FDS86141

FDS86141 ON Semiconductor


3658154936293397fds86141.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+65.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS86141 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS86141 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDS86141 за ціною від 61.88 грн до 186.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS86141 FDS86141 Виробник : ON Semiconductor 3658154936293397fds86141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+70.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 Виробник : ON Semiconductor 3658154936293397fds86141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+72.35 грн
5000+71.59 грн
10000+69.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 Виробник : ON Semiconductor 3658154936293397fds86141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+72.40 грн
5000+71.63 грн
10000+69.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 Виробник : ON Semiconductor 3658154936293397fds86141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+75.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 Виробник : ONSEMI fds86141-d.pdf Description: ONSEMI - FDS86141 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+104.56 грн
500+78.74 грн
1000+66.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 Виробник : ON Semiconductor 3658154936293397fds86141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+163.72 грн
10+133.43 грн
25+132.10 грн
100+101.46 грн
250+92.09 грн
500+75.14 грн
1000+61.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 Виробник : onsemi fds86141-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 934 pF @ 50 V
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.92 грн
10+143.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 Виробник : ON Semiconductor 3658154936293397fds86141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
70+176.31 грн
88+139.07 грн
89+137.65 грн
108+109.26 грн
250+99.18 грн
500+80.92 грн
1000+66.64 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 Виробник : onsemi / Fairchild FDS86141_D-1808695.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 23801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.09 грн
10+132.51 грн
100+83.67 грн
500+68.84 грн
1000+67.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 Виробник : ONSEMI fds86141-d.pdf Description: ONSEMI - FDS86141 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+186.06 грн
10+130.08 грн
100+104.56 грн
500+78.74 грн
1000+66.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 Виробник : ONSEMI fds86141-d.pdf FDS86141 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 Виробник : onsemi fds86141-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 934 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.