Продукція > FDS

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
FDSPRODECDescription: PRODEC - FDS - Schwamm
tariffCode: 96034090
Tuchmaterial: Schaumstoff
Tuchbreite: 110mm
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
euEccn: NLR
hazardous: false
Tuchlänge: 190mm
rohsPhthalatesCompliant: NA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-216Jonard ToolsDescription: FIBER DROP CABLE STRIPPER, 1.6 X
Packaging: Box
Features: Ergonomic
Type: Stripper
Cable Type: 1.6mm ~ 2mm Cable Diameter
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2463.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-216Jonard ToolsWire Stripping & Cutting Tools Fiber Drop Cable Stripper (1.6mm x 2.0mm(
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-312Jonard ToolsDescription: FIBER DROP CABLE STRIPPER (3.1MM
Features: Ergonomic, Side Entry
Packaging: Bulk
Type: Stripper
Cable Type: 2mm ~ 3.1mm Cable Diameter
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2459.85 грн
5+2262.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-320-05AutonicsDescription: FIBER OPTIC CABLE RETRO 40MM
Packaging: Bag
Sensing Distance: 1.575" (40mm)
Sensing Method: Reflective, Diffuse
Operating Temperature: -40°C ~ 70°C (TA)
Cable Length: 78.74" (2m)
Connection Method: Connector, M3
Light Source: LED
Part Status: Active
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4627.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-42-1050 LD ADVEAGLERISE ELECTRIC & ELECTRONIC CO. LTDAC/DC, 42W, Вхід: 200-240VAC, LED In-Track Driver Група товару: AC/DC-перетворювачі для LED Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-42-1050 LD ADV-BEAGLERISE ELECTRIC & ELECTRONIC CO. LTDAC/DC, 42W, Вхід: 200-240VAC, LED In-Track Driver, black case Група товару: AC/DC-перетворювачі для LED Од. вим: шт
кількість в упаковці: 48 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-E 206PFSC09+ SO-8
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-E 3170N3FSC09+ SO-8
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-E 3170N7FSC09+ SO-8
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-E 4080N3FSC09+ SO-8
на замовлення 1202 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-E 5170N3FSC09+ SO-8
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-E 5170N7FSC09+ SO-8
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-E 7060N7FSC09+ SO-8
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-E 7082N3FSC09+ SO-8
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-E 7088N7FSC09+ SO-8
на замовлення 2020 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-E 7096N3FSC09+ SO-8
на замовлення 3438 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-E 7288N3FSC09+ SO-8
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-E7064NFSC09+ SO-8
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-E7064N3FSC09+ SO-8
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-E7296N3FSC09+ SO-8
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-E9 7096N3FSC09+ SO-8
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-N 7064N3FSC09+ SO-8
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-O 7064N3FSC09+ SO-8
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-PCRLE TechnologiesDescription: TRANSLATOR - SNMP/MODBUS/BACNET
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-PC-DPRLE TechnologiesDescription: TRANSLATOR - SNMP/MODBUS/BACNET
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-Q 2170N3FSC09+ SO-8
на замовлення 1128 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS-Q 2170N7FSC09+ SO-8
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS005S102Molex / FCTRF Connectors / Coaxial Connectors FCT TERM HFREQ CRP RCPT 50 OHM
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+885.84 грн
10+774.56 грн
25+647.03 грн
50+621.24 грн
100+587.07 грн
250+535.48 грн
400+499.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS009FDS07+/08+ SOP8
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS06LSiemensSwitch Fixings SW OP ONLY FXD DEPTH LF 30-100A MCS SW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS06RSiemensSwitch Fixings SW OP ONLY FXD DEPTH RT 30-100A MCS SW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1Hammond ManufacturingDescription: DOOR SWITCH
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Air Conditioners
Accessory Type: Door Switch
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2331.21 грн
5+1918.86 грн
10+1793.48 грн
25+1539.32 грн
50+1438.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1HAMMONDDescription: HAMMOND - FDS1 - REMOTE DOOR SWITCH, 115/230VAC, HME
tariffCode: 85365080
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Produktpalette: RDS Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2453.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1Hammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Door Switch HME
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2554.21 грн
5+2296.41 грн
10+1785.62 грн
25+1632.93 грн
50+1605.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1Hammond ManufacturingDescription: DOOR SWITCH
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Air Conditioners
Accessory Type: Door Switch
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4080.40 грн
5+3756.75 грн
10+3648.21 грн
20+3153.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1HammondRemote Door Switch For Use With Eclipse, Hme
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS100AA(BA)60SanRex07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS100AA40module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS100AA60module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS100BA60module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS100BA80SANREXF4-5
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS100CA100module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS100CA100(120)SanRex07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS100CA120SanRexDiode Modules Discrete Semiconductor Modules 1000V 120A
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6277.33 грн
10+4996.95 грн
100+3752.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS100CA120module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS100CA120SanRex CorporationDescription: DIODE MODULE 1200V 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1102OWONCategory: Digital Oscilloscopes
Description: Oscilloscope: digital; Ch: 2; 100MHz; 1Gsps; 10Mpts; LCD TFT 10,4"
Kind of display used: LCD TFT 10,4"
Standard equipment: mains cable; oscilloscope probe (1 per channel); test lead (BNC - crocodile clips); test leads ( 2pcs.); trimmer; USB cable; user's manual
Measuring instrument features: mathematical functions: addition, subtraction, division, multiplication and FFT; measurements by means of cursors
Supply voltage: 100...240V AC
Additional functions: frequency meter; function generator; multimeter; power supply
Connectors for the country: Europe
Body dimensions: 421x221x115mm
Number of channels: 2
Output current 2: 3A
Output current: 3A
Vertical resolution: 8bit
Output voltage: 15V DC
Output voltage 2: 15V DC
Power consumption: 30W
Input impedance: 1MΩ/15pF
Measurement memory: 100
Max. input voltage: 300V
Display resolution: 1024x768
Memory record length: 10Mpts
Sampling: 1Gsps
Band: 100MHz
Waveform frequency range: 1µHz...1MHz (ramp waveform); 1µHz...10MHz (pulse waveform); 1µHz...25MHz (rectangular waveform); 1µHz...50MHz (sinus waveform)
Measurement: AC current; AC voltage; capacitance; DC current; DC voltage; frequency; resistance
Input coupling: AC, DC, GND
Trigger modes: automatic; normal; single
Trigger: CAN; falling-edge; I2C; LIN; logic; Nth Edge; pulse; rising-edge; RS232; runt; slope; timeout; video signal; window
Type of oscilloscope: digital
Software: download from manufacturers website
Manufacturer series: FDS
Kind of connector: HDMI; RJ45 socket; USB
Touchpad: yes
Rise time: ≤3.5ns
Input sensitivity: 1mV/div...10V/div
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+91479.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1102AOWONCategory: Digital Oscilloscopes
Description: Oscilloscope: digital; Ch: 2; 100MHz; 1Gsps; 10Mpts; LCD TFT 10,4"
Kind of display used: LCD TFT 10,4"
Standard equipment: mains cable; oscilloscope probe (1 per channel); test lead (BNC - crocodile clips); test leads ( 2pcs.); trimmer; USB cable; user's manual
Measuring instrument features: mathematical functions: addition, subtraction, division, multiplication and FFT; measurements by means of cursors
Supply voltage: 100...240V AC
Additional functions: frequency meter; function generator; multimeter; power supply
Connectors for the country: Europe
Body dimensions: 421x221x115mm
Number of channels: 2
Output current 2: 3A
Output current: 3A
Vertical resolution: 14bit
Output voltage: 15V DC
Output voltage 2: 15V DC
Power consumption: 30W
Input impedance: 1MΩ/15pF
Measurement memory: 100
Max. input voltage: 300V
Display resolution: 1024x768
Memory record length: 10Mpts
Sampling: 1Gsps
Band: 100MHz
Waveform frequency range: 1µHz...1MHz (ramp waveform); 1µHz...10MHz (pulse waveform); 1µHz...25MHz (rectangular waveform); 1µHz...50MHz (sinus waveform)
Measurement: AC current; AC voltage; capacitance; DC current; DC voltage; frequency; resistance
Input coupling: AC, DC, GND
Trigger modes: automatic; normal; single
Trigger: CAN; falling-edge; I2C; LIN; logic; Nth Edge; pulse; rising-edge; RS232; runt; slope; timeout; video signal; window
Type of oscilloscope: digital
Software: download from manufacturers website
Manufacturer series: FDS
Kind of connector: HDMI; RJ45 socket; USB
Touchpad: yes
Rise time: ≤3.5ns
Input sensitivity: 1mV/div...10V/div
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+103095.54 грн
3+88989.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1212Hammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf 12 x 12"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1212Hammond ManufacturingDescription: SHELF FOLD DOWN 12X12" BEIGE
Packaging: Box
Color: Beige
Size / Dimension: 12.000" L x 12.000" W (304.80mm x 304.80mm)
For Use With/Related Products: Enclosures
Material: Metal, Steel
Type: Shelf, Fold Down
Ventilation: Non-Vented
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1212GYHammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 12.000" L x 12.000" W (304.80mm x 304.80mm)
For Use With/Related Products: Enclosures
Material: Metal, Steel
Type: Shelf, Fold Down
Ventilation: Non-Vented
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+22865.75 грн
25+20550.73 грн
30+19266.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1212GYHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 12x12 - Steel/Gray
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+14709.46 грн
5+12470.72 грн
10+10767.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1212GYHammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 12.000" L x 12.000" W (304.80mm x 304.80mm)
For Use With/Related Products: Enclosures
Material: Metal, Steel
Type: Shelf, Fold Down
Ventilation: Non-Vented
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11572.10 грн
5+9521.94 грн
10+9246.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1212LGHammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF - 12X12 - STEEL/
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Racks
Accessory Type: Shelf
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12025.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1212LGHammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF - 12X12 - STEEL/
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Racks
Accessory Type: Shelf
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+22865.75 грн
25+20550.73 грн
30+19266.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1212LGHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 12x12 - Steel/Lt Gray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1212S16Hammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF - 12X12 - 316SS
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Racks
Accessory Type: Shelf
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+50823.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1212S16Hammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 12x12 - 316SS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1212S16Hammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF - 12X12 - 316SS
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Racks
Accessory Type: Shelf
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+99864.58 грн
25+89755.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS136SBSFAIRCHILD00+ SOP-8
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1818Hammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf 18 x 18"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1818Hammond ManufacturingDescription: SHELF FOLD DOWN 18X18" BEIGE
Packaging: Box
Color: Beige
Size / Dimension: 18.000" L x 18.000" W (457.20mm x 457.20mm)
For Use With/Related Products: Enclosures
Material: Metal, Steel
Type: Shelf, Fold Down
Ventilation: Non-Vented
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1818GYHammondFold Down Shelf, Ansi 61 Gray, Mounts With Bolts Through Doors Or Sides
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1818GYHammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 18.000" L x 18.000" W (457.20mm x 457.20mm)
For Use With/Related Products: Enclosures
Material: Metal, Steel
Type: Shelf, Fold Down
Ventilation: Non-Vented
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14923.80 грн
