FGA25N120ANTDTU ON Semiconductor
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGA25N120ANTDTU ON Semiconductor
Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO-3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 350 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-3P, IGBT Type: NPT and Trench, Td (on/off) @ 25°C: 50ns/190ns, Switching Energy: 4.1mJ (on), 960µJ (off), Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 200 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 312 W.
Інші пропозиції FGA25N120ANTDTU
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FGA25N120ANTDTU | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 312W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail |
товару немає в наявності |
|
|
|
FGA25N120ANTDTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 312W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail |
товару немає в наявності |
|
 |
FGA25N120ANTDTU | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGA25N120ANTDTU - IGBT, 25 A, 2.5 V, 312 W, 1.2 kV, TO-3P, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5 DC-Kollektorstrom: 25 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-3P Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Verlustleistung Pd: 312 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
|
 |
FGA25N120ANTDTU | Виробник : onsemi |
Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO-3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 350 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-3P IGBT Type: NPT and Trench Td (on/off) @ 25°C: 50ns/190ns Switching Energy: 4.1mJ (on), 960µJ (off) Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 200 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 312 W |
товару немає в наявності |
|
 |
FGA25N120ANTDTU | Виробник : onsemi / Fairchild |
IGBT Transistors Copak Discrete |
товару немає в наявності |