FGH40N60SFDTU onsemi
Виробник: onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns
Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 356.16 грн |
| 30+ | 272.03 грн |
| 120+ | 233.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGH40N60SFDTU onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 45 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns, Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 290 W.
Інші пропозиції FGH40N60SFDTU за ціною від 161.67 грн до 386.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FGH40N60SFDTU | Виробник : onsemi / Fairchild |
IGBT Transistors 600V 40A Field Stop |
на замовлення 2250 шт: термін постачання 266-275 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FGH40N60SFDTU Код товару: 49007 |
Виробник : IR |
Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Vces: 600 V Vce: 2,3 V Ic 25: 80 A Ic 100: 40 A Pd 25: 290 W td(on)/td(off) 100-150 град: 25/115 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
 |
FGH40N60SFDTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FGH40N60SFDTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FGH40N60SFDTU | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 116W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FGH40N60SFDTU | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 116W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товар відсутній |