FDS6898AZ

FDS6898AZ onsemi


fds6898az-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+32.6 грн
5000+ 29.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6898AZ onsemi

Description: ONSEMI - FDS6898AZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.4 A, 0.014 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.4A, Verlustleistung, p-Kanal: -W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 8Pins, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції FDS6898AZ за ціною від 29.41 грн до 95.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS6898AZ FDS6898AZ Виробник : ON Semiconductor fds6898az.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+32.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS6898AZ FDS6898AZ Виробник : ON Semiconductor 3661088046996060fds6898az.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+35.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS6898AZ FDS6898AZ Виробник : ON Semiconductor 3661088046996060fds6898az.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+35.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS6898AZ FDS6898AZ Виробник : ON Semiconductor 3661088046996060fds6898az.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+68.16 грн
10+ 58.77 грн
100+ 47.88 грн
500+ 40.17 грн
1000+ 31.65 грн
2500+ 29.41 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDS6898AZ FDS6898AZ Виробник : onsemi fds6898az-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 11881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+79.24 грн
10+ 62.08 грн
100+ 48.29 грн
500+ 38.41 грн
1000+ 31.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS6898AZ FDS6898AZ Виробник : onsemi / Fairchild FDS6898AZ_D-2312935.pdf MOSFET SO-8
на замовлення 5226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+87.02 грн
10+ 69.69 грн
100+ 47.21 грн
500+ 40.02 грн
1000+ 32.56 грн
2500+ 32.1 грн
5000+ 31.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS6898AZ FDS6898AZ Виробник : ONSEMI 2304332.pdf Description: ONSEMI - FDS6898AZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.4 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.4A
Verlustleistung, p-Kanal: -W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+95.62 грн
11+ 72.76 грн
100+ 52.97 грн
500+ 33.92 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDS6898AZ Виробник : Fairchild fds6898az-d.pdf
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS6898AZ Виробник : FAIRCHILD fds6898az-d.pdf 07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS6898AZ Виробник : FAIRCHILD fds6898az-d.pdf 09+
на замовлення 918 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS6898AZ Виробник : FAIRCHILD fds6898az-d.pdf SO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS6898AZ FDS6898AZ Виробник : ON Semiconductor 3661088046996060fds6898az.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS6898AZ FDS6898AZ Виробник : ON Semiconductor 3661088046996060fds6898az.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній