
на замовлення 29630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
150+ | 2.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDV304P ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDV304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 460 mA, 1.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 460mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 860mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDV304P за ціною від 1.84 грн до 36.06 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDV304P | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1887000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDV304P | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1284000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDV304P | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1284000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDV304P | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63 pF @ 10 V |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDV304P | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 460mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 860mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDV304P | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDV304P | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 22892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDV304P | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 11319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDV304P | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 14233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDV304P | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 460mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 860mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2.7V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.22ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 160517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDV304P | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDV304P | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 74 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDV304P | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -0.46A; 0.35W; SOT23 Power dissipation: 0.35W Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Mounting: SMD Drain-source voltage: -25V Drain current: -460mA On-state resistance: 2Ω Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 1.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V |
на замовлення 3090 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDV304P | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63 pF @ 10 V |
на замовлення 15693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
FDV304P Код товару: 150596
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||
![]() |
FDV304P | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 391701 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDV304P | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -0.46A; 0.35W; SOT23 Power dissipation: 0.35W Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Mounting: SMD Drain-source voltage: -25V Drain current: -460mA On-state resistance: 2Ω Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 1.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3090 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDV304P | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 460mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 860mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2.7V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.22ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 160517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDV304P | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
FDV304P | Виробник : UMW |
![]() кількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
FDV304P | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
FDV304P | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 970 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
FDV304P | Виробник : Fairchild/ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
![]() |
FDV304P | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |