FDS9958


fds9958-d.pdf
Код товару: 177119
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDS9958 за ціною від 24.81 грн до 125.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS9958 FDS9958 Виробник : onsemi fds9958-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+31.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9958 FDS9958 Виробник : ON-Semiconductor info-tfds9958.pdf Trans. 2xP-Channel MOSFET; 60V; 20V; 190mOhm; 2,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; FDS9958-F085; FDS9958TR SO8 TFDS9958
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+39.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9958 FDS9958 Виробник : ONSEMI 2304463.pdf Description: ONSEMI - FDS9958 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.082 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.082ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.082ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+47.29 грн
500+36.04 грн
1000+26.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9958 FDS9958 Виробник : onsemi / Fairchild fds9958-d.pdf MOSFETs -60V Dual P-Channel PowerTrench
на замовлення 4883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.42 грн
10+59.79 грн
100+40.46 грн
500+33.05 грн
1000+27.95 грн
2500+24.88 грн
5000+24.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9958 FDS9958 Виробник : onsemi fds9958-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.78 грн
10+69.88 грн
100+46.62 грн
500+34.39 грн
1000+31.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9958 FDS9958 Виробник : ONSEMI fds9958-d.pdf Description: ONSEMI - FDS9958 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.082 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.082ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.082ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+122.29 грн
11+75.99 грн
100+51.53 грн
500+37.78 грн
1000+31.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9958 Виробник : ONS/FAI fds9958-d.pdf MOSFET 2P-CH 60V 2.9A SOIC-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9958 FDS9958 Виробник : ON Semiconductor fds9958jp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9958 FDS9958 Виробник : ON Semiconductor fds9958jp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.