Продукція > ONSEMI > FDT3612
FDT3612

FDT3612 onsemi

fdt3612-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 50 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+18.34 грн
8000+16.37 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDT3612 onsemi

Description: ONSEMI - FDT3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.7 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3.7, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 3, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції FDT3612 за ціною від 19.28 грн до 81.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDT3612 FDT3612 ON Semiconductor fdt3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+25.44 грн
8000+23.91 грн
12000+22.58 грн
28000+21.74 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612 FDT3612 ON Semiconductor fdt3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+28.75 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612 FDT3612 ON Semiconductor fdt3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+46.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612 FDT3612 ON Semiconductor fdt3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
262+54.04 грн
325+43.56 грн
342+41.47 грн
500+34.35 грн
1000+25.93 грн
3000+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 262 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612 FDT3612 ON Semiconductor fdt3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.07 грн
14+54.56 грн
25+54.04 грн
100+42.01 грн
250+37.03 грн
500+30.53 грн
1000+24.89 грн
3000+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612 FDT3612 onsemi fdt3612-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 50 V
на замовлення 10066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.37 грн
10+48.80 грн
100+32.03 грн
500+23.29 грн
1000+21.12 грн
2000+19.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612 FDT3612 onsemi fdt3612-d.pdf MOSFETs 100V NCh PowerTrench
на замовлення 32801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612 FDT3612 onsemi / Fairchild fdt3612-d.pdf MOSFETs 100V NCh PowerTrench
на замовлення 40607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612 FDT3612 ONSEMI ONSM-S-A0013180482-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDT3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.7 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.7
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612 Fairchild/ON Semiconductor FDT3612-D.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 3,7 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 632 @ 50, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 120 мОм @ 3,7 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
4000+51.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612 fdt3612-d.pdf
FDT3612
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+25.44 грн
8000+23.91 грн
12000+22.58 грн
28000+21.74 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612 fdt3612-d.pdf
FDT3612
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+28.75 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612 fdt3612-d.pdf
FDT3612
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+46.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612 fdt3612-d.pdf
FDT3612
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
262+54.04 грн
325+43.56 грн
342+41.47 грн
500+34.35 грн
1000+25.93 грн
3000+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 262 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612 fdt3612-d.pdf
FDT3612
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+62.07 грн
14+54.56 грн
25+54.04 грн
100+42.01 грн
250+37.03 грн
500+30.53 грн
1000+24.89 грн
3000+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612 fdt3612-d.pdf
FDT3612
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 50 V
на замовлення 10066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+81.37 грн
10+48.80 грн
100+32.03 грн
500+23.29 грн
1000+21.12 грн
2000+19.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612 fdt3612-d.pdf
FDT3612
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V NCh PowerTrench
на замовлення 32801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612 fdt3612-d.pdf
FDT3612
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V NCh PowerTrench
на замовлення 40607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612 ONSM-S-A0013180482-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDT3612
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDT3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.7 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.7
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612 FDT3612-D.pdf
Виробник: Fairchild/ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 3,7 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 632 @ 50, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 120 мОм @ 3,7 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+51.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.