Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDV301N
FDV301N

FDV301N

fdv301n-d.pdf
Код товару: 115435
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDV301N за ціною від 1.43 грн до 21.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDV301N FDV301N ON-Semiconductor info-tfdv301n.pdf N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
400+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N ON-Semiconductor info-tfdv301n.pdf N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 833 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
400+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N ON-Semiconductor info-tfdv301n.pdf N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
400+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N UMW TFDV301n_UMW_UMW_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV301N Onsemi; FDV301N UMW TFDV301n UMW
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N onsemi fdv301n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
на замовлення 476560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.76 грн
6000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N ON-Semiconductor info-tfdv301n.pdf N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 193 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N ONSEMI 2304439.pdf Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.10 грн
9000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N ON Semiconductor fdv301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 920687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.53 грн
6000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N ON Semiconductor fdv301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 918000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4011+3.53 грн
6000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 4011 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N ON Semiconductor fdv301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1527000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3473+4.07 грн
6000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 3473 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N ON Semiconductor fdv301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1527000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.08 грн
6000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N ONSEMI 4660974.pdf Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.06V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
на замовлення 75810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.13 грн
1500+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N ON Semiconductor fdv301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 255000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3254+4.35 грн
9000+4.07 грн
27000+4.03 грн
51000+3.87 грн
102000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 3254 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N ONSEMI FDV301N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 59957 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.82 грн
63+6.63 грн
71+5.89 грн
100+4.15 грн
120+3.47 грн
500+2.29 грн
1000+2.12 грн
3000+1.92 грн
6000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N onsemi fdv301n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
на замовлення 477109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.72 грн
35+8.66 грн
100+5.36 грн
500+3.67 грн
1000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N onsemi fdv301n-d.pdf MOSFETs N-Ch Digital
на замовлення 582646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+15.19 грн
35+9.27 грн
100+4.96 грн
500+3.65 грн
1000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N ONSEMI 4660974.pdf Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.06V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
на замовлення 75810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+15.83 грн
83+9.72 грн
134+6.04 грн
500+4.13 грн
1500+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N ON Semiconductor fdv301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+21.22 грн
71+10.71 грн
114+6.66 грн
500+5.68 грн
1000+4.63 грн
3000+3.50 грн
6000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N Fairchild/ON Semiconductor FDV301N.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 220 мА, Ptot, Вт = 0,35, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 9,5 @ 10, Qg, нКл = 0,7 @ 4,5 В, Rds = 4 Ом @ 400 мА, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,06 @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+1.43 грн
Мінімальне замовлення: 1040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N fdv301n-d.pdf
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N info-tfdv301n.pdf
FDV301N
Виробник: ON-Semiconductor
N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
400+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N info-tfdv301n.pdf
FDV301N
Виробник: ON-Semiconductor
N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 833 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
400+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N info-tfdv301n.pdf
FDV301N
Виробник: ON-Semiconductor
N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
400+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N TFDV301n_UMW_UMW_0001.pdf
FDV301N
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV301N Onsemi; FDV301N UMW TFDV301n UMW
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N fdv301n-d.pdf
FDV301N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
на замовлення 476560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.76 грн
6000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N info-tfdv301n.pdf
FDV301N
Виробник: ON-Semiconductor
N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 193 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
200+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N 2304439.pdf
FDV301N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+3.10 грн
9000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N fdv301n-d.pdf
FDV301N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 920687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+3.53 грн
6000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N fdv301n-d.pdf
FDV301N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 918000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4011+3.53 грн
6000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 4011 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N fdv301n-d.pdf
FDV301N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1527000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3473+4.07 грн
6000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 3473 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N fdv301n-d.pdf
FDV301N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1527000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+4.08 грн
6000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N 4660974.pdf
FDV301N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.06V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
на замовлення 75810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+4.13 грн
1500+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N fdv301n-d.pdf
FDV301N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 255000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3254+4.35 грн
9000+4.07 грн
27000+4.03 грн
51000+3.87 грн
102000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 3254 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N.pdf
FDV301N
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 59957 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
46+9.82 грн
63+6.63 грн
71+5.89 грн
100+4.15 грн
120+3.47 грн
500+2.29 грн
1000+2.12 грн
3000+1.92 грн
6000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N fdv301n-d.pdf
FDV301N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
на замовлення 477109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
22+14.72 грн
35+8.66 грн
100+5.36 грн
500+3.67 грн
1000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N fdv301n-d.pdf
FDV301N
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Ch Digital
на замовлення 582646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
22+15.19 грн
35+9.27 грн
100+4.96 грн
500+3.65 грн
1000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N 4660974.pdf
FDV301N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.06V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
на замовлення 75810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
51+15.83 грн
83+9.72 грн
134+6.04 грн
500+4.13 грн
1500+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N fdv301n-d.pdf
FDV301N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
36+21.22 грн
71+10.71 грн
114+6.66 грн
500+5.68 грн
1000+4.63 грн
3000+3.50 грн
6000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N.pdf
Виробник: Fairchild/ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 220 мА, Ptot, Вт = 0,35, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 9,5 @ 10, Qg, нКл = 0,7 @ 4,5 В, Rds = 4 Ом @ 400 мА, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,06 @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+1.43 грн
Мінімальне замовлення: 1040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N fdv301n-d.pdf
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.