Інші пропозиції FDV301N за ціною від 1.43 грн до 21.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDV301N | ON-Semiconductor |
N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301nкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 833 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDV301N | ON-Semiconductor |
N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301nкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDV301N | ON-Semiconductor |
N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301nкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2340 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDV301N | UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV301N Onsemi; FDV301N UMW TFDV301n UMWкількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 600 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDV301N | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V |
на замовлення 545378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDV301N | ON-Semiconductor |
N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301nкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 193 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDV301N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 920687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDV301N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 918000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDV301N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1527000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDV301N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1527000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDV301N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 255000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDV301N | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 9Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 55844 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDV301N | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V |
на замовлення 545782 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDV301N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 20522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDV301N | onsemi |
MOSFETs N-Ch Digital |
на замовлення 582646 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
FDV301N | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.06V Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm |
на замовлення 69395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDV301N | Fairchild/ON Semiconductor |
N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 220 мА, Ptot, Вт = 0,35, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 9,5 @ 10, Qg, нКл = 0,7 @ 4,5 В, Rds = 4 Ом @ 400 мА, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,06 @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 1040 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| FDV301N |
|
на замовлення 55000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDV301N |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
кількість в упаковці: 100 шт
N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 833 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 400+ | 1.93 грн |
| FDV301N |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
кількість в упаковці: 100 шт
N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 400+ | 1.93 грн |
| FDV301N |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
кількість в упаковці: 100 шт
N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 400+ | 1.93 грн |
| FDV301N |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV301N Onsemi; FDV301N UMW TFDV301n UMW
кількість в упаковці: 250 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV301N Onsemi; FDV301N UMW TFDV301n UMW
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 2.16 грн |
| FDV301N |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
на замовлення 545378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.85 грн |
| 6000+ | 2.45 грн |
| FDV301N |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
кількість в упаковці: 100 шт
N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 193 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 3.01 грн |
| FDV301N |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 920687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.52 грн |
| 6000+ | 2.79 грн |
| FDV301N |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 918000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4011+ | 3.52 грн |
| 6000+ | 2.79 грн |
| FDV301N |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1527000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3473+ | 4.06 грн |
| 6000+ | 3.23 грн |
| FDV301N |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1527000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.07 грн |
| 6000+ | 3.24 грн |
| FDV301N |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 255000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3254+ | 4.34 грн |
| 9000+ | 4.06 грн |
| 27000+ | 4.02 грн |
| 51000+ | 3.86 грн |
| 102000+ | 3.57 грн |
| FDV301N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 55844 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 46+ | 9.91 грн |
| 53+ | 8.03 грн |
| 61+ | 6.95 грн |
| 89+ | 4.75 грн |
| 106+ | 3.97 грн |
| 500+ | 2.71 грн |
| 1000+ | 2.49 грн |
| 3000+ | 2.18 грн |
| 6000+ | 2.05 грн |
| FDV301N |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
на замовлення 545782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 14.86 грн |
| 34+ | 8.89 грн |
| 100+ | 5.54 грн |
| 500+ | 3.79 грн |
| 1000+ | 3.33 грн |
| FDV301N |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 36+ | 21.18 грн |
| 71+ | 10.69 грн |
| 114+ | 6.64 грн |
| 500+ | 5.67 грн |
| 1000+ | 4.62 грн |
| 3000+ | 3.49 грн |
| 6000+ | 2.77 грн |
| FDV301N |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Ch Digital
MOSFETs N-Ch Digital
на замовлення 582646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDV301N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.06V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.06V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
на замовлення 69395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDV301N |
![]() |
Виробник: Fairchild/ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 220 мА, Ptot, Вт = 0,35, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 9,5 @ 10, Qg, нКл = 0,7 @ 4,5 В, Rds = 4 Ом @ 400 мА, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,06 @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 220 мА, Ptot, Вт = 0,35, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 9,5 @ 10, Qg, нКл = 0,7 @ 4,5 В, Rds = 4 Ом @ 400 мА, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,06 @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 1.43 грн |








