Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDS6898AZ
FDS6898AZ

FDS6898AZ ON Semiconductor

fds6898az-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+38.16 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6898AZ ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS6898AZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.4 A, 0.014 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції FDS6898AZ за ціною від 51.28 грн до 130.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDS6898AZ FDS6898AZ ON Semiconductor fds6898az-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
493+71.86 грн
547+64.67 грн
1000+59.65 грн
Мінімальне замовлення: 493 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZ FDS6898AZ ON Semiconductor fds6898az-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
493+71.86 грн
547+64.67 грн
1000+59.65 грн
10000+51.28 грн
Мінімальне замовлення: 493 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZ FDS6898AZ ON Semiconductor fds6898az-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
493+71.86 грн
547+64.67 грн
1000+59.65 грн
Мінімальне замовлення: 493 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZ FDS6898AZ ON Semiconductor fds6898az-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
493+71.86 грн
547+64.67 грн
Мінімальне замовлення: 493 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZ FDS6898AZ onsemi fds6898az-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.90 грн
10+80.16 грн
100+53.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZ FDS6898AZ onsemi / Fairchild fds6898az-d.pdf MOSFETs SO-8
на замовлення 3845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZ FDS6898AZ ONSEMI 2304332.pdf Description: ONSEMI - FDS6898AZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.4 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZ FAIRCHILD fds6898az-d.pdf SO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZ fds6898az-d.pdf
FDS6898AZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
493+71.86 грн
547+64.67 грн
1000+59.65 грн
Мінімальне замовлення: 493 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZ fds6898az-d.pdf
FDS6898AZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
493+71.86 грн
547+64.67 грн
1000+59.65 грн
10000+51.28 грн
Мінімальне замовлення: 493 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZ fds6898az-d.pdf
FDS6898AZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
493+71.86 грн
547+64.67 грн
1000+59.65 грн
Мінімальне замовлення: 493 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZ fds6898az-d.pdf
FDS6898AZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
493+71.86 грн
547+64.67 грн
Мінімальне замовлення: 493 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZ fds6898az-d.pdf
FDS6898AZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+130.90 грн
10+80.16 грн
100+53.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZ fds6898az-d.pdf
FDS6898AZ
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SO-8
на замовлення 3845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZ 2304332.pdf
FDS6898AZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6898AZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.4 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZ fds6898az-d.pdf
Виробник: FAIRCHILD
SO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.