Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDS86141
FDS86141

FDS86141 ON Semiconductor

3658154936293397fds86141.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+63.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS86141 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS86141 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDS86141 за ціною від 59.34 грн до 169.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS86141 FDS86141 Виробник : ON Semiconductor 3658154936293397fds86141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+68.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS86141 FDS86141 Виробник : ON Semiconductor 3658154936293397fds86141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+68.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS86141 FDS86141 Виробник : ON Semiconductor 3658154936293397fds86141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+69.38 грн
5000+ 68.65 грн
10000+ 66.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS86141 FDS86141 Виробник : ON Semiconductor 3658154936293397fds86141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+69.43 грн
5000+ 68.69 грн
10000+ 67.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS86141 FDS86141 Виробник : ONSEMI fds86141-d.pdf Description: ONSEMI - FDS86141 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+78.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDS86141 FDS86141 Виробник : ONSEMI fds86141-d.pdf Description: ONSEMI - FDS86141 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+140.46 грн
10+ 101.95 грн
100+ 78.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDS86141 FDS86141 Виробник : onsemi fds86141-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 934 pF @ 50 V
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+152.19 грн
10+ 131.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDS86141 FDS86141 Виробник : ON Semiconductor 3658154936293397fds86141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+156.99 грн
10+ 127.95 грн
25+ 126.68 грн
100+ 97.29 грн
250+ 88.31 грн
500+ 72.05 грн
1000+ 59.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS86141 FDS86141 Виробник : onsemi / Fairchild FDS86141_D-2312970.pdf MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 24508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+161.79 грн
10+ 123.86 грн
100+ 90.21 грн
250+ 88.86 грн
500+ 76.07 грн
1000+ 63.21 грн
2500+ 60.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDS86141 FDS86141 Виробник : ON Semiconductor 3658154936293397fds86141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
70+169.07 грн
88+ 133.36 грн
89+ 132 грн
108+ 104.78 грн
250+ 95.1 грн
500+ 77.59 грн
1000+ 63.91 грн
Мінімальне замовлення: 70
FDS86141 FDS86141 Виробник : ONSEMI FDS86141.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7A; 2.5W; SO8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16.5nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDS86141 FDS86141 Виробник : onsemi fds86141-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 934 pF @ 50 V
товар відсутній
FDS86141 FDS86141 Виробник : ONSEMI FDS86141.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7A; 2.5W; SO8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16.5nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
товар відсутній