Продукція > ONSEMI > FDS8858CZ
FDS8858CZ

FDS8858CZ onsemi

fds8858cz-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A, 7.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 20110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.30 грн
5000+26.16 грн
7500+25.11 грн
12500+23.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS8858CZ onsemi

Description: ONSEMI - FDS8858CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.6 A, 8.6 A, 0.017 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDS8858CZ за ціною від 26.92 грн до 122.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS8858CZ FDS8858CZ Виробник : ON Semiconductor fds8858cz-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+38.78 грн
5000+36.06 грн
7500+34.61 грн
10000+33.21 грн
15000+30.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ Виробник : ON Semiconductor fds8858cz-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
708+45.08 грн
1000+41.58 грн
10000+37.07 грн
Мінімальне замовлення: 708
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ Виробник : ON Semiconductor fds8858cz-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
269+47.58 грн
271+47.12 грн
322+39.68 грн
329+37.46 грн
500+28.36 грн
Мінімальне замовлення: 269
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ Виробник : ONSEMI 2298361.pdf Description: ONSEMI - FDS8858CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.6 A, 8.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+52.72 грн
500+38.95 грн
1000+31.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ Виробник : ON Semiconductor fds8858cz-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+60.55 грн
15+50.98 грн
25+50.48 грн
100+41.00 грн
250+37.16 грн
500+29.17 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ Виробник : onsemi / Fairchild FDS8858CZ-D.PDF MOSFETs 30V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 35401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.38 грн
10+69.17 грн
100+40.86 грн
500+32.20 грн
1000+30.23 грн
2500+26.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ Виробник : onsemi fds8858cz-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A, 7.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 22390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+109.00 грн
10+66.42 грн
100+44.16 грн
500+32.48 грн
1000+29.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ Виробник : onsemi FDS8858CZ-D.PDF MOSFETs 30V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 34573 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+114.81 грн
10+71.88 грн
100+41.49 грн
500+32.67 грн
1000+30.23 грн
2500+26.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ Виробник : ONSEMI 2298361.pdf Description: ONSEMI - FDS8858CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.6 A, 8.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+122.76 грн
50+78.25 грн
100+52.72 грн
500+38.95 грн
1000+31.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ Виробник : Fairchild fds8858cz-d.pdf Transistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V/25V; 24,3mOhm/34,5mOhm; 8,6A/7,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; FDS8858CZ TFDS8858cz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+38.98 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ Виробник : FAIRCHILD fds8858cz-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
708+45.08 грн
1000+41.58 грн
Мінімальне замовлення: 708
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ Виробник : Fairchild/ON Semiconductor fds8858cz-d.pdf Транзистор польовий N+P; Udss, В = 30; Id = 7,3 А; Qg, нКл = 24; Rds = 17 мОм; Ugs(th) = 10 В; Р, Вт = 0,9 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; ton = 20 нс; toff = 20 нс; SOICN-8
на замовлення 149 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ Виробник : ON Semiconductor fds8858cz-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ Виробник : ON Semiconductor fds8858cz-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ Виробник : ONSEMI fds8858cz-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 46/24nC
On-state resistance: 28.8/24.3mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 8.6/-7.3A
Gate-source voltage: ±25/±20V
Drain-source voltage: 30/-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.