Продукція > ONSEMI > FDS89141
FDS89141

FDS89141 onsemi

fds89141-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+86.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS89141 onsemi

Description: ONSEMI - FDS89141 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 31W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 31W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDS89141 за ціною від 86.97 грн до 255.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS89141 FDS89141 Виробник : ON Semiconductor 3656260418624836fds89141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+93.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 FDS89141 Виробник : ON Semiconductor 3656260418624836fds89141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+99.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 FDS89141 Виробник : ON Semiconductor fds89141-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+102.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 FDS89141 Виробник : ON Semiconductor fds89141-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+109.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 FDS89141 Виробник : ON Semiconductor fds89141-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
102+122.66 грн
109+114.52 грн
110+113.35 грн
122+98.97 грн
250+91.27 грн
500+87.33 грн
1000+86.97 грн
Мінімальне замовлення: 102
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 FDS89141 Виробник : ON Semiconductor 3656260418624836fds89141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+127.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 FDS89141 Виробник : ONSEMI 2303827.pdf Description: ONSEMI - FDS89141 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+129.64 грн
500+102.16 грн
1000+89.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 FDS89141 Виробник : ON Semiconductor fds89141-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+131.42 грн
10+122.70 грн
25+121.45 грн
100+106.04 грн
250+98.02 грн
500+93.64 грн
1000+93.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 FDS89141 Виробник : ON Semiconductor fds89141-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+137.29 грн
500+134.96 грн
1000+133.80 грн
2500+127.90 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 FDS89141 Виробник : ON Semiconductor 3656260418624836fds89141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+164.90 грн
5000+151.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 FDS89141 Виробник : ON Semiconductor fds89141-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+211.85 грн
10+171.84 грн
50+108.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 FDS89141 Виробник : onsemi fds89141-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 40293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.81 грн
10+160.53 грн
100+113.64 грн
500+95.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 FDS89141 Виробник : onsemi / Fairchild fds89141-d.pdf MOSFETs 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 6258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+248.36 грн
10+185.36 грн
100+113.28 грн
500+99.60 грн
1000+92.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 FDS89141 Виробник : ONSEMI fds89141-d.pdf Description: ONSEMI - FDS89141 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+255.01 грн
50+196.16 грн
100+137.31 грн
500+113.25 грн
1000+97.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 Виробник : ONSEMI fds89141-d.pdf FDS89141 Multi channel transistors
на замовлення 1938 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+203.67 грн
7+169.16 грн
19+159.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 FDS89141 Виробник : ON Semiconductor fds89141-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.