Продукція > FAIRCHILD > FDV302P

FDV302P Fairchild

ONSM-S-A0003587552-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild
P-MOSFET 0.12A 25V 0.35W 10Ω FDV302P TFDV302p
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 260 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDV302P Fairchild

Description: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Vgs (Max): -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 10 V.

Інші пропозиції FDV302P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDV302P Виробник : On Semiconductor/Fairchild ONSM-S-A0003587552-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw SOT23-3
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDV302P FDV302P
Код товару: 105837
Додати до обраних Обраний товар

ONSM-S-A0003587552-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDV302P FDV302P Виробник : ON Semiconductor fdv302p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 25V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDV302P FDV302P Виробник : ON Semiconductor fdv302p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 25V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDV302P FDV302P Виробник : onsemi ONSM-S-A0003587552-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDV302P FDV302P Виробник : onsemi ONSM-S-A0003587552-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDV302P FDV302P Виробник : onsemi / Fairchild FDV302P_D-2313257.pdf MOSFETs Digital FET P-Ch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.