Інші пропозиції FGH40N60SFDTU за ціною від 122.65 грн до 477.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FGH40N60SFDTU | ON-Semiconductor |
IGBT 600V 80A 290W FGH40N60SFDTU TFGH40N60sfdtuкількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 32 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FGH40N60SFDTU | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FGH40N60SFDTU | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 116W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Pulsed collector current: 120A Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 306 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
FGH40N60SFDTU | onsemi |
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 45 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 290 W |
на замовлення 611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FGH40N60SFDTU | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FGH40N60SFDTU | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FGH40N60SFDTU | onsemi |
IGBTs 600V 40A Field Stop |
на замовлення 847 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FGH40N60SFDTU |
![]() |
на замовлення 32 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 253.35 грн |
| FGH40N60SFDTU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 46+ | 313.23 грн |
| 120+ | 309.91 грн |
| 270+ | 307.70 грн |
| FGH40N60SFDTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 306 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 333.43 грн |
| 3+ | 276.14 грн |
| 10+ | 224.26 грн |
| 30+ | 187.44 грн |
| FGH40N60SFDTU |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns
Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns
Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 347.24 грн |
| 30+ | 186.84 грн |
| 120+ | 154.46 грн |
| 510+ | 122.65 грн |
| FGH40N60SFDTU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 474.79 грн |
| 63+ | 226.32 грн |
| 120+ | 205.55 грн |
| 510+ | 171.78 грн |
| FGH40N60SFDTU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 477.40 грн |
| 10+ | 227.56 грн |
| 120+ | 206.67 грн |
| 510+ | 172.72 грн |
| FGH40N60SFDTU |
![]() |
Виробник: onsemi
IGBTs 600V 40A Field Stop
IGBTs 600V 40A Field Stop
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)






