FDT86256 ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86256 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.695 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.695ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 68.36 грн |
| 1000+ | 46.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDT86256 ONSEMI
Description: ONSEMI - FDT86256 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.695 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.695ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDT86256 за ціною від 39.68 грн до 136.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDT86256 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 17327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDT86256 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2632 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDT86256 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDT86256 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDT86256 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDT86256 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.695 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.695ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDT86256 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 150V NCh MOSFET PowerTrench |
на замовлення 57 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDT86256 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A/3A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 845mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 10W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 75 V |
на замовлення 251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDT86256 Код товару: 188041
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
 |
FDT86256 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FDT86256 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A/3A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 845mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 10W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 75 V |
товару немає в наявності |