Продукція > Транзистори > IGBT > FGA60N65SMD

FGA60N65SMD

fga60n65smd-d.pdf
Код товару: 60090
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FGA60N65SMD за ціною від 188.51 грн до 545.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FGA60N65SMD FGA60N65SMD ON-Semiconductor info-tfga60n65smd.pdf IGBT 650V 120A 600W   FGA60N65SMD TFGA60N65smd
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 68 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+254.20 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD FGA60N65SMD ON Semiconductor fga60n65smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+308.11 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD FGA60N65SMD ON Semiconductor fga60n65smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 2963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+374.98 грн
48+295.69 грн
100+265.29 грн
120+250.52 грн
450+231.11 грн
510+214.77 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD FGA60N65SMD ON Semiconductor fga60n65smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 2963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+376.02 грн
10+296.61 грн
100+266.02 грн
120+251.25 грн
450+231.77 грн
510+215.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD FGA60N65SMD ON Semiconductor fga60n65smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+389.60 грн
120+359.71 грн
270+346.44 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD FGA60N65SMD ONSEMI FGA60N65SMD-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+392.90 грн
3+331.37 грн
10+281.16 грн
30+246.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD FGA60N65SMD onsemi fga60n65smd-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 650V 120A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns
Switching Energy: 1.54mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 189 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+501.31 грн
30+278.20 грн
120+233.24 грн
510+188.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD FGA60N65SMD ON Semiconductor fga60n65smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+545.38 грн
10+349.22 грн
100+292.21 грн
120+272.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD FGA60N65SMD ON Semiconductor fga60n65smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+545.38 грн
41+349.22 грн
100+292.21 грн
120+272.70 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD FGA60N65SMD ONSEMI 2572491.pdf Description: ONSEMI - FGA60N65SMD - IGBT, 120 A, 1.9 V, 600 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: -
Verlustleistung: 600W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3PN
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD FGA60N65SMD onsemi fga60n65smd-d.pdf IGBTs 650V, 60A Field Stop IGBT
на замовлення 1102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD info-tfga60n65smd.pdf
FGA60N65SMD
Виробник: ON-Semiconductor
IGBT 650V 120A 600W   FGA60N65SMD TFGA60N65smd
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 68 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+254.20 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD fga60n65smd-d.pdf
FGA60N65SMD
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
115+308.11 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD fga60n65smd-d.pdf
FGA60N65SMD
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 2963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
38+374.98 грн
48+295.69 грн
100+265.29 грн
120+250.52 грн
450+231.11 грн
510+214.77 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD fga60n65smd-d.pdf
FGA60N65SMD
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 2963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+376.02 грн
10+296.61 грн
100+266.02 грн
120+251.25 грн
450+231.77 грн
510+215.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD fga60n65smd-d.pdf
FGA60N65SMD
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+389.60 грн
120+359.71 грн
270+346.44 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD FGA60N65SMD-DTE.pdf
FGA60N65SMD
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+392.90 грн
3+331.37 грн
10+281.16 грн
30+246.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD fga60n65smd-d.pdf
FGA60N65SMD
Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 650V 120A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns
Switching Energy: 1.54mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 189 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+501.31 грн
30+278.20 грн
120+233.24 грн
510+188.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD fga60n65smd-d.pdf
FGA60N65SMD
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+545.38 грн
10+349.22 грн
100+292.21 грн
120+272.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD fga60n65smd-d.pdf
FGA60N65SMD
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
26+545.38 грн
41+349.22 грн
100+292.21 грн
120+272.70 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD 2572491.pdf
FGA60N65SMD
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGA60N65SMD - IGBT, 120 A, 1.9 V, 600 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: -
Verlustleistung: 600W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3PN
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD fga60n65smd-d.pdf
FGA60N65SMD
Виробник: onsemi
IGBTs 650V, 60A Field Stop IGBT
на замовлення 1102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.