FGH60N60SMD FAIR/ON
Код товару: 60291
4
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: FAIR/ON
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,9 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 300 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 18/115
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FGH60N60SMD за ціною від 181.79 грн до 758.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FGH60N60SMD | ON-Semiconductor |
IGBT 600V 120A 600 FGH60N60SMD TFGH60N60smdкількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 13 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FGH60N60SMD | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FGH60N60SMD | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FGH60N60SMD | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 2190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FGH60N60SMD | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 284nC Kind of package: tube Collector current: 60A Pulsed collector current: 180A Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate-emitter voltage: ±20V |
на замовлення 173 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FGH60N60SMD | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FGH60N60SMD | onsemi |
Description: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 39 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns Switching Energy: 1.26mJ (on), 450µJ (off) Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 189 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A Power - Max: 600 W |
на замовлення 15099 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FGH60N60SMD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGH60N60SMD - IGBT, Universal, 120 A, 1.9 V, 600 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 600W Bauform - Transistor: TO-247AB Dauerkollektorstrom: 120A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FGH60N60SMD | onsemi |
IGBTs 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2 |
на замовлення 7793 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FGH60N60SMD | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FGH60N60SMD |
![]() |
на замовлення 13 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 270.95 грн |
| FGH60N60SMD |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 358.49 грн |
| 120+ | 308.71 грн |
| FGH60N60SMD |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 40+ | 358.49 грн |
| 120+ | 308.71 грн |
| FGH60N60SMD |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 31+ | 458.14 грн |
| 60+ | 457.03 грн |
| 120+ | 379.38 грн |
| 270+ | 362.62 грн |
| 510+ | 288.22 грн |
| FGH60N60SMD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 173 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 478.76 грн |
| 10+ | 294.40 грн |
| 30+ | 276.58 грн |
| FGH60N60SMD |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 481.06 грн |
| FGH60N60SMD |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns
Switching Energy: 1.26mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 189 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 600 W
Description: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns
Switching Energy: 1.26mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 189 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 15099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 486.07 грн |
| 30+ | 269.23 грн |
| 120+ | 225.60 грн |
| 510+ | 181.79 грн |
| FGH60N60SMD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH60N60SMD - IGBT, Universal, 120 A, 1.9 V, 600 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FGH60N60SMD - IGBT, Universal, 120 A, 1.9 V, 600 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 519.69 грн |
| 10+ | 299.32 грн |
| 100+ | 275.47 грн |
| 500+ | 232.89 грн |
| FGH60N60SMD |
![]() |
Виробник: onsemi
IGBTs 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
IGBTs 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
на замовлення 7793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 546.83 грн |
| 10+ | 312.06 грн |
| 120+ | 227.66 грн |
| FGH60N60SMD |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 758.40 грн |
| 30+ | 438.99 грн |
| 120+ | 368.82 грн |
| 510+ | 329.47 грн |
З цим товаром купують
| FGH40N60SMD Код товару: 63296
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: FAIR/ON
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 349 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 12/92
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 349 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 12/92
у наявності: 58 шт
33 шт - склад
14 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
14 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 190.00 грн |
| 10+ | 175.00 грн |
| IR2110STRPBF Код товару: 45805
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: SOIC-16
Uc, V: 600 V
I o +/-, A: 2/2 A
V out, V: 10-20 V
T on/T off, ns: 120/94 ns
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: SOIC-16
Uc, V: 600 V
I o +/-, A: 2/2 A
V out, V: 10-20 V
T on/T off, ns: 120/94 ns
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
у наявності: 183 шт
177 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 85.00 грн |
| 10+ | 77.50 грн |
| Щупи для тестера з голками (пара) 20A Код товару: 187368
18
Додати до обраних
Обраний товар
|
Інструмент та прилади > Аксесуари до інструменту та обладнання
Тип: Щупи під мультиметр
Опис: Вимірювальний щуп для роботи з SMD елементами. Номінальний струм 20А. Розмір гнізда "Банан" 4мм. Напруга: 1000V CAT.III. Матеріал ізолятора силікону. Довжина дроту 90см.
Тип: Щупи під мультиметр
Опис: Вимірювальний щуп для роботи з SMD елементами. Номінальний струм 20А. Розмір гнізда "Банан" 4мм. Напруга: 1000V CAT.III. Матеріал ізолятора силікону. Довжина дроту 90см.
у наявності: 3 пара
1 пара - РАДІОМАГ-Київ
1 пара - РАДІОМАГ-Львів
1 пара - РАДІОМАГ-Дніпро
1 пара - РАДІОМАГ-Львів
1 пара - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
529 пара
29 пара - очікується
500 пара - очікується 07.08.2026
500 пара - очікується 07.08.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 150.00 грн |
| 10+ | 142.50 грн |
| 1000uF 25V EXR 13x21mm (low imp.) (EXR102M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 2456
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 13х21mm
Строк життя: 5000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 13х21mm
Строк життя: 5000 годин
товару немає в наявності
очікується:
4000 шт
4000 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 8.00 грн |
| 10+ | 7.20 грн |
| 100+ | 6.50 грн |
| 1000+ | 5.80 грн |
| PC817A Код товару: 18418
10
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Sharp
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-4
Тип: Транзистор
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 50/50 mA
Uвых,V: 35 V
Ton/Toff,µs: 18/18 µs
Роб.темп.,°С: -30…+100°C
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-4
Тип: Транзистор
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 50/50 mA
Uвых,V: 35 V
Ton/Toff,µs: 18/18 µs
Роб.темп.,°С: -30…+100°C
у наявності: 10182 шт
9492 шт - склад
255 шт - РАДІОМАГ-Київ
175 шт - РАДІОМАГ-Львів
44 шт - РАДІОМАГ-Харків
216 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
255 шт - РАДІОМАГ-Київ
175 шт - РАДІОМАГ-Львів
44 шт - РАДІОМАГ-Харків
216 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 5.00 грн |
| 10+ | 4.40 грн |
| 100+ | 3.90 грн |
| 1000+ | 3.40 грн |











