FGH40N60SFDTU ON Semiconductor
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 72+ | 180.18 грн |
| 120+ | 173.10 грн |
| 270+ | 170.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGH40N60SFDTU ON Semiconductor
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 45 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns, Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 290 W.
Інші пропозиції FGH40N60SFDTU за ціною від 120.79 грн до 463.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FGH40N60SFDTU | Виробник : ONSEMI |
 Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 116W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 85 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FGH40N60SFDTU | Виробник : onsemi |
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 45 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 290 W |
на замовлення 729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FGH40N60SFDTU | Виробник : onsemi |
IGBTs 600V 40A Field Stop |
на замовлення 938 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FGH40N60SFDTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FGH40N60SFDTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| FGH40N60SFDTU | Виробник : ON-Semiconductor |
IGBT 600V 80A 290W FGH40N60SFDTU TFGH40N60sfdtu кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 32 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
 |
FGH40N60SFDTU Код товару: 49007
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Vces: 600 V Vce: 2,3 V Ic 25: 80 A Ic 100: 40 A Pd 25: 290 W td(on)/td(off) 100-150 град: 25/115 |
товару немає в наявності
|