpalette: Startech USB to DC Barrel Leads SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS30C3 | MARATHON SPECIAL PRODUCTS | Description: MARATHON SPECIAL PRODUCTS - FDS30C3 - FUSED SWITCH, CLASS CC, 3P, 30A, 600VAC tariffCode: 85365080 productTraceability: No rohsCompliant: YES Anzahl der Pole: 3 Pole Kontaktkonfiguration: - Sicherungsgröße: Class CC Anzahl der Sicherungen: 3 Fuse euEccn: NLR AC-Kontaktstrom, max.: 30A AC-Kontaktspannung, max.: 600V Schalteranschlüsse: Spring Clamp hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 Produktpalette: Compute Module 3+ Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3170N3 | FSC | 09+ SO-8 | на замовлення 1036 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3170N3 | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3170N3 | FSC | на замовлення 36 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS3170N3 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3170N7 | FSC | на замовлення 3460 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS3170N7 | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3170N7 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3170N7 | FSC | 09+ SO-8 | на замовлення 4460 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3170N7 | FAI | 02+ | на замовлення 1419 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3170N7 | FAIRCHILD | 09+ | на замовлення 90018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3170N7 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 6.7A 8SO Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.7A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 50 V | на замовлення 179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3172N3 | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3172N3 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3172N7 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3172N7 | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3512 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 40 V | на замовлення 4594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3512 | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3512 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 4A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3512 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 40 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3512 | onsemi / Fairchild | MOSFET SO-8 | на замовлення 97 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3512 | FAIRCHIL | 09+ SOP8 | на замовлення 1002 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3512 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 40 V | на замовлення 4594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3512 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS35606 | N/A | 09+ | на замовлення 228 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3570 | onsemi / Fairchild | MOSFETs SO-8 N-CH 80V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3570 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3570 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 80V 9A 8SOIC Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 25 V | на замовлення 78778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3570 | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3570 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS3570 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 78919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3570 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 9A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3570 | Fairchild | на замовлення 2102 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS3570-NL | FAIRCHILD | SOP8 09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3570_NL | onsemi / Fairchild | MOSFET 80V N-Channel PowerTrench® MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3572 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V | на замовлення 7070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3572 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 1857 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3572 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3572 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 80V N-Channel PowerTrench | на замовлення 3795 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3572 | ONSEMI | FDS3572 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3572 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS3572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 8.9 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 8.9 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3572 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3572 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3572 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 1857 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3572 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3572 | onsemi / Fairchild | MOSFET 80V N-Channel PowerTrench | на замовлення 4084 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3572-NL | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDS3572NL | FAIRCHILD | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS3572_NL | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3580 | ONSEMI | FDS3580 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3580 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3580 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3580 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3580 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3580 | onsemi / Fairchild | MOSFETs SO-8 N-CH 80V | на замовлення 2089 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3580 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3580 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V | на замовлення 14496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3580 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3590 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 6.5A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3590 | onsemi / Fairchild | MOSFET SO-8 N-CH 80V | на замовлення 1914 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3590 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 40 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3590 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 6.5A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3590 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 6.5A; 2.5W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: 80V Drain current: 6.5A On-state resistance: 86mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V | на замовлення 474 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3590 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 6.5A; 2.5W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: 80V Drain current: 6.5A On-state resistance: 86mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 474 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3590 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 6.5A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3590 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 40 V | на замовлення 5105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3601 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 1.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC | на замовлення 49698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3601 | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3601 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3601 | FSC | 0430+ SOP-8 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3601 | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 1.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3601 | onsemi / Fairchild | MOSFET SO-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3601 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3601 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS3601 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 49698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3601-NL | на замовлення 94000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDS3601NL | FAIRCHILD | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS3601_NL | onsemi / Fairchild | MOSFET 100V/20V, 480/530MO, NCH, DUAL, SO8, 600A GOX, PTI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3601_NL | FAIRCHILD | на замовлення 54500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS3612 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC | на замовлення 4809 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3612 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3612 | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3612 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS3612 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 4320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3612 | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3670 | FAI | 01+ SMD | на замовлення 368 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3670 | FDS | SOP-8 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3670 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3670 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 6.3A 8-SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3672 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3672 | UMW | Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3672 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5mW Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2412 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3672 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3672 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.8A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.8A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 43mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3672 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 25 V | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3672 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 573 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3672 Код товару: 38205
