Інші пропозиції FDV301N за ціною від 1.40 грн до 23.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDV301N | Виробник : ON-Semiconductor |
N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301nкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 833 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
FDV301N | Виробник : ON-Semiconductor |
N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301nкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
FDV301N | Виробник : ON-Semiconductor |
N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301nкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2540 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
FDV301N | Виробник : UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV301N Onsemi; FDV301N UMW TFDV301n UMWкількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 600 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
FDV301N | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V |
на замовлення 121400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
FDV301N | Виробник : ON-Semiconductor |
N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301nкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 193 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
FDV301N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 840000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
FDV301N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 956059 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
FDV301N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 954000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
FDV301N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 840000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
FDV301N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 255000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
FDV301N | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 210000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
FDV301N | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.06V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 84243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
FDV301N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
FDV301N | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 9Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 60057 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
FDV301N | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V |
на замовлення 121417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
FDV301N | Виробник : onsemi |
MOSFETs N-Ch Digital |
на замовлення 585760 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
FDV301N | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.06V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 84243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
FDV301N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 20522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
FDV301N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| FDV301N | Виробник : Fairchild/ON Semiconductor |
N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 220 мА, Ptot, Вт = 0,35, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 9,5 @ 10, Qg, нКл = 0,7 @ 4,5 В, Rds = 4 Ом @ 400 мА, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,06 @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Окількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 1040 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| FDV301N |
|
на замовлення 55000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||||
|
FDV301N | Виробник : ONS/FAI |
SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |







