FDT86113LZ onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 26.95 грн |
| 8000+ | 24.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDT86113LZ onsemi
Description: ONSEMI - FDT86113LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDT86113LZ за ціною від 24.73 грн до 106.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDT86113LZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDT86113LZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDT86113LZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDT86113LZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDT86113LZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDT86113LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 8014 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDT86113LZ | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; 2.2W; SOT223 Mounting: SMD Case: SOT223 Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.3A On-state resistance: 189mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 3016 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDT86113LZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDT86113LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 8014 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDT86113LZ | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; 2.2W; SOT223 Mounting: SMD Case: SOT223 Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.3A On-state resistance: 189mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3016 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDT86113LZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 9862 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDT86113LZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V |
на замовлення 10286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDT86113LZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |