FGH60N60SMD FAIR/ON
Код товару: 60291
4
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: FAIR/ON
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 1,9 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 120 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 60 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 300 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 18/115
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 185.00 грн |
| 10+ | 172.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FGH60N60SMD за ціною від 199.66 грн до 675.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FGH60N60SMD | ON-Semiconductor |
IGBT 600V 120A 600 FGH60N60SMD TFGH60N60smdкількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 13 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FGH60N60SMD | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FGH60N60SMD | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FGH60N60SMD | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 180A Mounting: THT Gate charge: 284nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 51 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FGH60N60SMD | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 2190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FGH60N60SMD | onsemi |
Description: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 39 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns Switching Energy: 1.26mJ (on), 450µJ (off) Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 189 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A Power - Max: 600 W |
на замовлення 21762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FGH60N60SMD | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FGH60N60SMD | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FGH60N60SMD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGH60N60SMD - IGBT, Universal, 120 A, 1.9 V, 600 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V MSL: - Verlustleistung: 600W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AB Dauerkollektorstrom: 120A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 1163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
FGH60N60SMD | onsemi |
IGBTs 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2 |
на замовлення 7678 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FGH60N60SMD |
![]() |
на замовлення 13 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 263.83 грн |
| FGH60N60SMD |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 356.10 грн |
| 120+ | 306.46 грн |
| FGH60N60SMD |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 40+ | 356.10 грн |
| 120+ | 306.46 грн |
| FGH60N60SMD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 464.75 грн |
| 10+ | 285.78 грн |
| 30+ | 268.49 грн |
| FGH60N60SMD |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 473.81 грн |
| 60+ | 471.61 грн |
| 120+ | 392.27 грн |
| 270+ | 375.07 грн |
| 510+ | 298.10 грн |
| FGH60N60SMD |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns
Switching Energy: 1.26mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 189 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 600 W
Description: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns
Switching Energy: 1.26mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 189 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 21762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 521.88 грн |
| 30+ | 290.68 грн |
| 120+ | 244.23 грн |
| 510+ | 199.66 грн |
| FGH60N60SMD |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 21+ | 674.47 грн |
| 36+ | 392.98 грн |
| 120+ | 348.09 грн |
| 510+ | 322.83 грн |
| FGH60N60SMD |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 675.08 грн |
| 10+ | 393.33 грн |
| 120+ | 348.41 грн |
| 510+ | 323.13 грн |
| FGH60N60SMD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH60N60SMD - IGBT, Universal, 120 A, 1.9 V, 600 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: -
Verlustleistung: 600W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AB
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - FGH60N60SMD - IGBT, Universal, 120 A, 1.9 V, 600 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: -
Verlustleistung: 600W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AB
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FGH60N60SMD |
![]() |
Виробник: onsemi
IGBTs 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
IGBTs 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
на замовлення 7678 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
З цим товаром купують
| FGH40N60SMD Код товару: 63296
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: FAIR/ON
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 2,1 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 80 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 40 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 349 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 12/92
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 2,1 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 80 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 40 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 349 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 12/92
у наявності: 54 шт
- 29 шт - склад
- 14 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 8 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 190.00 грн |
| 10+ | 175.00 грн |
| IR2110STRPBF Код товару: 45805
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: SOIC-16
Напруга живлення Uc, В: 600 В
Вихідний струм Io ±, А: 2/2 А
Вихідна напруга Vout, В: 10-20 В
Час вмик./вимк. Ton/Toff, ns: 120/94 ns
Робоча температура, °С: -40…+125°С
Конфігурація: Напівміст
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: SOIC-16
Напруга живлення Uc, В: 600 В
Вихідний струм Io ±, А: 2/2 А
Вихідна напруга Vout, В: 10-20 В
Час вмик./вимк. Ton/Toff, ns: 120/94 ns
Робоча температура, °С: -40…+125°С
Конфігурація: Напівміст
у наявності: 177 шт
- 175 шт - склад
- 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 85.00 грн |
| 10+ | 77.50 грн |
| Щупи для тестера з голками (пара) 20A Код товару: 187368
18
Додати до обраних
Обраний товар
|
Інструмент та прилади > Аксесуари до інструменту та обладнання
Тип: Щупи під мультиметр
Опис: Вимірювальний щуп для роботи з SMD елементами. Номінальний струм 20А. Розмір гнізда "Банан" 4мм. Напруга: 1000V CAT.III. Матеріал ізолятора силікону. Довжина дроту 90см.
Тип: Щупи під мультиметр
Опис: Вимірювальний щуп для роботи з SMD елементами. Номінальний струм 20А. Розмір гнізда "Банан" 4мм. Напруга: 1000V CAT.III. Матеріал ізолятора силікону. Довжина дроту 90см.
у наявності: 14 пара
- 12 пара - РАДІОМАГ-Київ
- 1 пара - РАДІОМАГ-Харків
- 1 пара - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 500 пара
- 500 пара - очікується 07.08.2026
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 150.00 грн |
| 10+ | 142.50 грн |
| 1000uF 25V EXR 13x21mm (low imp.) (EXR102M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 2456
5
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 мкФ
Номін. напруга: 25 В
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 13x21 мм
Строк служби: 5000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 мкФ
Номін. напруга: 25 В
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 13x21 мм
Строк служби: 5000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 3643 шт
- 3367 шт - склад
- 80 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 98 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 98 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 8.00 грн |
| 10+ | 7.20 грн |
| 100+ | 6.50 грн |
| 1000+ | 5.80 грн |
| PC817A Код товару: 18418
10
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Sharp
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-4
Тип: Транзисторний
Напруга ізоляції Uізол, кВ: 5 кВ
Струм вх/вих Iвх/Iвих, мА: 50/50 мА
Вихідна напруга Uвих, В: 35 В
Час вмик/вимк Ton/Toff, µs: 18/18 µs
Робоча температура, °С: -30…+100°С
Кількість каналів: 8542 39 90 00
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-4
Тип: Транзисторний
Напруга ізоляції Uізол, кВ: 5 кВ
Струм вх/вих Iвх/Iвих, мА: 50/50 мА
Вихідна напруга Uвих, В: 35 В
Час вмик/вимк Ton/Toff, µs: 18/18 µs
Робоча температура, °С: -30…+100°С
Кількість каналів: 8542 39 90 00
у наявності: 10041 шт
- 9645 шт - склад
- 188 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 162 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 44 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 5.00 грн |
| 10+ | 4.40 грн |
| 100+ | 3.90 грн |
| 1000+ | 3.40 грн |











