Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDS8949

FDS8949

fds8949-d.pdf
Код товару: 162449
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDS8949 за ціною від 27.51 грн до 103.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDS8949 FDS8949 ON Semiconductor fds8949d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.93 грн
5000+32.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949 FDS8949 ON Semiconductor fds8949d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.10 грн
5000+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949 FDS8949 ON Semiconductor fds8949d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
324+43.68 грн
500+40.47 грн
Мінімальне замовлення: 324 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949 FDS8949 ON Semiconductor fds8949d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
771+45.87 грн
1000+42.30 грн
Мінімальне замовлення: 771 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949 FDS8949 ON Semiconductor fds8949d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
771+45.87 грн
Мінімальне замовлення: 771 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949 FDS8949 ONSEMI FDS8949.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Gate charge: 11nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 43mΩ
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+100.25 грн
6+70.45 грн
10+60.97 грн
50+43.61 грн
100+38.07 грн
500+28.85 грн
1000+27.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949 FDS8949 onsemi fds8949-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 3976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.46 грн
10+62.95 грн
50+46.96 грн
100+39.23 грн
500+30.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949 FDS8949 onsemi fds8949-d.pdf MOSFETs 40V 6A 29OHM DUAL NCH LOGIC
на замовлення 59970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949 FDS8949 ONSEMI ONSM-S-A0013180325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8949 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 13440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949 FDS8949 ONSEMI ONSM-S-A0013180325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8949 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 13440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949 fds8949d.pdf
FDS8949
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+33.93 грн
5000+32.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949 fds8949d.pdf
FDS8949
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+34.10 грн
5000+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949 fds8949d.pdf
FDS8949
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
324+43.68 грн
500+40.47 грн
Мінімальне замовлення: 324 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949 fds8949d.pdf
FDS8949
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
771+45.87 грн
1000+42.30 грн
Мінімальне замовлення: 771 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949 fds8949d.pdf
FDS8949
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
771+45.87 грн
Мінімальне замовлення: 771 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949 FDS8949.pdf
FDS8949
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Gate charge: 11nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 43mΩ
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+100.25 грн
6+70.45 грн
10+60.97 грн
50+43.61 грн
100+38.07 грн
500+28.85 грн
1000+27.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949 fds8949-d.pdf
FDS8949
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 3976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+103.46 грн
10+62.95 грн
50+46.96 грн
100+39.23 грн
500+30.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949 fds8949-d.pdf
FDS8949
Виробник: onsemi
MOSFETs 40V 6A 29OHM DUAL NCH LOGIC
на замовлення 59970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949 ONSM-S-A0013180325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS8949
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8949 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 13440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949 ONSM-S-A0013180325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS8949
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8949 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 13440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.