
FGH40N60SFDTU ON Semiconductor
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
52+ | 234.75 грн |
120+ | 215.71 грн |
270+ | 207.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGH40N60SFDTU ON Semiconductor
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 45 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns, Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 290 W.
Інші пропозиції FGH40N60SFDTU за ціною від 168.24 грн до 513.00 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FGH40N60SFDTU | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 116W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 77 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FGH40N60SFDTU | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FGH40N60SFDTU | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 45 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 290 W |
на замовлення 17728 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FGH40N60SFDTU | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 1378 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FGH40N60SFDTU | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FGH40N60SFDTU | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 116W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 77 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FGH40N60SFDTU | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 46 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
FGH40N60SFDTU Код товару: 49007
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
![]() Корпус: TO-247 Vces: 600 V Vce: 2,3 V Ic 25: 80 A Ic 100: 40 A Pd 25: 290 W td(on)/td(off) 100-150 град: 25/115 |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
![]() |
FGH40N60SFDTU | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
FGH40N60SFDTU | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |