Продукція > ONSEMI > FGA30T65SHD
FGA30T65SHD

FGA30T65SHD ONSEMI

ONSM-S-A0003590852-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGA30T65SHD - IGBT, FS-Trench, 60 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+302.32 грн
10+242.20 грн
100+195.62 грн
500+161.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGA30T65SHD ONSEMI

Description: IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-3PN, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 14.4ns/52.8ns, Switching Energy: 598µJ (on), 167µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 54.7 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 238 W.

Інші пропозиції FGA30T65SHD за ціною від 221.94 грн до 382.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FGA30T65SHD FGA30T65SHD Виробник : onsemi / Fairchild FGA30T65SHD_D-1808930.pdf IGBT Transistors FS3TIGBT TO3PN 30A 650V
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+382.23 грн
10+344.65 грн
100+261.19 грн
450+221.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGA30T65SHD Виробник : ON Semiconductor FAIR-S-A0002366421-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 14320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA30T65SHD Виробник : ON Semiconductor 3653625287552013fga30t65shd.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 238000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA30T65SHD FGA30T65SHD Виробник : onsemi FAIR-S-A0002366421-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14.4ns/52.8ns
Switching Energy: 598µJ (on), 167µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 54.7 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 238 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.