Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FGA60N65SMD
FGA60N65SMD

FGA60N65SMD ON Semiconductor

fga60n65smd-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
65+192.80 грн
120+180.39 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGA60N65SMD ON Semiconductor

Description: IGBT FIELD STOP 650V 120A TO-3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 47 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-3P, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns, Switching Energy: 1.54mJ (on), 450µJ (off), Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V, Gate Charge: 189 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A, Power - Max: 600 W.

Інші пропозиції FGA60N65SMD за ціною від 171.52 грн до 545.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FGA60N65SMD FGA60N65SMD Виробник : ON Semiconductor fga60n65smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+206.57 грн
120+193.28 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD FGA60N65SMD Виробник : ONSEMI FGA60N65SMD-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Case: TO3PN
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 284nC
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+398.79 грн
3+351.75 грн
10+305.76 грн
30+245.26 грн
120+237.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD FGA60N65SMD Виробник : ON Semiconductor fga60n65smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 3753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+466.42 грн
42+296.76 грн
120+253.62 грн
510+221.51 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD FGA60N65SMD Виробник : onsemi fga60n65smd-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 650V 120A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns
Switching Energy: 1.54mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 189 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 2276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+473.35 грн
30+260.26 грн
120+217.27 грн
510+174.33 грн
1020+171.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD FGA60N65SMD Виробник : ONSEMI FGA60N65SMD-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Case: TO3PN
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 284nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 173 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+478.55 грн
3+438.33 грн
10+366.92 грн
30+294.31 грн
120+284.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD FGA60N65SMD Виробник : ON Semiconductor fga60n65smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 3753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+501.09 грн
10+318.82 грн
120+272.47 грн
510+237.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD FGA60N65SMD Виробник : onsemi FGA60N65SMD-D.PDF IGBTs 650V, 60A Field Stop IGBT
на замовлення 1122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+507.81 грн
10+286.80 грн
120+206.79 грн
510+199.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD FGA60N65SMD Виробник : ON Semiconductor fga60n65smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+529.36 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD FGA60N65SMD Виробник : ONSEMI 2572491.pdf Description: ONSEMI - FGA60N65SMD - IGBT, 120 A, 1.9 V, 600 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+545.62 грн
10+311.91 грн
100+285.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD Виробник : ON-Semicoductor fga60n65smd-d.pdf IGBT 650V 120A 600W   FGA60N65SMD TFGA60N65smd
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+241.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD FGA60N65SMD
Код товару: 60090
Додати до обраних Обраний товар

fga60n65smd-d.pdf Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD FGA60N65SMD Виробник : ON Semiconductor 3674503025821091fga60n65smd.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.