Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDS9945 FS
FDS9945

FDS9945 FS

FDS9945.pdf
Код товару: 24988
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: FS
Корпус: SO-8
Струм стоку Idd, А: 3,5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,1 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 420/8
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+31.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDS9945 за ціною від 16.50 грн до 78.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
fds9945 fds9945 onsemi FDS9945-D.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.59 грн
5000+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9945 FDS9945 ON Semiconductor fds9945-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9945 FDS9945 ON Semiconductor fds9945-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
fds9945 fds9945 Fairchild info-tfds9945.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC FDS9945 TFDS9945
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+23.11 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9945 FDS9945 ON Semiconductor fds9945-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.66 грн
10000+46.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
fds9945 fds9945 ONSEMI FDS9945.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 231 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+73.89 грн
8+54.22 грн
10+47.45 грн
25+39.41 грн
50+34.14 грн
100+29.79 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
fds9945 fds9945 onsemi FDS9945-D.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 62490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.21 грн
10+47.07 грн
100+30.82 грн
500+22.38 грн
1000+20.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9945 FDS9945 ON Semiconductor fds9945-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9945 FDS9945 ONSEMI 2304340.pdf Description: ONSEMI - FDS9945 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9945 FDS9945 ONSEMI 2304340.pdf Description: ONSEMI - FDS9945 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
fds9945 FDS9945-D.pdf
fds9945
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+18.59 грн
5000+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9945 fds9945-d.pdf
FDS9945
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+20.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9945 fds9945-d.pdf
FDS9945
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+20.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
fds9945 info-tfds9945.pdf
fds9945
Виробник: Fairchild
Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC FDS9945 TFDS9945
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+23.11 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9945 fds9945-d.pdf
FDS9945
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+50.66 грн
10000+46.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
fds9945 FDS9945.pdf
fds9945
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 231 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+73.89 грн
8+54.22 грн
10+47.45 грн
25+39.41 грн
50+34.14 грн
100+29.79 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
fds9945 FDS9945-D.pdf
fds9945
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 62490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+78.21 грн
10+47.07 грн
100+30.82 грн
500+22.38 грн
1000+20.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9945 fds9945-d.pdf
FDS9945
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9945 2304340.pdf
FDS9945
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS9945 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9945 2304340.pdf
FDS9945
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS9945 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.