Продукція > FDS

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
FDSPRODECDescription: PRODEC - FDS - Schwamm
tariffCode: 96034090
Tuchmaterial: Schaumstoff
Tuchbreite: 110mm
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
euEccn: NLR
hazardous: false
Tuchlänge: 190mm
rohsPhthalatesCompliant: NA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+91.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDS 09 L 1000Fischer ElektronikD-Sub filter connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS 09 T 1000Fischer ElektronikConn Filtered D-Sub M 9 POS Solder ST Thru-Hole 9 Terminal 1 Port
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-216Jonard ToolsWire Stripping & Cutting Tools Fiber Drop Cable Stripper (1.6mm x 2.0mm(
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-216Jonard ToolsDescription: FIBER DROP CABLE STRIPPER, 1.6 X
Features: Ergonomic
Packaging: Box
Type: Stripper
Cable Type: 1.6mm ~ 2mm Cable Diameter
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2719.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-312Jonard ToolsDescription: FIBER DROP CABLE STRIPPER (3.1MM
Packaging: Bulk
Features: Ergonomic, Side Entry
Type: Stripper
Cable Type: 2mm ~ 3.1mm Cable Diameter
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2715.30 грн
5+2497.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-320-05AutonicsDescription: FIBER OPTIC CABLE RETRO 40MM
Packaging: Bag
Sensing Distance: 1.575" (40mm)
Sensing Method: Reflective, Diffuse
Operating Temperature: -40°C ~ 70°C (TA)
Cable Length: 78.74" (2m)
Connection Method: Connector, M3
Light Source: LED
Part Status: Active
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5108.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-42-1050 LD ADVEAGLERISE ELECTRIC & ELECTRONIC CO. LTDAC/DC, 42W, Вхід: 200-240VAC, LED In-Track Driver
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-E 206PFSC
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-E 206PFSC09+ SO-8
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-E 3170N3FSC09+ SO-8
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-E 3170N3FSC
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-E 3170N7FSC09+ SO-8
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-E 3170N7FSC
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-E 4080N3FSC09+ SO-8
на замовлення 1202 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-E 4080N3FSC
на замовлення 202 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-E 5170N3FSC
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-E 5170N3FSC09+ SO-8
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-E 5170N7FSC
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-E 5170N7FSC09+ SO-8
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-E 7060N7FSC09+ SO-8
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-E 7060N7FSC
на замовлення 445 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-E 7082N3FSC09+ SO-8
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-E 7082N3FSC
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-E 7088N7FSC09+ SO-8
на замовлення 2020 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-E 7088N7FSC
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-E 7096N3FSC
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-E 7096N3FSC09+ SO-8
на замовлення 3438 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-E 7288N3FSC
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-E 7288N3FSC09+ SO-8
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-E7064NFSC
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-E7064NFSC09+ SO-8
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-E7064N3FSC09+ SO-8
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-E7064N3FSC
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-E7296N3FSC09+ SO-8
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-E7296N3FSC
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-E9 7096N3FSC09+ SO-8
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-E9 7096N3FSC
на замовлення 204 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-N 7064N3FSC
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-N 7064N3FSC09+ SO-8
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-O 7064N3FSC
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-O 7064N3FSC09+ SO-8
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-PCRLE TechnologiesDescription: TRANSLATOR - SNMP/MODBUS/BACNET
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-PC-DPRLE TechnologiesDescription: TRANSLATOR - SNMP/MODBUS/BACNET
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-Q 2170N3FSC09+ SO-8
на замовлення 1128 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-Q 2170N3FSC
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-Q 2170N7FSC09+ SO-8
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-Q 2170N7FSC
на замовлення 245 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS005S102Molex / FCTRF Connectors / Coaxial Connectors FCT TERM HFREQ CRP RCPT 50 OHM
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1016.94 грн
10+889.20 грн
25+742.80 грн
50+713.18 грн
100+673.96 грн
250+614.73 грн
400+573.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS009FDS07+/08+ SOP8
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS06LSiemensSwitch Fixings SW OP ONLY FXD DEPTH LF 30-100A MCS SW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS06RSiemensSwitch Fixings SW OP ONLY FXD DEPTH RT 30-100A MCS SW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1Hammond ManufacturingDescription: DOOR SWITCH
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Air Conditioners
Accessory Type: Door Switch
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4504.14 грн
5+4146.89 грн
10+4027.07 грн
20+3481.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1HammondRemote Door Switch For Use With Eclipse, Hme
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1HAMMONDDescription: HAMMOND - FDS1 - REMOTE DOOR SWITCH, 115/230VAC, HME
tariffCode: 85365080
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Produktpalette: RDS Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2708.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1Hammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Door Switch HME
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2932.24 грн
5+2636.29 грн
10+2049.90 грн
25+1874.60 грн
50+1842.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1Hammond ManufacturingDescription: DOOR SWITCH
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Air Conditioners
Accessory Type: Door Switch
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2573.30 грн
5+2118.13 грн
10+1979.73 грн
25+1699.18 грн
50+1588.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS100AA(BA)60SanRex07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS100AA40module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS100AA40SanRex100A/400V/High Speed Diode/2U
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS100AA60SANREXCDH2-1
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS100AA60EUPECMODULE
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS100AA60SanRex100A/600V/High Speed Diode/2U
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS100AA60module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS100BA60SANREXCDH2-1
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS100BA60module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS100BA60SanRex100A/600V/High Speed Diode/2U
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS100BA60SANREXF4-5
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS100BA60EUPECMODULE
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS100BA60SANREX
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS100BA80SANREXF4-5
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS100CA100module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS100CA100EUPECMODULE
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS100CA100SanRex100A/1000V/High Speed Diode/2U
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS100CA100(120)SanRex07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS100CA120SanRex CorporationDescription: DIODE MODULE 1200V 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS100CA120SANREXF4-5
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS100CA120EUPECMODULE
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS100CA120SANREX
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS100CA120SanRexDiode Modules Discrete Semiconductor Modules 1000V 120A
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6755.35 грн
10+6034.75 грн
20+5146.76 грн
50+5045.90 грн
100+4945.85 грн
200+4865.00 грн
500+4822.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS100CA120SANREXCDH2-1
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS100CA120module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS100CA120SanRex100A/1200V/High Speed Diode/2U
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1102OWONFDS1102 Digital Oscilloscopes
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+105721.61 грн
3+105565.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1102AOWONFDS1102A Digital Oscilloscopes
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+110720.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1212Hammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf 12 x 12"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1212Hammond ManufacturingDescription: SHELF FOLD DOWN 12X12" BEIGE
Packaging: Box
Color: Beige
Size / Dimension: 12.000" L x 12.000" W (304.80mm x 304.80mm)
For Use With/Related Products: Enclosures
Material: Metal, Steel
Type: Shelf, Fold Down
Ventilation: Non-Vented
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1212GYHammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 12.000" L x 12.000" W (304.80mm x 304.80mm)
For Use With/Related Products: Enclosures
Material: Metal, Steel
Type: Shelf, Fold Down
Ventilation: Non-Vented
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12773.86 грн
5+10510.79 грн
10+10206.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1212GYHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 12x12 - Steel/Gray
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+16653.98 грн
5+14035.68 грн
10+12071.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1212GYHammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 12.000" L x 12.000" W (304.80mm x 304.80mm)
For Use With/Related Products: Enclosures
Material: Metal, Steel
Type: Shelf, Fold Down
Ventilation: Non-Vented
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+25240.34 грн
25+22684.91 грн
30+21267.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1212LGHammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF - 12X12 - STEEL/
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Racks
Accessory Type: Shelf
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13274.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1212LGHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 12x12 - Steel/Lt Gray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1212LGHammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF - 12X12 - STEEL/
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Racks
Accessory Type: Shelf
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+25240.34 грн
25+22684.91 грн
30+21267.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1212S16Hammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF - 12X12 - 316SS
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Racks
Accessory Type: Shelf
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+56101.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1212S16Hammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF - 12X12 - 316SS
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Racks
Accessory Type: Shelf
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+110235.47 грн
25+99076.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1212S16Hammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 12x12 - 316SS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS136SBSFAIRCHILD00+ SOP-8
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1818Hammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf 18 x 18"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1818Hammond ManufacturingDescription: SHELF FOLD DOWN 18X18" BEIGE
Packaging: Box
Color: Beige
Size / Dimension: 18.000" L x 18.000" W (457.20mm x 457.20mm)
For Use With/Related Products: Enclosures
Material: Metal, Steel
Type: Shelf, Fold Down
Ventilation: Non-Vented
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1818GYHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 18x18 - Steel/Gray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1818GYHammondFold Down Shelf, Ansi 61 Gray, Mounts With Bolts Through Doors Or Sides
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1818GYHammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 18.000" L x 18.000" W (457.20mm x 457.20mm)
For Use With/Related Products: Enclosures
Material: Metal, Steel
Type: Shelf, Fold Down
Ventilation: Non-Vented
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16473.63 грн
5+13601.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1818LGHammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF - 18X18 - STEEL/
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Racks
Accessory Type: Shelf
