Продукція > ONSEMI > FDT439N
FDT439N

FDT439N onsemi

fdt439n-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+22.64 грн
8000+20.62 грн
12000+20.22 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDT439N onsemi

Description: ONSEMI - FDT439N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.045 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 670mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDT439N за ціною від 20.57 грн до 77.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDT439N FDT439N Виробник : ON Semiconductor fdt439n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+27.29 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT439N FDT439N Виробник : ONSEMI 2298598.pdf Description: ONSEMI - FDT439N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.045 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 670mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 12179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+52.22 грн
250+43.76 грн
1000+30.00 грн
2000+25.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDT439N FDT439N Виробник : onsemi / Fairchild FDT439N-D.PDF MOSFETs SOT-223 N-CH 30V
на замовлення 7899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.17 грн
10+46.44 грн
100+31.77 грн
500+26.89 грн
1000+24.91 грн
2000+23.62 грн
4000+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDT439N FDT439N Виробник : onsemi fdt439n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
на замовлення 28111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.75 грн
10+46.98 грн
100+35.76 грн
500+27.48 грн
1000+24.98 грн
2000+23.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDT439N FDT439N Виробник : ONSEMI 2298598.pdf Description: ONSEMI - FDT439N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.045 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 670mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 11249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+77.77 грн
50+56.58 грн
250+43.07 грн
1000+30.24 грн
2000+26.08 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDT439N FDT439N Виробник : ON Semiconductor fdt439n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT439N Виробник : ON-Semicoductor fdt439n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 FDT439N TFDT439N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3468 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+26.46 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.