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS3672 | Fairchild | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 43mOhm; 7,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS3672 TFDS3672 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3672 | UMW | Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3672 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3672 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5mW Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2412 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3672 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 573 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3672 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 100V 7.5a .22 Ohms/VGS=1V | на замовлення 22185 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3672 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.8A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.8A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 43mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3672 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 25 V | на замовлення 46375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3672 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3672-NL | Fairchild | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS3672-NL | FAIRCHILD | SOP8 08+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3672NL | FSIRCHILD | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS3672_NL | FAIRCHILD | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS3672_NL | FAIRCHIL.. | 07+ SOP-8 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3672_Q | onsemi / Fairchild | MOSFETs 100V 7.5a .22 Ohms/VGS=1V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3680 | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3680 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3680 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 5.2A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3682 | FAIRCHIL | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS3682 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 6A 8SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3682 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3682 | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3682-NL | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDS3682_NL | FAIRCHILD | 09+ | на замовлення 388 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3682_NL | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V | на замовлення 704 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS36882 | FSC | 02+ SMD-8 | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3690 | FAIRCHILD | 09+ | на замовлення 218 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3690 | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3690 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3692 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 100V 4.5a .3 Ohms/VGS=1V | на замовлення 36516 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3692 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 746 pF @ 25 V | на замовлення 6644 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3692 | Fairchild | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 122mOhm; 4,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS3692 TFDS3692 кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3692 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3692 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS3692 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 4.5 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 2.5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3692 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 746 pF @ 25 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3692 | ONSEMI | FDS3692 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3692 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3692 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3692-NL | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDS3692NL | FAIRCHILD | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS3692_NL | FAIRCHILD | 09+ | на замовлення 728 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3692_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS37C931CQFP | на замовлення 720 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDS37C932 | на замовлення 189 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDS37C932 | 02+ QFP | на замовлення 189 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS37H869 | на замовлення 109 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDS3812 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3812 | FAIRCHILD | 09+ | на замовлення 418 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3812 | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3812 | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3812_NL | FAIRCHILD | 09+ | на замовлення 828 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3890 Код товару: 49621
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS3890 | ONSEMI | FDS3890 Multi channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3890 | onsemi / Fairchild | MOSFETs SO-8 | на замовлення 20675 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3890 | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3890 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 4.7A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3890 | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 40V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3890 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 4.7A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3890 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3890 | FAIRCHILD | 09+ | на замовлення 618 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3890 | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 40V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | на замовлення 9627 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3890 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS3890 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.034 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3890-NL | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDS3896 | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3896 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3912 | FAIRCHILD | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS3912 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3912 | FAIRCHIL | 09+ SOP8 | на замовлення 1047 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3912 | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3912 | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3912 | onsemi / Fairchild | MOSFETs SO-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3912-NL | на замовлення 94000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDS399 | FAIRCHILD | SOP-8 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3992 | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3992 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS3992 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.054 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.054ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3992 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 1066 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3992 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3992 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 100V 4.5a .62 Ohms/VGS=1V | на замовлення 23071 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3992 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS3992 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.054 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.054ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3992 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3992 Код товару: 117038
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS3992 | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | на замовлення 8655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3992 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 6500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3992 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3992 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3992 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 1066 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS3992 | ONSEMI | FDS3992 Multi channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3992NL | FAIRCHILD | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS3992_Q | onsemi / Fairchild | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4070N3 | FSC | 09+ SO-8 | на замовлення 1156 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4070N3 | FAI | 03+ | на замовлення 575 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4070N3 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15.3A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V | на замовлення 8613 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4070N3 | FAIRCHILD | 0903+ SOP8 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4070N3 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15.3A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO FLMP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4070N3 | FSC | на замовлення 156 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4070N3 | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4070N3 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15.3A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO FLMP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4070N3 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4070N7 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15.3A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V | на замовлення 69332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4070N7 | FSC | 09+ SO-8 | на замовлення 1178 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4070N7 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15.3A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO FLMP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4070N7 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4070N7 | FSC | на замовлення 178 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4070N7 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15.3A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO FLMP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4070N7 | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4070N7 | FDS | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4072N3 | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4072N3 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 12.4A 8-SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4072N3 | FSC | на замовлення 23 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4072N3 | FAI | 242 | на замовлення 1905 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4072N3 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 12.4A 8-SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4072N3 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4072N3 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 12.4A 8-SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4072N7 | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4072N7 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 12.4A 8SO Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13.7A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4299 pF @ 20 V | на замовлення 9775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4072N7 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4080N3 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 13A 8SO Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 20 V | на замовлення 39912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4080N3 | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4080N3 | FSC | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4080N3 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4080N7 | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4080N7 | FSC | на замовлення 17 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4080N7 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4080N7 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 13A 8SO Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 20 V | на замовлення 11820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4080N7 | FSC | 09+ SO-8 | на замовлення 1017 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4141 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 40V 10.8A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 43249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4141 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Verlustleistung: 5 Kanaltyp: p-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011 Qualifikation: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4141 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 40V 10.8A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4141 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 40V 10.8A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4141 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 40V 10.8A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4141 | onsemi / Fairchild | MOSFETs -40V P-Channel PowerTrench | на замовлення 1710 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4141 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 10.8 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6 Verlustleistung: 5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4141 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 40V 10.8A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4141-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 40V 10.8A Automotive 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4141-F085 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 40V 10.8A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2005 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4141-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFET -40V P-Channel PowerTrench | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4141-F085 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 40V 10.8A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2005 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4141-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 40V 10.8A Automotive 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4141-SN00136 | onsemi | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4141-SN00136P | onsemi | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4141SN00136P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 40V 10.8A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4141_TSN00136 | onsemi / Fairchild | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4201D/AA | Positronic | Description: CON F SIZE 8 PCB | на замовлення 535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4201D/AA | POSITRONIC | Description: POSITRONIC - FDS4201D/AA - D-Sub-Kontakt, D-Sub-Steckverbinder der Produktreihen CBD & CBDD von Positronic, Buchsenkontakt tariffCode: 85366990 Kontaktausführung: Buchsenkontakt productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte Kontaktanschluss: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX euEccn: TBC Kontaktmaterial: Kupferlegierung Leiterstärke (AWG), max.: - Leiterstärke (AWG), min.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: D-Sub-Steckverbinder der Produktreihen CBD & CBDD von Positronic usEccn: TBC Produktpalette: - SVHC: To Be Advised | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS425N2 | Amphenol Positronic | D-Sub Contacts | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS425N2/AA | Amphenol Positronic | D-Sub Contacts | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS425P2 | Positronic Industries | FDS425P2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS425P2 | Amphenol Positronic | D-Sub Contacts | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS425P2 | Amphenol Positronic | Description: FDS425P2 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS425P2/AA | Positronic Industries | FDS425P2/AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS425P2/AA | Amphenol Positronic | D-Sub Contacts | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS425P2/AA | Amphenol Positronic | Description: FDS425P2/AA Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4310D | PEI-Genesis | Description: CONTACT SIZE 8 FEMALE CBD/CBDD Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4310D | Amphenol Positronic | D-Sub Contacts | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4310D/AA | Amphenol Positronic | D-Sub Contacts | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4310M | Amphenol Positronic | D-Sub Contacts | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4310M/AA | Amphenol Positronic | D-Sub Contacts | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4312D | Amphenol Positronic | D-Sub Contacts | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4312D | Amphenol Positronic | Description: CONTACT Packaging: Bag Contact Finish: Gold Contact Termination: Crimp Wire Gauge: 10 AWG Type: Power Contact Type: Female Socket Contact Finish Thickness: FLASH Contact Material: Copper Alloy Contact Form: Machined Part Status: Active | на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4312D/AA | Amphenol Positronic | D-Sub Contacts | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4314D | Amphenol Positronic | D-Sub Contacts | на замовлення 64 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4314D/AA | Amphenol Positronic | D-Sub Contacts | на замовлення 102 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4410 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 15 V | на замовлення 39200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4410 | FAIRCHILD | FDS4410 | на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4410 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS4410 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 76100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4410 | FAIRCHILD | FDS4410 | на замовлення 30995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4410 | onsemi / Fairchild | MOSFET SO-8 N-CH 30V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4410 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4410 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4410 | FAIRCHILD | FDS4410 | на замовлення 5905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4410-NL | на замовлення 94000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDS4410A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4410A | onsemi / Fairchild | MOSFETs LOGIC LEVEL PO SINGLE NCH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4410A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4410A | Fairchild Semiconductor | Description: SINGLE N CHANNEL, LOGIC-LEVEL, P Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4410ANL | FAIRCHILD | на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4410A_NL | onsemi / Fairchild | MOSFET 30V,10A,SINGLE NCH LOGIC LEVEL POWER TRENCH MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4410NL | FAIRCHILD | на замовлення 75000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4410_NL | FAIRCHILD | 05+06+ | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4416 | FSC | 09+ SO-8 | на замовлення 1017 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4416 | FSC | на замовлення 17 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4420 | FSC | 09+ SO-8 | на замовлення 1023 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4420 | FSC | на замовлення 23 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4420A | FSC | SOP-8 | на замовлення 280 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4425-NL | FDS | на замовлення 94000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4435 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4435 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1604 pF @ 15 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4435 | onsemi / Fairchild | MOSFETs SO-8 P-CH -30V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4435 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1604 pF @ 15 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4435 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4435(LF) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDS4435-NL | FAIRCHILD | SOP8 09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4435-NL | Fairchild | SOP8 08+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4435-NL | FDS | на замовлення 94000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4435-NL | FAIRCHILD | 09+ | на замовлення 20018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4435A | onsemi / Fairchild | MOSFET SO-8 P-CH -30V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4435A | FSC | 09+ SO-8 | на замовлення 1097 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4435A | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS4435A - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 5068 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4435A | FAIRCHIL | на замовлення 350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4435A | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 | на замовлення 991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4435A | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4435A | FAIRCHILD | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4435A | FAI | 00+ | на замовлення 563 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4435A | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4435A | FSC | на замовлення 97 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4435A | FAIR | SOP8 | на замовлення 165 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4435A | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4435A | FAIRCHIL | SOP8 | на замовлення 270 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4435A | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4435A | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4435A | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4435A | FAI | 2001+ SMD | на замовлення 134 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4435A-NL | FAIRCHILD | SOP8 09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4435A-NL | FAIRCHILD | 09+ | на замовлення 20018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4435ANL | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDS4435A_NL | на замовлення 5080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDS4435BZ | ONSEMI | FDS4435BZ SMD P channel transistors | на замовлення 56 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4435BZ | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4435BZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4435BZ Код товару: 45479
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4435BZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 2520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4435BZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4435BZ | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 41616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4435BZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4435BZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 3492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4435BZ | ON-Semicoductor | Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC FDS4435BZ-F085 FDS4435BZ TFDS4435bz кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4435BZ | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V | на замовлення 10396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4435BZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 3492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4435BZ | onsemi / Fairchild | MOSFETs 30V.PCH POWER TRENCH MOSFET | на замовлення 66017 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4435BZ | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 40300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4435BZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 1911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4435BZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 1773 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4435BZ-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A Automotive 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4435BZ-F085 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4435BZ-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFET 30V P-Chan PowerTrench | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4435BZ-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A Automotive 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4435BZ-F085 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4435BZ-G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4435BZ-G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4435BZ-NL | FAIRCHILD | SOP8 09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4435BZNL | FAIRCHILD | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4435FDS4435AFDS4435BZ | FAICHILD | на замовлення 329000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4435NL | FAIRCHILD | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4435_NL | FAIRCHILD | на замовлення 450000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4450-NL | FDS | на замовлення 94000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4463 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDS4463-NL | FDS | на замовлення 94000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4463NL | FAIRCHILD | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4465 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4465 | ONSEMI | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -13.5A; 2.5W; SO8 Mounting: SMD Drain-source voltage: -20V Drain current: -13.5A On-state resistance: 10.5mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Case: SO8 Kind of package: reel; tape Gate charge: 0.12µC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1266 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4465 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 2197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4465 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 2266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4465 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4465 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V | на замовлення 7431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4465 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4465 | ON-Semicoductor | Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC FDS4465-F085 FDS4465 TFDS4465 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 9 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4465 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4465 | onsemi / Fairchild | MOSFETs SO-8 | на замовлення 7661 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4465 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS4465 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4465 | ONSEMI | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -13.5A; 2.5W; SO8 Mounting: SMD Drain-source voltage: -20V Drain current: -13.5A On-state resistance: 10.5mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Case: SO8 Kind of package: reel; tape Gate charge: 0.12µC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V | на замовлення 1266 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4465 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 2197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4465-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4465-F085 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4465-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET SO-8SNGLPCH20V/8V | на замовлення 1834 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4465-G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4465-NL | FDS | на замовлення 89000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4465-PG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4465. | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS4465. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13.5 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4465. | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS4465. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13.5 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4465NL | FAIRCHILD | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4465_F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4465_NL | FSC | 09+ | на замовлення 6818 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4465_NL | FAIRCHILD | на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4465_SN00187 | onsemi | Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 13.5A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.2W Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4467 | FDS | SOP-8 | на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4467 | FAIRCHIL | 09+ SOP8 | на замовлення 2050 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4467-NL | на замовлення 94000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDS4467NL | FAIRCHILD | на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4470 | onsemi / Fairchild | MOSFETs SO-8 | на замовлення 3339 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4470 | ONSEMI | FDS4470 SMD N channel transistors | на замовлення 510 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4470 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4470 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +30V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2659 pF @ 20 V | на замовлення 6091 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4470 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS4470 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4470 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 1473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4470 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +30V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2659 pF @ 20 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4470 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS4470 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12.5 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 5624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4470 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 1473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4470 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4470 