FDS86141 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 934 pF @ 50 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS86141 onsemi
Description: ONSEMI - FDS86141 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, Verlustleistung: 5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm.
Інші пропозиції FDS86141 за ціною від 63.90 грн до 203.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDS86141 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS86141 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS86141 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS86141 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS86141 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS86141 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS86141 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS86141 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS86141 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS86141 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS86141 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS86141 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 7A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 934 pF @ 50 V |
на замовлення 5025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS86141 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 23870 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FDS86141 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS86141 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V Verlustleistung: 5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm |
на замовлення 755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FDS86141 | onsemi |
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 20250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FDS86141 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS86141 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V Verlustleistung: 5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm |
на замовлення 755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDS86141 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 82.46 грн |
| FDS86141 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 84.07 грн |
| 5000+ | 83.18 грн |
| 10000+ | 81.16 грн |
| FDS86141 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 90.60 грн |
| 5000+ | 89.64 грн |
| 10000+ | 87.46 грн |
| FDS86141 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 100.65 грн |
| FDS86141 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 134+ | 105.60 грн |
| 141+ | 100.89 грн |
| 183+ | 77.41 грн |
| 500+ | 73.01 грн |
| 1000+ | 63.90 грн |
| FDS86141 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 124.46 грн |
| 10+ | 115.32 грн |
| 25+ | 112.39 грн |
| 50+ | 106.11 грн |
| 100+ | 75.18 грн |
| FDS86141 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 114+ | 124.46 грн |
| FDS86141 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 134.08 грн |
| 10+ | 132.85 грн |
| 25+ | 131.53 грн |
| 100+ | 125.56 грн |
| 250+ | 115.17 грн |
| 500+ | 109.43 грн |
| 1000+ | 108.30 грн |
| FDS86141 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 106+ | 134.08 грн |
| FDS86141 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 145.12 грн |
| 10+ | 142.41 грн |
| 25+ | 136.99 грн |
| 50+ | 126.04 грн |
| 100+ | 80.42 грн |
| FDS86141 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 237+ | 149.69 грн |
| 500+ | 134.36 грн |
| 1000+ | 123.76 грн |
| FDS86141 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 934 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 934 pF @ 50 V
на замовлення 5025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 203.80 грн |
| 10+ | 127.30 грн |
| 100+ | 88.02 грн |
| 500+ | 69.15 грн |
| FDS86141 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 23870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDS86141 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS86141 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
Description: ONSEMI - FDS86141 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDS86141 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 20250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDS86141 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS86141 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
Description: ONSEMI - FDS86141 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





