Продукція > ONSEMI > FDS8858CZ
FDS8858CZ

FDS8858CZ onsemi

fds8858cz-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A, 7.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+27.90 грн
5000+25.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS8858CZ onsemi

Description: ONSEMI - FDS8858CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.6 A, 8.6 A, 0.017 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDS8858CZ за ціною від 25.99 грн до 118.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS8858CZ FDS8858CZ Виробник : ON Semiconductor fds8858cz-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+36.99 грн
5000+34.40 грн
7500+33.02 грн
10000+31.68 грн
15000+29.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ Виробник : ON Semiconductor fds8858cz-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
708+43.01 грн
1000+39.66 грн
10000+35.36 грн
Мінімальне замовлення: 708
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ Виробник : ON Semiconductor fds8858cz-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
269+45.39 грн
271+44.95 грн
322+37.85 грн
329+35.73 грн
500+27.05 грн
Мінімальне замовлення: 269
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ Виробник : ONSEMI 2298361.pdf Description: ONSEMI - FDS8858CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.6 A, 8.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+50.89 грн
500+37.59 грн
1000+30.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ Виробник : ON Semiconductor fds8858cz-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+57.76 грн
15+48.63 грн
25+48.16 грн
100+39.11 грн
250+35.45 грн
500+27.83 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ Виробник : onsemi / Fairchild FDS8858CZ-D.PDF MOSFETs 30V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 36504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.62 грн
10+63.70 грн
100+38.22 грн
500+30.24 грн
1000+29.18 грн
2500+25.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ Виробник : onsemi fds8858cz-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A, 7.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 36911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.56 грн
10+63.24 грн
100+42.06 грн
500+30.94 грн
1000+28.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ Виробник : ONSEMI 2298361.pdf Description: ONSEMI - FDS8858CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.6 A, 8.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+118.48 грн
50+75.52 грн
100+50.89 грн
500+37.59 грн
1000+30.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ Виробник : Fairchild fds8858cz-d.pdf Transistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V/25V; 24,3mOhm/34,5mOhm; 8,6A/7,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; FDS8858CZ TFDS8858cz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+36.51 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ Виробник : FAIRCHILD fds8858cz-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
708+43.01 грн
1000+39.66 грн
Мінімальне замовлення: 708
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ Виробник : Fairchild/ON Semiconductor fds8858cz-d.pdf Транзистор польовий N+P; Udss, В = 30; Id = 7,3 А; Qg, нКл = 24; Rds = 17 мОм; Ugs(th) = 10 В; Р, Вт = 0,9 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; ton = 20 нс; toff = 20 нс; SOICN-8
на замовлення 149 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ Виробник : ON Semiconductor fds8858cz-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ Виробник : ON Semiconductor fds8858cz-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ Виробник : ONSEMI fds8858cz-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 46/24nC
On-state resistance: 28.8/24.3mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 8.6/-7.3A
Gate-source voltage: ±25/±20V
Drain-source voltage: 30/-30V
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ Виробник : ONSEMI fds8858cz-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 46/24nC
On-state resistance: 28.8/24.3mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 8.6/-7.3A
Gate-source voltage: ±25/±20V
Drain-source voltage: 30/-30V
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.