Продукція > ONSEMI > FDS89141
FDS89141

FDS89141 onsemi

fds89141-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+82.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS89141 onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.6W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.

Інші пропозиції FDS89141 за ціною від 91.02 грн до 265.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDS89141 FDS89141 onsemi fds89141-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.79 грн
10+167.52 грн
100+117.33 грн
500+91.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 FDS89141 onsemi fds89141-d.pdf MOSFETs 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 5570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 FDS89141 onsemi / Fairchild fds89141-d.pdf MOSFETs 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 6258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 fds89141-d.pdf
FDS89141
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+265.79 грн
10+167.52 грн
100+117.33 грн
500+91.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 fds89141-d.pdf
FDS89141
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 5570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 fds89141-d.pdf
FDS89141
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 6258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.