на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 109.45 грн |
| 10+ | 104.11 грн |
| 25+ | 100.77 грн |
| 50+ | 96.09 грн |
| 100+ | 87.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGH40T65SQD-F155 ON Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 16.4ns/86.4ns, Switching Energy: 138µJ (on), 52µJ (off), Test Condition: 400V, 10A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 80 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 238 W.
Інші пропозиції FGH40T65SQD-F155 за ціною від 139.13 грн до 385.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FGH40T65SQD-F155 | Виробник : onsemi |
 Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16.4ns/86.4ns Switching Energy: 138µJ (on), 52µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 80 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 238 W |
на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FGH40T65SQD-F155 | Виробник : onsemi |
IGBTs 650V 40A FS4 TRENCH IGBT |
на замовлення 485 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| FGH40T65SQD-F155 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGH40T65SQD-F155 - FIELD STOP TRENCH IGBT, 650V-80A, TO-247 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| FGH40T65SQD-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 322 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
 |
FGH40T65SQD-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW 3- |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
FGH40T65SQD_F155 | Виробник : onsemi |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16.4ns/86.4ns Switching Energy: 138µJ (on), 52µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 80 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 238 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| FGH40T65SQD-F155 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 119W Pulsed collector current: 160A Gate charge: 80nC |
товару немає в наявності |