Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDS8858CZ
FDS8858CZ

FDS8858CZ ON Semiconductor

fds8858cz-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+33.25 грн
5000+31.13 грн
7500+30.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS8858CZ ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS8858CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.6 A, 8.6 A, 0.017 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDS8858CZ за ціною від 28.79 грн до 115.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS8858CZ FDS8858CZ Виробник : ON Semiconductor fds8858cz-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+35.62 грн
5000+33.36 грн
7500+32.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ Виробник : ON Semiconductor fds8858cz-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
330+39.27 грн
1000+37.64 грн
2500+33.63 грн
5000+30.10 грн
Мінімальне замовлення: 330
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ Виробник : Fairchild info-tfds8858cz.pdf Transistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V/25V; 24,3mOhm/34,5mOhm; 8,6A/7,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; FDS8858CZ TFDS8858cz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+40.15 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ Виробник : ON Semiconductor fds8858cz-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
706+45.83 грн
1000+42.26 грн
Мінімальне замовлення: 706
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ Виробник : ON Semiconductor fds8858cz-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
706+45.83 грн
1000+42.26 грн
10000+37.68 грн
Мінімальне замовлення: 706
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ Виробник : ON Semiconductor fds8858cz-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
706+45.83 грн
1000+42.26 грн
Мінімальне замовлення: 706
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ Виробник : ONSEMI 2298361.pdf Description: ONSEMI - FDS8858CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.6 A, 8.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.19 грн
500+35.17 грн
1000+30.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ Виробник : ON Semiconductor fds8858cz-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
258+50.14 грн
318+40.73 грн
386+32.38 грн
Мінімальне замовлення: 258
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ Виробник : ON Semiconductor fds8858cz-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+64.25 грн
14+53.78 грн
25+53.72 грн
100+42.08 грн
250+32.13 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ Виробник : ONSEMI fds8858cz-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 46/24nC
On-state resistance: 28.8/24.3mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 8.6/-7.3A
Gate-source voltage: ±25/±20V
Drain-source voltage: 30/-30V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+95.80 грн
6+78.82 грн
10+69.50 грн
50+41.24 грн
100+32.59 грн
500+32.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ Виробник : onsemi fds8858cz-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A, 7.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 1803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.45 грн
10+64.57 грн
100+42.96 грн
500+31.60 грн
1000+28.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ Виробник : onsemi fds8858cz-d.pdf MOSFETs 30V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 20364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.40 грн
10+69.02 грн
100+36.26 грн
500+29.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ Виробник : ONSEMI 2298361.pdf Description: ONSEMI - FDS8858CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.6 A, 8.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+115.23 грн
50+72.52 грн
100+48.19 грн
500+35.17 грн
1000+30.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ Виробник : Fairchild/ON Semiconductor FDS8858CZ.pdf Транзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 7,3 А, Qg, нКл = 24, Rds = 17 мОм, Ugs(th) = 10 В, Р, Вт = 0,9 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, ton = 20 нс, toff = 20 нс,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 149 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+49.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ Виробник : ONS/FAI fds8858cz-d.pdf MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ Виробник : onsemi fds8858cz-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A, 7.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.