5+12322.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1818GYHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 18x18 - Steel/Gray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1818LGHammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF - 18X18 - STEEL/
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Racks
Accessory Type: Shelf
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16025.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1818LGHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 18x18 - Steel/Lt Gray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1818LGHammondFold Down Shelf, Steel, Light Gray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1818S16HammondFold Down Shelf, Stainless Steel 316
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1818S16Hammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF - 18X18 - 316SS
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Racks
Accessory Type: Shelf
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+69118.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS1818S16Hammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 18x18 - 316SS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS187N2Amphenol PositronicDescription: CONTACT SOCKET 16AWG GOLD SOLDER
Packaging: Bag
Contact Finish: Gold
Contact Termination: Solder
Wire Gauge: 16 AWG
Type: Machined
Pin or Socket: Socket
Contact Finish Thickness: FLASH
Contact Material: Copper Alloy
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.59 грн
10+197.75 грн
25+185.36 грн
50+165.65 грн
100+157.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS187N2Amphenol PositronicD-Sub Contacts
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+175.70 грн
1140+141.92 грн
5130+108.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS187N2/AAAmphenol PositronicD-Sub Contacts
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2-320-05AutonicsDescription: FIBER OPTIC CABLE RETRO 40MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2-420-05AutonicsDescription: FIBER OPTIC CABLE RETRO 40MM
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS200B
на замовлення 3490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2020NZFDS07+/08+ SOP8
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2070N3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1884 pF @ 75 V
на замовлення 13327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+148.07 грн
Мінімальне замовлення: 152
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2070N3FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2070N3onsemi / FairchildMOSFET 150V NCh PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2070N7FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2070N7onsemi / FairchildMOSFET 150V NCh PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2070N7Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1884 pF @ 75 V
на замовлення 12998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+162.28 грн
Мінімальне замовлення: 139
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2074N3FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2074N7FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2170N3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V
на замовлення 2627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+149.93 грн
Мінімальне замовлення: 145
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2170N3onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2170N3onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2170N3FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2170N7Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V
на замовлення 23636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+157.18 грн
Мінімальне замовлення: 139
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2170N7onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2170N7FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2170N7onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2360AMJRCSOP8
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2370N3FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2370N7FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2407FAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 3420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2424GYHammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF - 24X24 - STEEL/
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2424GYHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 24x24 - Steel/Gray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2424LGHammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF - 24X24 - STEEL/
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2424LGHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 24x24 - Steel/Lt Gray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2424S16Hammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF - 24X24 - 316SS
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2424S16Hammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 24x24 - 316SS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS24C256FDSSOP-8
на замовлення 420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS24C64FDSSOP-8
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2570Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+96.87 грн
Мінімальне замовлення: 221
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2570FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+62.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+61.48 грн
211+61.28 грн
250+58.90 грн
500+54.36 грн
1000+52.02 грн
Мінімальне замовлення: 210
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS2572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 4.9 A, 0.047 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.66 грн
10+95.99 грн
100+77.52 грн
500+59.82 грн
1000+50.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.08 грн
5000+47.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572FairchildTransistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 53mOhm; 4,9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS2572 TFDS2572
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+44.08 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
323+100.19 грн
500+90.17 грн
1000+83.15 грн
Мінімальне замовлення: 323
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572ONS/FAIMOSFET N-CH 150V 4.9A 8-SOIC (IRF7494PBF) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572onsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Ch UltraFET Trench
на замовлення 3241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.46 грн
10+88.20 грн
100+64.15 грн
500+49.50 грн
1000+47.90 грн
2500+46.16 грн
5000+42.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS2572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 4.9 A, 0.047 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.52 грн
500+59.82 грн
1000+50.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
на замовлення 14221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.50 грн
10+85.28 грн
100+68.80 грн
500+54.27 грн
1000+49.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+66.09 грн
25+65.87 грн
100+63.31 грн
250+58.43 грн
500+55.91 грн
1000+55.73 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572FairchildКод виробника: FDS2572 RoHS Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 53mOhm; 4,9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Transistors
кількість в упаковці: 30 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+48.25 грн
150+44.29 грн
300+43.54 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572NLFAIRCHILD
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572_Qonsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Ch UltraFET Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2574FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V
на замовлення 5466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.70 грн
10+83.46 грн
100+56.14 грн
500+41.72 грн
1000+38.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582FairchildN-MOSFET 150V 4.1A 66mΩ 2.5W FDS2582 Fairchild TFDS2582
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+31.37 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582onsemi / FairchildMOSFET 150V 4.5a .6 Ohms/VGS=1V
на замовлення 19193 шт:
термін постачання 587-596 дні (днів)
4+99.24 грн
10+87.40 грн
100+59.13 грн
500+48.81 грн
1000+39.67 грн
2500+35.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582 FairchildFairchildКод виробника: FDS2582 RoHS N-MOSFET 150V 4.1A 66m? 2.5W Transistors
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+33.36 грн
400+31.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582_Qonsemi / FairchildMOSFET 150V 4.5a .6 Ohms/VGS=1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2670onsemi / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 200V
на замовлення 2306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.07 грн
10+87.40 грн
100+66.80 грн
500+60.66 грн
1000+54.18 грн
2500+52.36 грн
5000+50.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2670onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1228 pF @ 100 V
на замовлення 7503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.04 грн
10+117.38 грн
100+80.41 грн
500+60.64 грн
1000+55.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2670ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS2670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+161.87 грн
10+130.15 грн
25+117.95 грн
100+98.19 грн
500+76.70 грн
1000+66.59 грн
2500+58.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2670FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2670onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1228 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2670ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS2670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+98.19 грн
500+76.70 грн
1000+66.59 грн
2500+58.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2670-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2670_NLFAIRCHILD
на замовлення 175200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS2672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.9 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+90.29 грн
500+66.92 грн
1000+56.96 грн
5000+55.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2535 pF @ 100 V
на замовлення 5343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.19 грн
10+112.92 грн
100+77.54 грн
500+58.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS2672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.9 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+185.46 грн
10+127.71 грн
100+90.29 грн
500+66.92 грн
1000+56.96 грн
5000+55.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+115.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672onsemi / FairchildMOSFETs 200V 3.9A 70mOHMS NCH ULTRAFET
на замовлення 4317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+174.08 грн
10+117.87 грн
100+71.12 грн
500+57.66 грн
1000+53.34 грн
2500+49.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2535 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.28 грн
5000+51.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+77.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2535 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 200V3.9A 70OHMNCH UL TRAFET TRENCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672-TF085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 200V,3.9A, 70OHM,NCH ULTRAFETtrenchMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2682FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2734ONS/FAIMOSFET N-CH 250V 3.0A SOIC-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2734ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+73.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2734onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 100 V
на замовлення 9949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.61 грн
10+118.66 грн
100+81.71 грн
500+62.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2734ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS2734 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 3 A, 0.097 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+117.14 грн
500+74.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2734ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2734FairchildКод виробника: FDS2734 RoHS Transistor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 225mOhm; 3A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Transistors
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+52.77 грн
200+50.14 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2734onsemi / FairchildMOSFETs 250V 3.0A 117 OHM NCH ULTRAFE
на замовлення 13302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.53 грн
10+130.70 грн
100+78.79 грн
500+63.38 грн
1000+62.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2734ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+211.67 грн
90+144.55 грн
100+131.65 грн
200+97.08 грн
500+83.74 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2734onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 100 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+57.45 грн
5000+54.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2734ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS2734 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 3 A, 0.097 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.097
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+161.06 грн
10+136.66 грн
100+117.14 грн
