FGH40N60SMD FAIR/ON
Код товару: 63296
2
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: FAIR/ON
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 349 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 12/92
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 190.00 грн |
| 10+ | 175.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FGH40N60SMD за ціною від 163.29 грн до 555.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FGH40N60SMD | ON-Semiconductor |
IGBT 600V 80A 349W FGH40N60SMD TFGH40N60smdкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FGH40N60SMD | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 62037 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FGH40N60SMD | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 62037 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FGH40N60SMD | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 174W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 458 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
FGH40N60SMD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGH40N60SMD - IGBT, 80 A, 1.9 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 349W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AB Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 631 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FGH40N60SMD | onsemi |
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 36 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 119 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 349 W |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FGH40N60SMD | onsemi |
IGBTs 600V, 40A Field Stop IGBT |
на замовлення 6767 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
FGH40N60SMD | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FGH40N60SMD |
![]() |
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 163.29 грн |
| FGH40N60SMD |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 62037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 45+ | 319.06 грн |
| 58+ | 243.51 грн |
| 120+ | 218.75 грн |
| 510+ | 198.69 грн |
| FGH40N60SMD |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 62037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 319.87 грн |
| 10+ | 244.13 грн |
| 120+ | 219.31 грн |
| 510+ | 199.19 грн |
| FGH40N60SMD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 348.24 грн |
| 3+ | 275.12 грн |
| 10+ | 231.94 грн |
| 30+ | 203.16 грн |
| FGH40N60SMD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH40N60SMD - IGBT, 80 A, 1.9 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 349W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AB
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - FGH40N60SMD - IGBT, 80 A, 1.9 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 349W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AB
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 388.90 грн |
| 10+ | 223.99 грн |
| 100+ | 204.30 грн |
| 500+ | 170.66 грн |
| FGH40N60SMD |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns
Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns
Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 422.48 грн |
| FGH40N60SMD |
![]() |
Виробник: onsemi
IGBTs 600V, 40A Field Stop IGBT
IGBTs 600V, 40A Field Stop IGBT
на замовлення 6767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 439.77 грн |
| 10+ | 246.67 грн |
| FGH40N60SMD |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 555.63 грн |
| 120+ | 472.61 грн |
| 270+ | 432.77 грн |
З цим товаром купують
| FGH60N60SMD Код товару: 60291
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: FAIR/ON
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,9 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 300 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 18/115
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,9 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 300 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 18/115
у наявності: 99 шт
90 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 185.00 грн |
| 10+ | 172.00 грн |
| FGH40N60SFD (FGH40N60SFDTU) Код товару: 79400
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
у наявності: 297 шт
239 шт - склад
35 шт - РАДІОМАГ-Київ
7 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
35 шт - РАДІОМАГ-Київ
7 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 165.00 грн |
| 10+ | 152.00 грн |
| 100+ | 139.00 грн |
| 1 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-1KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 17832
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±1% F
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±1% F
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 3095 шт
785 шт - РАДІОМАГ-Київ
1610 шт - РАДІОМАГ-Львів
700 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1610 шт - РАДІОМАГ-Львів
700 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
30000 шт
30000 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 0.35 грн |
| 1000+ | 0.27 грн |
| 10000+ | 0.22 грн |
| BDX54C (транзистор біполярний PNP) Код товару: 25170
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
у наявності: 114 шт
109 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 22.00 грн |
| 10+ | 19.80 грн |
| 100+ | 17.90 грн |
| PC817A Код товару: 18418
10
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Sharp
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-4
Тип: Транзистор
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 50/50 mA
Uвых,V: 35 V
Ton/Toff,µs: 18/18 µs
Роб.темп.,°С: -30…+100°C
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-4
Тип: Транзистор
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 50/50 mA
Uвых,V: 35 V
Ton/Toff,µs: 18/18 µs
Роб.темп.,°С: -30…+100°C
у наявності: 10186 шт
9496 шт - склад
255 шт - РАДІОМАГ-Київ
175 шт - РАДІОМАГ-Львів
44 шт - РАДІОМАГ-Харків
216 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
255 шт - РАДІОМАГ-Київ
175 шт - РАДІОМАГ-Львів
44 шт - РАДІОМАГ-Харків
216 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 5.00 грн |
| 10+ | 4.40 грн |
| 100+ | 3.90 грн |
| 1000+ | 3.40 грн |