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS4470 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12.5 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm | на замовлення 5649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4470-NL | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDS4470NL | FAIRCHILD | на замовлення 35000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4470_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET SO-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4480 | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4480 | onsemi / Fairchild | MOSFETs SO-8 | на замовлення 9617 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4480 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4480 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +30V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1686 pF @ 20 V | на замовлення 803 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4480 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 10.8A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4480 | Fairchild | на замовлення 4863 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4480 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 45A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 10.8A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Gate charge: 41nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 2385 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4480 | FAIRCHILD | 09+ | на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4480 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +30V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1686 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4480 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 45A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 10.8A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Gate charge: 41nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2385 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4480 | FAIRCHIL | 09+ SOP8 | на замовлення 1455 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4480 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 10.8A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4480-NL | FAIR | SOP8 | на замовлення 12 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4480NL | FAIRCHILD | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4480SNL | FAIRCHILD | на замовлення 35000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4480_F095 | onsemi / Fairchild | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4480_NL | на замовлення 10080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDS4480_Q | onsemi / Fairchild | MOSFETs SO-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4485 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4485 | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4488 | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4488 | FAIRCHILD | FDS4488 | на замовлення 31980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4488 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4488 | FAIRCHILD | FDS4488 | на замовлення 3707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4488 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS4488 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 117757 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4488 | FAIRCHILD | FDS4488 | на замовлення 830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4488 | FAIRCHILD | FDS4488 | на замовлення 1240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4488 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 7.9A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4488 | FAIRCHILD | 09+ | на замовлення 1218 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4488 | FAIRCHILD | FDS4488 | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4488 | FAIRCHILD | FDS4488 | на замовлення 55000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4488 | Fairchild Semiconductor | Description: 0.0079A, 30V, N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 927 pF @ 15 V | на замовлення 117757 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4488 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 7.9A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4488 | onsemi / Fairchild | MOSFET SO-8 | на замовлення 769 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4488-NL | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDS4489 | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4489 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4501 | FAIRCHIL | 00+ SOP | на замовлення 1288 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4501AH | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4501H | FAIRCHILD | Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A/5.6A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 35450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4501h | FSC | на замовлення 37 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4501h | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 30V 9.3A 8SOIC Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A, 5.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1958pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | на замовлення 40090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4501H | FAIRCHILD | Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A/5.6A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4501h | FSC | 09+ SO-8 | на замовлення 1037 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4501h | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 30V 9.3A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A, 5.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1958pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete | на замовлення 4970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4501h | FAIR | SOP8 | на замовлення 46 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4501h | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4501H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A/5.6A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4501h | onsemi / Fairchild | MOSFET SO-8 COMP N-P-CH | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4501H | FAIRCHILD | Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A/5.6A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 1690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4501h | fsc | 04+ sop | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4501h | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 30V 9.3A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A, 5.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1958pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4501h | FAI | 02+ | на замовлення 1847 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4501h | ONSEMI | FDS4501H Multi channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4501h | FAIRCHILD | 09+ | на замовлення 30018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4501HNL | FAIRCHILD | на замовлення 40000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4501NL | FAIRCHILD | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4532 | FAIRCHIL | 09+ SOP8 | на замовлення 1014 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4532 | F | 00+ SOP-8 | на замовлення 181 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4532 | FDS | на замовлення 22350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4532NL | FAIRCHILD | на замовлення 40000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4542 | FAI | 2004 SMD8 | на замовлення 543 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4542 | FAIRCHIL | 09+ SOP8 | на замовлення 1048 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4559 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS4559 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Compute Module 3+ Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4559 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4559 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4559 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 60V/-60V N/P | на замовлення 5797 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4559 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 62500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4559 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4559 | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 759pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | на замовлення 18797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4559 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS4559 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 8396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4559 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4559 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4559 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4559 | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 759pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | на замовлення 18600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4559-F085 | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4559-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS4559-F085 - 60V COMPLEMENTARY POWERTRENCH® MOSFET SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4559-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4559-F085 | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4559-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFET 60V Complementary PowerTrench MOS | на замовлення 8150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4559-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4559-NL | на замовлення 94000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDS4559ANL | FAIRCHILD | на замовлення 35000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4559NL | FAIRCHILD | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4559_NL | FAIRCHILD | на замовлення 35000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4585 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDS4585NL | FAIRCHILD | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4672 | FDS | SOP-8 | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4672 | FDS | 07+/08+ SOP8 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4672A | ONSEMI | FDS4672A SMD N channel transistors | на замовлення 2160 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4672A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4672A | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 11A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4766 pF @ 20 V | на замовлення 77196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4672A | onsemi / Fairchild | MOSFET SO-8 | на замовлення 4643 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4672A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4672A | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS4672A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 11 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2 Verlustleistung: 2.5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4672A | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 11A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4766 pF @ 20 V | на замовлення 77156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4672A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4672A-NL | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDS4672ANL | FAIRCHILD | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4675 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 20 V | на замовлення 11715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4675 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4675 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS4675 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4675 | ON-Semicoductor | Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 21mOhm; 11A; 2,4W; -55°C ~ 175°C; FDS4675 TFDS4675 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4675 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 20 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4675 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4675 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4675 | ONSEMI | FDS4675 SMD P channel transistors | на замовлення 570 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4675 | onsemi / Fairchild | MOSFET SO-8 | на замовлення 3887 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4675-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 40V 11A Automotive 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4675-F085 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4675-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET P-CHANNEL MOSFET | на замовлення 4603 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4675-F085 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4675-NL | на замовлення 94000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDS4675NL | FAIRCHILD | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4675_NL | на замовлення 3080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDS4678 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4678 | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4685 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4685 | ONSEMI | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.2A; 2.5W; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Gate charge: 27nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: -40V Drain current: -8.2A On-state resistance: 42mΩ Type of transistor: P-MOSFET | на замовлення 818 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4685 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 40V PCH POWER TRENCH MOSFET | на замовлення 6867 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4685 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4685 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1872 pF @ 20 V | на замовлення 6644 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4685 | Fairchild | Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 42mOhm; 8,2A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS4685 TFDS4685 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4685 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS4685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.2 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 28945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4685 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4685 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4685 Код товару: 82291
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4685 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4685 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1872 pF @ 20 V | на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4685 | ONSEMI | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.2A; 2.5W; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Gate charge: 27nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: -40V Drain current: -8.2A On-state resistance: 42mΩ Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 818 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4685 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS4685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.2 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 28945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4685-NL | FAIRCHILD | 09+ | на замовлення 618 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4685NL | FAIRCHILD | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4685_NL | FAIRCHIL | 09+ TSSOP8 | на замовлення 850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4770 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 13.2A 8SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4770 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4770 | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4770 | FAI | 03+ | на замовлення 740 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4770-NL | FAIRCHILD | SOP8 09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4770NL | FAIRCHILD | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4780 | FSC | на замовлення 26 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4780 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4780 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1686 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4780 | FSC | 09+ SO-8 | на замовлення 1026 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4780 | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4831-NL | на замовлення 94000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDS4835 | FAIRCHILD | на замовлення 415 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4835 | F | 02+ SOP8 | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4835A | на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDS4835ANL | FAIRCHILD | на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS487N2 | Amphenol Positronic | D-Sub Contacts | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS487N2/AA | Amphenol Positronic | D-Sub Contacts | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS487P2 | Amphenol Positronic | D-Sub Contacts | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS487P2/AA | Amphenol Positronic | D-Sub Contacts | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4884-NL | на замовлення 94000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDS4885-NL | на замовлення 94000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDS4885C | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4885C | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 40V 7.5A/6A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A, 6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4885C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 40V 7.5A/6A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4885C | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4885C-NL | Fairchild | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4885CNL | FAIRCHILD | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4885C_NL | FAIRCHILD | на замовлення 175200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4895C | FAIRCHIL | 09+ SOP8 | на замовлення 1007 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4895C | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 40V 5.5A 8SOIC Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 4.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC | на замовлення 1545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4895C | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4895C | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 40V 5.5A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 4.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4895C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 40V 5.5A/4.4A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4895C | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4895L | FDS | 07+/08+ SOP8 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4897AC | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 40V 6.1A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A, 5.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4897AC | onsemi / Fairchild | MOSFET 40V Dual N & P Chan PowerTrench | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4897AC | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS4897AC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 6.1 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 6.1 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 Bauform - Transistor: SOIC Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4897AC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 577500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4897AC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 577500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4897AC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4897AC | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 40V 6.1A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A, 5.