на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 37.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS6898AZ ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDS6898AZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.4 A, 0.014 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDS6898AZ за ціною від 31.14 грн до 139.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS6898AZ | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS6898AZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS6898AZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS6898AZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS6898AZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS6898AZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6898AZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.4 A, 0.014 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS6898AZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs SO-8 |
на замовлення 3845 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS6898AZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
на замовлення 12066 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDS6898AZ | Виробник : Fairchild |
|
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| FDS6898AZ | Виробник : FAIRCHILD |
07+ SO-8 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| FDS6898AZ | Виробник : FAIRCHILD |
09+ |
на замовлення 918 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| FDS6898AZ | Виробник : FAIRCHILD |
SO-8 |
на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| FDS6898AZ | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.4A; Idm: 38A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 9.4A Pulsed drain current: 38A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| FDS6898AZ | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.4A; Idm: 38A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 9.4A Pulsed drain current: 38A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |