FGH40N60SMD FAIR/ON
Код товару: 63296
2
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: FAIR/ON
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 2,1 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 80 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 40 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 349 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 12/92
у наявності: 54 шт
- 19 шт - склад
- 14 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 8 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 7 шт
- 7 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 190.00 грн |
| 10+ | 175.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FGH40N60SMD за ціною від 154.95 грн до 424.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FGH40N60SMD | ON-Semiconductor |
IGBT 600V 80A 349W FGH40N60SMD TFGH40N60smdкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FGH40N60SMD | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FGH40N60SMD | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 62037 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FGH40N60SMD | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 62037 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FGH40N60SMD | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 174W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 333 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
FGH40N60SMD | onsemi |
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 36 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 119 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 349 W |
на замовлення 880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FGH40N60SMD | onsemi |
IGBTs 600V, 40A Field Stop IGBT |
на замовлення 5384 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
FGH40N60SMD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGH40N60SMD - IGBT, 80 A, 1.9 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 349W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AB Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FGH40N60SMD |
![]() |
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 160.79 грн |
| FGH40N60SMD |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 48+ | 295.61 грн |
| 120+ | 271.56 грн |
| 270+ | 257.48 грн |
| FGH40N60SMD |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 62037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 318.53 грн |
| 10+ | 243.36 грн |
| 120+ | 218.73 грн |
| 510+ | 197.69 грн |
| FGH40N60SMD |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 62037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 45+ | 319.51 грн |
| 59+ | 244.10 грн |
| 120+ | 219.40 грн |
| 510+ | 198.30 грн |
| FGH40N60SMD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 333 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 341.85 грн |
| 3+ | 270.06 грн |
| 10+ | 227.68 грн |
| 30+ | 199.43 грн |
| FGH40N60SMD |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns
Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns
Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 424.04 грн |
| 30+ | 232.21 грн |
| 120+ | 193.50 грн |
| 510+ | 154.95 грн |
| FGH40N60SMD |
![]() |
Виробник: onsemi
IGBTs 600V, 40A Field Stop IGBT
IGBTs 600V, 40A Field Stop IGBT
на замовлення 5384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FGH40N60SMD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH40N60SMD - IGBT, 80 A, 1.9 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 349W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AB
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - FGH40N60SMD - IGBT, 80 A, 1.9 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 349W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AB
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| FGH60N60SMD Код товару: 60291
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: FAIR/ON
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 1,9 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 120 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 60 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 300 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 18/115
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 1,9 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 120 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 60 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 300 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 18/115
у наявності: 65 шт
- 50 шт - склад
- 9 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 1 шт
- 1 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 185.00 грн |
| 10+ | 172.00 грн |
| FGH40N60SFD (FGH40N60SFDTU) Код товару: 79400
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: FAIR
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 2,3 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 80 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 40 А
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 2,3 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 80 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 40 А
у наявності: 264 шт
- 195 шт - склад
- 31 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 7 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 30 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 1 шт
- 1 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 165.00 грн |
| 10+ | 152.00 грн |
| 100+ | 139.00 грн |
| 1 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-1KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 17832
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 1 кОм
Точність: ±1% F
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 1 кОм
Точність: ±1% F
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
товару немає в наявності
очікується: 30000 шт
- 30000 шт - очікується 06.10.2026
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 0.45 грн |
| 1000+ | 0.27 грн |
| 10000+ | 0.22 грн |
| BDX54C (транзистор біполярний PNP) Код товару: 25170
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220
Напруга Uке, В: 100 В
Напруга Uкб, В: 100 В
Струм Iк, А: 8 А
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220
Напруга Uке, В: 100 В
Напруга Uкб, В: 100 В
Струм Iк, А: 8 А
у наявності: 108 шт
- 103 шт - склад
- 5 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 22.00 грн |
| 10+ | 19.80 грн |
| 100+ | 17.90 грн |
| BCP53-16,115 (SOT-223, Nexperia) Код товару: 25808
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Nexperia
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-223
Гранична частота fT, МГц: 114 МГц
Напруга Uке, В: 80 В
Напруга Uкб, В: 100 В
Струм Iк, А: 1 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 250
УКТЗЕД: 8541 21 00 90
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-223
Гранична частота fT, МГц: 114 МГц
Напруга Uке, В: 80 В
Напруга Uкб, В: 100 В
Струм Iк, А: 1 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 250
УКТЗЕД: 8541 21 00 90
у наявності: 608 шт
- 191 шт - склад
- 189 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 44 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 184 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 20 шт
- 20 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 4.50 грн |
| 10+ | 4.10 грн |
| 100+ | 3.70 грн |
| 1000+ | 3.30 грн |









