FGAF40N60SMD onsemi
Виробник: onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO-3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PF
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns
Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 115 W
на замовлення 193976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 401.12 грн |
| 30+ | 218.28 грн |
| 120+ | 181.39 грн |
| 510+ | 144.85 грн |
| 1020+ | 139.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGAF40N60SMD onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO-3PF, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 36 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-3PF, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns, Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 119 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 115 W.
Інші пропозиції FGAF40N60SMD за ціною від 160.37 грн до 428.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FGAF40N60SMD | Виробник : onsemi / Fairchild |
IGBTs 600 V 80 A 79 W |
на замовлення 274 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FGAF40N60SMD | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 115000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube |
на замовлення 330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| FGAF40N60SMD | Виробник : ON-Semicoductor |
IGBT 600V 80A 115W FGAF40N60SMD TFGAF40N60smd кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 22 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| FGAF40N60SMD | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 58W; TO3PF Type of transistor: IGBT Power dissipation: 58W Case: TO3PF Mounting: THT Gate charge: 119nC Kind of package: tube Collector current: 40A Pulsed collector current: 120A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| FGAF40N60SMD | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 58W; TO3PF Type of transistor: IGBT Power dissipation: 58W Case: TO3PF Mounting: THT Gate charge: 119nC Kind of package: tube Collector current: 40A Pulsed collector current: 120A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V |
товару немає в наявності |