Продукція > ONSEMI > FDS8858CZ
FDS8858CZ

FDS8858CZ onsemi

fds8858cz-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A, 7.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+27.43 грн
5000+24.82 грн
7500+23.83 грн
12500+22.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS8858CZ onsemi

Description: ONSEMI - FDS8858CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.6 A, 8.6 A, 0.017 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDS8858CZ за ціною від 22.16 грн до 103.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS8858CZ FDS8858CZ Виробник : ON Semiconductor fds8858cz-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+27.87 грн
5000+26.09 грн
10000+25.83 грн
15000+24.66 грн
25000+22.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ Виробник : ON Semiconductor fds8858cz-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+30.02 грн
5000+28.10 грн
10000+27.82 грн
15000+26.56 грн
25000+24.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ Виробник : ON Semiconductor fds8858cz-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+34.18 грн
5000+32.31 грн
7500+31.82 грн
10000+30.23 грн
15000+27.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ Виробник : ON Semiconductor fds8858cz-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
863+35.28 грн
1000+33.31 грн
Мінімальне замовлення: 863
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ Виробник : ON Semiconductor fds8858cz-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
187+65.35 грн
190+64.09 грн
263+46.37 грн
266+44.27 грн
500+31.00 грн
1000+25.97 грн
Мінімальне замовлення: 187
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ Виробник : ON Semiconductor fds8858cz-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+87.97 грн
10+60.68 грн
25+59.51 грн
100+41.52 грн
250+38.06 грн
500+27.64 грн
1000+24.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ Виробник : ONSEMI fds8858cz-d.pdf Description: ONSEMI - FDS8858CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.6 A, 8.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+93.86 грн
13+64.22 грн
100+46.68 грн
500+31.27 грн
1000+23.71 грн
5000+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ Виробник : onsemi / Fairchild fds8858cz-d.pdf MOSFETs 30V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 46922 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.18 грн
10+65.92 грн
25+57.24 грн
100+41.17 грн
250+40.88 грн
500+32.66 грн
1000+30.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ Виробник : onsemi fds8858cz-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A, 7.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 45546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.21 грн
10+62.38 грн
100+41.91 грн
500+30.83 грн
1000+27.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ Виробник : Fairchild fds8858cz-d.pdf Transistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V/25V; 24,3mOhm/34,5mOhm; 8,6A/7,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; FDS8858CZ TFDS8858cz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+38.91 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ Виробник : Fairchild/ON Semiconductor fds8858cz-d.pdf Транзистор польовий N+P; Udss, В = 30; Id = 7,3 А; Qg, нКл = 24; Rds = 17 мОм; Ugs(th) = 10 В; Р, Вт = 0,9 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; ton = 20 нс; toff = 20 нс; SOICN-8
на замовлення 149 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ Виробник : ON Semiconductor fds8858cz-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ Виробник : ONSEMI fds8858cz-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 8.6/-7.3A
On-state resistance: 28.8/24.3mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 46/24nC
Technology: PowerTrench®
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25/±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ FDS8858CZ Виробник : ONSEMI fds8858cz-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 8.6/-7.3A
On-state resistance: 28.8/24.3mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 46/24nC
Technology: PowerTrench®
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25/±20V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.