NDS9948 Fairchild
Код товару: 100660
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: Fairchild
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Id, А: 2,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 250 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 394/9
Монтаж: SMD
у наявності: 279 шт
- 22 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 257 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 25 шт
- 25 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| 10+ | 17.90 грн |
| 100+ | 16.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції NDS9948 за ціною від 23.03 грн до 78.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NDS9948 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NDS9948 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NDS9948 | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -2A; 2W; SO8 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -60V Type of transistor: P-MOSFET x2 Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: SO8 On-state resistance: 0.5Ω Power dissipation: 2W Gate charge: 13nC Polarisation: unipolar Technology: PowerTrench® Drain current: -2A |
на замовлення 1085 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NDS9948 | onsemi |
MOSFETs Dual PCh PowerTrench |
на замовлення 1662 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
NDS9948 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS9948 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 AtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 2859 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
NDS9948 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS9948 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 AtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 2859 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| NDS9948 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1119+ | 31.55 грн |
| 10000+ | 28.13 грн |
| NDS9948 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1119+ | 31.55 грн |
| NDS9948 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -2A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 2W
Gate charge: 13nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -2A
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -2A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 2W
Gate charge: 13nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -2A
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 78.40 грн |
| 8+ | 54.68 грн |
| 10+ | 48.42 грн |
| 50+ | 36.23 грн |
| 100+ | 31.74 грн |
| 500+ | 23.03 грн |
| NDS9948 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs Dual PCh PowerTrench
MOSFETs Dual PCh PowerTrench
на замовлення 1662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NDS9948 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS9948 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - NDS9948 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NDS9948 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS9948 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - NDS9948 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| IRF7103TRPBF Код товару: 19112
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 50 В
Струм стоку Idd, А: 3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,13 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 290/12
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 50 В
Струм стоку Idd, А: 3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,13 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 290/12
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 201 шт
- 158 шт - склад
- 7 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 19 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 27.50 грн |
| 10+ | 24.80 грн |
| 100+ | 21.80 грн |
| 1 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-1KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 17832
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 1 кОм
Точність: ±1% F
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 1 кОм
Точність: ±1% F
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
товару немає в наявності
очікується: 30000 шт
- 30000 шт - очікується 06.10.2026
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 0.45 грн |
| 1000+ | 0.36 грн |
| 10000+ | 0.22 грн |
| 68 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-68K-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 2168
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 68 кОм
Точність: ±5% J
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 68 кОм
Точність: ±5% J
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
у наявності: 9016 шт
- 5286 шт - склад
- 3730 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 0.40 грн |
| 1000+ | 0.30 грн |
| 10000+ | 0.20 грн |
| 10uH 20% (RCH895NP-100M Sumida) (Idc=2.6А, Rdc max=0.04 Ohm, радіальні виводи, d=8.3mm, h=9.5mm) (дросель силовий) Код товару: 41390
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Sumida
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові вивідні
Номінал: 10 мкГн
Характеристики: Силова, дротова на феритовій гантелі, 10uH±20%, Idc=2.6А, Rdc max=0.04 Ohm, радіальні виводи, d=8.3мм, h=9.5мм
Тип: Радіальний
Габарити: d=8,3 мм; h=9,5 мм
Робочий струм, А: 2 А
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові вивідні
Номінал: 10 мкГн
Характеристики: Силова, дротова на феритовій гантелі, 10uH±20%, Idc=2.6А, Rdc max=0.04 Ohm, радіальні виводи, d=8.3мм, h=9.5мм
Тип: Радіальний
Габарити: d=8,3 мм; h=9,5 мм
Робочий струм, А: 2 А
у наявності: 214 шт
- 181 шт - склад
- 25 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 29 шт
- 29 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 24.00 грн |
| 10+ | 22.75 грн |
| 100+ | 21.90 грн |
| BC847,215 (SOT-23, Nexpreria) Код товару: 99908
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Nexpreria
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT: 100 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 45 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 50 В
Струм колектора Ic, А: 0,1 А
Монтаж: SMD
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT: 100 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 45 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 50 В
Струм колектора Ic, А: 0,1 А
Монтаж: SMD
у наявності: 3641 шт
- 3400 шт - склад
- 74 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 158 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 9 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 90 шт
- 90 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 19+ | 1.10 грн |
| 100+ | 0.90 грн |
| 1000+ | 0.75 грн |











