Продукція > ONSEMI > FDS6898AZ
FDS6898AZ

FDS6898AZ onsemi

fds6898az-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6898AZ onsemi

Description: ONSEMI - FDS6898AZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.4 A, 0.014 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDS6898AZ за ціною від 30.73 грн до 139.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS6898AZ FDS6898AZ Виробник : onsemi / Fairchild fds6898az-d.pdf MOSFETs SO-8
на замовлення 3845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.18 грн
10+78.52 грн
100+45.64 грн
500+36.09 грн
1000+33.02 грн
2500+30.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZ FDS6898AZ Виробник : onsemi fds6898az-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A
на замовлення 4157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.98 грн
10+77.89 грн
100+52.28 грн
500+38.77 грн
1000+35.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZ FDS6898AZ Виробник : ONSEMI 2304332.pdf Description: ONSEMI - FDS6898AZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.4 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+139.81 грн
10+89.41 грн
100+59.50 грн
500+43.63 грн
1000+36.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZ Виробник : FAIRCHILD fds6898az-d.pdf SO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.