FDS8884 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 16.67 грн |
| 5000+ | 15.39 грн |
| 7500+ | 14.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS8884 onsemi
Description: ONSEMI - FDS8884 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDS8884 за ціною від 10.76 грн до 66.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS8884 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
FDS8884 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 30V N-Channel PwrTrench MOSFET |
на замовлення 7238 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
FDS8884 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8884 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 7460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDS8884 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V |
на замовлення 12041 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDS8884 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| FDS8884 | Виробник : Fairchild |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 32mOhm; 8,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS8884 TFDS8884 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| FDS8884 | Виробник : Aptina Imaging |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| FDS8884 | Виробник : ONSEMI |
FDS8884 SMD N channel transistors |
на замовлення 240 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
 |
FDS8884 Код товару: 34721
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||||
|
|
FDS8884 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
FDS8884 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
FDS8884 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |