Інші пропозиції FDV304P за ціною від 2.43 грн до 39.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDV304P | Виробник : UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 120mOhm; 4.2A; 1.4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV304P Onsemi; FDV304P UMW TFDV304p UMWкількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDV304P | Виробник : ON-Semiconductor |
P-MOSFET 0.46A 25V 0.35W 1.1Ω FDV304P TFDV304pкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDV304P | Виробник : ON-Semiconductor |
P-MOSFET 0.46A 25V 0.35W 1.1Ω FDV304P TFDV304pкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 105 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDV304P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 25V 460MA SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63 pF @ 10 V |
на замовлення 34900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDV304P | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -0.46A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -25V Drain current: -0.46A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 6307 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDV304P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDV304P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 162000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDV304P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 171000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDV304P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 162000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDV304P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 171000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDV304P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDV304P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 22767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDV304P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDV304P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDV304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 460 mA, 1.1 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 460mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 860mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2.7V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 132797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDV304P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDV304P | Виробник : onsemi |
MOSFETs P-Ch Digital |
на замовлення 165193 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDV304P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 17344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDV304P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDV304P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 25V 460MA SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63 pF @ 10 V |
на замовлення 35384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDV304P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDV304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 460 mA, 1.1 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 460mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 860mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2.7V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 132797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDV304P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDV304P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| FDV304P | Виробник : Fairchild/ON Semiconductor |
P-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 460 мА, Ptot, Вт = 0,35, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 63 @ 10 В, Qg, нКл = 1,5 @ 4,5 В, Rds = 1,1 Ом @ 500 мA, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
| FDV304P | Виробник : ONS/FAI |
MOSFET P-CH 25V 460MA SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |





