Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS89141 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDS89141 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 31W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 31W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції FDS89141 за ціною від 98.68 грн до 224.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDS89141 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS89141 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS89141 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS89141 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS89141 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS89141 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS89141 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS89141 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS89141 | onsemi | MOSFETs 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 5570 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FDS89141 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 6258 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FDS89141 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS89141 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm Verlustleistung, p-Kanal: 31W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 31W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FDS89141 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS89141 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm Verlustleistung, p-Kanal: 31W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 31W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDS89141 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 116.21 грн |
| FDS89141 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 116.29 грн |
| FDS89141 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 139.17 грн |
| 10+ | 129.93 грн |
| 25+ | 128.61 грн |
| 100+ | 112.29 грн |
| 250+ | 103.80 грн |
| 500+ | 99.17 грн |
| 1000+ | 98.68 грн |
| FDS89141 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 102+ | 139.17 грн |
| 109+ | 129.93 грн |
| 110+ | 128.61 грн |
| 122+ | 112.29 грн |
| 250+ | 103.55 грн |
| 500+ | 99.09 грн |
| 1000+ | 98.68 грн |
| FDS89141 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 144.89 грн |
| FDS89141 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 155.77 грн |
| 500+ | 153.13 грн |
| 1000+ | 151.81 грн |
| 2500+ | 145.11 грн |
| FDS89141 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 187.10 грн |
| 5000+ | 171.79 грн |
| FDS89141 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 224.34 грн |
| 10+ | 181.97 грн |
| 50+ | 114.77 грн |
| FDS89141 |
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
MOSFETs 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 5570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDS89141 |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
MOSFETs 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 6258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDS89141 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS89141 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - FDS89141 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDS89141 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS89141 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - FDS89141 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





