Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDV301N
FDV301N

FDV301N ON Semiconductor

1836027593928217fdv301n.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 217000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDV301N ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 3.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 220mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDV301N за ціною від 1.84 грн до 20.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDV301N FDV301N Виробник : ON Semiconductor 1836027593928217fdv301n.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
148+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 148
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N Виробник : ON Semiconductor fdv301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2277000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.71 грн
6000+2.47 грн
9000+2.07 грн
24000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N Виробник : ON Semiconductor fdv301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8696+3.51 грн
10000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 8696
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N Виробник : ON Semiconductor fdv301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 22581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8696+3.51 грн
10000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 8696
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N Виробник : ON Semiconductor fdv301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3433+3.55 грн
6000+3.35 грн
12000+3.25 грн
27000+3.05 грн
51000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 3433
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N Виробник : ONSEMI 2304439.pdf Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 3.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 204000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.62 грн
9000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N Виробник : ON Semiconductor fdv301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2205000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3268+3.73 грн
6000+3.49 грн
9000+2.84 грн
24000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 3268
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N Виробник : ONSEMI 2304439.pdf Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.06V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 24009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.10 грн
1500+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N Виробник : EVVO FDV301N.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.30 грн
29+10.65 грн
100+6.61 грн
500+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N Виробник : onsemi / Fairchild fdv301n-d.pdf FDV301N.pdf 346e56ed6b5778337b0fa9eed86aaa07.pdf MOSFETs N-Ch Digital
на замовлення 9560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+19.57 грн
41+8.29 грн
100+4.71 грн
500+4.34 грн
1000+4.12 грн
3000+3.24 грн
6000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N Виробник : ONSEMI 2304439.pdf Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.06V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 24009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
41+20.55 грн
78+10.65 грн
133+6.23 грн
500+5.10 грн
1500+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N Виробник : UMW fdv301n-d.pdf FDV301N.pdf 346e56ed6b5778337b0fa9eed86aaa07.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV301N Onsemi; FDV301N UMW TFDV301n UMW
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N Виробник : ON-Semicoductor fdv301n-d.pdf FDV301N.pdf 346e56ed6b5778337b0fa9eed86aaa07.pdf N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 833 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N Виробник : ON-Semicoductor fdv301n-d.pdf FDV301N.pdf 346e56ed6b5778337b0fa9eed86aaa07.pdf N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 9540 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N Виробник : ON-Semicoductor fdv301n-d.pdf FDV301N.pdf 346e56ed6b5778337b0fa9eed86aaa07.pdf N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N Виробник : ON-Semicoductor fdv301n-d.pdf FDV301N.pdf 346e56ed6b5778337b0fa9eed86aaa07.pdf N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 193 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N Виробник : Fairchild/ON Semiconductor fdv301n-d.pdf FDV301N.pdf 346e56ed6b5778337b0fa9eed86aaa07.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 25; Id = 220 мА; Ptot, Вт = 0,35; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 9,5 @ 10; Qg, нКл = 0,7 @ 4,5 В; Rds = 4 Ом @ 400 мА, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1,06 @ 250 мкА; SOT-23-3
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N fdv301n-d.pdf FDV301N.pdf 346e56ed6b5778337b0fa9eed86aaa07.pdf
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N
Код товару: 115435
Додати до обраних Обраний товар

fdv301n-d.pdf FDV301N.pdf 346e56ed6b5778337b0fa9eed86aaa07.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N Виробник : UMW 346e56ed6b5778337b0fa9eed86aaa07.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N Виробник : UMW 346e56ed6b5778337b0fa9eed86aaa07.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0893DB4B55F1A303005056AB0C4F&compId=FDV301N.pdf?ci_sign=90bbeb0cb17ed9600b2d86a0dc13bb46d18c3438 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N Виробник : EVVO FDV301N.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N Виробник : onsemi fdv301n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N Виробник : onsemi fdv301n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N Виробник : ON Semiconductor fdv301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0893DB4B55F1A303005056AB0C4F&compId=FDV301N.pdf?ci_sign=90bbeb0cb17ed9600b2d86a0dc13bb46d18c3438 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.