FDV302P Fairchild
на замовлення 260 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 6.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDV302P Fairchild
Description: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Vgs (Max): -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 10 V.
Інші пропозиції FDV302P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| FDV302P | Виробник : On Semiconductor/Fairchild |
 SOT23-3 |
на замовлення 5 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||
 |
FDV302P Код товару: 105837 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
||
 |
FDV302P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 25V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
FDV302P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 25V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|
 |
FDV302P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 10 V |
товар відсутній |
|
|
|
FDV302P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 10 V |
товар відсутній |
|
 |
FDV302P | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET Digital FET P-Ch |
товар відсутній |