FDS89141 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 83.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS89141 onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.6W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.
Інші пропозиції FDS89141 за ціною від 85.19 грн до 282.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS89141 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 6258 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDS89141 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDS89141 | Виробник : onsemi |
MOSFETs 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 5570 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|