Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FGA60N65SMD за ціною від 157.25 грн до 526.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FGA60N65SMD | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FGA60N65SMD | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FGA60N65SMD | Виробник : ON-Semiconductor |
IGBT 650V 120A 600W FGA60N65SMD TFGA60N65smd кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 68 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FGA60N65SMD | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FGA60N65SMD | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FGA60N65SMD | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 2963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FGA60N65SMD | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 2963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FGA60N65SMD | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 300W Case: TO3PN Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 180A Mounting: THT Gate charge: 284nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 267 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FGA60N65SMD | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGA60N65SMD - IGBT, 120 A, 1.9 V, 600 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 600W Bauform - Transistor: TO-3PN Dauerkollektorstrom: 120A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FGA60N65SMD | Виробник : onsemi |
Description: IGBT FIELD STOP 650V 120A TO-3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 47 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A Supplier Device Package: TO-3P IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns Switching Energy: 1.54mJ (on), 450µJ (off) Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 189 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A Power - Max: 600 W |
на замовлення 2042 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FGA60N65SMD | Виробник : onsemi |
IGBTs 650V, 60A Field Stop IGBT |
на замовлення 1192 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FGA60N65SMD | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FGA60N65SMD | Виробник : ONS/FAI |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A TO-3P Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |