Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDS89141
FDS89141

FDS89141 ON Semiconductor

3656260418624836fds89141.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+106.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS89141 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS89141 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 31W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 31W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції FDS89141 за ціною від 98.57 грн до 283.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDS89141 FDS89141 ON Semiconductor fds89141-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+116.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 FDS89141 ON Semiconductor fds89141-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+116.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 FDS89141 ON Semiconductor fds89141-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.17 грн
10+129.93 грн
25+128.61 грн
100+112.29 грн
250+103.80 грн
500+99.17 грн
1000+98.68 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 FDS89141 ON Semiconductor fds89141-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+139.17 грн
109+129.93 грн
110+128.61 грн
122+112.29 грн
250+103.55 грн
500+99.09 грн
1000+98.68 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 FDS89141 ON Semiconductor 3656260418624836fds89141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+144.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 FDS89141 ON Semiconductor fds89141-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+155.77 грн
500+153.13 грн
1000+151.81 грн
2500+145.11 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 FDS89141 ON Semiconductor 3656260418624836fds89141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+187.10 грн
5000+171.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 FDS89141 ON Semiconductor fds89141-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+224.34 грн
10+181.97 грн
50+114.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 FDS89141 onsemi fds89141-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.62 грн
10+179.39 грн
100+125.92 грн
500+98.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 FDS89141 onsemi / Fairchild fds89141-d.pdf MOSFETs 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 6258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 FDS89141 onsemi fds89141-d.pdf MOSFETs 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 5570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 FDS89141 ONSEMI 2303827.pdf Description: ONSEMI - FDS89141 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 FDS89141 ONSEMI 2303827.pdf Description: ONSEMI - FDS89141 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 fds89141-d.pdf
FDS89141
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+116.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 fds89141-d.pdf
FDS89141
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+116.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 fds89141-d.pdf
FDS89141
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+139.17 грн
10+129.93 грн
25+128.61 грн
100+112.29 грн
250+103.80 грн
500+99.17 грн
1000+98.68 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 fds89141-d.pdf
FDS89141
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
102+139.17 грн
109+129.93 грн
110+128.61 грн
122+112.29 грн
250+103.55 грн
500+99.09 грн
1000+98.68 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 3656260418624836fds89141.pdf
FDS89141
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+144.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 fds89141-d.pdf
FDS89141
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+155.77 грн
500+153.13 грн
1000+151.81 грн
2500+145.11 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 3656260418624836fds89141.pdf
FDS89141
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+187.10 грн
5000+171.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 fds89141-d.pdf
FDS89141
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+224.34 грн
10+181.97 грн
50+114.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 fds89141-d.pdf
FDS89141
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+283.62 грн
10+179.39 грн
100+125.92 грн
500+98.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 fds89141-d.pdf
FDS89141
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 6258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 fds89141-d.pdf
FDS89141
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 5570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 2303827.pdf
FDS89141
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS89141 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 2303827.pdf
FDS89141
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS89141 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.