500+74.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2734ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+78.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2734FairchildTransistor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 225mOhm; 3A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS2734 TFDS2734
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+50.23 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2734ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2734-NLFairchild
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS29106AFDS07+/08+ SOP8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2ND 7064N7FSC09+ SO-8
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2P102FDSSOP-8
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2P102AFAI04/05/
на замовлення 14745 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2P103FDS07+/08+ SOP8
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS300BB50SANREXCDH4-1
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS30C1MARATHON SPECIAL PRODUCTSDescription: MARATHON SPECIAL PRODUCTS - FDS30C1 - FUSED SWITCH, CLASS CC, 1P, 30A, 120VAC
tariffCode: 85365080
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Kontaktkonfiguration: -
Sicherungsgröße: Class CC
Anzahl der Sicherungen: 1 Fuse
euEccn: NLR
Polzahl: 1 Pole
isCanonical: Y
AC-Kontaktstrom, max.: 30A
AC-Kontaktspannung, max.: 120V
Schalteranschlüsse: Spring Clamp
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4088.36 грн
10+3983.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS30C3MARATHON SPECIAL PRODUCTSDescription: MARATHON SPECIAL PRODUCTS - FDS30C3 - FUSED SWITCH, CLASS CC, 3P, 30A, 600VAC
tariffCode: 85365080
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Kontaktkonfiguration: -
Sicherungsgröße: Class CC
Anzahl der Sicherungen: 3 Fuse
euEccn: NLR
Polzahl: 3 Pole
isCanonical: Y
AC-Kontaktstrom, max.: 30A
AC-Kontaktspannung, max.: 600V
Schalteranschlüsse: Spring Clamp
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+22406.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3170N3FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3170N7FAIRCHILD09+
на замовлення 90018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3170N7Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 6.7A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 50 V
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+157.66 грн
Мінімальне замовлення: 179
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3172N3FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3172N7FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3512onsemi / FairchildMOSFET SO-8
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.68 грн
10+186.82 грн
100+130.38 грн
500+107.37 грн
1000+89.25 грн
2500+82.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3512FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3512ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 4A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3512onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3512onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 40 V
на замовлення 3894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.82 грн
10+125.16 грн
100+90.49 грн
500+70.56 грн
1000+66.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS35606N/A09+
на замовлення 228 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3570ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3570 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 78919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+222.07 грн
Мінімальне замовлення: 141
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3570onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3570FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3570FAIRCHILDFDS3570
на замовлення 1971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+238.77 грн
500+226.94 грн
1000+214.03 грн
Мінімальне замовлення: 136
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3570FAIRCHILDFDS3570
на замовлення 4659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+238.77 грн
500+226.94 грн
1000+214.03 грн
Мінімальне замовлення: 136
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3570Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 9A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 25 V
на замовлення 78778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+179.74 грн
Мінімальне замовлення: 117
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3570onsemi / FairchildMOSFETs SO-8 N-CH 80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3570FAIRCHILDFDS3570
на замовлення 52256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+238.77 грн
500+226.94 грн
1000+214.03 грн
10000+193.94 грн
Мінімальне замовлення: 136
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3570FAIRCHILDFDS3570
на замовлення 19891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+238.77 грн
500+226.94 грн
1000+214.03 грн
10000+193.94 грн
Мінімальне замовлення: 136
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3570-NLFAIRCHILDSOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3570_NLonsemi / FairchildMOSFET 80V N-Channel PowerTrench® MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+105.90 грн
10000+96.77 грн
15000+90.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.91 грн
10+84.08 грн
100+63.43 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V
на замовлення 7070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.52 грн
10+91.40 грн
100+72.75 грн
500+57.77 грн
1000+49.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572onsemi / FairchildMOSFET 80V N-Channel PowerTrench
на замовлення 4084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.20 грн
10+99.43 грн
100+68.75 грн
250+65.47 грн
500+57.38 грн
1000+49.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+62.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572On SemiconductorMOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+65.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 8.9 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 8.9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.40 грн
10+161.87 грн
100+126.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.53 грн
5000+47.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572ON Semiconductor / FairchildMOSFET 80V N-Channel PowerTrench
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
165+78.47 грн
Мінімальне замовлення: 165
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572NLFAIRCHILD
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+221.54 грн
Мінімальне замовлення: 126
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3580onsemi / FairchildMOSFETs SO-8 N-CH 80V
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.97 грн
10+73.77 грн
100+50.69 грн
500+41.62 грн
1000+39.32 грн
2500+37.02 грн
5000+36.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3580onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 9297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.68 грн
10+90.19 грн
100+61.16 грн
500+45.74 грн
1000+43.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3580ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3580ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+88.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3580onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.98 грн
5000+38.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3580ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3590ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3590ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 6.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 427 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+92.19 грн
10+59.42 грн
25+48.43 грн
100+36.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3590onsemi / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 80V
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3590onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 40 V
на замовлення 5105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.11 грн
10+63.68 грн
100+42.29 грн
500+31.07 грн
1000+28.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3590onsemiMOSFETs SO-8 N-CH 80V
на замовлення 3828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.83 грн
10+39.37 грн
100+28.66 грн
500+26.84 грн
2500+22.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3590ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3590onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.98 грн
5000+24.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3601ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3601 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 49698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
891+32.21 грн
Мінімальне замовлення: 891
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3601FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3601Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 1.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 49698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+29.70 грн
Мінімальне замовлення: 740
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3601onsemi / FairchildMOSFET SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3601onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 1.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3601-NL
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3601NLFAIRCHILD
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3601_NLFAIRCHILD
на замовлення 54500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3601_NLonsemi / FairchildMOSFET 100V/20V, 480/530MO, NCH, DUAL, SO8, 600A GOX, PTI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3612ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3612FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3612Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
на замовлення 4809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
489+46.04 грн
Мінімальне замовлення: 489
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3612ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3612 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
544+57.51 грн
Мінімальне замовлення: 544
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3670FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3670Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 6.3A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+63.85 грн
1000+62.91 грн
2500+62.29 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672ON-SemiconductorКод виробника: FDS3672 Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 43mOhm; 7,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Transistors
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2500+49.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5mW
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.56 грн
500+46.53 грн
1000+41.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672UMWDescription: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.68 грн
5000+50.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672
Код товару: 38205
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+68.66 грн
Мінімальне замовлення: 188
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672FairchildКод виробника: FDS3672 RoHS Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 43mOhm; 7,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Transistors
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+41.65 грн
200+39.20 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5mW
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.98 грн
50+92.73 грн
100+65.56 грн
500+46.53 грн
1000+41.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 25 V
на замовлення 46375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.48 грн
10+83.77 грн
100+60.16 грн
500+44.68 грн
1000+42.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672UMWDescription: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.11 грн
5000+54.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+76.61 грн
11+73.57 грн
100+62.50 грн
250+54.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672FairchildTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 43mOhm; 7,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS3672 TFDS3672
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+38.79 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 25 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.33 грн
5000+40.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672onsemi / FairchildMOSFETs 100V 7.5a .22 Ohms/VGS=1V
на замовлення 22185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.79 грн
10+96.22 грн
100+57.59 грн
500+45.88 грн
1000+42.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672-NLFairchild
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672NLFSIRCHILD
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672_NLFAIRCHILD
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672_Qonsemi / FairchildMOSFETs 100V 7.5a .22 Ohms/VGS=1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3680onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 5.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3680FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3682FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3682Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 6A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3682-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3682_NLFAIRCHILD09+
на замовлення 388 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3682_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
360+65.10 грн
Мінімальне замовлення: 360
В кошику  од. на суму  грн.
FDS36882FSC02+ SMD-8
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3690FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3692onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 746 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.29 грн
5000+32.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3692ON-SemiconductorКод виробника: FDS3692 Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 122mOhm; 4,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Transistors
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2500+39.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3692onsemiMOSFETs 100V 4.5a .3 Ohms/VGS=1V
на замовлення 30364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.84 грн
10+70.32 грн
100+43.79 грн
500+36.95 грн
1000+33.68 грн
2500+31.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3692ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3692FairchildКод виробника: FDS3692 RoHS Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 122mOhm; 4,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Transistors
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+28.84 грн
200+26.20 грн
1000+25.07 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3692onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 746 pF @ 25 V
на замовлення 6644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.50 грн
10+67.23 грн
100+52.29 грн
500+41.59 грн
1000+33.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3692ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3692 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.00 грн
10+97.61 грн
100+76.14 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3692ONS/FAIMOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SO Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3692onsemi / FairchildMOSFETs 100V 4.5a .3 Ohms/VGS=1V
на замовлення 32580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.24 грн
10+67.11 грн
100+42.39 грн
500+35.35 грн
1000+32.35 грн
2500+27.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3692FairchildTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 122mOhm; 4,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS3692 TFDS3692
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+25.43 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3692ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3692-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3692NLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3692_NLFAIRCHILD09+
на замовлення 728 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3692_Qonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS37C931CQFP
на замовлення 720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS37C932
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS37H869
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3812onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3812FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3812_NLFAIRCHILD09+
на замовлення 828 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3890FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3890ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3890 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+198.48 грн
10+128.52 грн
100+87.85 грн
500+65.34 грн
1000+58.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3890onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 21618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.82 грн
10+117.98 грн
100+80.98 грн
500+61.14 грн
1000+57.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3890onsemi / FairchildMOSFETs SO-8
на замовлення 20675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.55 грн
10+109.05 грн
100+67.56 грн
500+56.20 грн
1000+56.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3890ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 4.7A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3890ONS/FAI2 N-ChMOSFET, 80 V, 4,7 A, SOIC8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3890onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.95 грн
5000+49.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3890
Код товару: 49621
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3890onsemiMOSFETs SO-8
на замовлення 10586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+197.67 грн
10+124.28 грн
100+73.91 грн
500+61.15 грн
1000+57.10 грн
2500+55.08 грн
5000+53.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3890-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3896FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3912onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3912onsemi / FairchildMOSFETs SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3912FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3912-NL
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS399FAIRCHILDSOP-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3992ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+62.86 грн
25+61.86 грн
100+58.69 грн
250+53.45 грн
500+50.45 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3992onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.74 грн
10+95.10 грн
100+64.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3992ONS/FAISO8, 2 N-Channel 100V 4.5A Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3992ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
220+58.67 грн
224+57.74 грн
228+56.81 грн
250+53.87 грн
500+49.05 грн
Мінімальне замовлення: 220
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3992ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3992 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.054 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.054ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.83 грн
500+49.85 грн
1000+46.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3992
Код товару: 117038
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3992onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3992ONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 4.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 123mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+141.90 грн
5+103.23 грн
10+89.80 грн
100+57.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3992onsemiMOSFETs 100V 4.5a .62 Ohms/VGS=1V
на замовлення 33055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.30 грн
10+96.22 грн
100+56.34 грн
500+44.90 грн
1000+42.95 грн
2500+40.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3992ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3992ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3992 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.054 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.054ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+167.57 грн
10+108.19 грн
100+73.05 грн
500+54.01 грн
1000+46.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3992ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+117.42 грн
250+94.65 грн
500+74.70 грн
1000+68.24 грн
Мінімальне замовлення: 110
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3992NLFAIRCHILD
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3992_Qonsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4070N3onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4070N3FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4070N3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V
на замовлення 8613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+132.16 грн
Мінімальне замовлення: 171
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4070N3onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4070N7FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4070N7onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4070N7Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V
на замовлення 69332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+132.16 грн
Мінімальне замовлення: 171
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4070N7onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4072N3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 12.4A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4072N3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 12.4A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4072N3FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4072N3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 12.4A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4072N7Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 12.4A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4299 pF @ 20 V
на замовлення 9775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+124.73 грн
Мінімальне замовлення: 180
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4072N7FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4080N3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 13A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 20 V
на замовлення 39912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+119.79 грн
Мінімальне замовлення: 181
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4080N3FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4080N7Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 13A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 20 V
на замовлення 11820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+120.51 грн
Мінімальне замовлення: 180
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4080N7FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4141ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 10.8
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
Verlustleistung: 5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4141ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 10.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 37231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+22.44 грн
100+22.03 грн
500+20.91 грн
1000+19.25 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4141onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4141ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 10.8A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4141ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 5
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4141ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 10.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
486+66.43 грн
540+59.79 грн
1000+55.15 грн
Мінімальне замовлення: 486
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4141onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4141onsemi / FairchildMOSFETs -40V P-Channel PowerTrench
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.92 грн
10+83.39 грн
100+64.35 грн
500+59.82 грн
1000+54.31 грн
2500+35.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4141-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2005 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4141-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 10.8A Automotive 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4141-F085onsemi / FairchildMOSFET -40V P-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4141-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2005 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4141-SN00136onsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4141-SN00136Ponsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4141SN00136PonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4141_TSN00136onsemi / Fairchildonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4201DAmphenol PositronicD-Sub Contacts
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1012.73 грн
10+884.41 грн
25+739.77 грн
50+711.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4201D/AAPOSITRONICDescription: POSITRONIC - FDS4201D/AA - D-Sub-Kontakt, D-Sub-Steckverbinder der Produktreihen CBD & CBDD von Positronic, Buchsenkontakt
tariffCode: 85366990
Kontaktausführung: Buchsenkontakt
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte
Kontaktanschluss: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: TBC
Kontaktmaterial: Kupferlegierung
Leiterstärke (AWG), max.: -
Leiterstärke (AWG), min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: D-Sub-Steckverbinder der Produktreihen CBD & CBDD von Positronic
usEccn: TBC
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1708.23 грн
3+1509.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4201D/AAAmphenol PositronicD-Sub Contacts CON F size 8 PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4201D/AAPositronicDescription: CON F SIZE 8 PCB
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS425N2Amphenol PositronicD-Sub Contacts
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS425N2/AAAmphenol PositronicD-Sub Contacts
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS425P2Amphenol PositronicD-Sub Contacts
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS425P2Amphenol PositronicDescription: FDS425P2
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS425P2/AAAmphenol PositronicDescription: FDS425P2/AA
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS425P2/AAAmphenol PositronicD-Sub Contacts
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4310DAmphenol PositronicD-Sub Contacts
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4310DPEI-GenesisDescription: CONTACT SIZE 8 FEMALE CBD/CBDD
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4310D/AAAmphenol PositronicD-Sub Contacts
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4310MAmphenol PositronicD-Sub Contacts
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4310M/AAAmphenol PositronicD-Sub Contacts
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4312DAmphenol PositronicDescription: CONTACT
Packaging: Bag
Contact Finish: Gold
Contact Termination: Crimp
Wire Gauge: 10 AWG
Type: Power
Contact Type: Female Socket
Contact Finish Thickness: FLASH
Contact Material: Copper Alloy
Contact Form: Machined
Part Status: Active
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+565.54 грн
10+443.53 грн
30+402.32 грн
50+360.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4312DAmphenol PositronicD-Sub Contacts
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4312D/AAAmphenol PositronicD-Sub Contacts
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4314DAmphenol PositronicD-Sub Contacts
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+606.83 грн
10+538.82 грн
25+441.35 грн
50+430.19 грн
100+418.34 грн
250+373.72 грн
500+350.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4314D/AAAmphenol PositronicD-Sub Contacts
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+511.65 грн
10+479.49 грн
50+377.90 грн
105+320.73 грн
210+319.33 грн
525+300.51 грн
1050+276.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4410FAIRCHILDFDS4410
на замовлення 30995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
962+33.56 грн
1018+31.70 грн
Мінімальне замовлення: 962
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4410onsemi / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4410onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4410FAIRCHILDFDS4410
на замовлення 5905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
962+33.56 грн
1018+31.70 грн
Мінімальне замовлення: 962
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4410ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4410 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 76100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1002+27.01 грн
Мінімальне замовлення: 1002
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4410Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 15 V
на замовлення 39200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
833+27.03 грн
Мінімальне замовлення: 833
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4410FAIRCHILDFDS4410
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
962+33.56 грн
1018+31.70 грн
Мінімальне замовлення: 962
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4410-NL
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4410AFairchild SemiconductorDescription: SINGLE N CHANNEL, LOGIC-LEVEL, P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4410AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4410Aonsemi / FairchildMOSFETs LOGIC LEVEL PO SINGLE NCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4410ANLFAIRCHILD
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4410A_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V,10A,SINGLE NCH LOGIC LEVEL POWER TRENCH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4410NLFAIRCHILD
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4410_NLFAIRCHILD05+06+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4416FSC09+ SO-8
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4420FSC09+ SO-8
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4420AFSCSOP-8
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4425-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1604 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435onsemiMOSFETs SO-8 P-CH -30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435(LF)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
157+127.33 грн
Мінімальне замовлення: 157
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4435A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+108.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435AonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435Aonsemi / FairchildMOSFETs SO-8 P-CH -30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435AonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 22168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+164.56 грн
500+148.43 грн
1000+136.59 грн
10000+117.20 грн
Мінімальне замовлення: 197
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435A-NLFAIRCHILD09+
на замовлення 20018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435ANL
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435A_NL
на замовлення 5080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.46 грн
5000+16.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+48.20 грн
500+30.87 грн
2500+23.90 грн
Мінімальне замовлення: 268
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ
Код товару: 45479
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZonsemiMOSFETs 30V.PCH POWER TRENCH MOSFET
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.18 грн
10+48.91 грн
100+28.59 грн
500+22.10 грн
1000+20.01 грн
2500+16.39 грн
5000+15.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 910 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+69.59 грн
8+53.38 грн
10+46.50 грн
50+31.72 грн
100+27.11 грн
500+21.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZON-SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC FDS4435BZ-F085 FDS4435BZ TFDS4435bz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+25.01 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZONS/FAIMOSFET Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 38476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.71 грн
500+21.98 грн
1000+18.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
на замовлення 46909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.65 грн
10+46.76 грн
100+30.61 грн
500+22.22 грн
1000+20.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+71.88 грн
Мінімальне замовлення: 180
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.91 грн
10+32.56 грн
100+20.97 грн
500+15.00 грн
1000+13.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZON-SemiconductorКод виробника: FDS4435BZ RoHS Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC FDS4435BZ-F085 Transistors
кількість в упаковці: 200 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+25.63 грн
1000+24.50 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 31813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.18 грн
50+40.18 грн
100+31.72 грн
500+24.55 грн
1000+21.20 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ-F085onsemi / FairchildMOSFET 30V P-Chan PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ-GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ-NLFAIRCHILDSOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZNLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435FDS4435AFDS4435BZFAICHILD
на замовлення 329000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435NLFAIRCHILD
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435_NLFAIRCHILD
на замовлення 450000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4450-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4463
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4463-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4463NLFAIRCHILD
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465ON-SemiconductorКод виробника: FDS4465 RoHS Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC FDS4465-F085 Transistors
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+72.19 грн
400+69.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+112.20 грн
10+94.49 грн
100+79.84 грн
250+76.27 грн
500+55.56 грн
1000+52.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4465 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
506+61.66 грн
Мінімальне замовлення: 506
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
на замовлення 7431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.86 грн
10+103.63 грн
100+70.47 грн
500+52.80 грн
1000+48.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+102.10 грн
128+101.44 грн
174+74.54 грн
250+71.16 грн
500+51.86 грн
1000+48.89 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465onsemi / FairchildMOSFETs SO-8
на замовлення 1824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.95 грн
10+88.20 грн
100+54.66 грн
500+44.69 грн
1000+41.76 грн
2500+39.05 грн
5000+34.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465ON-SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC FDS4465-F085 FDS4465 TFDS4465
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+70.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.55 грн
5000+44.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465ONS/FAIP-Channel 20V 13.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+65.21 грн
1000+64.21 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+125.62 грн
136+95.51 грн
149+86.90 грн
200+71.85 грн
500+62.15 грн
1000+48.17 грн
Мінімальне замовлення: 103
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET SO-8SNGLPCH20V/8V
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465-GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465-NLFDS
на замовлення 89000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465-PGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4465. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13.5 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+75.98 грн
500+52.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4465. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13.5 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+152.11 грн
10+109.00 грн
100+75.98 грн
500+52.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465NLFAIRCHILD
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465_F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465_NLFAIRCHILD
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465_SN00187onsemiDescription: MOSFET P-CHANNEL 20V 13.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4467FAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4467-NL
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4467NLFAIRCHILD
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4470 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12.5 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
на замовлення 5649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.22 грн
500+76.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2659 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+84.19 грн
169+76.56 грн
170+73.60 грн
173+66.68 грн
250+62.61 грн
500+61.20 грн
1000+59.79 грн
Мінімальне замовлення: 154
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470onsemi / FairchildMOSFETs SO-8
на замовлення 3339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+192.79 грн
10+122.68 грн
25+94.82 грн
100+73.91 грн
250+69.37 грн
500+59.82 грн
1000+55.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4470 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+87.72 грн
10+80.56 грн
25+79.89 грн
50+76.27 грн
100+69.65 грн
250+65.93 грн
500+64.99 грн
1000+64.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2659 pF @ 20 V
на замовлення 6091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.48 грн
10+109.07 грн
100+86.83 грн
500+68.95 грн
1000+58.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+115.08 грн
500+103.63 грн
Мінімальне замовлення: 281
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4470 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12.5 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+204.99 грн
10+154.55 грн
100+131.78 грн
500+98.19 грн
1000+81.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470NLFAIRCHILD
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470_Qonsemi / FairchildMOSFET SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1686 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 10.8A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480ONS/FAIMOSFET SO-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480onsemiMOSFETs SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 45A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10.8A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2278 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+72.31 грн
8+59.08 грн
25+52.12 грн
100+46.83 грн
500+44.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1686 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480-NLFAIRSOP8
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480NLFAIRCHILD
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480SNLFAIRCHILD
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480_F095onsemi / FairchildArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480_NL
на замовлення 10080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480_Qonsemi / FairchildMOSFETs SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4485FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4488onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.57 грн
10+30.36 грн
100+25.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4488FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4488FAIRCHILDFDS4488
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
517+62.52 грн
Мінімальне замовлення: 517
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4488FAIRCHILDFDS4488
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
517+62.52 грн
Мінімальне замовлення: 517
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4488Fairchild SemiconductorDescription: 0.0079A, 30V, N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 927 pF @ 15 V
на замовлення 117757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
497+43.41 грн
Мінімальне замовлення: 497
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4488onsemi / FairchildMOSFET SO-8
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+46.37 грн
10+35.04 грн
100+25.31 грн
2500+24.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4488FAIRCHILDFDS4488
на замовлення 31980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
517+62.52 грн
Мінімальне замовлення: 517
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4488ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4488 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 117757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
729+34.33 грн
Мінімальне замовлення: 729
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4488FAIRCHILDFDS4488
на замовлення 3707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
517+62.52 грн
Мінімальне замовлення: 517
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4488FAIRCHILDFDS4488
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
517+62.52 грн
Мінімальне замовлення: 517
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4488FAIRCHILDFDS4488
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
517+62.52 грн
Мінімальне замовлення: 517
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4488-NL
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4489FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4501FAIRCHIL00+ SOP
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4501AHFAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4501honsemi / FairchildMOSFET SO-8 COMP N-P-CH
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.11 грн
10+83.39 грн
100+63.80 грн
1000+58.29 грн
2500+32.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4501hFAIRCHILD09+
на замовлення 30018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4501HFAIRCHILDTrans MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A/5.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
459+70.34 грн
500+67.34 грн
1000+63.60 грн
Мінімальне замовлення: 459
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4501honsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A, 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1958pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4501hONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-20V; 9.3/-5.6A; 2.5W; SO8
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 9.3/-5.6A
Gate-source voltage: ±20/±8V
Drain-source voltage: 30/-20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 80/29mΩ
Technology: PowerTrench®
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: SO8
Gate charge: 21/27nC
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4501HFAIRCHILDTrans MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A/5.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 35450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
459+70.34 грн
500+67.34 грн
1000+63.60 грн
Мінімальне замовлення: 459
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4501hFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A, 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1958pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 37590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
296+67.33 грн
Мінімальне замовлення: 296
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4501HFAIRCHILDTrans MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A/5.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
459+70.34 грн
500+67.34 грн
1000+63.60 грн
Мінімальне замовлення: 459
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4501honsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A, 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1958pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
на замовлення 4926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.64 грн
10+78.93 грн
100+52.98 грн
500+39.28 грн
1000+35.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4501HNLFAIRCHILD
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4501NLFAIRCHILD
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4532FDS
на замовлення 22350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4532NLFAIRCHILD
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4542FAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 759pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.48 грн
10+58.77 грн
100+38.88 грн
500+28.48 грн
1000+25.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559ONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 4.5/-3.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55/105mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2368 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+84.06 грн
10+50.19 грн
50+36.42 грн
100+32.06 грн
250+27.44 грн
500+27.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
376+34.37 грн
1000+32.56 грн
Мінімальне замовлення: 376
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559ONS/FAIMOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4559 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.75 грн
50+66.46 грн
100+44.01 грн
500+32.03 грн
1000+26.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 759pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.14 грн
16+46.69 грн
100+38.29 грн
500+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559Fairchild/ON SemiconductorТранзистор польовий N+P, Udss, В = 60, Id = 4,5 А, Ptot, Вт = 1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 18 @ 10 В, Rds = 55 мОм @ 4,5 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, td(on)+tr = 11 нс, td(off)+tf = 19 нс, I2 =
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+40.38 грн
1000+37.24 грн
10000+33.20 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559onsemiMOSFETs 60V/-60V N/P
на замовлення 4812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.37 грн
10+66.55 грн
100+37.72 грн
500+29.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+125.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4559 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.01 грн
500+32.03 грн
1000+26.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
349+92.53 грн
500+83.28 грн
1000+76.79 грн
10000+66.03 грн
Мінімальне замовлення: 349
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559-F085onsemi / FairchildMOSFET 60V Complementary PowerTrench MOS
на замовлення 8150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4559-F085 - 60V COMPLEMENTARY POWERTRENCH® MOSFET
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559-F085onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 26954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
349+92.53 грн
500+83.28 грн
1000+76.79 грн
10000+66.03 грн
Мінімальне замовлення: 349
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559-NL
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559ANLFAIRCHILD
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559NLFAIRCHILD
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559_NLFAIRCHILD
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4585
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4585NLFAIRCHILD
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4672FDS07+/08+ SOP8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4672AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4672AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4672A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 11
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4672AonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4766 pF @ 20 V
на замовлення 39925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.15 грн
10+50.53 грн
100+33.30 грн
500+24.30 грн
1000+22.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4672AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4672AONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11A; 2.5W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SO8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 40V
Polarisation: unipolar
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+78.63 грн
10+52.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4672AonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4766 pF @ 20 V
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.73 грн
5000+19.33 грн
7500+18.51 грн
12500+16.52 грн
17500+16.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4672Aonsemi / FairchildMOSFETs SO-8
на замовлення 4213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.80 грн
10+59.58 грн
100+34.23 грн
500+24.82 грн
1000+22.45 грн
2500+21.89 грн
5000+18.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4672A-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4672ANLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 20 V
на замовлення 18191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.87 грн
10+71.30 грн
100+47.68 грн
500+35.22 грн
1000+32.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
431+74.89 грн
500+67.41 грн
1000+62.16 грн
Мінімальне замовлення: 431
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675ON-SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 21mOhm; 11A; 2,4W; -55°C ~ 175°C; FDS4675 TFDS4675
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+61.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4675 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.69 грн
500+40.86 грн
1000+32.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 20 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.83 грн
5000+26.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.65 грн
5000+36.53 грн
7500+36.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675onsemi / FairchildMOSFETs SO-8
на замовлення 3772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.12 грн
10+71.68 грн
100+41.56 грн
500+32.70 грн
1000+29.70 грн
2500+26.98 грн
5000+24.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.07 грн
5000+39.68 грн
7500+39.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4675 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.07 грн
50+78.74 грн
100+53.69 грн
500+40.86 грн
1000+32.28 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675ON-SemiconductorКод виробника: FDS4675 RoHS Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 21mOhm; 11A; 2,4W; -55°C ~ 175°C; Transistors
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+68.04 грн
100+62.20 грн
400+60.12 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET P-CHANNEL MOSFET
на замовлення 4603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675-NL
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675NLFAIRCHILD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675_NL
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4678FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685FairchildTransistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 42mOhm; 8,2A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS4685 TFDS4685
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+39.21 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1872 pF @ 20 V
на замовлення 8794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.97 грн
10+42.53 грн
100+27.78 грн
500+20.13 грн
1000+18.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.2 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 28945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.12 грн
500+41.85 грн
1000+33.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685ONS/FAIMOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.06 грн
5000+47.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685onsemi / FairchildMOSFETs 40V PCH POWER TRENCH MOSFET
на замовлення 6867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.34 грн
10+65.59 грн
100+44.41 грн
500+37.65 грн
1000+30.68 грн
2500+29.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685
Код товару: 82291
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685Fairchild/ON SemiconductorP-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 8,2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1872 @ 20, 1, Qg, нКл = 27, Rds = 42 мОм, Ugs(th) = 1,6 В, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1872 pF @ 20 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.86 грн
5000+15.83 грн
7500+15.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.2 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 25790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+98.43 грн
50+68.09 грн
100+49.13 грн
500+36.86 грн
1000+31.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685FairchildКод виробника: FDS4685 RoHS Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 42mOhm; 8,2A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Transistors
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+41.84 грн
200+39.39 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685-NLFAIRCHILD09+
на замовлення 618 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685NLFAIRCHILD
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685_NLFAIRCHIL09+ TSSOP8
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4770Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 13.2A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4770FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4770-NLFAIRCHILDSOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4770NLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4780onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1686 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4780FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4831-NL
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4835FAIRCHILD
на замовлення 415 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4835A
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4835ANLFAIRCHILD
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS487N2Amphenol PositronicD-Sub Contacts
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS487N2/AAAmphenol PositronicD-Sub Contacts
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS487P2Amphenol PositronicD-Sub Contacts
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS487P2/AAAmphenol PositronicD-Sub Contacts
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4884-NL
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4885-NL
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4885ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 40V 7.5A/6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A, 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4885CFAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4885C-NLFairchild
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4885CNLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4885C_NLFAIRCHILD
на замовлення 175200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4895CFAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4895CFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 40V 5.5A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 4.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+30.61 грн
Мінімальне замовлення: 740
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4895ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 40V 5.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 4.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4895LFDS07+/08+ SOP8
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897ACFairchildКод виробника: FDS4897AC RoHS Transistor N/P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 39mOhm/65mOhm; 6,1A/5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; Transistors
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+27.14 грн
200+24.69 грн
1000+23.56 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897ACONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4897AC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 6.1 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 6.1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897ACON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 577500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+50.74 грн
18+41.93 грн
25+37.83 грн
100+33.96 грн
500+29.68 грн
1000+27.08 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897ACON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 577500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+47.36 грн
Мінімальне замовлення: 273
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897ACFairchildTransistor N/P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 39mOhm/65mOhm; 6,1A/5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; FDS4897AC TFDS4897ac
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+23.60 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897AConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6.1A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A, 5.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897AConsemi / FairchildMOSFET 40V Dual N & P Chan PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897ACONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4897AC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 6.1 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 6.1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897ACON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 392500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1137+28.39 грн
Мінімальне замовлення: 1137
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897AConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A, 5.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A, 4.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
257+50.27 грн
Мінімальне замовлення: 257
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897CFairchildКод виробника: FDS4897C RoHS Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC Transistors
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+19.42 грн
300+18.29 грн
1000+17.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897Consemi / FairchildMOSFETs 40V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 40632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.81 грн
10+53.24 грн
100+36.05 грн
500+33.54 грн
1000+32.21 грн
2500+24.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897CONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4897C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+70.63 грн
14+54.69 грн
100+44.53 грн
500+37.58 грн
1000+30.27 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897CFairchildTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC FDS4897C TFDS4897C
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A, 4.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
677+47.70 грн
Мінімальне замовлення: 677
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897C-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4920FAIRCHILDSO-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4925FAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4925-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4925NLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935onsemiMOSFETs 30V P-CH DUAL PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935-NLFAIRCHILD09+
на замовлення 5018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935AONS/FAIMOSFET P-CH 30V SOIC-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935A
Код товару: 40550
1 Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 7 А
Rds(on),Om: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1233/15
Монтаж: SMD
у наявності 154 шт:
97 шт - склад
33 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+28.00 грн
10+25.20 грн
100+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
656+49.22 грн
1000+45.39 грн
10000+40.47 грн
Мінімальне замовлення: 656
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935AonsemiMOSFETs -30V Dual
на замовлення 18842 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.12 грн
10+68.23 грн
100+39.60 грн
500+31.10 грн
1000+28.45 грн
2500+25.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935AON-SemiconductorКод виробника: FDS4935A RoHS Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 7A; 2W; -55°C ~ 175°C; Transistors
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+45.80 грн
200+43.16 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935AonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 10046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.68 грн
10+64.58 грн
100+43.08 грн
500+31.76 грн
1000+28.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+106.69 грн
168+77.27 грн
200+73.31 грн
500+54.51 грн
1000+49.55 грн
2000+37.47 грн
2500+32.45 грн
Мінімальне замовлення: 121
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4935A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+115.51 грн
50+77.03 грн
100+51.41 грн
500+37.46 грн
1000+31.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935AON-SemiconductorTransistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 7A; 2W; -55°C ~ 175°C; FDS4935A TFDS4935a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+42.17 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935AonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.72 грн
5000+25.67 грн
7500+24.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
656+49.22 грн
Мінімальне замовлення: 656
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935A-NLFAIRCHILDSOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935ANLFAIRCHILD
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935A_NLFSC
на замовлення 128000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935A_Qonsemi / FairchildMOSFETs -30V Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935B
на замовлення 9080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.38 грн
500+35.95 грн
1000+29.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZFairchildMosfet Array 2x P-Channel (Dual) 30V 6.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC FDS4935BZ ONS TFDS4935bz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+37.94 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.46 грн
5000+23.62 грн
7500+22.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
270+47.93 грн
271+47.72 грн
Мінімальне замовлення: 270
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.95 грн
50+74.27 грн
100+49.38 грн
500+35.95 грн
1000+29.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZonsemiMOSFETs 30V PCH DUAL POWER TRENCH M
на замовлення 10276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+102.49 грн
10+63.82 грн
100+36.88 грн
500+28.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZOn SemiconductorMOSFET P-CH DUAL 30V 8-SOIC Група товару: Транзистори Од. вим: шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2+226.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.83 грн
10+60.12 грн
100+39.94 грн
500+29.36 грн
1000+26.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.04 грн
15+51.35 грн
25+51.13 грн
100+40.32 грн
250+28.18 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
720+44.87 грн
1000+41.38 грн
10000+36.90 грн
Мінімальне замовлення: 720
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ ONSFairchildКод виробника: FDS4935BZ RoHS Mosfet Array 2x P-Channel (Dual) 30V 6.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC Transistors
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+39.02 грн
500+37.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ-NLFairchild
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ_Gonsemi / FairchildArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ_NLFAIRCHILD
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935NLFAIRCHILD
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935_NLFAIRCHILD
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4936FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4936-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4953onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4953onsemiMOSFETs SO-8 P-CH DUAL -30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4953
Код товару: 205323
Додати до обраних Обраний товар
Мікросхеми > Транзисторні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4953-NL
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4953A
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4953A-NLFAIRCHILDSOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4953ANLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4953NLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4953_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V, DUAL, SO-8, PCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4963Fairchild04+ SOP-8
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5009FDS04+
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5109FDS07+/08+ SOP8
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5109MFAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 21520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5170N3FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5170N7FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5170N7onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2889 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5170N7onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2889 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5341FSCSOP-8
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS53418MFDSSOP-8
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.34 грн
5000+18.98 грн
7500+18.18 грн
12500+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351FairchildN-MOSFET 6.1A 60V 2.5W 35mΩ FDS5351 TFDS5351
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+24.58 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.1A; 5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.1A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27nC
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+60.56 грн
10+43.47 грн
25+38.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 192500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351ONS/FAIMOSFET N-CH 60V 6.1A SOIC-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
5+62.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
416+31.06 грн
Мінімальне замовлення: 416
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS5351 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.0265 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+67.76 грн
15+56.53 грн
100+35.95 грн
500+23.87 грн
1000+19.03 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6.1A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 30 V
на замовлення 17592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.58 грн
10+49.63 грн
100+32.71 грн
500+23.86 грн
1000+21.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+35.31 грн
23+33.28 грн
100+30.79 грн
250+29.51 грн
500+22.72 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351FairchildКод виробника: FDS5351 RoHS N-MOSFET 6.1A 60V 2.5W 35m? Transistors
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+25.63 грн
400+23.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+33.64 грн
24+31.44 грн
25+31.36 грн
100+27.08 грн
250+24.90 грн
500+21.64 грн
1000+21.41 грн
2500+19.27 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.71 грн
5000+22.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351onsemi / FairchildMOSFETs 60V N-Channel PowerTrench
на замовлення 3575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.45 грн
10+38.33 грн
100+26.63 грн
500+21.20 грн
1000+20.22 грн
2500+18.48 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+118.52 грн
128+101.24 грн
129+100.22 грн
148+84.36 грн
250+77.46 грн
500+64.44 грн
1000+62.53 грн
Мінімальне замовлення: 109
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS5670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+200.11 грн
50+135.84 грн
100+97.61 грн
500+74.63 грн
1000+63.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+126.98 грн
10+108.47 грн
25+107.38 грн
100+90.39 грн
250+83.00 грн
500+69.04 грн
1000+67.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+62.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+72.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670
Код товару: 66965
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670onsemi / FairchildMOSFETs SO-8 N-CH 60V
на замовлення 4732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177.33 грн
10+119.47 грн
100+74.60 грн
500+61.15 грн
1000+56.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+78.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS5670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+97.61 грн
500+74.63 грн
1000+63.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+128.38 грн
500+102.94 грн
1000+94.55 грн
2500+86.18 грн
5000+78.15 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 15 V
на замовлення 20147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.25 грн
10+122.44 грн
100+86.80 грн
500+65.67 грн
1000+60.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670ONS/FAIN-Channel MOSFET, 60 V, 10 A, - 55 C... 150 C, SOIC8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670NLFAIRCHILD
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670_NLFAIRCHILD
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS5672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.60 грн
500+63.15 грн
1000+54.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 3906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.72 грн
10+102.05 грн
100+69.67 грн
500+52.39 грн
1000+51.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672ONS/FAIN-Channel MOSFET, 60 V, 12 A, - 55 C... 150 C, SOIC8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672onsemiMOSFETs 60V 12A 10 OHM NCH POWER TRENCH MOSFET
на замовлення 32921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+192.79 грн
10+121.07 грн
100+73.21 грн
500+61.78 грн
1000+55.08 грн
2500+52.08 грн
5000+49.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672FairchildTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 23mOhm; 12A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS5672 TFDS5672
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+39.42 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+65.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS5672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+222.88 грн
50+143.98 грн
100+97.61 грн
500+72.89 грн
1000+62.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672ON-SemiconductorКод виробника: FDS5672 Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 23mOhm; 12A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Transistors
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2500+63.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.96 грн
10+82.88 грн
25+82.05 грн
100+71.38 грн
250+60.75 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672onsemi / FairchildMOSFETs 60V 12A 10 OHM NCH POWER TRENCH MOSFET
на замовлення 38215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.35 грн
10+97.82 грн
100+64.15 грн
500+51.32 грн
1000+47.90 грн
2500+47.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+83.03 грн
Мінімальне замовлення: 156
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672FairchildКод виробника: FDS5672 RoHS Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 23mOhm; 12A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Transistors
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+41.28 грн
200+39.02 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
625+94.08 грн
1250+89.74 грн
Мінімальне замовлення: 625
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672NLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672_F095onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5680
Код товару: 131521
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5680onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5680ON Semiconductor / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 60V
на замовлення 11779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5680ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS5680 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 9995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+172.45 грн
10+143.17 грн
100+106.56 грн
500+64.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5680onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5680-NLFAIRCHIL09+ TSOP
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5680NLFAIRCHILD
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5682FAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5682onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5682onsemi / FairchildMOSFET 60V N-CH. FET 20 MO SO8 TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5682-NLFairchild
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5690onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1107 pF @ 30 V
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.31 грн
5000+25.97 грн
12500+24.77 грн
25000+23.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5690ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS5690 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.16 грн
13+63.86 грн
100+45.72 грн
500+29.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5690FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5690ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.00 грн
5000+17.82 грн
12500+17.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5690onsemi / FairchildMOSFETs SO-8 N-CH 60V
на замовлення 16036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.91 грн
10+57.89 грн
100+39.11 грн
500+33.19 грн
1000+26.98 грн
2500+24.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5690onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1107 pF @ 30 V
на замовлення 51346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.24 грн
10+53.93 грн
100+41.94 грн
500+33.37 грн
1000+27.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5690ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS5690 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.72 грн
500+29.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5690ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.80 грн
5000+16.63 грн
12500+16.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5690-NBBM009AonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1107 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5690-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5690_NBBM009AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5690_NBBM009AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5690_NBBM009AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5692ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 5.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5692ZFairchild
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5692ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 5.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5692ZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 50V 5.8A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 25 V
на замовлення 8231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
304+72.83 грн
Мінімальне замовлення: 304
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6064N3FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6064N3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 23A 8SO
на замовлення 31115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6064N7FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6064N7Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6141CSFAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6143FDSSOP-8
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6143CSFAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 10150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6162N3FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6162N3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 21A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 21A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5521 pF @ 10 V
на замовлення 33137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+127.48 грн
Мінімальне замовлення: 171
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6162N7Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 23A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 23A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5521 pF @ 10 V
на замовлення 15029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+152.34 грн
Мінімальне замовлення: 131
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6162N7FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6294ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1177+27.43 грн
Мінімальне замовлення: 1177
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6294onsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Ch PowerTrench Fast Switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6294ON-SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 16,5mOhm; 13A; 3W; -55°C ~ 175°C; FDS6294 TFDS6294
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.98 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6294onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6294ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6294 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.0094 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: Power Trench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6294ONS/FAIMOSFET 30V N-Ch PowerTrench Fast Switching SO-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6294ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1177+27.43 грн
Мінімальне замовлення: 1177
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6294
Код товару: 163303
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6294ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 18593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1177+27.43 грн
Мінімальне замовлення: 1177
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6294Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V
на замовлення 18921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
962+23.33 грн
Мінімальне замовлення: 962
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6294ON-SemiconductorКод виробника: FDS6294 RoHS Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 16,5mOhm; 13A; 3W; -55°C ~ 175°C; Transistors
кількість в упаковці: 200 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+22.62 грн
1000+21.68 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6294onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6294-NLFairchild
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6294ASFAIRCHIL00+ SOP
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6294NLFAIRCHILD
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6294_NLFAIRCHILD09+
на замовлення 418 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6298onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6298ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6298Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108 pF @ 15 V
на замовлення 244466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
574+39.13 грн
Мінімальне замовлення: 574
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6298onsemi / FairchildMOSFET 30V N-CH Fast SwitCH PwrTrenCH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6298onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6298ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6298 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.0074 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 13
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
Verlustleistung: 3
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0074
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6298-Gonsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6298-NLFairchild
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6298AFDS07+/08+ SOP8
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6298AS
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6298NLFAIRCHILD
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6298_GonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 13A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6298_Gonsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6298_NLFAIRCHILD
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6298_Tonsemi / Fairchildonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6299SOP-8 07+
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6299CSFAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 1042 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6299SFAIRCHILD
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6299SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3880 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6299SONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6299S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 25342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+220.44 грн
Мінімальне замовлення: 179
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6299SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3880 pF @ 15 V
на замовлення 25342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+151.26 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6299S-NL
на замовлення 61053 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6299SNLFAIRCHILD
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6370AFAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6374-NLFDS
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375FairchildКод виробника: FDS6375 RoHS Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 39mOhm; 8A; 2,5W; -55°C ~ 175°C; Transistors
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+26.95 грн
200+24.50 грн
1000+23.37 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375onsemi / FairchildMOSFET SO-8 P-CH -20V
на замовлення 62823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.09 грн
10+55.57 грн
100+37.58 грн
500+31.86 грн
1000+25.94 грн
2500+24.47 грн
5000+23.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2694 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.05 грн
5000+24.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6375 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.24 грн
50+67.68 грн
100+47.59 грн
500+35.35 грн
1000+27.75 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+46.55 грн
Мінімальне замовлення: 278
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375
Код товару: 34124
Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Id,A: 8 А
Rds(on),Om: 0,024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2694/26
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+32.00 грн
10+28.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375FairchildTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 39mOhm; 8A; 2,5W; -55°C ~ 175°C; FDS6375 TFDS6375
