FDS8858CZ ON Semiconductor
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 33.17 грн |
| 5000+ | 31.06 грн |
| 7500+ | 30.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS8858CZ ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDS8858CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.6 A, 8.6 A, 0.017 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FDS8858CZ за ціною від 24.96 грн до 116.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDS8858CZ | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDS8858CZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 12400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDS8858CZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDS8858CZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDS8858CZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDS8858CZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8858CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.6 A, 8.6 A, 0.017 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 11521 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDS8858CZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDS8858CZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDS8858CZ | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Kind of package: reel; tape Kind of transistor: complementary pair Case: SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Gate charge: 46/24nC On-state resistance: 28.8/24.3mΩ Power dissipation: 2W Drain current: 8.6/-7.3A Gate-source voltage: ±25/±20V Drain-source voltage: 30/-30V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDS8858CZ | Виробник : onsemi |
MOSFETs 30V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET |
на замовлення 20599 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDS8858CZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.6A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A, 7.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 1803 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDS8858CZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8858CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.6 A, 8.6 A, 0.017 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 11521 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDS8858CZ | Виробник : Fairchild |
Transistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V/25V; 24,3mOhm/34,5mOhm; 8,6A/7,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; FDS8858CZ TFDS8858cz кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDS8858CZ | Виробник : Fairchild/ON Semiconductor |
Транзистор польовий N+P; Udss, В = 30; Id = 7,3 А; Qg, нКл = 24; Rds = 17 мОм; Ugs(th) = 10 В; Р, Вт = 0,9 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; ton = 20 нс; toff = 20 нс; SOICN-8 |
на замовлення 149 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
|
FDS8858CZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.6A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A, 7.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
товару немає в наявності |