Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDV301N
FDV301N

FDV301N ON Semiconductor

1836027593928217fdv301n.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 217000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDV301N ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 3.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 220mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDV301N за ціною від 1.29 грн до 20.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDV301N FDV301N Виробник : ON Semiconductor 1836027593928217fdv301n.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
148+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 148
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N Виробник : ON Semiconductor fdv301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2196000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.69 грн
6000+2.49 грн
9000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N Виробник : ON Semiconductor fdv301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2196000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4190+2.90 грн
6000+2.68 грн
9000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 4190
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N Виробник : ON Semiconductor fdv301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3433+3.54 грн
6000+3.34 грн
12000+3.23 грн
27000+3.04 грн
51000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 3433
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N Виробник : ONSEMI 2304439.pdf Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 3.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 273000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.61 грн
9000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N Виробник : ON Semiconductor fdv301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 22581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7212+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 7212
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N Виробник : ON Semiconductor fdv301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7212+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 7212
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N Виробник : ONSEMI 2304439.pdf Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.06V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 33650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.08 грн
1500+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N Виробник : ONSEMI FDV301N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N Виробник : onsemi / Fairchild FDV301N_D-1808827.pdf MOSFETs N-Ch Digital
на замовлення 616001 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.85 грн
34+10.19 грн
100+4.25 грн
1000+3.81 грн
3000+2.93 грн
9000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N Виробник : EVVO FDV301N.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.22 грн
29+10.60 грн
100+6.58 грн
500+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N Виробник : ONSEMI FDV301N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
16+18.73 грн
24+11.40 грн
50+6.41 грн
100+5.72 грн
327+3.28 грн
898+3.09 грн
9000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N Виробник : ONSEMI 2304439.pdf Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.06V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 33650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
41+20.45 грн
78+10.59 грн
133+6.20 грн
500+5.08 грн
1500+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N
Код товару: 115435
Додати до обраних Обраний товар

fdv301n-d.pdf FDV301N.pdf 346e56ed6b5778337b0fa9eed86aaa07.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N Виробник : Fairchild/ON Semiconductor fdv301n-d.pdf FDV301N.pdf 346e56ed6b5778337b0fa9eed86aaa07.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 25; Id = 220 мА; Ptot, Вт = 0,35; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 9,5 @ 10; Qg, нКл = 0,7 @ 4,5 В; Rds = 4 Ом @ 400 мА, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1,06 @ 250 мкА; SOT-23-3
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна
417+1.50 грн
445+1.40 грн
482+1.29 грн
Мінімальне замовлення: 417
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N Виробник : UMW fdv301n-d.pdf FDV301N.pdf 346e56ed6b5778337b0fa9eed86aaa07.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV301N Onsemi; FDV301N UMW TFDV301n UMW
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N Виробник : ON-Semicoductor fdv301n-d.pdf FDV301N.pdf 346e56ed6b5778337b0fa9eed86aaa07.pdf N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 833 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N Виробник : ON-Semicoductor fdv301n-d.pdf FDV301N.pdf 346e56ed6b5778337b0fa9eed86aaa07.pdf N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N Виробник : ON-Semicoductor fdv301n-d.pdf FDV301N.pdf 346e56ed6b5778337b0fa9eed86aaa07.pdf N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 12540 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N Виробник : ON-Semicoductor fdv301n-d.pdf FDV301N.pdf 346e56ed6b5778337b0fa9eed86aaa07.pdf N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 193 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N fdv301n-d.pdf FDV301N.pdf 346e56ed6b5778337b0fa9eed86aaa07.pdf
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N Виробник : ON Semiconductor fdv301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N Виробник : onsemi fdv301n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N Виробник : onsemi fdv301n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N Виробник : EVVO FDV301N.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N Виробник : UMW 346e56ed6b5778337b0fa9eed86aaa07.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N Виробник : UMW 346e56ed6b5778337b0fa9eed86aaa07.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.