Продукція > ONSEMI > FDS9958
FDS9958

FDS9958 onsemi

fds9958-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS9958 onsemi

Description: ONSEMI - FDS9958 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.082 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.082ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.082ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDS9958 за ціною від 26.79 грн до 186.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS9958 FDS9958 Виробник : ONSEMI 2304463.pdf Description: ONSEMI - FDS9958 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.082 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.082ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.082ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.10 грн
500+37.42 грн
1000+27.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9958 FDS9958 Виробник : onsemi / Fairchild fds9958-d.pdf MOSFETs -60V Dual P-Channel PowerTrench
на замовлення 4883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.32 грн
10+64.56 грн
100+43.69 грн
500+35.69 грн
1000+30.18 грн
2500+26.86 грн
5000+26.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9958 FDS9958 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE78A026039E259&compId=FDS9958.pdf?ci_sign=74fd92c54cb49f8d090c1756f91488e4c316334a Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -2.9A; 2W; SO8
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 0.19Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+97.35 грн
10+60.45 грн
26+35.61 грн
71+33.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9958 FDS9958 Виробник : ONSEMI fds9958-d.pdf Description: ONSEMI - FDS9958 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.082 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.082ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.082ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+104.12 грн
13+69.84 грн
100+48.67 грн
500+36.47 грн
1000+30.98 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9958 FDS9958 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE78A026039E259&compId=FDS9958.pdf?ci_sign=74fd92c54cb49f8d090c1756f91488e4c316334a Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -2.9A; 2W; SO8
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 0.19Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 696 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.82 грн
10+75.33 грн
26+42.73 грн
71+40.47 грн
1000+38.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9958 FDS9958 Виробник : onsemi fds9958-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.18 грн
10+72.55 грн
100+48.40 грн
500+35.70 грн
1000+32.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9958 Виробник : ON-Semicoductor fds9958-d.pdf Trans. 2xP-Channel MOSFET; 60V; 20V; 190mOhm; 2,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; FDS9958-F085; FDS9958TR SO8 TFDS9958
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+186.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9958 Виробник : On Semiconductor/Fairchild fds9958-d.pdf MOSFET 2P-CH 60V 2.9A SOIC-8
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9958
Код товару: 177119
Додати до обраних Обраний товар

fds9958-d.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9958 FDS9958 Виробник : ON Semiconductor fds9958jp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9958 FDS9958 Виробник : ON Semiconductor fds9958jp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9958 FDS9958 Виробник : ON Semiconductor fds9958jp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.