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17690.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1818LGHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 18x18 - Steel/Lt Gray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1818LGHammondFold Down Shelf, Steel, Light Gray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1818S16Hammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 18x18 - 316SS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1818S16HammondFold Down Shelf, Stainless Steel 316
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1818S16Hammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF - 18X18 - 316SS
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Racks
Accessory Type: Shelf
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+76295.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS187N2Amphenol PositronicDescription: CONTACT SOCKET 16AWG GOLD SOLDER
Packaging: Bag
Contact Finish: Gold
Contact Termination: Solder
Wire Gauge: 16 AWG
Type: Machined
Pin or Socket: Socket
Contact Finish Thickness: FLASH
Contact Material: Copper Alloy
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+266.68 грн
10+218.28 грн
25+204.61 грн
50+182.85 грн
100+174.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS187N2Amphenol PositronicD-Sub Contacts
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+201.71 грн
1140+162.93 грн
5130+124.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS187N2/AAAmphenol PositronicD-Sub Contacts
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2-320-05AutonicsDescription: FIBER OPTIC CABLE RETRO 40MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2-420-05AutonicsDescription: FIBER OPTIC CABLE RETRO 40MM
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS200B
на замовлення 3490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2020NZFDS07+/08+ SOP8
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2070N3onsemi / FairchildMOSFET 150V NCh PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2070N3FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2070N3FSC09+ SO-8
на замовлення 1161 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2070N3FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2070N3FSC
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2070N3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1884 pF @ 75 V
на замовлення 13327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+163.45 грн
Мінімальне замовлення: 152
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2070N7FSC09+ SO-8
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2070N7FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2070N7FAIRCHILDSOP-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2070N7FSC
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2070N7Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1884 pF @ 75 V
на замовлення 12998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+179.13 грн
Мінімальне замовлення: 139
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2070N7onsemi / FairchildMOSFET 150V NCh PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2070N7FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2070N7ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin FLMP SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2070N7FDS
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2074N3FAIRCHILDSO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2074N3FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2074N7FAIRCHILDSO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2074N7FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2170N3FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2170N3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V
на замовлення 2627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+165.50 грн
Мінімальне замовлення: 145
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2170N3FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2170N3onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2170N3FAIRCHILD09+
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2170N3onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2170N3FSC09+
на замовлення 641 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2170N7onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2170N7NS2004 SOP
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2170N7FAIRCHALSOP8
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2170N7onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2170N7FDS
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2170N7Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V
на замовлення 23636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+173.50 грн
Мінімальне замовлення: 139
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2170N7FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2360AMJRCSOP8
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2370N3FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2370N3FAIRCHILDSO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2370N7FAIRCHILDSO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2370N7FSC09+ SO-8
на замовлення 1143 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2370N7FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2370N7FSC
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2407FDSSOP-8
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2407FAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 3420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2424GYHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 24x24 - Steel/Gray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2424GYHammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF - 24X24 - STEEL/
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2424LGHammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF - 24X24 - STEEL/
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2424LGHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 24x24 - Steel/Lt Gray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2424S16Hammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 24x24 - 316SS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2424S16Hammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF - 24X24 - 316SS
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS24C256FDSSOP-8
на замовлення 420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS24C64FDSSOP-8
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2570FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2570FDSSOP-8
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2570Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+106.93 грн
Мінімальне замовлення: 221
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2570FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572ONSEMIFDS2572 SMD N channel transistors
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+164.86 грн
13+94.05 грн
35+89.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.28 грн
5000+52.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS2572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 4.9 A, 0.047 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.85 грн
10+105.95 грн
100+85.57 грн
500+66.04 грн
1000+56.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
323+98.36 грн
500+88.52 грн
1000+81.64 грн
Мінімальне замовлення: 323
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+65.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572FairchildTransistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 53mOhm; 4,9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS2572 TFDS2572
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+43.28 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
на замовлення 14221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.54 грн
10+94.13 грн
100+75.94 грн
500+59.91 грн
1000+55.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+64.89 грн
25+64.67 грн
100+62.16 грн
250+57.37 грн
500+54.90 грн
1000+54.72 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS2572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 4.9 A, 0.047 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.57 грн
500+66.04 грн
1000+56.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+60.36 грн
211+60.16 грн
250+57.83 грн
500+53.37 грн
1000+51.07 грн
Мінімальне замовлення: 210
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572onsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Ch UltraFET Trench
на замовлення 3241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.88 грн
10+101.25 грн
100+73.64 грн
500+56.83 грн
1000+54.99 грн
2500+52.99 грн
5000+49.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572NLFAIRCHILD
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572_Qonsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Ch UltraFET Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2574FAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2574FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.1A Automotive 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582ONSEMIFDS2582 SMD N channel transistors
на замовлення 110 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+148.70 грн
19+64.03 грн
51+61.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582onsemi / FairchildMOSFET 150V 4.5a .6 Ohms/VGS=1V
на замовлення 19193 шт:
термін постачання 587-596 дні (днів)
4+113.93 грн
10+100.33 грн
100+67.88 грн
500+56.03 грн
1000+45.54 грн
2500+41.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582FairchildN-MOSFET 150V 4.1A 66mΩ 2.5W FDS2582 Fairchild TFDS2582
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30.80 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V
на замовлення 5466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.79 грн
10+92.13 грн
100+61.97 грн
500+46.05 грн
1000+42.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582_Qonsemi / FairchildMOSFET 150V 4.5a .6 Ohms/VGS=1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2670FDSSOP-8
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2670onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1228 pF @ 100 V
на замовлення 7503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.67 грн
10+129.57 грн
100+88.76 грн
500+66.94 грн
1000+61.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+63.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2670ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS2670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+108.39 грн
500+84.66 грн
1000+73.50 грн
2500+64.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2670FSC09+ SO-8
на замовлення 1087 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2670FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2670onsemi / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 200V
на замовлення 2306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.80 грн
10+100.33 грн
100+76.68 грн
500+69.64 грн
1000+62.19 грн
2500+60.11 грн
5000+58.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2670FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2670onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1228 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+62.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+67.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2670ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS2670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+178.69 грн
10+143.67 грн
25+130.20 грн
100+108.39 грн
500+84.66 грн
1000+73.50 грн
2500+64.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2670FSC
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2670FAIRCHILD09+
на замовлення 1618 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2670-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2670-NLFAIRCHILD09+
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2670_NLFAIRCHILD
на замовлення 175200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+68.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2535 pF @ 100 V
на замовлення 5343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.01 грн
10+124.65 грн
100+85.60 грн
500+65.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS2672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.9 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+99.67 грн
500+73.87 грн
1000+62.88 грн
5000+60.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+113.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2535 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+59.92 грн
5000+56.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS2672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.9 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+204.72 грн
10+140.97 грн
100+99.67 грн
500+73.87 грн
1000+62.88 грн
5000+60.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+75.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672onsemi / FairchildMOSFETs 200V 3.9A 70mOHMS NCH ULTRAFET
на замовлення 4317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+199.84 грн
10+135.31 грн
100+81.64 грн
500+66.20 грн
1000+61.23 грн
2500+56.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 200V3.9A 70OHMNCH UL TRAFET TRENCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2535 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672-TF085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 200V,3.9A, 70OHM,NCH ULTRAFETtrenchMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2682FAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2682FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2734onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 100 V
на замовлення 9949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.40 грн
10+130.99 грн
100+90.20 грн
500+69.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2734ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+71.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2734ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2734FairchildTransistor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 225mOhm; 3A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS2734 TFDS2734
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+49.31 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2734ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+207.81 грн
90+141.92 грн
100+129.25 грн
200+95.31 грн
500+82.21 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2734onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 100 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+63.42 грн
5000+60.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2734ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS2734 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 3 A, 0.097 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+129.30 грн
500+81.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2734ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+76.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2734onsemi / FairchildMOSFETs 250V 3.0A 117 OHM NCH ULTRAFE
на замовлення 13302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+217.58 грн
10+150.04 грн
100+90.45 грн
500+72.76 грн
1000+71.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2734ONSEMIFDS2734 SMD N channel transistors
на замовлення 2098 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+239.20 грн
12+107.06 грн
31+101.05 грн
250+100.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2734ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+73.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2734ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2734ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS2734 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 3 A, 0.097 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.097
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+177.79 грн
10+150.85 грн
100+129.30 грн
500+81.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2734-NLFairchild
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS29106AFDS07+/08+ SOP8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2ND 7064N7FSC
на замовлення 330 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2ND 7064N7FSC09+ SO-8
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2P102FDS07+/08+ SOP8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2P102FDSSOP-8
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2P102AFAI04/05/
на замовлення 14745 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2P103FDS07+/08+ SOP8
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS300BB50SANREXCDH4-1
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS30C1MARATHON SPECIAL PRODUCTSDescription: MARATHON SPECIAL PRODUCTS - FDS30C1 - FUSED SWITCH, CLASS CC, 1P, 30A, 120VAC
tariffCode: 85365080
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Kontaktkonfiguration: -
Sicherungsgröße: Class CC
Anzahl der Sicherungen: 1 Fuse
euEccn: NLR
Polzahl: 1 Pole
isCanonical: Y
AC-Kontaktstrom, max.: 30A
AC-Kontaktspannung, max.: 120V
Schalteranschlüsse: Spring Clamp
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4512.93 грн
10+4397.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS30C3MARATHON SPECIAL PRODUCTSDescription: MARATHON SPECIAL PRODUCTS - FDS30C3 - FUSED SWITCH, CLASS CC, 3P, 30A, 600VAC
tariffCode: 85365080
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Kontaktkonfiguration: -
Sicherungsgröße: Class CC
Anzahl der Sicherungen: 3 Fuse
euEccn: NLR
Polzahl: 3 Pole
AC-Kontaktstrom, max.: 30A
AC-Kontaktspannung, max.: 600V
Schalteranschlüsse: Spring Clamp
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+22901.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3170N3FSC09+ SO-8
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3170N3FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3170N3FSC
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3170N3FAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3170N7FSC
на замовлення 3460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3170N7FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3170N7FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3170N7Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 6.7A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 50 V
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+174.04 грн
Мінімальне замовлення: 179
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3170N7FSC09+ SO-8
на замовлення 4460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3170N7FAI02+
на замовлення 1419 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3170N7FAIRCHILD09+
на замовлення 90018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3172N3FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3172N3FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3172N7FAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3172N7FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3512ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 4A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3512FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3512onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3512onsemi / FairchildMOSFET SO-8
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+241.86 грн
10+214.47 грн
100+149.68 грн
500+123.27 грн
1000+102.45 грн
2500+94.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3512FAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3512FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3512onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 40 V
на замовлення 3894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.54 грн
10+138.16 грн
100+99.89 грн
500+77.89 грн
1000+73.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS35606N/A09+
на замовлення 228 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3570onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3570FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3570FAIRCHILDFDS3570
на замовлення 1971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+234.42 грн
500+222.81 грн
1000+210.13 грн
Мінімальне замовлення: 136
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3570ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3570 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 78919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+245.13 грн
Мінімальне замовлення: 141
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3570FAIRCHILDFDS3570
на замовлення 4659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+234.42 грн
500+222.81 грн
1000+210.13 грн
Мінімальне замовлення: 136
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3570Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 9A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 25 V
на замовлення 78778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+198.40 грн
Мінімальне замовлення: 117
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3570FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3570FAIRCHILDFDS3570
на замовлення 52256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+234.42 грн
500+222.81 грн
1000+210.13 грн
10000+190.41 грн
Мінімальне замовлення: 136
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3570FAIRCHILDFDS3570
на замовлення 19891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+234.42 грн
500+222.81 грн
1000+210.13 грн
10000+190.41 грн
Мінімальне замовлення: 136
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3570onsemi / FairchildMOSFETs SO-8 N-CH 80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3570Fairchild
на замовлення 2102 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3570-NLFAIRCHILDSOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3570_NLonsemi / FairchildMOSFET 80V N-Channel PowerTrench® MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572ON Semiconductor / FairchildMOSFET 80V N-Channel PowerTrench
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.24 грн
10+82.55 грн
100+62.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V
на замовлення 7070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.41 грн
10+100.89 грн
100+80.30 грн
500+63.77 грн
1000+54.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.88 грн
5000+52.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572onsemi / FairchildMOSFET 80V N-Channel PowerTrench
на замовлення 4084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.14 грн
10+114.14 грн
100+78.92 грн
250+75.16 грн
500+65.88 грн
1000+57.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
165+77.04 грн
Мінімальне замовлення: 165
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 8.9 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 8.9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+200.24 грн
10+178.69 грн
100+139.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+103.97 грн
10000+95.01 грн
15000+88.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572NLFAIRCHILD
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+244.55 грн
Мінімальне замовлення: 126
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3580ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3580ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3580onsemi / FairchildMOSFETs SO-8 N-CH 80V
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.25 грн
10+84.69 грн
100+58.19 грн
500+47.79 грн
1000+45.14 грн
2500+42.50 грн
5000+41.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3580ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+86.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3580onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.34 грн
5000+42.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3580ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3580ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3580onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 9297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+161.91 грн
10+99.55 грн
100+67.51 грн
500+50.49 грн
1000+48.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3590onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 40 V
на замовлення 5105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.02 грн
10+70.29 грн
100+46.68 грн
500+34.29 грн
1000+31.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3590ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3590ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3590ONSEMIFDS3590 SMD N channel transistors
на замовлення 443 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+113.35 грн
26+46.83 грн
70+44.32 грн
1000+44.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3590onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.88 грн
5000+27.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3590onsemi / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 80V
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3590ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3601FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3601FSC0430+ SOP-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3601Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 1.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 49698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+32.78 грн
Мінімальне замовлення: 740
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3601ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3601 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 49698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
891+35.56 грн
Мінімальне замовлення: 891
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3601onsemi / FairchildMOSFET SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3601FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3601onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 1.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3601-NL
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3601NLFAIRCHILD
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3601_NLonsemi / FairchildMOSFET 100V/20V, 480/530MO, NCH, DUAL, SO8, 600A GOX, PTI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3601_NLFAIRCHILD
на замовлення 54500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3612ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3612 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
544+63.48 грн
Мінімальне замовлення: 544
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3612FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3612Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
на замовлення 4809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
489+50.82 грн
Мінімальне замовлення: 489
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3612FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3612ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3670FDSSOP-8
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3670Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 6.3A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3670FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3670FAI01+ SMD
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.74 грн
5000+49.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672
Код товару: 38205
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5mW
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.37 грн
500+51.36 грн
1000+45.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672FairchildTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 43mOhm; 7,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS3672 TFDS3672
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+38.08 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+67.41 грн
