Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDT439N
FDT439N

FDT439N ON Semiconductor

fdt439n-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+27.03 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDT439N ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDT439N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.045 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 670mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDT439N за ціною від 25.61 грн до 112.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDT439N FDT439N Виробник : ONSEMI 2298598.pdf Description: ONSEMI - FDT439N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.045 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 670mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 12179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.72 грн
250+43.34 грн
1000+29.71 грн
2000+25.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDT439N FDT439N Виробник : ONSEMI fdt439n-d.pdf Description: ONSEMI - FDT439N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.045 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 670mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 12179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+78.73 грн
50+51.72 грн
250+43.34 грн
1000+29.71 грн
2000+25.61 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDT439N FDT439N Виробник : onsemi fdt439n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
на замовлення 859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.08 грн
10+60.29 грн
100+40.97 грн
500+30.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDT439N FDT439N Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFEA0A7EDA624259&compId=FDT439N.pdf?ci_sign=1313a84757b14b50ad0d2c52a2eecb4dddc5d1d9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; 3W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.3A
On-state resistance: 72mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Case: SOT223
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+93.96 грн
7+55.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDT439N FDT439N Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFEA0A7EDA624259&compId=FDT439N.pdf?ci_sign=1313a84757b14b50ad0d2c52a2eecb4dddc5d1d9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; 3W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.3A
On-state resistance: 72mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Case: SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.76 грн
6+58.58 грн
25+51.12 грн
26+42.45 грн
72+40.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDT439N FDT439N Виробник : ON Semiconductor fdt439n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT439N FDT439N Виробник : onsemi / Fairchild FDT439N_D-1809074.pdf MOSFET SOT-223 N-CH 30V
на замовлення 39265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT439N Виробник : ON-Semicoductor fdt439n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 FDT439N TFDT439N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3468 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+26.21 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
FDT439N FDT439N Виробник : onsemi fdt439n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.