Продукція > ONSEMI > FDS8949
FDS8949

FDS8949 onsemi

fds8949-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.89 грн
5000+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS8949 onsemi

Description: ONSEMI - FDS8949 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.029 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDS8949 за ціною від 22.50 грн до 112.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS8949 FDS8949 Виробник : ON Semiconductor fds8949-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.88 грн
5000+29.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949 FDS8949 Виробник : ON Semiconductor fds8949-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+35.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949 FDS8949 Виробник : ON Semiconductor fds8949-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
810+38.24 грн
1000+35.27 грн
Мінімальне замовлення: 810
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949 FDS8949 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013180325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8949 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+46.91 грн
500+34.68 грн
1000+28.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949 FDS8949 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE71688B2A4A259&compId=FDS8949.pdf?ci_sign=c070de354bace5013474ecf528315547733ee805 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+81.30 грн
10+63.14 грн
50+54.97 грн
100+31.45 грн
500+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949 FDS8949 Виробник : onsemi fds8949-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 7048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.72 грн
10+57.09 грн
100+37.78 грн
500+27.67 грн
1000+25.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949 FDS8949 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE71688B2A4A259&compId=FDS8949.pdf?ci_sign=c070de354bace5013474ecf528315547733ee805 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.56 грн
10+78.69 грн
50+65.96 грн
100+37.74 грн
500+31.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949 FDS8949 Виробник : onsemi / Fairchild FDS8949-D.PDF MOSFETs 40V 6A 29OHM DUAL NCH LOGIC
на замовлення 80179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.16 грн
10+63.20 грн
100+36.39 грн
500+28.46 грн
1000+25.82 грн
2500+23.02 грн
5000+22.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949 FDS8949 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013180325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8949 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+112.63 грн
50+70.80 грн
100+46.91 грн
500+34.68 грн
1000+28.53 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949 Виробник : Fairchild fds8949-d.pdf 2N-MOSFET 40V 6A 29mΩ 2W FDS8949 Fairchild TFDS8949
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+35.95 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949
Код товару: 162449
Додати до обраних Обраний товар

fds8949-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949 FDS8949 Виробник : ON Semiconductor fds8949-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949 FDS8949 Виробник : ON Semiconductor fds8949-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.