Мінімальне замовлення: 188
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 25 V
на замовлення 46375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.66 грн
10+92.47 грн
100+66.41 грн
500+49.32 грн
1000+46.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672UMWDescription: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5mW
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+158.93 грн
50+102.36 грн
100+72.37 грн
500+51.36 грн
1000+45.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.11 грн
5000+53.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672ONSEMIFDS3672 SMD N channel transistors
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+124.99 грн
20+62.03 грн
53+59.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672onsemi / FairchildMOSFETs 100V 7.5a .22 Ohms/VGS=1V
на замовлення 22185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+166.22 грн
10+110.46 грн
100+66.12 грн
500+52.67 грн
1000+48.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+75.21 грн
11+72.23 грн
100+61.37 грн
250+53.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 25 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.83 грн
5000+45.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+62.69 грн
1000+61.76 грн
2500+61.15 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672UMWDescription: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672-NLFAIRCHILDSOP8 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672-NLFairchild
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672NLFSIRCHILD
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672_NLFAIRCHILD
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672_NLFAIRCHIL..07+ SOP-8
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672_Qonsemi / FairchildMOSFETs 100V 7.5a .22 Ohms/VGS=1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3680onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 5.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3680FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3680FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3682FAIRCHIL
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3682FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3682FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3682Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 6A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3682-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3682_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
360+71.87 грн
Мінімальне замовлення: 360
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3682_NLFAIRCHILD09+
на замовлення 388 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS36882FSC02+ SMD-8
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3690FAIRCHILD09+
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3690FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3690FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3692ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3692FairchildTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 122mOhm; 4,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS3692 TFDS3692
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.97 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3692onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 746 pF @ 25 V
на замовлення 6644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.38 грн
10+74.21 грн
100+57.72 грн
500+45.91 грн
1000+37.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3692ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3692 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+120.32 грн
10+107.75 грн
100+84.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3692onsemi / FairchildMOSFETs 100V 4.5a .3 Ohms/VGS=1V
на замовлення 32580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+113.93 грн
10+77.05 грн
100+48.67 грн
500+40.58 грн
1000+37.14 грн
2500+31.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3692ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3692onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 746 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.96 грн
5000+35.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3692ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 4.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3692-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3692NLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3692_NLFAIRCHILD09+
на замовлення 728 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3692_Qonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS37C931CQFP
на замовлення 720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS37C932
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS37C93202+ QFP
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS37H869
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3812onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3812FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3812FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3812FAIRCHILD09+
на замовлення 418 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3812_NLFAIRCHILD09+
на замовлення 828 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3890onsemi / FairchildMOSFETs SO-8
на замовлення 20675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+177.43 грн
10+125.19 грн
100+77.56 грн
500+64.51 грн
1000+64.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3890FAIRCHILD09+
на замовлення 618 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3890onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 8665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.75 грн
10+117.06 грн
100+80.18 грн
500+60.44 грн
1000+60.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3890ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3890 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+219.09 грн
10+141.87 грн
100+96.98 грн
500+72.12 грн
1000+64.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3890ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 4.7A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3890FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3890ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 4.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3890FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3890onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.91 грн
5000+52.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3890
Код товару: 49621
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3890-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3896FAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3896FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3912FAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 1047 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3912FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3912onsemi / FairchildMOSFETs SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3912FAIRCHILD
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3912FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3912onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3912-NL
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS399FAIRCHILDSOP-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3992ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3992 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.054 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.054ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+163.42 грн
10+110.44 грн
100+77.31 грн
500+53.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3992ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3992onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 6574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+158.45 грн
10+97.89 грн
100+66.41 грн
500+49.67 грн
1000+47.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3992ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+87.89 грн
10+77.48 грн
25+77.11 грн
100+65.63 грн
250+60.37 грн
500+48.72 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3992ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 4.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3992onsemi / FairchildMOSFETs 100V 4.5a .62 Ohms/VGS=1V
на замовлення 23071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+161.55 грн
10+107.70 грн
100+67.64 грн
500+50.99 грн
1000+50.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3992ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+72.31 грн
Мінімальне замовлення: 176
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3992
Код товару: 117038
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3992ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3992onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.59 грн
5000+41.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3992ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3992 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.054 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.054ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.79 грн
500+52.64 грн
1000+48.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3992ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3992ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3992ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+67.41 грн
1000+66.47 грн
2500+65.76 грн
5000+62.27 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3992NLFAIRCHILD
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3992_Qonsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4070N3FSC09+ SO-8
на замовлення 1156 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4070N3FAI03+
на замовлення 575 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4070N3onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4070N3FAIRCHILD0903+ SOP8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4070N3FSC
на замовлення 156 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4070N3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V
на замовлення 8613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+145.88 грн
Мінімальне замовлення: 171
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4070N3FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4070N3onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4070N3FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4070N7onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4070N7FSC09+ SO-8
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4070N7FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4070N7Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V
на замовлення 69332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+145.88 грн
Мінімальне замовлення: 171
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4070N7FSC
на замовлення 178 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4070N7onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4070N7FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4070N7FDS
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4072N3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 12.4A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4072N3FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4072N3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 12.4A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4072N3FSC
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4072N3FAI242
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4072N3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 12.4A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4072N3FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4072N7FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4072N7FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4072N7Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 12.4A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4299 pF @ 20 V
на замовлення 9775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+137.68 грн
Мінімальне замовлення: 180
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4080N3FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4080N3FSC
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4080N3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 13A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 20 V
на замовлення 39912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+132.23 грн
Мінімальне замовлення: 181
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4080N3FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4080N7FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4080N7Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 13A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 20 V
на замовлення 11820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+133.03 грн
Мінімальне замовлення: 180
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4080N7FSC
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4080N7FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4080N7FSC09+ SO-8
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4141ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 10.8
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
Verlustleistung: 5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4141ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 10.8A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4141onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4141onsemi / FairchildMOSFETs -40V P-Channel PowerTrench
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.52 грн
10+95.73 грн
100+73.88 грн
500+68.68 грн
1000+62.35 грн
2500+40.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4141ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 10.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
486+65.22 грн
540+58.70 грн
1000+54.14 грн
Мінімальне замовлення: 486
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4141ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 10.8A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4141onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4141ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 5
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4141ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 10.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 37231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+22.03 грн
100+21.63 грн
500+20.53 грн
1000+18.90 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4141-F085onsemi / FairchildMOSFET -40V P-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4141-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 10.8A Automotive 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4141-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 10.8A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4141-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2005 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4141-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2005 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4141-SN00136onsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4141-SN00136Ponsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4141SN00136PonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4141_TSN00136onsemi / Fairchildonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4201DAmphenol PositronicD-Sub Contacts
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1162.62 грн
10+1015.30 грн
25+849.25 грн
50+816.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4201D/AAPOSITRONICDescription: POSITRONIC - FDS4201D/AA - D-Sub-Kontakt, D-Sub-Steckverbinder der Produktreihen CBD & CBDD von Positronic, Buchsenkontakt
tariffCode: 85366990
Kontaktausführung: Buchsenkontakt
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte
Kontaktanschluss: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: TBC
Kontaktmaterial: Kupferlegierung
Leiterstärke (AWG), max.: -
Leiterstärke (AWG), min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: D-Sub-Steckverbinder der Produktreihen CBD & CBDD von Positronic
usEccn: TBC
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1885.62 грн
3+1666.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4201D/AAPositronicDescription: CON F SIZE 8 PCB
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4201D/AAAmphenol PositronicD-Sub Contacts CON F size 8 PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS425N2Amphenol PositronicD-Sub Contacts
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS425N2/AAAmphenol PositronicD-Sub Contacts
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS425P2Amphenol PositronicDescription: FDS425P2
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS425P2Amphenol PositronicD-Sub Contacts
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS425P2Positronic IndustriesFDS425P2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS425P2/AAAmphenol PositronicD-Sub Contacts
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS425P2/AAPositronic IndustriesFDS425P2/AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS425P2/AAAmphenol PositronicDescription: FDS425P2/AA
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4310DPEI-GenesisDescription: CONTACT SIZE 8 FEMALE CBD/CBDD
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4310DAmphenol PositronicD-Sub Contacts
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4310D/AAAmphenol PositronicD-Sub Contacts
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4310MAmphenol PositronicD-Sub Contacts
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4310M/AAAmphenol PositronicD-Sub Contacts
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4312DAmphenol PositronicDescription: CONTACT
Packaging: Bag
Contact Finish: Gold
Contact Termination: Crimp
Wire Gauge: 10 AWG
Type: Power
Contact Type: Female Socket
Contact Finish Thickness: FLASH
Contact Material: Copper Alloy
Contact Form: Machined
Part Status: Active
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+624.28 грн
10+489.60 грн
30+444.10 грн
50+398.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4312DAmphenol PositronicD-Sub Contacts
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4312D/AAAmphenol PositronicD-Sub Contacts
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4314DAmphenol PositronicD-Sub Contacts
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+696.64 грн
10+618.57 грн
25+506.67 грн
50+493.86 грн
100+480.26 грн
250+429.03 грн
500+402.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4314D/AAAmphenol PositronicD-Sub Contacts
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+587.38 грн
10+550.45 грн
50+433.83 грн
105+368.20 грн
210+366.60 грн
525+344.98 грн
1050+316.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4410ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4410onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4410FAIRCHILDFDS4410
на замовлення 5905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
962+32.95 грн
1018+31.12 грн
Мінімальне замовлення: 962
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4410onsemi / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4410Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 15 V
на замовлення 39200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
833+29.84 грн
Мінімальне замовлення: 833
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4410FAIRCHILDFDS4410
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
962+32.95 грн
1018+31.12 грн
Мінімальне замовлення: 962
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4410FAIRCHILDFDS4410
на замовлення 30995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
962+32.95 грн
1018+31.12 грн
Мінімальне замовлення: 962
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4410ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4410 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 76100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1002+29.81 грн
Мінімальне замовлення: 1002
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4410-NL
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4410Aonsemi / FairchildMOSFETs LOGIC LEVEL PO SINGLE NCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4410AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4410AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4410AFairchild SemiconductorDescription: SINGLE N CHANNEL, LOGIC-LEVEL, P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4410ANLFAIRCHILD
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4410A_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V,10A,SINGLE NCH LOGIC LEVEL POWER TRENCH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4410NLFAIRCHILD
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4410_NLFAIRCHILD05+06+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4416FSC09+ SO-8
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4416FSC
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4420FSC
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4420FSC09+ SO-8
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4420AFSCSOP-8
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4425-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435onsemi / FairchildMOSFETs SO-8 P-CH -30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1604 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435(LF)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435-NLFAIRCHILDSOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435-NLFairchildSOP8 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435-NLFAIRCHILD09+
на замовлення 20018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435Aonsemi / FairchildMOSFETs SO-8 P-CH -30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
157+140.26 грн
Мінімальне замовлення: 157
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435AFSC09+ SO-8
на замовлення 1097 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435AFAIRCHIL
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435AonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 23578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+161.56 грн
500+145.72 грн
1000+134.11 грн
10000+115.06 грн
Мінімальне замовлення: 197
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435AFAIRCHILD
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435AFAI00+
на замовлення 563 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435AFSC
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435AFAIRSOP8
на замовлення 165 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4435A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+119.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435AonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+161.56 грн
500+145.72 грн
Мінімальне замовлення: 197
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435AFAIRCHILSOP8
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435AFAI2001+ SMD
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435A-NLFAIRCHILDSOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435A-NLFAIRCHILD09+
на замовлення 20018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435ANL
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435A_NL
на замовлення 5080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.74 грн
5000+21.12 грн
7500+21.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1932 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+72.19 грн
10+42.91 грн
50+33.12 грн
100+30.22 грн
250+26.81 грн
500+25.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+21.76 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 31813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+78.57 грн
50+44.36 грн
100+35.02 грн
500+27.10 грн
1000+23.40 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+99.72 грн
14+54.90 грн
100+43.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
на замовлення 67560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+79.66 грн
10+48.11 грн
100+31.51 грн
500+22.87 грн
1000+20.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
379+33.45 грн
462+27.45 грн
500+27.37 грн
1000+23.05 грн
2500+21.27 грн
Мінімальне замовлення: 379
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+55.41 грн
10+33.43 грн
100+21.58 грн
500+15.44 грн
1000+13.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZON-SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC FDS4435BZ-F085 FDS4435BZ TFDS4435bz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+24.55 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZonsemiMOSFETs 30V.PCH POWER TRENCH MOSFET
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+87.50 грн
10+54.03 грн
100+30.74 грн
500+23.77 грн
1000+21.45 грн
2500+19.61 грн
5000+17.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 38476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.70 грн
500+24.26 грн
1000+20.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+60.16 грн
13+34.44 грн
50+27.60 грн
100+25.18 грн
250+22.35 грн
500+21.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.33 грн
5000+18.04 грн
7500+17.25 грн
12500+15.36 грн
17500+14.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ
Код товару: 45479
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ-F085onsemi / FairchildMOSFET 30V P-Chan PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ-GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ-GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ-NLFAIRCHILDSOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZNLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435FDS4435AFDS4435BZFAICHILD
на замовлення 329000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435NLFAIRCHILD
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435_NLFAIRCHILD
на замовлення 450000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4450-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4463
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4463-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4463NLFAIRCHILD
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
на замовлення 7431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.29 грн
10+114.39 грн
100+77.79 грн
500+58.28 грн
1000+53.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+110.15 грн
10+92.77 грн
100+78.38 грн
250+74.88 грн
500+54.55 грн
1000+51.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465ON-SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC FDS4465-F085 FDS4465 TFDS4465
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+69.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+100.24 грн
128+99.59 грн
174+73.18 грн
250+69.86 грн
500+50.92 грн
1000+48.00 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4465 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
506+68.06 грн
Мінімальне замовлення: 506
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+53.59 грн
5000+48.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465ONSEMIFDS4465 SMD P channel transistors
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+155.16 грн
15+83.04 грн
40+78.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+64.02 грн
1000+63.04 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+123.33 грн
136+93.77 грн
149+85.32 грн
200+70.54 грн
500+61.02 грн
1000+47.29 грн
Мінімальне замовлення: 103
