Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FGA60N65SMD
FGA60N65SMD

FGA60N65SMD ON Semiconductor

fga60n65smd-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
73+179.10 грн
120+171.40 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGA60N65SMD ON Semiconductor

Description: IGBT FIELD STOP 650V 120A TO-3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 47 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-3P, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns, Switching Energy: 1.54mJ (on), 450µJ (off), Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V, Gate Charge: 189 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A, Power - Max: 600 W.

Інші пропозиції FGA60N65SMD за ціною від 158.07 грн до 553.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FGA60N65SMD FGA60N65SMD Виробник : ON Semiconductor fga60n65smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+191.89 грн
120+183.65 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD FGA60N65SMD Виробник : ON Semiconductor fga60n65smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
44+295.27 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD FGA60N65SMD Виробник : ONSEMI FGA60N65SMD-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+323.96 грн
3+280.82 грн
10+244.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD FGA60N65SMD Виробник : ONSEMI FGA60N65SMD-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 483 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+388.75 грн
3+349.94 грн
10+293.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD FGA60N65SMD Виробник : onsemi fga60n65smd-d.pdf IGBTs 650V, 60A Field Stop IGBT
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+409.48 грн
10+256.35 грн
100+185.53 грн
450+178.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD FGA60N65SMD Виробник : onsemi fga60n65smd-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 650V 120A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns
Switching Energy: 1.54mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 189 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 2120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+436.13 грн
30+239.86 грн
120+200.24 грн
510+160.66 грн
1020+158.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD FGA60N65SMD Виробник : ON Semiconductor fga60n65smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 3753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+486.86 грн
42+309.68 грн
120+264.60 грн
510+231.45 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD FGA60N65SMD Виробник : ON Semiconductor fga60n65smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 3753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+520.53 грн
10+331.10 грн
120+282.90 грн
510+247.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD FGA60N65SMD Виробник : ON Semiconductor fga60n65smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+553.19 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD Виробник : ON-Semiconductor fga60n65smd-d.pdf IGBT 650V 120A 600W   FGA60N65SMD TFGA60N65smd
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 78 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+255.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD Виробник : ONSEMI 2572491.pdf Description: ONSEMI - FGA60N65SMD - IGBT, 650V, 120A, TO-3PN
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+507.20 грн
10+289.94 грн
100+265.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD FGA60N65SMD
Код товару: 60090
Додати до обраних Обраний товар

fga60n65smd-d.pdf Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.