Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FGH40N60SFDTU
FGH40N60SFDTU

FGH40N60SFDTU ON Semiconductor

fgh40n60sfdtu-f085-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+324.18 грн
10+255.04 грн
120+206.99 грн
510+177.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGH40N60SFDTU ON Semiconductor

Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 45 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns, Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 290 W.

Інші пропозиції FGH40N60SFDTU за ціною від 129.17 грн до 517.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU Виробник : ON Semiconductor fgh40n60sfdtu-f085-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+342.83 грн
120+305.91 грн
270+289.03 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU Виробник : ON Semiconductor fgh40n60sfdtu-f085-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+348.79 грн
45+274.40 грн
120+222.71 грн
510+191.26 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU Виробник : onsemi / Fairchild fgh40n60sfdtu-f085-d.pdf IGBTs 600V 40A Field Stop
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+394.06 грн
30+217.69 грн
120+155.89 грн
510+132.14 грн
2520+129.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCDA6C5122C259&compId=FGH40N60SFD.pdf?ci_sign=2c0d510a78f53d439b7ac465468ba47d6ff90201 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+431.37 грн
3+344.11 грн
4+238.94 грн
11+225.80 грн
150+223.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU Виробник : onsemi fgh40n60sfdtu-f085-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns
Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+450.49 грн
30+247.11 грн
120+206.10 грн
510+165.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCDA6C5122C259&compId=FGH40N60SFD.pdf?ci_sign=2c0d510a78f53d439b7ac465468ba47d6ff90201 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 355 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+517.64 грн
3+428.81 грн
4+286.73 грн
11+270.96 грн
150+268.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFDTU Виробник : ON-Semicoductor fgh40n60sfdtu-f085-d.pdf IGBT 600V 80A 290W   FGH40N60SFDTU TFGH40N60sfdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+224.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU
Код товару: 49007
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR fgh40n60sfdtu-f085-d.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,3 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/115
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU Виробник : ON Semiconductor fgh40n60sfdtu-f085-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU Виробник : ON Semiconductor fgh40n60sfdtu-f085-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.