Інші пропозиції FDT86256 за ціною від 38.03 грн до 135.50 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDT86256 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.695ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDT86256 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 17327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDT86256 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2632 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDT86256 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDT86256 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDT86256 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.695ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDT86256 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 57 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDT86256 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 845mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 10W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 75 V |
на замовлення 859 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDT86256 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
FDT86256 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 845mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 10W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 75 V |
товару немає в наявності |