| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 93.63 грн |
| 5000+ | 88.40 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS89141 onsemi
Description: ONSEMI - FDS89141 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 31W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 31W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції FDS89141 за ціною від 91.79 грн до 322.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDS89141 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS89141 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS89141 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS89141 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS89141 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS89141 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS89141 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS89141 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS89141 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS89141 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 6258 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS89141 | onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS89141 | onsemi |
MOSFETs 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 5108 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS89141 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS89141 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm Verlustleistung, p-Kanal: 31W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 31W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDS89141 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 110.36 грн |
| FDS89141 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 120.35 грн |
| FDS89141 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 120.43 грн |
| FDS89141 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 144.13 грн |
| 10+ | 134.56 грн |
| 25+ | 133.19 грн |
| 100+ | 116.29 грн |
| 250+ | 107.50 грн |
| 500+ | 102.70 грн |
| 1000+ | 102.20 грн |
| FDS89141 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 102+ | 144.13 грн |
| 109+ | 134.56 грн |
| 110+ | 133.19 грн |
| 122+ | 116.29 грн |
| 250+ | 107.24 грн |
| 500+ | 102.62 грн |
| 1000+ | 102.20 грн |
| FDS89141 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 150.05 грн |
| FDS89141 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 161.32 грн |
| 500+ | 158.58 грн |
| 1000+ | 157.22 грн |
| 2500+ | 150.28 грн |
| FDS89141 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 193.77 грн |
| 5000+ | 177.91 грн |
| FDS89141 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 232.34 грн |
| 10+ | 188.45 грн |
| 50+ | 118.86 грн |
| FDS89141 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
MOSFETs 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 6258 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 245.77 грн |
| 10+ | 183.43 грн |
| 100+ | 112.10 грн |
| 500+ | 98.56 грн |
| 1000+ | 91.79 грн |
| FDS89141 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC
Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 290.42 грн |
| 10+ | 183.54 грн |
| 50+ | 142.29 грн |
| 100+ | 121.07 грн |
| 500+ | 101.54 грн |
| FDS89141 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
MOSFETs 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 5108 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 322.14 грн |
| 10+ | 161.79 грн |
| 100+ | 127.90 грн |
| 500+ | 107.59 грн |
| 2500+ | 100.06 грн |
| FDS89141 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS89141 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - FDS89141 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






