Технічний опис FGA25N120ANTDTU ONN
Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO-3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 350 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-3P, IGBT Type: NPT and Trench, Td (on/off) @ 25°C: 50ns/190ns, Switching Energy: 4.1mJ (on), 960µJ (off), Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 200 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 312 W.
Інші пропозиції FGA25N120ANTDTU
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FGA25N120ANTDTU | onsemi |
 Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO-3PPackaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 350 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-3P IGBT Type: NPT and Trench Td (on/off) @ 25°C: 50ns/190ns Switching Energy: 4.1mJ (on), 960µJ (off) Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 200 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 312 W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| FGA25N120ANTDTU | ONS/FAI |
IGBT 1200V 50A TO-3P Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
FGA25N120ANTDTU | onsemi |
IGBTs Copak Discrete |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
FGA25N120ANTDTU | onsemi / Fairchild |
IGBTs Copak Discrete |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
FGA25N120ANTDTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGA25N120ANTDTU - IGBT, 25 A, 2.5 V, 312 W, 1.2 kV, TO-3P, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5 DC-Kollektorstrom: 25 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-3P Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Verlustleistung Pd: 312 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
FGA25N120ANTDTU | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 312W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
FGA25N120ANTDTU | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 312W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. |
| FGA25N120ANTDTU |
|
Виробник: onsemi
Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 350 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: NPT and Trench
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/190ns
Switching Energy: 4.1mJ (on), 960µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 312 W
Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 350 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: NPT and Trench
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/190ns
Switching Energy: 4.1mJ (on), 960µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 312 W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FGA25N120ANTDTU |
|
Виробник: ONS/FAI
IGBT 1200V 50A TO-3P Транзистори
IGBT 1200V 50A TO-3P Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FGA25N120ANTDTU |
|
Виробник: onsemi
IGBTs Copak Discrete
IGBTs Copak Discrete
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FGA25N120ANTDTU |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBTs Copak Discrete
IGBTs Copak Discrete
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FGA25N120ANTDTU |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGA25N120ANTDTU - IGBT, 25 A, 2.5 V, 312 W, 1.2 kV, TO-3P, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5
DC-Kollektorstrom: 25
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-3P
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 312
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FGA25N120ANTDTU - IGBT, 25 A, 2.5 V, 312 W, 1.2 kV, TO-3P, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5
DC-Kollektorstrom: 25
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-3P
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 312
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FGA25N120ANTDTU |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 312W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 312W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FGA25N120ANTDTU |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 312W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 312W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику
од. на суму грн.