Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 > FDS9958

FDS9958

fds9958-d.pdf
Код товару: 177119
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDS9958 за ціною від 24.51 грн до 128.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDS9958 FDS9958 onsemi fds9958-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9958 FDS9958 ON-Semiconductor info-tfds9958.pdf Trans. 2xP-Channel MOSFET; 60V; 20V; 190mOhm; 2,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; FDS9958-F085; FDS9958TR SO8 TFDS9958
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+40.19 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9958 FDS9958 onsemi / Fairchild fds9958-d.pdf MOSFETs -60V Dual P-Channel PowerTrench
на замовлення 4883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.37 грн
10+59.07 грн
100+39.97 грн
500+32.65 грн
1000+27.61 грн
2500+24.58 грн
5000+24.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9958 FDS9958 onsemi fds9958-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.39 грн
10+69.03 грн
100+46.05 грн
500+33.97 грн
1000+30.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9958 FDS9958 ONSEMI fds9958-d.pdf Description: ONSEMI - FDS9958 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.082 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.082ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.082ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.62 грн
11+77.56 грн
100+51.46 грн
500+37.62 грн
1000+31.69 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9958 ONS/FAI fds9958-d.pdf MOSFET 2P-CH 60V 2.9A SOIC-8 Транзистори
на замовлення 15 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
3+128.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9958 fds9958-d.pdf
FDS9958
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+30.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9958 info-tfds9958.pdf
FDS9958
Виробник: ON-Semiconductor
Trans. 2xP-Channel MOSFET; 60V; 20V; 190mOhm; 2,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; FDS9958-F085; FDS9958TR SO8 TFDS9958
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+40.19 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9958 fds9958-d.pdf
FDS9958
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs -60V Dual P-Channel PowerTrench
на замовлення 4883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+85.37 грн
10+59.07 грн
100+39.97 грн
500+32.65 грн
1000+27.61 грн
2500+24.58 грн
5000+24.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9958 fds9958-d.pdf
FDS9958
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+113.39 грн
10+69.03 грн
100+46.05 грн
500+33.97 грн
1000+30.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9958 fds9958-d.pdf
FDS9958
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS9958 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.082 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.082ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.082ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+121.62 грн
11+77.56 грн
100+51.46 грн
500+37.62 грн
1000+31.69 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9958 fds9958-d.pdf
Виробник: ONS/FAI
MOSFET 2P-CH 60V 2.9A SOIC-8 Транзистори
на замовлення 15 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна
3+128.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.