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4897AC | Fairchild | Transistor N/P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 39mOhm/65mOhm; 6,1A/5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; FDS4897AC TFDS4897ac кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4897AC | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS4897AC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 6.1 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 6.1 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 Bauform - Transistor: SOIC Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4897AC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 392500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4897C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4897C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4897C | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 40V 6.2A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A, 4.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4897C | Fairchild | Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC FDS4897C TFDS4897C кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4897C | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS4897C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.021 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4897C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 4050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4897C | onsemi / Fairchild | MOSFETs 40V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET | на замовлення 40632 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4897C | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 40V 6.2A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A, 4.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC | на замовлення 283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4897C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4897C-NL | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDS4920 | FDS | SOP-8 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4920 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4925 | FAIRCHIL | 09+ SOP8 | на замовлення 1235 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4925-NL | FDS | на замовлення 94000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4925NL | FAIRCHILD | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4935 | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4935 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 30V P-CH DUAL PowerTrench MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4935 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4935 | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4935 | FSC | 09+ SO-8 | на замовлення 1090 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4935 | FAIRCHILD | на замовлення 139 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4935 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4935 | FAIRCHILD | 09+ | на замовлення 5018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4935 | FSC | на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4935-NL | FAIRCHILD | 09+ | на замовлення 5018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4935A | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS4935A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 10770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4935A | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4935A | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4935A | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4935A | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4935A Код товару: 40550
Додати до обраних
Обраний товар
| Fairchild | Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SO-8 Uds,V: 30 V Id,A: 7 А Rds(on),Om: 0,023 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1233/15 Монтаж: SMD | у наявності 185 шт: 130 шт - склад39 шт - РАДІОМАГ-Київ 9 шт - РАДІОМАГ-Львів 4 шт - РАДІОМАГ-Харків 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||
| FDS4935A | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4935A | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS4935A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 10770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4935A | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4935A | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | на замовлення 37816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4935A | ONSEMI | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -7A Power dissipation: 1.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1604 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4935A | ONSEMI | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -7A Power dissipation: 1.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 1604 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4935A | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4935A | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4935A | onsemi / Fairchild | MOSFETs -30V Dual | на замовлення 33046 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4935A | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4935A | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS4935A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4935A | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4935A | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | на замовлення 37500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4935A-NL | FAIRCHILD | SOP8 09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4935ANL | FAIRCHILD | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4935A_NL | FSC | на замовлення 128000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4935A_Q | onsemi / Fairchild | MOSFETs -30V Dual | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4935B | на замовлення 9080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDS4935BZ | onsemi / Fairchild | MOSFETs 30V PCH DUAL POWER TRENCH M | на замовлення 31868 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4935BZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 1205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4935BZ | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | на замовлення 9800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4935BZ | Fairchild | Mosfet Array 2x P-Channel (Dual) 30V 6.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC FDS4935BZ ONS TFDS4935bz кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4935BZ | ONSEMI | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -6.9A Power dissipation: 1.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® | на замовлення 2088 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4935BZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4935BZ | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 5985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4935BZ | ONSEMI | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -6.9A Power dissipation: 1.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2088 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4935BZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 1205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4935BZ | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 5885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4935BZ | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | на замовлення 9901 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4935BZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4935BZ | FAIRCHILD | Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 12672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS4935BZ-NL | Fairchild | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4935BZ_G | onsemi / Fairchild | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4935BZ_NL | FAIRCHILD | на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4935NL | FAIRCHILD | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4935_NL | FAIRCHILD | на замовлення 400000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4936 | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4936 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4936-NL | FDS | на замовлення 94000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4953 | onsemi / Fairchild | MOSFETs SO-8 P-CH DUAL -30V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4953 | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 528pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4953 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4953 | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 528pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4953 Код товару: 205323
Додати до обраних
Обраний товар
| Мікросхеми > Транзисторні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4953-NL | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDS4953A | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDS4953A-NL | FAIRCHILD | SOP8 09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4953ANL | FAIRCHILD | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4953NL | FAIRCHILD | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS4953_NL | onsemi / Fairchild | MOSFET 30V, DUAL, SO-8, PCH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4963 | Fairchild | 04+ SOP-8 | на замовлення 6 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS5009 | FDS | 04+ | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS5109 | FDS | 07+/08+ SOP8 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS5109M | FAIRCHIL | 09+ SOP8 | на замовлення 21520 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS5170N3 | FSC | 09+ SO-8 | на замовлення 2305 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS5170N3 | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS5170N3 | FSC | на замовлення 1305 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS5170N3 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS5170N7 | FSC | 09+ SO-8 | на замовлення 1490 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS5170N7 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 10.6A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.6A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2889 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS5170N7 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS5170N7 | FSC | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS5170N7 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 10.6A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.6A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2889 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS5170N7 | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS5170N7 | FDS | 09+ | на замовлення 250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS5341 | FSC | SOP-8 | на замовлення 160 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS53418M | FDS | SOP-8 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS5351 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS5351 | Fairchild | N-MOSFET 6.1A 60V 2.5W 35mΩ FDS5351 TFDS5351 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS5351 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 2230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS5351 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS5351 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 6.1A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.1A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 30 V | на замовлення 23281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS5351 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench | на замовлення 3575 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS5351 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS5351 | On Semiconductor/Fairchild | MOSFET N-CH 60V 6.1A SOIC-8 | на замовлення 8 шт: термін постачання 5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS5351 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS5351 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS5351 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 6.1A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.1A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 30 V | на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS5351 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 2230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS5351 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.1A; 5W; SO8 Case: SO8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 6.1A On-state resistance: 58.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 27nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Technology: PowerTrench® Mounting: SMD | на замовлення 84 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS5351 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.1A; 5W; SO8 Case: SO8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 6.1A On-state resistance: 58.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 27nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Technology: PowerTrench® Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 84 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS5351 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS5351 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.0265 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS5670 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS5670 | onsemi / Fairchild | MOSFETs SO-8 N-CH 60V | на замовлення 7557 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS5670 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS5670 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS5670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 7456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS5670 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS5670 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS5670 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 10A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Gate charge: 70nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS5670 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 15 V | на замовлення 20147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS5670 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS5670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 7456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS5670 Код товару: 66965
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS5670 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 10A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Gate charge: 70nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS5670 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 1890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS5670 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS5670 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 1890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS5670 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 15 V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS5670-NL | FAIRCHILD | 1025+/1041+ SOP8 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS5670-NL | FDS | на замовлення 94000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS5670NL | FAIRCHILD | на замовлення 22500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS5670_NL | FAIRCHILD | на замовлення 45000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS5672 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS5672 | Fairchild | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 23mOhm; 12A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS5672 TFDS5672 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS5672 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS5672 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS5672 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS5672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0088 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0088ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 827 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS5672 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS5672 | ONSEMI | FDS5672 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS5672 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS5672 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 60V 12A 10 OHM NCH POWER TRENCH MOSFET | на замовлення 43863 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS5672 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V | на замовлення 4482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS5672 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS5672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0088 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0088ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 827 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS5672 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS5672 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS5672-NL | FDS | на замовлення 94000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS5672NL | FAIRCHILD | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS5672_F095 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS5680 Код товару: 131521
Додати до обраних
Обраний товар
| товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDS5680 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS5680 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET SO-8 N-CH 60V | на замовлення 11779 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS5680 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS5680 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 8A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS5680 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS5680 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS5680 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 8A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS5680 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS5680 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 9995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS5680 | Fairchild | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 32mOhm; 8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS5680 TFDS5680 кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS5680-NL | FAIRCHIL | 09+ TSOP | на замовлення 850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS5680NL | FAIRCHILD | на замовлення 12500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS5680NL | RHFAIRC | 09+ | на замовлення 2518 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS5682 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS5682 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 7.5A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS5682 | FAIRCHIL | 09+ SOP8 | на замовлення 1014 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS5682 | onsemi / Fairchild | MOSFET 60V N-CH. FET 20 MO SO8 TR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS5682-NL | Fairchild | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS5690 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS5690 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS5690 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS5690 | FAIR | SOP8 | на замовлення 538 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS5690 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1107 pF @ 30 V | на замовлення 51346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS5690 | FDS | SOP-8 | на замовлення 550 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS5690 | Fairchild | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDS5690 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS5690 | onsemi / Fairchild | MOSFETs SO-8 N-CH 60V | на замовлення 16036 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS5690 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS5690 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS5690 | FAIRCHILD | 09+ | на замовлення 5018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS5690 | FAI | 99+ | на замовлення 2450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS5690 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS5690 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1107 pF @ 30 V | на замовлення 47500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS5690 | FAIRCHILD | SOP-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS5690 | FAIRCHIL | 09+ SOP8 | на замовлення 1850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS5690 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDS5690 | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS5690-NBBM009A | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1107 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |