Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDS8884
FDS8884

FDS8884

ae87040f083b0360f5d5d92c6cdfb8e2.pdf FDS8884-D.PDF
Код товару: 34721
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDS8884 за ціною від 11.65 грн до 43.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDS8884 FDS8884 Fairchild info-tfds8884.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 32mOhm; 8,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS8884 TFDS8884
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+11.65 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884 FDS8884 UMW ae87040f083b0360f5d5d92c6cdfb8e2.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.89 грн
12+25.96 грн
50+18.88 грн
100+15.57 грн
500+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884 FDS8884 ONSEMI ONSM-S-A0013180379-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8884 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884 FDS8884 ON Semiconductor fds8884d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884 info-tfds8884.pdf
FDS8884
Виробник: Fairchild
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 32mOhm; 8,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS8884 TFDS8884
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+11.65 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884 ae87040f083b0360f5d5d92c6cdfb8e2.pdf
FDS8884
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+43.89 грн
12+25.96 грн
50+18.88 грн
100+15.57 грн
500+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884 ONSM-S-A0013180379-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS8884
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8884 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884 fds8884d.pdf
FDS8884
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.