FGAF40N60SMD ON-Semiconductor
на замовлення 18 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 299.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGAF40N60SMD ON-Semiconductor
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO-3PF, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 36 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-3PF, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns, Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 119 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 115 W.
Інші пропозиції FGAF40N60SMD за ціною від 139.76 грн до 393.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FGAF40N60SMD | Виробник : onsemi |
 IGBTs 600 V 80 A 79 W |
на замовлення 521 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FGAF40N60SMD | Виробник : onsemi |
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO-3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 36 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-3PF IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 119 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 115 W |
на замовлення 264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| FGAF40N60SMD | Виробник : ONS/FAI |
IGBT 600V 80A 79W TO-3PF Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| FGAF40N60SMD | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 58W; TO3PF Type of transistor: IGBT Power dissipation: 58W Case: TO3PF Mounting: THT Gate charge: 119nC Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A |
товару немає в наявності |