Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > NDS9948
NDS9948

NDS9948

nds9948-1011724.pdf
Код товару: 100660
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Корпус: SO-8
Uds,V: 60 V
Id,A: 2,3 A
Монтаж: SMD
у наявності: 288 шт
  • 22 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 266 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна
1+20.00 грн
10+17.90 грн
100+16.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції NDS9948 за ціною від 15.57 грн до 100.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NDS9948 NDS9948 onsemi nds9948-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 394pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.49 грн
5000+17.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948 NDS9948 ON Semiconductor nds9948-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948 NDS9948 ON Semiconductor nds9948-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948 NDS9948 ON Semiconductor nds9948-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1175+30.17 грн
10000+26.89 грн
Мінімальне замовлення: 1175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948 NDS9948 ONSEMI ONSM-S-A0013303134-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NDS9948 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.30 грн
500+24.89 грн
1000+20.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948 NDS9948 onsemi nds9948-d.pdf MOSFETs Dual PCh PowerTrench
на замовлення 14548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.33 грн
10+36.30 грн
100+22.41 грн
500+18.50 грн
1000+16.76 грн
2500+15.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948 NDS9948 onsemi nds9948-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 394pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.70 грн
10+49.09 грн
100+32.22 грн
500+23.42 грн
1000+21.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948 NDS9948 ONSEMI ONSM-S-A0013303134-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NDS9948 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+84.72 грн
50+52.06 грн
100+34.30 грн
500+24.89 грн
1000+20.53 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948 NDS9948 ON Semiconductor nds9948-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+100.94 грн
10000+32.47 грн
15000+29.13 грн
20000+25.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948 nds9948-d.pdf
NDS9948
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 394pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+19.49 грн
5000+17.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948 nds9948-d.pdf
NDS9948
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+20.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948 nds9948-d.pdf
NDS9948
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+20.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948 nds9948-d.pdf
NDS9948
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1175+30.17 грн
10000+26.89 грн
Мінімальне замовлення: 1175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948 ONSM-S-A0013303134-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NDS9948
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS9948 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+34.30 грн
500+24.89 грн
1000+20.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948 nds9948-d.pdf
NDS9948
Виробник: onsemi
MOSFETs Dual PCh PowerTrench
на замовлення 14548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+76.33 грн
10+36.30 грн
100+22.41 грн
500+18.50 грн
1000+16.76 грн
2500+15.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948 nds9948-d.pdf
NDS9948
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 394pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+81.70 грн
10+49.09 грн
100+32.22 грн
500+23.42 грн
1000+21.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948 ONSM-S-A0013303134-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NDS9948
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS9948 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+84.72 грн
50+52.06 грн
100+34.30 грн
500+24.89 грн
1000+20.53 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948 nds9948-d.pdf
NDS9948
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+100.94 грн
10000+32.47 грн
15000+29.13 грн
20000+25.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRF7103TRPBF
Код товару: 19112
Додати до обраних Обраний товар
description infineon-irf7103-datasheet-en.pdf
IRF7103TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 50 V
Idd,A: 3 А
Rds(on), Ohm: 0,13 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/12
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 240 шт
  • 198 шт - склад
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 21 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
1+27.50 грн
10+24.80 грн
100+21.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-1KR-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 17832
1 Додати до обраних Обраний товар
rc_series_20150401_1.pdf
1 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-1KR-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±1% F
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 2095 шт
  • 685 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 810 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 600 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 30000 шт
  • 30000 шт - очікується
КількістьЦіна
100+0.35 грн
1000+0.27 грн
10000+0.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMLL4148
Код товару: 1294
1 Додати до обраних Обраний товар
PMLL4148, PMLL4448.pdf
PMLL4148
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SOD-80 (Quadro MELF)
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,2 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 4 ns
Примітка: Reverse recovery time Trr = 4 ns
SMD
у наявності: 7 шт
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна
7+2.86 грн
10+2.00 грн
100+0.80 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
68 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-68K-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 2168
Додати до обраних Обраний товар
rc_series_20150401_1.pdf
68 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-68K-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 68 kOhm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 9716 шт
  • 5986 шт - склад
  • 3730 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна
100+0.25 грн
1000+0.18 грн
10000+0.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
20 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-20KR-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 10934
1 Додати до обраних Обраний товар
rc_series_20150401_1.pdf
20 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-20KR-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 20 kOhm
Точність: ±1% F
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
товару немає в наявності
очікується: 10000 шт
  • 10000 шт - очікується
КількістьЦіна
100+0.35 грн
1000+0.27 грн
10000+0.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.