Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDS8858CZ
FDS8858CZ

FDS8858CZ ON Semiconductor

fds8858cz-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+36.35 грн
5000+34.04 грн
7500+33.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS8858CZ ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS8858CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.6 A, 8.6 A, 0.017 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDS8858CZ за ціною від 32.50 грн до 107.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDS8858CZ FDS8858CZ ON Semiconductor fds8858cz-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.35 грн
5000+34.04 грн
7500+33.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ Fairchild info-tfds8858cz.pdf Transistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V/25V; 24,3mOhm/34,5mOhm; 8,6A/7,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; FDS8858CZ TFDS8858cz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+40.16 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ ON Semiconductor fds8858cz-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+42.93 грн
1000+41.15 грн
2500+36.77 грн
5000+32.90 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ ON Semiconductor fds8858cz-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
706+50.11 грн
1000+46.20 грн
Мінімальне замовлення: 706 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ ON Semiconductor fds8858cz-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
706+50.11 грн
1000+46.20 грн
10000+41.20 грн
Мінімальне замовлення: 706 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ ON Semiconductor fds8858cz-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
706+50.11 грн
1000+46.20 грн
Мінімальне замовлення: 706 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ ON Semiconductor fds8858cz-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
258+54.82 грн
318+44.53 грн
386+35.41 грн
Мінімальне замовлення: 258 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ ON Semiconductor fds8858cz-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+65.56 грн
14+54.88 грн
25+54.82 грн
100+42.94 грн
250+32.78 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ ONSEMI fds8858cz-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Gate charge: 46/24nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 8.6/-7.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30/-30V
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25/±20V
Case: SO8
On-state resistance: 28.8/24.3mΩ
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+101.79 грн
6+74.62 грн
10+63.76 грн
50+42.87 грн
100+36.81 грн
500+32.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ onsemi fds8858cz-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A, 7.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.71 грн
10+65.59 грн
100+43.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ onsemi fds8858cz-d.pdf MOSFETs 30V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 17653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ ONSEMI 2298361.pdf Description: ONSEMI - FDS8858CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.6 A, 8.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ ONSEMI 2298361.pdf Description: ONSEMI - FDS8858CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.6 A, 8.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ Fairchild/ON Semiconductor FDS8858CZ.pdf Транзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 7,3 А, Qg, нКл = 24, Rds = 17 мОм, Ugs(th) = 10 В, Р, Вт = 0,9 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, ton = 20 нс, toff = 20 нс,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 149 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2500+50.82 грн
Мінімальне замовлення: 149 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ fds8858cz-d.pdf
FDS8858CZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+36.35 грн
5000+34.04 грн
7500+33.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ info-tfds8858cz.pdf
FDS8858CZ
Виробник: Fairchild
Transistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V/25V; 24,3mOhm/34,5mOhm; 8,6A/7,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; FDS8858CZ TFDS8858cz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+40.16 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ fds8858cz-d.pdf
FDS8858CZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
330+42.93 грн
1000+41.15 грн
2500+36.77 грн
5000+32.90 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ fds8858cz-d.pdf
FDS8858CZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
706+50.11 грн
1000+46.20 грн
Мінімальне замовлення: 706 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ fds8858cz-d.pdf
FDS8858CZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
706+50.11 грн
1000+46.20 грн
10000+41.20 грн
Мінімальне замовлення: 706 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ fds8858cz-d.pdf
FDS8858CZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
706+50.11 грн
1000+46.20 грн
Мінімальне замовлення: 706 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ fds8858cz-d.pdf
FDS8858CZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
258+54.82 грн
318+44.53 грн
386+35.41 грн
Мінімальне замовлення: 258 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ fds8858cz-d.pdf
FDS8858CZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+65.56 грн
14+54.88 грн
25+54.82 грн
100+42.94 грн
250+32.78 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ fds8858cz-d.pdf
FDS8858CZ
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Gate charge: 46/24nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 8.6/-7.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30/-30V
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25/±20V
Case: SO8
On-state resistance: 28.8/24.3mΩ
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+101.79 грн
6+74.62 грн
10+63.76 грн
50+42.87 грн
100+36.81 грн
500+32.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ fds8858cz-d.pdf
FDS8858CZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A, 7.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+107.71 грн
10+65.59 грн
100+43.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ fds8858cz-d.pdf
FDS8858CZ
Виробник: onsemi
MOSFETs 30V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 17653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ 2298361.pdf
FDS8858CZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8858CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.6 A, 8.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ 2298361.pdf
FDS8858CZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8858CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.6 A, 8.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ.pdf
Виробник: Fairchild/ON Semiconductor
Транзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 7,3 А, Qg, нКл = 24, Rds = 17 мОм, Ugs(th) = 10 В, Р, Вт = 0,9 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, ton = 20 нс, toff = 20 нс,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 149 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+50.82 грн
Мінімальне замовлення: 149 шт
В кошику  од. на суму  грн.