Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > NDS9948 Fairchild
NDS9948

NDS9948 Fairchild

nds9948-1011724.pdf
Код товару: 100660
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: Fairchild
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Id, А: 2,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 250 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 394/9
Монтаж: SMD
у наявності: 279 шт
  • 22 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 257 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 25 шт
  • 25 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+20.00 грн
10+17.90 грн
100+16.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції NDS9948 за ціною від 22.49 грн до 86.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NDS9948 NDS9948 ON Semiconductor nds9948-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.72 грн
5000+25.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948 NDS9948 ON Semiconductor nds9948-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.73 грн
5000+25.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948 NDS9948 ON Semiconductor nds9948-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1119+31.55 грн
10000+28.13 грн
Мінімальне замовлення: 1119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948 NDS9948 ONSEMI NDS9948.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -2A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+77.50 грн
8+54.06 грн
10+47.86 грн
50+35.81 грн
100+31.38 грн
500+22.76 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948 NDS9948 onsemi nds9948-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 394pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 4895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.03 грн
10+51.81 грн
100+34.07 грн
500+24.80 грн
1000+22.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948 NDS9948 onsemi nds9948-d.pdf MOSFETs Dual PCh PowerTrench
на замовлення 3671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948 NDS9948 ONSEMI ONSM-S-A0013303134-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NDS9948 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948 NDS9948 ONSEMI ONSM-S-A0013303134-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NDS9948 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948 NDS9948 onsemi nds9948-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 394pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948 nds9948-d.pdf
NDS9948
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+27.72 грн
5000+25.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948 nds9948-d.pdf
NDS9948
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+27.73 грн
5000+25.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948 nds9948-d.pdf
NDS9948
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1119+31.55 грн
10000+28.13 грн
Мінімальне замовлення: 1119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948 NDS9948.pdf
NDS9948
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -2A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+77.50 грн
8+54.06 грн
10+47.86 грн
50+35.81 грн
100+31.38 грн
500+22.76 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948 nds9948-d.pdf
NDS9948
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 394pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 4895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+86.03 грн
10+51.81 грн
100+34.07 грн
500+24.80 грн
1000+22.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948 nds9948-d.pdf
NDS9948
Виробник: onsemi
MOSFETs Dual PCh PowerTrench
на замовлення 3671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948 ONSM-S-A0013303134-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NDS9948
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS9948 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948 ONSM-S-A0013303134-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NDS9948
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS9948 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948 nds9948-d.pdf
NDS9948
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 394pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRF7103TRPBF
Код товару: 19112
Додати до обраних Обраний товар
description infineon-irf7103-datasheet-en.pdf
IRF7103TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 50 В
Струм стоку Idd, А: 3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,13 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 290/12
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 204 шт
  • 162 шт - склад
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 21 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 30 шт
  • 30 шт - очікується
на замовлення: 6 шт
  • 6 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+27.50 грн
10+24.80 грн
100+21.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-1KR-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 17832
1 Додати до обраних Обраний товар
rc_series_20150401_1.pdf
1 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-1KR-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 1 кОм
Точність: ±1% F
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
у наявності: 80 шт
  • 80 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 30000 шт
  • 30000 шт - очікується 06.10.2026
КількістьЦіна без ПДВ
80+0.35 грн
100+0.35 грн
1000+0.27 грн
10000+0.22 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
68 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-68K-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 2168
Додати до обраних Обраний товар
rc_series_20150401_1.pdf
68 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-68K-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 68 кОм
Точність: ±5% J
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
у наявності: 9716 шт
  • 5986 шт - склад
  • 3730 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
100+0.25 грн
1000+0.18 грн
10000+0.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
10uH 20% (RCH895NP-100M Sumida) (Idc=2.6А, Rdc max=0.04 Ohm, радіальні виводи, d=8.3mm, h=9.5mm) (дросель силовий)
Код товару: 41390
1 Додати до обраних Обраний товар
RCH-895.pdf
10uH 20% (RCH895NP-100M Sumida) (Idc=2.6А, Rdc max=0.04 Ohm, радіальні виводи, d=8.3mm, h=9.5mm) (дросель силовий)
Виробник: Sumida
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові вивідні
Номінал: 10 мкГн
Характеристики: Силова, дротова на феритовій гантелі, 10uH±20%, Idc=2.6А, Rdc max=0.04 Ohm, радіальні виводи, d=8.3мм, h=9.5мм
Тип: Радіальний
Габарити: d=8,3 мм; h=9,5 мм
Робочий струм, А: 2 А
у наявності: 221 шт
  • 203 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 29 шт
  • 29 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+24.00 грн
10+22.75 грн
100+21.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BC847,215 (SOT-23, Nexpreria)
Код товару: 99908
3 Додати до обраних Обраний товар
BC847,215 (SOT-23, Nexpreria)
Виробник: Nexpreria
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT: 100 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 45 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 50 В
Струм колектора Ic, А: 0,1 А
Монтаж: SMD
у наявності: 1267 шт
  • 965 шт - склад
  • 94 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 158 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 23 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 27 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 90 шт
  • 90 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+1.50 грн
19+1.10 грн
100+0.90 грн
1000+0.75 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.