FGH40N60SFDTU


fgh40n60sfdtu-f085-d.pdf
Код товару: 49007
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 2,3 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 80 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 40 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 290 Вт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FGH40N60SFDTU за ціною від 122.65 грн до 477.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU ON-Semiconductor info-tfgh40n60sfdtu.pdf IGBT 600V 80A 290W   FGH40N60SFDTU TFGH40N60sfdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+253.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU ON Semiconductor fgh40n60sfdtu-f085-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+313.23 грн
120+309.91 грн
270+307.70 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU ONSEMI FGH40N60SFD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 306 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+333.43 грн
3+276.14 грн
10+224.26 грн
30+187.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU onsemi fgh40n60sfdtu-f085-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns
Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+347.24 грн
30+186.84 грн
120+154.46 грн
510+122.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU ON Semiconductor fgh40n60sfdtu-f085-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+474.79 грн
63+226.32 грн
120+205.55 грн
510+171.78 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU ON Semiconductor fgh40n60sfdtu-f085-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+477.40 грн
10+227.56 грн
120+206.67 грн
510+172.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU onsemi fgh40n60sfdtu-f085-d.pdf IGBTs 600V 40A Field Stop
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFDTU info-tfgh40n60sfdtu.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
IGBT 600V 80A 290W   FGH40N60SFDTU TFGH40N60sfdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+253.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFDTU fgh40n60sfdtu-f085-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+313.23 грн
120+309.91 грн
270+307.70 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFD.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 306 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+333.43 грн
3+276.14 грн
10+224.26 грн
30+187.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFDTU fgh40n60sfdtu-f085-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns
Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+347.24 грн
30+186.84 грн
120+154.46 грн
510+122.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFDTU fgh40n60sfdtu-f085-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+474.79 грн
63+226.32 грн
120+205.55 грн
510+171.78 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFDTU fgh40n60sfdtu-f085-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+477.40 грн
10+227.56 грн
120+206.67 грн
510+172.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFDTU fgh40n60sfdtu-f085-d.pdf
Виробник: onsemi
IGBTs 600V 40A Field Stop
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.