FDS86141 onsemi


fds86141-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 934 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+64.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS86141 onsemi

Description: ONSEMI - FDS86141 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, Verlustleistung: 5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm.

Інші пропозиції FDS86141 за ціною від 62.90 грн до 254.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDS86141 FDS86141 ON Semiconductor 3658154936293397fds86141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+85.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 ON Semiconductor 3658154936293397fds86141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+87.06 грн
5000+86.15 грн
10000+84.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 ON Semiconductor 3658154936293397fds86141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+93.83 грн
5000+92.84 грн
10000+90.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 ON Semiconductor 3658154936293397fds86141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+104.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 ON Semiconductor 3658154936293397fds86141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+109.37 грн
141+104.49 грн
183+80.17 грн
500+75.61 грн
1000+66.18 грн
Мінімальне замовлення: 134 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 ON Semiconductor 3658154936293397fds86141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.90 грн
10+119.43 грн
25+116.40 грн
50+109.89 грн
100+77.86 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 ON Semiconductor 3658154936293397fds86141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+128.90 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 onsemi / Fairchild FDS86141-D.PDF MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 23870 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+129.03 грн
10+113.34 грн
100+88.78 грн
500+74.41 грн
1000+67.26 грн
2500+62.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 ON Semiconductor 3658154936293397fds86141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.86 грн
10+137.59 грн
25+136.22 грн
100+130.04 грн
250+119.27 грн
500+113.33 грн
1000+112.16 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 ON Semiconductor 3658154936293397fds86141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+138.86 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 ON Semiconductor 3658154936293397fds86141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.29 грн
10+147.48 грн
25+141.88 грн
50+130.53 грн
100+83.28 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 ON Semiconductor 3658154936293397fds86141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+155.02 грн
500+139.15 грн
1000+128.17 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 onsemi fds86141-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 934 pF @ 50 V
на замовлення 5025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.69 грн
10+130.36 грн
100+90.13 грн
500+70.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 onsemi fds86141-d.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 20250 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+254.55 грн
10+154.01 грн
100+98.56 грн
500+80.50 грн
1000+73.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 ONSEMI 2304633.pdf Description: ONSEMI - FDS86141 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 ONSEMI 2304633.pdf Description: ONSEMI - FDS86141 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 3658154936293397fds86141.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+85.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 3658154936293397fds86141.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+87.06 грн
5000+86.15 грн
10000+84.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 3658154936293397fds86141.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+93.83 грн
5000+92.84 грн
10000+90.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 3658154936293397fds86141.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+104.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 3658154936293397fds86141.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
134+109.37 грн
141+104.49 грн
183+80.17 грн
500+75.61 грн
1000+66.18 грн
Мінімальне замовлення: 134 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 3658154936293397fds86141.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+128.90 грн
10+119.43 грн
25+116.40 грн
50+109.89 грн
100+77.86 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 3658154936293397fds86141.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
114+128.90 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141-D.PDF
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 23870 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+129.03 грн
10+113.34 грн
100+88.78 грн
500+74.41 грн
1000+67.26 грн
2500+62.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 3658154936293397fds86141.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+138.86 грн
10+137.59 грн
25+136.22 грн
100+130.04 грн
250+119.27 грн
500+113.33 грн
1000+112.16 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 3658154936293397fds86141.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
106+138.86 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 3658154936293397fds86141.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+150.29 грн
10+147.48 грн
25+141.88 грн
50+130.53 грн
100+83.28 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 3658154936293397fds86141.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
237+155.02 грн
500+139.15 грн
1000+128.17 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 fds86141-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 934 pF @ 50 V
на замовлення 5025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+208.69 грн
10+130.36 грн
100+90.13 грн
500+70.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 fds86141-d.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 20250 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+254.55 грн
10+154.01 грн
100+98.56 грн
500+80.50 грн
1000+73.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 2304633.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS86141 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 2304633.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS86141 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.