Продукція > ONSEMI > FDS86141
FDS86141

FDS86141 onsemi

fds86141-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 934 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+66.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS86141 onsemi

Description: ONSEMI - FDS86141 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDS86141 за ціною від 56.05 грн до 217.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS86141 FDS86141 Виробник : ON Semiconductor 3658154936293397fds86141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+72.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 Виробник : ON Semiconductor 3658154936293397fds86141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+73.75 грн
5000+72.97 грн
10000+71.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 Виробник : ON Semiconductor 3658154936293397fds86141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+78.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 Виробник : ON Semiconductor 3658154936293397fds86141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+85.15 грн
5000+84.25 грн
10000+82.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 Виробник : ON Semiconductor 3658154936293397fds86141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+88.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 Виробник : ON Semiconductor 3658154936293397fds86141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
134+92.64 грн
141+88.50 грн
183+67.91 грн
500+64.05 грн
1000+56.05 грн
Мінімальне замовлення: 134
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 Виробник : ON Semiconductor 3658154936293397fds86141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
114+109.18 грн
Мінімальне замовлення: 114
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 Виробник : ONSEMI fds86141-d.pdf Description: ONSEMI - FDS86141 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+112.49 грн
500+87.71 грн
1000+75.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 Виробник : ON Semiconductor 3658154936293397fds86141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+116.98 грн
10+108.38 грн
25+105.64 грн
50+99.73 грн
100+70.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 Виробник : ON Semiconductor 3658154936293397fds86141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
106+117.62 грн
Мінімальне замовлення: 106
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 Виробник : ON Semiconductor 3658154936293397fds86141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+126.02 грн
10+124.87 грн
25+123.62 грн
100+118.01 грн
250+108.24 грн
500+102.85 грн
1000+101.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 Виробник : onsemi / Fairchild FDS86141-D.PDF MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 23870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.28 грн
10+115.32 грн
100+90.33 грн
500+75.71 грн
1000+68.43 грн
2500+63.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 Виробник : ON Semiconductor 3658154936293397fds86141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
237+131.31 грн
500+117.86 грн
1000+108.56 грн
Мінімальне замовлення: 237
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 Виробник : ON Semiconductor 3658154936293397fds86141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+136.40 грн
10+133.84 грн
25+128.76 грн
50+118.46 грн
100+75.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 Виробник : ONSEMI fds86141-d.pdf Description: ONSEMI - FDS86141 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+140.83 грн
10+127.09 грн
100+112.49 грн
500+87.71 грн
1000+75.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 Виробник : onsemi fds86141-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 934 pF @ 50 V
на замовлення 5025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.78 грн
10+136.03 грн
100+94.05 грн
500+73.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 Виробник : ON Semiconductor 3658154936293397fds86141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 Виробник : ON Semiconductor 3658154936293397fds86141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE9FFE92E2B6259&compId=FDS86141.pdf?ci_sign=081af4a1e1f0dfe562a326622bb881412132cb43 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16.5nC
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 7A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.