Продукція > Транзистори > IGBT > FGA60N65SMD
FGA60N65SMD

FGA60N65SMD

fga60n65smd-d.pdf
Код товару: 60090
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FGA60N65SMD за ціною від 158.25 грн до 534.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FGA60N65SMD FGA60N65SMD ON-Semiconductor info-tfga60n65smd.pdf IGBT 650V 120A 600W   FGA60N65SMD TFGA60N65smd
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 68 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+260.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD FGA60N65SMD ON Semiconductor fga60n65smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+309.49 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD FGA60N65SMD ON Semiconductor fga60n65smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+345.90 грн
120+288.76 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD FGA60N65SMD ON Semiconductor fga60n65smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 2963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+381.17 грн
48+299.73 грн
100+268.83 грн
120+253.83 грн
450+234.24 грн
510+212.25 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD FGA60N65SMD ON Semiconductor fga60n65smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 2963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+382.10 грн
10+300.45 грн
100+269.50 грн
120+254.46 грн
450+234.82 грн
510+212.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD FGA60N65SMD ONSEMI FGA60N65SMD-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+394.66 грн
3+332.84 грн
10+282.41 грн
30+247.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD FGA60N65SMD ONSEMI 2572491.pdf Description: ONSEMI - FGA60N65SMD - IGBT, 120 A, 1.9 V, 600 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+413.84 грн
10+262.32 грн
100+240.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD FGA60N65SMD onsemi fga60n65smd-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 650V 120A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns
Switching Energy: 1.54mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 189 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 2042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+436.77 грн
30+240.13 грн
120+200.47 грн
510+160.85 грн
1020+158.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD FGA60N65SMD onsemi fga60n65smd-d.pdf IGBTs 650V, 60A Field Stop IGBT
на замовлення 1154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+503.46 грн
10+291.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD FGA60N65SMD ON Semiconductor fga60n65smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+534.30 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD info-tfga60n65smd.pdf
FGA60N65SMD
Виробник: ON-Semiconductor
IGBT 650V 120A 600W   FGA60N65SMD TFGA60N65smd
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 68 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+260.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD fga60n65smd-d.pdf
FGA60N65SMD
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
115+309.49 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD fga60n65smd-d.pdf
FGA60N65SMD
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
41+345.90 грн
120+288.76 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD fga60n65smd-d.pdf
FGA60N65SMD
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 2963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
38+381.17 грн
48+299.73 грн
100+268.83 грн
120+253.83 грн
450+234.24 грн
510+212.25 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD fga60n65smd-d.pdf
FGA60N65SMD
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 2963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+382.10 грн
10+300.45 грн
100+269.50 грн
120+254.46 грн
450+234.82 грн
510+212.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD FGA60N65SMD-DTE.pdf
FGA60N65SMD
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+394.66 грн
3+332.84 грн
10+282.41 грн
30+247.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD 2572491.pdf
FGA60N65SMD
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGA60N65SMD - IGBT, 120 A, 1.9 V, 600 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+413.84 грн
10+262.32 грн
100+240.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD fga60n65smd-d.pdf
FGA60N65SMD
Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 650V 120A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns
Switching Energy: 1.54mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 189 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 2042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+436.77 грн
30+240.13 грн
120+200.47 грн
510+160.85 грн
1020+158.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD fga60n65smd-d.pdf
FGA60N65SMD
Виробник: onsemi
IGBTs 650V, 60A Field Stop IGBT
на замовлення 1154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+503.46 грн
10+291.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD fga60n65smd-d.pdf
FGA60N65SMD
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
27+534.30 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.