Інші пропозиції FDV304P за ціною від 1.74 грн до 38.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDV304P | ON-Semiconductor |
P-MOSFET 0.46A 25V 0.35W 1.1Ω FDV304P TFDV304pкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDV304P | ON-Semiconductor |
P-MOSFET 0.46A 25V 0.35W 1.1Ω FDV304P TFDV304pкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDV304P | ON-Semiconductor |
P-MOSFET 0.46A 25V 0.35W 1.1Ω FDV304P TFDV304pкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 95 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDV304P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDV304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 460 mA, 1.1 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 460mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 860mV Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 2.7V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm |
на замовлення 118177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
FDV304P | YFW |
Transistor P-Channel MOSFET; 25V; 8V; 2Ohm; 460mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; FDV 304 P; YFW2307A TFDV304p cкількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDV304P | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 25V 460MA SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63 pF @ 10 V |
на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDV304P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDV304P | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -0.46A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -25V Drain current: -0.46A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 3741 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDV304P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1308000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDV304P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1308000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDV304P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 11892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDV304P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 22767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDV304P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDV304P | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 25V 460MA SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63 pF @ 10 V |
на замовлення 84055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDV304P | onsemi |
MOSFETs P-Ch Digital |
на замовлення 202145 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDV304P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDV304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 460 mA, 1.1 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 460mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 860mV Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 2.7V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm |
на замовлення 118177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FDV304P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDV304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 460 mA, 1.1 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 460mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 860mV Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDV304P |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
P-MOSFET 0.46A 25V 0.35W 1.1Ω FDV304P TFDV304p
кількість в упаковці: 100 шт
P-MOSFET 0.46A 25V 0.35W 1.1Ω FDV304P TFDV304p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 300+ | 2.76 грн |
| FDV304P |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
P-MOSFET 0.46A 25V 0.35W 1.1Ω FDV304P TFDV304p
кількість в упаковці: 100 шт
P-MOSFET 0.46A 25V 0.35W 1.1Ω FDV304P TFDV304p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 300+ | 2.76 грн |
| FDV304P |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
P-MOSFET 0.46A 25V 0.35W 1.1Ω FDV304P TFDV304p
кількість в упаковці: 100 шт
P-MOSFET 0.46A 25V 0.35W 1.1Ω FDV304P TFDV304p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 6.09 грн |
| FDV304P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 460 mA, 1.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 860mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.7V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
Description: ONSEMI - FDV304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 460 mA, 1.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 860mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.7V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
на замовлення 118177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDV304P |
![]() |
Виробник: YFW
Transistor P-Channel MOSFET; 25V; 8V; 2Ohm; 460mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; FDV 304 P; YFW2307A TFDV304p c
кількість в упаковці: 250 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 25V; 8V; 2Ohm; 460mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; FDV 304 P; YFW2307A TFDV304p c
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 2.70 грн |
| FDV304P |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 25V 460MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 25V 460MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63 pF @ 10 V
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.72 грн |
| 6000+ | 6.75 грн |
| FDV304P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.49 грн |
| 6000+ | 7.92 грн |
| 9000+ | 7.73 грн |
| FDV304P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -0.46A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -0.46A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -0.46A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -0.46A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 3741 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 52+ | 8.68 грн |
| 62+ | 6.74 грн |
| 81+ | 5.12 грн |
| 100+ | 4.50 грн |
| 500+ | 3.47 грн |
| 513+ | 1.84 грн |
| 1409+ | 1.74 грн |
| FDV304P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1308000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.03 грн |
| FDV304P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1308000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.07 грн |
| FDV304P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3686+ | 9.68 грн |
| 10000+ | 8.64 грн |
| FDV304P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 22767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3686+ | 9.68 грн |
| 10000+ | 8.64 грн |
| FDV304P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 33.64 грн |
| FDV304P |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 25V 460MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 25V 460MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63 pF @ 10 V
на замовлення 84055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 35.56 грн |
| 15+ | 20.69 грн |
| 50+ | 15.02 грн |
| 100+ | 12.34 грн |
| 500+ | 9.25 грн |
| FDV304P |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs P-Ch Digital
MOSFETs P-Ch Digital
на замовлення 202145 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 38.22 грн |
| 18+ | 16.69 грн |
| 100+ | 12.75 грн |
| 500+ | 9.53 грн |
| 1000+ | 9.38 грн |
| 3000+ | 6.16 грн |
| FDV304P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 460 mA, 1.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 860mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.7V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
Description: ONSEMI - FDV304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 460 mA, 1.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 860mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.7V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
на замовлення 118177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDV304P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 460 mA, 1.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 860mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
Description: ONSEMI - FDV304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 460 mA, 1.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 860mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)