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.31 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2694 pF @ 10 V
на замовлення 16667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.28 грн
10+56.05 грн
100+39.01 грн
500+29.40 грн
1000+27.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6375 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+63.80 грн
15+49.87 грн
25+49.51 грн
100+38.05 грн
250+34.90 грн
500+29.00 грн
1000+25.44 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375-NLFAIRCHIL09+ BGA
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375NLFAIRCHILD
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375_Qonsemi / FairchildMOSFET SO-8 P-CH -20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6376FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6393AFDSSOP-8
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6406CSFAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6410FDSSOP-8
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6466FAIRCHILD
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6520FSCSOP-8
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6520AMFDSSOP-8
на замовлення 330 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6570FDSSOP-8
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6570-NL
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6570AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6570Aonsemi / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 20V
на замовлення 1902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.22 грн
2500+106.64 грн
5000+89.94 грн
10000+88.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6570AonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 15A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6570AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6570A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 15 A, 0.0075 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+98.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6570AFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6570AONS/FAISO8, Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6570A
Код товару: 193947
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6570AonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6570AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6570A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 15 A, 0.0075 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+98.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6570A-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6570ANLFAIRCHILD
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6570A_NLFSC09+
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6570NLFAIRCHILD
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6572FDSSOP-8
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6572AON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 16A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6572AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6572AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6572A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 373117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+204.99 грн
Мінімальне замовлення: 193
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6574
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6574AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 16A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6574AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6574A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 16 A, 0.004 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 16
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6574AFairchildКод виробника: FDS6574A RoHS Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 9mOhm; 16A; 2,5W; -55°C ~ 175°C; Transistors
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+35.06 грн
200+32.04 грн
1000+30.53 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6574AonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 16A 8SOIC
на замовлення 3747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6574AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 16A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6574A
Код товару: 175545
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6574AFairchildTransistor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 9mOhm; 16A; 2,5W; -55°C ~ 175°C; FDS6574A TFDS6574a
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+30.30 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6574AonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 16A 8SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6574Aonsemi / FairchildMOSFET SO-8
на замовлення 2891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6574A-NL
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6574A_NLFAIRCHILD09+
на замовлення 728 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6574NLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.17 грн
5000+48.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
431+74.89 грн
500+67.41 грн
1000+62.16 грн
Мінімальне замовлення: 431
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4951 pF @ 10 V
на замовлення 11678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.62 грн
10+78.18 грн
100+60.81 грн
500+48.38 грн
1000+39.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.31 грн
5000+42.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575onsemi / FairchildMOSFETs SO-8 P-CH -20V
на замовлення 3051 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.39 грн
10+94.61 грн
100+55.99 грн
500+44.41 грн
1000+40.30 грн
2500+36.60 грн
5000+35.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+83.12 грн
5000+73.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6575 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.63 грн
10+91.92 грн
100+65.56 грн
500+48.34 грн
1000+40.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
431+74.89 грн
500+67.41 грн
1000+62.16 грн
Мінімальне замовлення: 431
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4951 pF @ 10 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.05 грн
5000+37.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+95.13 грн
138+94.18 грн
174+74.22 грн
250+70.86 грн
500+42.39 грн
Мінімальне замовлення: 136
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575-NLFAIRCHILD09+
на замовлення 4528 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575NLFAIRCHILD
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575_NLFAIRCHILD
на замовлення 54500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6576onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4044 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.55 грн
5000+30.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6576onsemi / FairchildMOSFETs SO-8 P-CH -20V
на замовлення 7603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.21 грн
10+65.83 грн
100+45.25 грн
500+38.98 грн
1000+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6576ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 11A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6576onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4044 pF @ 10 V
на замовлення 7030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.79 грн
10+63.90 грн
100+49.70 грн
500+39.54 грн
1000+32.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6576.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6576. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 11 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 830mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.95 грн
11+79.07 грн
100+56.86 грн
500+38.67 грн
1000+31.65 грн
5000+27.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6576.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6576. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 11 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 830mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.18 грн
500+39.05 грн
1000+29.63 грн
5000+29.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6576_NLFSC09+
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6576_Qonsemi / FairchildMOSFETs SO-8 P-CH -20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6578FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6585FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6588FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6609FDSSOP-8
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6609AonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 6.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6609AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6609A_NLFAIRCHILD09+
на замовлення 223 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612FSC00+ SOP
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612AUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
867+37.24 грн
1000+34.34 грн
10000+30.62 грн
Мінімальне замовлення: 867
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612A
Код товару: 137932
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6612A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.4 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612AFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 138927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
625+32.28 грн
Мінімальне замовлення: 625
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
867+37.24 грн
1000+34.34 грн
10000+30.62 грн
Мінімальне замовлення: 867
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612Aonsemi / FairchildMOSFETs SO-8 N-CH 30V
на замовлення 3831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.18 грн
10+50.03 грн
100+30.96 грн
500+24.12 грн
1000+21.89 грн
2500+21.41 грн
5000+20.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
867+37.24 грн
1000+34.34 грн
Мінімальне замовлення: 867
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.93 грн
10+50.99 грн
100+33.64 грн
500+24.58 грн
1000+22.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6612A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.4 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.99 грн
50+60.36 грн
100+39.86 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612AUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.79 грн
13+24.25 грн
100+15.54 грн
500+11.02 грн
1000+9.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 6380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
867+37.24 грн
1000+34.34 грн
Мінімальне замовлення: 867
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
867+37.24 грн
1000+34.34 грн
10000+30.62 грн
Мінімальне замовлення: 867
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 47011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
867+37.24 грн
1000+34.34 грн
10000+30.62 грн
Мінімальне замовлення: 867
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612A-NB5E029AonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL, LOGIC LEVEL, P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612A-NLFAIRCHILD09+
на замовлення 20018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612ANLFAIRCHILD
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612A_NL
на замовлення 5080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6614FSC00+ SOP
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6614AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+122.61 грн
500+110.78 грн
1000+101.77 грн
10000+87.49 грн
Мінімальне замовлення: 264
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6614AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+122.61 грн
500+110.78 грн
1000+101.77 грн
10000+87.49 грн
Мінімальне замовлення: 264
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6614AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 15 V
на замовлення 25863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
310+70.26 грн
Мінімальне замовлення: 310
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6614AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6614AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+122.61 грн
500+110.78 грн
1000+101.77 грн
Мінімальне замовлення: 264
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6614AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6614A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 25863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
373+76.87 грн
Мінімальне замовлення: 373
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6614AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+122.61 грн
500+110.78 грн
1000+101.77 грн
Мінімальне замовлення: 264
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6614Aonsemi / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6614AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6614A-NLFairchild
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6614ANLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6614A_NLonsemi / FairchildMOSFET SO8, SINGLE, NCH, 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6630FDSSOP-8
на замовлення 6700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6630-NLFairchild
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6630Aonsemi / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6630AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6630AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6630A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 6.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.7
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6630AFairchildTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 60mOhm; 6,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6630A TFDS6630a
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+23.60 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6630AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V
на замовлення 43435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1157+18.83 грн
Мінімальне замовлення: 1157
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6630AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6630AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 22006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1245+25.93 грн
10000+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 1245
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6630AFairchildКод виробника: FDS6630A RoHS Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 60mOhm; 6,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Transistors
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.92 грн
200+18.81 грн
1000+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6630A-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6630A_NLFAIRCHILD
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6634AFAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6644FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS66574AFAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
812+39.76 грн
1000+36.68 грн
Мінімальне замовлення: 812
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
812+39.76 грн
1000+36.68 грн
Мінімальне замовлення: 812
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670AFairchildTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 14mOhm; 13A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6670A TFDS6670a
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 77497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
812+39.76 грн
1000+36.68 грн
10000+32.70 грн
Мінімальне замовлення: 812
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 44659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
812+39.76 грн
1000+36.68 грн
10000+32.70 грн
Мінімальне замовлення: 812
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
812+39.76 грн
1000+36.68 грн
Мінімальне замовлення: 812
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 265173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
812+39.76 грн
1000+36.68 грн
10000+32.70 грн
100000+26.42 грн
Мінімальне замовлення: 812
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
812+39.76 грн
1000+36.68 грн
Мінімальне замовлення: 812
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670AonsemiMOSFETs SO-8 N-CH 30V
на замовлення 16437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.11 грн
10+56.53 грн
100+32.56 грн
500+25.45 грн
1000+23.08 грн
2500+20.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
812+39.76 грн
Мінімальне замовлення: 812
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670AFairchildКод виробника: FDS6670A RoHS Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 14mOhm; 13A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Transistors
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.04 грн
200+16.29 грн
1000+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 6711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
812+39.76 грн
1000+36.68 грн
Мінімальне замовлення: 812
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670AONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 50A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6670A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 108108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.71 грн
5000+31.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
812+39.76 грн
1000+36.68 грн
Мінімальне замовлення: 812
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.30 грн
10+54.01 грн
100+36.01 грн
500+26.37 грн
1000+23.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670A-NLFairchildSOP8 0712+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.