FGA60N65SMD ON Semiconductor
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 191.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGA60N65SMD ON Semiconductor
Description: IGBT FIELD STOP 650V 120A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 47 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-3P, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns, Switching Energy: 1.54mJ (on), 450µJ (off), Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V, Gate Charge: 189 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A, Power - Max: 600 W.
Інші пропозиції FGA60N65SMD за ціною від 203.11 грн до 467.2 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FGA60N65SMD | Виробник : onsemi / Fairchild |
 IGBT Transistors 650V, 60A Field Stop IGBT |
на замовлення 1723 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FGA60N65SMD | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 2433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FGA60N65SMD | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 2433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FGA60N65SMD | Виробник : ON-Semicoductor |
IGBT 650V 120A 600W FGA60N65SMD TFGA60N65smd кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 43 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
FGA60N65SMD Код товару: 60090 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
|
|
FGA60N65SMD | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FGA60N65SMD | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 300W Case: TO3PN Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 180A Mounting: THT Gate charge: 284nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FGA60N65SMD | Виробник : onsemi |
Description: IGBT FIELD STOP 650V 120A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 47 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A Supplier Device Package: TO-3P IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns Switching Energy: 1.54mJ (on), 450µJ (off) Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 189 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A Power - Max: 600 W |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FGA60N65SMD | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 300W Case: TO3PN Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 180A Mounting: THT Gate charge: 284nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товар відсутній |