FDS6294 Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V
на замовлення 27048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 618+ | 31.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS6294 Fairchild Semiconductor
Description: ONSEMI - FDS6294 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.0094 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Power Trench Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDS6294 за ціною від 19.45 грн до 32.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS6294 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6294 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.0094 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Power Trench Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 27048 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| FDS6294 | Виробник : Fairchild |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 16,5mOhm; 13A; 3W; -55°C ~ 175°C; FDS6294 TFDS6294 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
|
FDS6294 Код товару: 163303 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||
 |
FDS6294 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||
 |
FDS6294 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench Fast Switching |
товар відсутній |