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465onsemi / FairchildMOSFETs SO-8
на замовлення 1824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.41 грн
10+101.25 грн
100+62.75 грн
500+51.31 грн
1000+47.95 грн
2500+44.82 грн
5000+39.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET SO-8SNGLPCH20V/8V
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465-GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465-NLFDS
на замовлення 89000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465-PGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4465. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13.5 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+83.87 грн
500+57.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4465. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13.5 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+167.91 грн
10+120.32 грн
100+83.87 грн
500+57.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465NLFAIRCHILD
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465_F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465_NLFSC09+
на замовлення 6818 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465_NLFAIRCHILD
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465_SN00187onsemiDescription: MOSFET P-CHANNEL 20V 13.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4467FAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4467FDSSOP-8
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4467-NL
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4467NLFAIRCHILD
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470onsemi / FairchildMOSFETs SO-8
на замовлення 3339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+221.32 грн
10+140.84 грн
25+108.86 грн
100+84.85 грн
250+79.64 грн
500+68.68 грн
1000+63.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2659 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+67.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4470 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12.5 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+226.28 грн
10+170.60 грн
100+145.46 грн
500+108.39 грн
1000+90.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+82.66 грн
169+75.17 грн
170+72.26 грн
173+65.47 грн
250+61.47 грн
500+60.08 грн
1000+58.70 грн
Мінімальне замовлення: 154
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4470 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12.5 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
на замовлення 5649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+95.18 грн
500+84.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+86.12 грн
10+79.10 грн
25+78.44 грн
50+74.88 грн
100+68.38 грн
250+64.72 грн
500+63.81 грн
1000+62.89 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2659 pF @ 20 V
на замовлення 6091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.66 грн
10+120.40 грн
100+95.84 грн
500+76.11 грн
1000+64.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4470 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470ONSEMIFDS4470 SMD N channel transistors
на замовлення 386 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+171.32 грн
12+103.06 грн
32+97.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+112.99 грн
500+101.74 грн
Мінімальне замовлення: 281
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470NLFAIRCHILD
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470_Qonsemi / FairchildMOSFET SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480Fairchild
на замовлення 4863 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480onsemi / FairchildMOSFETs SO-8
на замовлення 3321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.66 грн
10+60.75 грн
100+43.54 грн
500+36.66 грн
1000+36.18 грн
2500+33.70 грн
10000+32.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1686 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480FAIRCHILD09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 10.8A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 45A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.5W
On-state resistance: 21mΩ
Drain current: 10.8A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 45A
Gate charge: 41nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+71.83 грн
8+58.70 грн
25+51.78 грн
100+46.52 грн
500+44.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 45A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.5W
On-state resistance: 21mΩ
Drain current: 10.8A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 45A
Gate charge: 41nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+86.20 грн
5+73.15 грн
25+62.13 грн
100+55.83 грн
500+52.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480FAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 10.8A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1686 pF @ 20 V
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.35 грн
10+73.71 грн
100+49.33 грн
500+36.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480-NLFAIRSOP8
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480NLFAIRCHILD
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480SNLFAIRCHILD
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480_F095onsemi / FairchildArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480_NL
на замовлення 10080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480_Qonsemi / FairchildMOSFETs SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4485FAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4485FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4488onsemi / FairchildMOSFET SO-8
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+53.23 грн
10+40.23 грн
100+29.06 грн
2500+28.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4488onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.89 грн
10+33.52 грн
100+27.70 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4488FAIRCHILDFDS4488
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
517+61.38 грн
Мінімальне замовлення: 517
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4488FAIRCHILD09+
на замовлення 1218 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4488ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7.9A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4488FAIRCHILDFDS4488
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
517+61.38 грн
Мінімальне замовлення: 517
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4488Fairchild SemiconductorDescription: 0.0079A, 30V, N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 927 pF @ 15 V
на замовлення 117757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
497+47.92 грн
Мінімальне замовлення: 497
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4488FAIRCHILDFDS4488
на замовлення 31980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
517+61.38 грн
Мінімальне замовлення: 517
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4488FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4488FAIRCHILDFDS4488
на замовлення 3707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
517+61.38 грн
Мінімальне замовлення: 517
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4488FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4488ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4488 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 117757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
729+37.89 грн
Мінімальне замовлення: 729
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4488FAIRCHILDFDS4488
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
517+61.38 грн
Мінімальне замовлення: 517
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4488FAIRCHILDFDS4488
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
517+61.38 грн
Мінімальне замовлення: 517
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4488-NL
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4489FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4489FAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4501FAIRCHIL00+ SOP
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4501AHFAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4501hFAIRSOP8
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4501hONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-20V; 9.3/-5.6A; 2.5W; SO8
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 9.3/-5.6A
Gate-source voltage: ±20/±8V
Drain-source voltage: 30/-20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 80/29mΩ
Technology: PowerTrench®
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: SO8
Gate charge: 21/27nC
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4501HFAIRCHILDTrans MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A/5.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
459+69.06 грн
500+66.11 грн
1000+62.44 грн
Мінімальне замовлення: 459
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4501hFAIRCHILDSO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4501honsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A, 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1958pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4501hfsc04+ sop
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4501hFAI02+
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4501HFAIRCHILDTrans MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A/5.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 35450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
459+69.06 грн
500+66.11 грн
1000+62.44 грн
Мінімальне замовлення: 459
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4501honsemi / FairchildMOSFET SO-8 COMP N-P-CH
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.59 грн
10+95.73 грн
100+73.24 грн
1000+66.92 грн
2500+37.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4501hFAIRCHILD09+
на замовлення 30018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4501hFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A, 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1958pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 37590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
283+77.84 грн
Мінімальне замовлення: 283
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4501HFAIRCHILDTrans MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A/5.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
459+69.06 грн
500+66.11 грн
1000+62.44 грн
Мінімальне замовлення: 459
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4501hFSC
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4501HON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A/5.6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4501honsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A, 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1958pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
на замовлення 4936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.61 грн
10+80.29 грн
100+53.86 грн
500+39.94 грн
1000+36.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4501hFSC09+ SO-8
на замовлення 1037 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4501HNLFAIRCHILD
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4501NLFAIRCHILD
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4532FAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4532F00+ SOP-8
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4532FDS
на замовлення 22350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4532NLFAIRCHILD
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4542FAI2004 SMD8
на замовлення 543 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4542FAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+28.20 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 759pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 15370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.11 грн
10+58.36 грн
100+38.53 грн
500+28.19 грн
1000+25.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+28.19 грн
27+27.42 грн
100+27.20 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4559 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.05 грн
500+34.35 грн
1000+28.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559onsemi / FairchildMOSFETs 60V/-60V N/P
на замовлення 3092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.59 грн
10+64.71 грн
100+37.22 грн
500+29.30 грн
1000+26.41 грн
2500+23.69 грн
5000+20.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
839+37.76 грн
1000+34.83 грн
10000+31.04 грн
Мінімальне замовлення: 839
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 759pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.28 грн
5000+22.51 грн
7500+21.58 грн
12500+19.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+66.74 грн
192+66.14 грн
290+43.84 грн
292+41.98 грн
500+30.28 грн
1000+21.73 грн
Мінімальне замовлення: 190
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4559 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+116.73 грн
50+73.36 грн
100+48.58 грн
500+35.35 грн
1000+29.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+113.03 грн
11+71.50 грн
25+70.87 грн
100+45.30 грн
250+41.64 грн
500+31.14 грн
1000+23.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 26954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+116.15 грн
500+104.54 грн
1000+96.41 грн
10000+82.88 грн
Мінімальне замовлення: 273
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+116.15 грн
500+104.54 грн
1000+96.41 грн
10000+82.88 грн
Мінімальне замовлення: 273
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559-F085onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4559-F085 - 60V COMPLEMENTARY POWERTRENCH® MOSFET
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559-F085onsemi / FairchildMOSFET 60V Complementary PowerTrench MOS
на замовлення 8150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559-NL
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559ANLFAIRCHILD
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559NLFAIRCHILD
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559_NLFAIRCHILD
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4585
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4585NLFAIRCHILD
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4672FDSSOP-8
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4672FDS07+/08+ SOP8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4672AONSEMIFDS4672A SMD N channel transistors
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+133.61 грн
18+70.04 грн
47+66.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4672AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4672AonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4766 pF @ 20 V
на замовлення 39925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.78 грн
10+55.78 грн
100+36.76 грн
500+26.82 грн
1000+24.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4672AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4672AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4672A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 11
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4672Aonsemi / FairchildMOSFETs SO-8
на замовлення 4213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+111.13 грн
10+68.39 грн
100+39.30 грн
500+28.50 грн
1000+25.77 грн
2500+25.13 грн
5000+21.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4672AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4672AonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4766 pF @ 20 V
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.99 грн
5000+21.33 грн
7500+20.44 грн
12500+18.23 грн
17500+18.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4672A-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4672ANLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 20 V
на замовлення 20085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+114.29 грн
10+74.79 грн
100+49.99 грн
500+36.95 грн
1000+33.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
431+73.53 грн
500+66.18 грн
1000+61.03 грн
Мінімальне замовлення: 431
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 20 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.50 грн
5000+29.97 грн
7500+29.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675ON-SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 21mOhm; 11A; 2,4W; -55°C ~ 175°C; FDS4675 TFDS4675
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4675 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.26 грн
500+45.11 грн
1000+35.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.93 грн
5000+35.86 грн
7500+35.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.29 грн
5000+38.96 грн
7500+38.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675ONSEMIFDS4675 SMD P channel transistors
на замовлення 195 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+134.69 грн
18+68.04 грн
49+64.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4675 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+124.81 грн
50+86.92 грн
100+59.26 грн
500+45.11 грн
1000+35.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675onsemi / FairchildMOSFETs SO-8
на замовлення 3772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+119.53 грн
10+82.29 грн
100+47.71 грн
500+37.54 грн
1000+34.10 грн
2500+30.98 грн
5000+28.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET P-CHANNEL MOSFET
на замовлення 4603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675-NL
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675NLFAIRCHILD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675_NL
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4678FAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4678FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685ONSEMIFDS4685 SMD P channel transistors
на замовлення 755 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+95.90 грн
21+59.03 грн
56+56.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.2 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 25790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+108.65 грн
50+75.16 грн
100+54.23 грн
500+40.69 грн
1000+34.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685onsemi / FairchildMOSFETs 40V PCH POWER TRENCH MOSFET
на замовлення 6867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.38 грн
10+75.30 грн
100+50.99 грн
500+43.22 грн
1000+35.22 грн
2500+34.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1872 pF @ 20 V
на замовлення 8794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+68.40 грн
10+46.94 грн
100+30.67 грн
500+22.22 грн
1000+20.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685
Код товару: 82291
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685FairchildTransistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 42mOhm; 8,2A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS4685 TFDS4685
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+38.49 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.2 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 28945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.63 грн
500+46.19 грн
1000+36.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.19 грн
5000+46.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1872 pF @ 20 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.72 грн
5000+17.48 грн
7500+16.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685-NLFAIRCHILD09+
на замовлення 618 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685NLFAIRCHILD
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685_NLFAIRCHIL09+ TSSOP8
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4770Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 13.2A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4770FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4770FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4770FAI03+
на замовлення 740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4770-NLFAIRCHILDSOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4770NLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4780FSC
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4780FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4780onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1686 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4780FSC09+ SO-8
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4780FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4831-NL
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4835FAIRCHILD
на замовлення 415 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4835F02+ SOP8
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4835A
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4835ANLFAIRCHILD
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS487N2Amphenol PositronicD-Sub Contacts
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS487N2/AAAmphenol PositronicD-Sub Contacts
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS487P2Amphenol PositronicD-Sub Contacts
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS487P2/AAAmphenol PositronicD-Sub Contacts
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4884-NL
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4885-NL
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4885CFAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4885ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 40V 7.5A/6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A, 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4885CFAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4885CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 7.5A/6A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4885C-NLFairchild
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4885CNLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4885C_NLFAIRCHILD
на замовлення 175200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4895CFAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4895CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 5.5A/4.4A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4895CFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 40V 5.5A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 4.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+33.79 грн
Мінімальне замовлення: 740
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4895CFAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4895CFAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4895ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 40V 5.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 4.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4895LFDS07+/08+ SOP8
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897AConsemi / FairchildMOSFET 40V Dual N & P Chan PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897ACONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4897AC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 6.1 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 6.1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897ACON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 577500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+49.82 грн
18+41.16 грн
25+37.15 грн
100+33.34 грн
500+29.14 грн
1000+26.59 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897AConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6.1A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A, 5.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897ACON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 577500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+46.50 грн
Мінімальне замовлення: 273
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897ACON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897ACFairchildTransistor N/P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 39mOhm/65mOhm; 6,1A/5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; FDS4897AC TFDS4897ac
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+23.17 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897ACONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4897AC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 6.1 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 6.1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897AConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A, 5.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897ACON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 392500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1137+27.88 грн
Мінімальне замовлення: 1137
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A, 4.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
677+46.83 грн
Мінімальне замовлення: 677
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
257+49.35 грн
Мінімальне замовлення: 257
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897CFairchildTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC FDS4897C TFDS4897C
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+17.58 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897CONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4897C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897Consemi / FairchildMOSFETs 40V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 40632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.55 грн
10+61.12 грн
100+41.38 грн
500+38.50 грн
1000+36.98 грн
2500+27.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A, 4.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+69.34 грн
14+53.69 грн
100+43.72 грн
500+36.89 грн
1000+29.72 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897C-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4920FDSSOP-8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4920FAIRCHILDSO-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4925FAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4925-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4925NLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935onsemiMOSFETs 30V P-CH DUAL PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935FAIRCHILDSO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935FSC09+ SO-8
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935FAIRCHILD
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935FAIRCHILD09+
на замовлення 5018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935FSC
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935-NLFAIRCHILD09+
на замовлення 5018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4935A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+122.12 грн
50+85.39 грн
100+57.02 грн
500+41.61 грн
1000+35.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
656+48.32 грн
Мінімальне замовлення: 656
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935A
Код товару: 40550
Додати до обраних Обраний товар

FairchildТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 7 А
Rds(on),Om: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1233/15
Монтаж: SMD
у наявності 59 шт:
35 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+28.00 грн
10+25.20 грн
100+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935AON-SemiconductorTransistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 7A; 2W; -55°C ~ 175°C; FDS4935A TFDS4935a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+41.40 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935AonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 10046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.76 грн
10+71.29 грн
100+47.56 грн
500+35.06 грн
1000+31.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
656+48.32 грн
1000+44.56 грн
10000+39.73 грн
Мінімальне замовлення: 656
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935AONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+86.20 грн
10+63.12 грн
50+47.11 грн
100+41.44 грн
250+38.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4935A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.02 грн
500+41.61 грн
1000+35.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935AONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+103.44 грн
10+78.65 грн
50+56.53 грн
100+49.73 грн
250+45.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+104.75 грн
168+75.86 грн
200+71.97 грн
500+53.52 грн
1000+48.65 грн
2000+36.78 грн
2500+31.86 грн
Мінімальне замовлення: 121
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935AonsemiMOSFETs -30V Dual
на замовлення 18842 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+119.53 грн
10+78.33 грн
100+45.46 грн
500+35.70 грн
1000+32.66 грн
2500+29.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935AonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.70 грн
5000+28.33 грн
7500+27.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935A-NLFAIRCHILDSOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935ANLFAIRCHILD
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935A_NLFSC
на замовлення 128000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935A_Qonsemi / FairchildMOSFETs -30V Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935B
на замовлення 9080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZonsemiMOSFETs 30V PCH DUAL POWER TRENCH M
на замовлення 19846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+117.66 грн
10+73.27 грн
100+42.34 грн
500+33.22 грн
1000+30.26 грн
2500+26.97 грн
5000+26.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
720+44.05 грн
1000+40.62 грн
10000+36.22 грн
Мінімальне замовлення: 720
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.32 грн
5000+26.17 грн
7500+25.12 грн
12500+23.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.9A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+65.55 грн
10+47.36 грн
25+39.52 грн
50+33.93 грн
100+29.60 грн
250+25.35 грн
500+25.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.20 грн
50+81.98 грн
100+54.50 грн
500+39.69 грн
1000+32.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.9A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3492 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+78.66 грн
10+59.02 грн
25+47.43 грн
50+40.72 грн
100+35.52 грн
250+30.42 грн
500+30.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
270+47.05 грн
271+46.85 грн
Мінімальне замовлення: 270
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 23950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+109.10 грн
10+66.62 грн
100+44.25 грн
500+32.53 грн
1000+29.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.50 грн
500+39.69 грн
1000+32.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZFairchildMosfet Array 2x P-Channel (Dual) 30V 6.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC FDS4935BZ ONS TFDS4935bz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+37.25 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+59.93 грн
15+50.41 грн
25+50.20 грн
100+39.58 грн
250+27.67 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ-NLFairchild
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ_Gonsemi / FairchildArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ_NLFAIRCHILD
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935NLFAIRCHILD
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935_NLFAIRCHILD
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4936FAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4936FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4936-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4953onsemi / FairchildMOSFETs SO-8 P-CH DUAL -30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4953onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4953ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4953
Код товару: 205323
Додати до обраних Обраний товар

Мікросхеми > Транзисторні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4953-NL
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4953A
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4953A-NLFAIRCHILDSOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4953ANLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4953NLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4953_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V, DUAL, SO-8, PCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4963Fairchild04+ SOP-8
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5009FDS04+
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5109FDS07+/08+ SOP8
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5109MFAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 21520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5170N3FSC
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5170N3FAIRCHILDSO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5170N3FSC09+ SO-8
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5170N3FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5170N7FSC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5170N7FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5170N7onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2889 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5170N7FDS09+
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5170N7FSC09+ SO-8
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5170N7onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2889 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5170N7FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5341FSCSOP-8
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS53418MFDSSOP-8
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+33.03 грн
24+30.86 грн
25+30.79 грн
100+26.58 грн
250+24.45 грн
500+21.24 грн
1000+21.02 грн
2500+18.92 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.27 грн
5000+21.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.1A; 5W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 58.8mΩ
Power dissipation: 5W
Drain current: 6.1A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+72.19 грн
10+53.82 грн
25+45.92 грн
100+37.52 грн
250+32.52 грн
500+32.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.55 грн
5000+20.95 грн
7500+20.07 грн
12500+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS5351 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.0265 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+74.80 грн
15+62.41 грн
100+39.69 грн
500+26.35 грн
1000+21.01 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 192500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351onsemi / FairchildMOSFETs 60V N-Channel PowerTrench
на замовлення 3575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+45.29 грн
10+44.00 грн
100+30.58 грн
500+24.33 грн
1000+23.21 грн
2500+21.21 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351On Semiconductor/FairchildMOSFET N-CH 60V 6.1A SOIC-8
на замовлення 8 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
416+30.50 грн
Мінімальне замовлення: 416
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351FairchildN-MOSFET 6.1A 60V 2.5W 35mΩ FDS5351 TFDS5351
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+24.13 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6.1A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 30 V
на замовлення 17592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.05 грн
10+54.78 грн
100+36.10 грн
500+26.34 грн
1000+23.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.1A; 5W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 58.8mΩ
Power dissipation: 5W
Drain current: 6.1A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+60.16 грн
10+43.19 грн
25+38.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+34.67 грн
23+32.67 грн
100+30.23 грн
250+28.98 грн
500+22.30 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+126.04 грн
500+101.07 грн
1000+92.83 грн
2500+84.61 грн
5000+76.73 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS5670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+220.89 грн
50+149.95 грн
100+107.75 грн
500+82.38 грн
1000+70.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670onsemi / FairchildMOSFETs SO-8 N-CH 60V
на замовлення 4732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+203.58 грн
10+137.15 грн
100+85.65 грн
500+70.20 грн
1000+65.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+116.36 грн
128+99.39 грн
129+98.40 грн
148+82.83 грн
250+76.05 грн
500+63.26 грн
1000+61.39 грн
Мінімальне замовлення: 109
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670ONSEMIFDS5670 SMD N channel transistors
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+227.35 грн
12+103.06 грн
32+97.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+68.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670
Код товару: 66965
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+124.67 грн
10+106.49 грн
25+105.43 грн
100+88.74 грн
250+81.48 грн
500+67.78 грн
1000+65.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+71.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS5670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+107.75 грн
500+82.38 грн
1000+70.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+77.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 15 V
на замовлення 20147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.80 грн
10+135.16 грн
100+95.82 грн
500+72.49 грн
1000+66.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+72.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670-NLFAIRCHILD1025+/1041+ SOP8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670NLFAIRCHILD
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670_NLFAIRCHILD
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 3906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.83 грн
10+112.64 грн
100+76.91 грн
500+57.83 грн
1000+56.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
625+92.37 грн
1250+88.11 грн
Мінімальне замовлення: 625
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS5672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+189.46 грн
50+131.10 грн
100+91.59 грн
500+68.04 грн
1000+58.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672FairchildTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 23mOhm; 12A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS5672 TFDS5672
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+38.70 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+57.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+53.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672onsemi / FairchildMOSFETs 60V 12A 10 OHM NCH POWER TRENCH MOSFET
на замовлення 38215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+163.42 грн
10+112.30 грн
100+73.64 грн
500+58.91 грн
1000+54.99 грн
2500+54.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+87.34 грн
10+81.37 грн
25+80.55 грн
100+70.08 грн
250+59.64 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS5672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+93.38 грн
500+69.70 грн
1000+60.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+81.52 грн
Мінімальне замовлення: 156
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672NLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672_F095onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5680onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5680ON Semiconductor / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 60V
на замовлення 11779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5680ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS5680 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 9995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+190.36 грн
10+158.03 грн
100+117.63 грн
500+71.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5680onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5680
Код товару: 131521
Додати до обраних Обраний товар


товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5680-NLFAIRCHIL09+ TSOP
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5680NLRHFAIRC09+
на замовлення 2518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5680NLFAIRCHILD
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5682onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5682FAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5682onsemi / FairchildMOSFET 60V N-CH. FET 20 MO SO8 TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5682-NLFairchild
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5690FAI99+
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5690onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1107 pF @ 30 V
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.26 грн
5000+28.66 грн
12500+27.34 грн
25000+25.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5690ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.49 грн
5000+16.33 грн
12500+16.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5690ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS5690 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+90.69 грн
13+70.49 грн
100+50.46 грн
500+32.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5690FAIRCHILDSOP-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.