на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 402.48 грн |
| 10+ | 259.90 грн |
| 100+ | 182.87 грн |
| 360+ | 164.51 грн |
| 1080+ | 159.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGAF40N60SMD onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO-3PF, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 36 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-3PF, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns, Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 119 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 115 W.
Інші пропозиції FGAF40N60SMD за ціною від 192.56 грн до 425.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FGAF40N60SMD | Виробник : onsemi |
 Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO-3PFPackaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 36 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-3PF IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 119 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 115 W |
на замовлення 269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FGAF40N60SMD | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 115000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube |
на замовлення 330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
| FGAF40N60SMD | Виробник : ON-Semiconductor |
IGBT 600V 80A 115W FGAF40N60SMD TFGAF40N60smd кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 22 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| FGAF40N60SMD | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 58W; TO3PF Type of transistor: IGBT Power dissipation: 58W Case: TO3PF Mounting: THT Gate charge: 119nC Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A |
товару немає в наявності |