Технічний опис FGAF40N60SMD ON Semiconductor
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO-3PF, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 36 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-3PF, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns, Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 119 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 115 W.
Інші пропозиції FGAF40N60SMD за ціною від 174.48 грн до 401.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FGAF40N60SMD | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube |
на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
FGAF40N60SMD | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube |
на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
FGAF40N60SMD | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube |
на замовлення 330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FGAF40N60SMD | ON-Semiconductor |
IGBT 600V 80A 115W FGAF40N60SMD TFGAF40N60smdкількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||
|
FGAF40N60SMD | onsemi |
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO-3PFPackaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 36 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-3PF IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 119 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 115 W |
на замовлення 258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FGAF40N60SMD | onsemi |
IGBTs 600 V 80 A 79 W |
на замовлення 521 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| FGAF40N60SMD |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 360+ | 212.30 грн |
| FGAF40N60SMD |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 135+ | 262.83 грн |
| FGAF40N60SMD |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 296.95 грн |
| 30+ | 250.49 грн |
| 120+ | 239.53 грн |
| FGAF40N60SMD |
![]() |
на замовлення 18 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 305.42 грн |
| FGAF40N60SMD |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO-3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PF
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns
Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 115 W
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO-3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PF
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns
Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 115 W
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 385.90 грн |
| 30+ | 209.96 грн |
| 120+ | 174.48 грн |
| FGAF40N60SMD |
![]() |
Виробник: onsemi
IGBTs 600 V 80 A 79 W
IGBTs 600 V 80 A 79 W
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 401.80 грн |
| 10+ | 224.17 грн |




