FDS8333C FAIRCHILD


FDS8333C.pdf
Виробник: FAIRCHILD
SO-8
на замовлення 41000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS8333C FAIRCHILD

Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.1A 8SOIC, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: N and P-Channel, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.1A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A, 3.4A, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 900mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide).

Інші пропозиції FDS8333C

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS8333C Виробник : ONS/FAI FDS8333C.pdf Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8333C FDS8333C Виробник : onsemi FDS8333C.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.1A 8SOIC
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A, 3.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8333C FDS8333C Виробник : onsemi / Fairchild FDS8333C.pdf MOSFETs N & PCh PowerTrench 3V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.