Продукція > ONSEMI > FDS8884
FDS8884

FDS8884 onsemi

FAIRS24004-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.90 грн
5000+15.60 грн
7500+14.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS8884 onsemi

Description: ONSEMI - FDS8884 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDS8884 за ціною від 11.71 грн до 67.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS8884 FDS8884 Виробник : ON Semiconductor fds8884-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+37.25 грн
21+29.47 грн
25+29.24 грн
100+21.47 грн
250+19.73 грн
500+16.31 грн
1000+14.83 грн
3000+13.35 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884 FDS8884 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFEA0818FDC78259&compId=FDS8884.pdf?ci_sign=f310d958d4d5d2e54e83de3f531ace139739cf7f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; 2.5W; SO8
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.5A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+50.65 грн
14+30.37 грн
50+18.97 грн
136+17.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884 FDS8884 Виробник : onsemi / Fairchild FDS8884_D-2313124.pdf MOSFETs 30V N-Channel PwrTrench MOSFET
на замовлення 7238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+58.13 грн
10+38.99 грн
100+23.72 грн
500+19.13 грн
1000+17.60 грн
2500+16.30 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884 FDS8884 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFEA0818FDC78259&compId=FDS8884.pdf?ci_sign=f310d958d4d5d2e54e83de3f531ace139739cf7f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; 2.5W; SO8
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.5A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.78 грн
10+37.85 грн
50+22.77 грн
136+21.52 грн
500+20.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884 FDS8884 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013180379-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8884 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+61.47 грн
20+43.61 грн
100+29.79 грн
500+23.04 грн
1000+18.10 грн
5000+14.94 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884 FDS8884 Виробник : onsemi FAIRS24004-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V
на замовлення 12041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.06 грн
10+41.22 грн
100+27.75 грн
500+20.96 грн
1000+18.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884 FDS8884 Виробник : ON Semiconductor fds8884-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884 Виробник : Fairchild FAIRS24004-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 32mOhm; 8,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS8884 TFDS8884
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+11.71 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884 Виробник : Aptina Imaging FAIRS24004-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
390+31.49 грн
512+23.98 грн
516+23.80 грн
599+19.76 грн
1000+16.63 грн
3000+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 390
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884 FDS8884
Код товару: 34721
Додати до обраних Обраний товар

FAIRS24004-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884 FDS8884 Виробник : ON Semiconductor fds8884-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884 FDS8884 Виробник : ON Semiconductor fds8884-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884 FDS8884 Виробник : ON Semiconductor fds8884-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.