Продукція > ONSEMI > FDS89141
FDS89141

FDS89141 onsemi

fds89141-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+90.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS89141 onsemi

Description: ONSEMI - FDS89141 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 31W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 31W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDS89141 за ціною від 88.41 грн до 268.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS89141 FDS89141 Виробник : ON Semiconductor 3656260418624836fds89141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+95.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 FDS89141 Виробник : ON Semiconductor fds89141-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+104.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 FDS89141 Виробник : ON Semiconductor 3656260418624836fds89141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+104.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 FDS89141 Виробник : ON Semiconductor fds89141-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+111.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 FDS89141 Виробник : ON Semiconductor fds89141-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
102+124.69 грн
109+116.41 грн
110+115.23 грн
122+100.60 грн
250+92.77 грн
500+88.77 грн
1000+88.41 грн
Мінімальне замовлення: 102
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 FDS89141 Виробник : ON Semiconductor 3656260418624836fds89141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+129.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 FDS89141 Виробник : ON Semiconductor fds89141-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+133.59 грн
10+124.72 грн
25+123.46 грн
100+107.79 грн
250+99.64 грн
500+95.19 грн
1000+94.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 FDS89141 Виробник : ONSEMI 2303827.pdf Description: ONSEMI - FDS89141 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+136.48 грн
500+107.56 грн
1000+93.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 FDS89141 Виробник : ON Semiconductor fds89141-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+139.55 грн
500+137.19 грн
1000+136.01 грн
2500+130.01 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 FDS89141 Виробник : ON Semiconductor 3656260418624836fds89141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+167.63 грн
5000+153.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 FDS89141 Виробник : ON Semiconductor fds89141-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+215.35 грн
10+174.68 грн
50+110.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 FDS89141 Виробник : onsemi fds89141-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 40293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+239.84 грн
10+169.01 грн
100+119.64 грн
500+100.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 FDS89141 Виробник : onsemi / Fairchild fds89141-d.pdf MOSFETs 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 6258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+261.47 грн
10+195.14 грн
100+119.26 грн
500+104.86 грн
1000+97.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 FDS89141 Виробник : ONSEMI fds89141-d.pdf Description: ONSEMI - FDS89141 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+268.48 грн
50+206.52 грн
100+144.56 грн
500+119.23 грн
1000+102.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 Виробник : ONSEMI fds89141-d.pdf FDS89141 Multi channel transistors
на замовлення 1916 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+268.30 грн
7+179.10 грн
19+170.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 FDS89141 Виробник : ON Semiconductor fds89141-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.