Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDS86141
FDS86141

FDS86141 ON Semiconductor

3658154936293397fds86141.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+71.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS86141 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS86141 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDS86141 за ціною від 55.52 грн до 192.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS86141 FDS86141 Виробник : ON Semiconductor 3658154936293397fds86141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+73.05 грн
5000+72.28 грн
10000+70.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 Виробник : ON Semiconductor 3658154936293397fds86141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+73.10 грн
5000+72.33 грн
10000+70.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 Виробник : ON Semiconductor 3658154936293397fds86141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+77.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 Виробник : ON Semiconductor 3658154936293397fds86141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+87.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 Виробник : ON Semiconductor 3658154936293397fds86141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
134+91.76 грн
141+87.66 грн
183+67.26 грн
500+63.44 грн
1000+55.52 грн
Мінімальне замовлення: 134
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 Виробник : ON Semiconductor 3658154936293397fds86141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+100.42 грн
10+93.04 грн
25+90.68 грн
50+85.61 грн
100+60.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 Виробник : ONSEMI fds86141-d.pdf Description: ONSEMI - FDS86141 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+108.02 грн
500+81.35 грн
1000+69.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 Виробник : ON Semiconductor 3658154936293397fds86141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
114+108.14 грн
Мінімальне замовлення: 114
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 Виробник : ON Semiconductor 3658154936293397fds86141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+108.18 грн
10+107.19 грн
25+106.13 грн
100+101.31 грн
250+92.92 грн
500+88.29 грн
1000+87.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 Виробник : ON Semiconductor 3658154936293397fds86141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
106+116.50 грн
Мінімальне замовлення: 106
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 Виробник : ON Semiconductor 3658154936293397fds86141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+117.09 грн
10+114.90 грн
25+110.53 грн
50+101.69 грн
100+64.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 Виробник : ON Semiconductor 3658154936293397fds86141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
237+130.06 грн
500+116.75 грн
1000+107.53 грн
Мінімальне замовлення: 237
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 Виробник : onsemi / Fairchild fds86141-d.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 23852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.54 грн
10+129.05 грн
25+106.15 грн
100+90.99 грн
500+73.70 грн
1000+73.02 грн
2500+66.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 Виробник : onsemi fds86141-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 934 pF @ 50 V
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.42 грн
10+148.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 Виробник : ONSEMI fds86141-d.pdf Description: ONSEMI - FDS86141 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+192.23 грн
10+134.39 грн
100+108.02 грн
500+81.35 грн
1000+69.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 Виробник : ON Semiconductor 3658154936293397fds86141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 Виробник : ON Semiconductor 3658154936293397fds86141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 Виробник : ONSEMI fds86141-d.pdf FDS86141 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 Виробник : onsemi fds86141-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 934 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.