Продукція > ONSEMI > fds9945
fds9945

fds9945 onsemi

FDS9945-D.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.77 грн
5000+15.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис fds9945 onsemi

Description: ONSEMI - FDS9945 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.1 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції fds9945 за ціною від 18.12 грн до 70.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS9945 FDS9945 Виробник : ON Semiconductor fds9945-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9945 FDS9945 Виробник : ON Semiconductor fds9945-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9945 FDS9945 Виробник : ONSEMI 2304340.pdf Description: ONSEMI - FDS9945 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
fds9945 fds9945 Виробник : ONSEMI FDS9945.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+44.87 грн
12+36.25 грн
25+32.16 грн
50+28.75 грн
100+25.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9945 FDS9945 Виробник : ON Semiconductor fds9945-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+46.55 грн
10000+42.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9945 FDS9945 Виробник : ONSEMI 2304340.pdf Description: ONSEMI - FDS9945 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+48.86 грн
50+36.26 грн
100+27.22 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
fds9945 fds9945 Виробник : ONSEMI FDS9945.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 324 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.84 грн
10+45.17 грн
25+38.60 грн
50+34.50 грн
100+30.70 грн
500+27.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
fds9945 fds9945 Виробник : onsemi FDS9945-D.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.09 грн
10+42.22 грн
100+27.62 грн
500+20.02 грн
1000+18.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9945 FDS9945 Виробник : ON Semiconductor fds9945-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
fds9945 Виробник : Fairchild FDS9945-D.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC FDS9945 TFDS9945
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+23.20 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9945 FDS9945
Код товару: 24988
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : FS FDS9945.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Idd,A: 3,5 A
Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 420/8
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+31.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
fds9945 fds9945 Виробник : onsemi FDS9945-D.pdf MOSFETs SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.