Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FGH40T65SQD-F155
FGH40T65SQD-F155

FGH40T65SQD-F155 ON Semiconductor

fgh40t65sqd-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
IGBT, Field Stop, Trench 650 V, 40 A
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+92.84 грн
10+88.31 грн
25+85.48 грн
50+81.51 грн
100+73.90 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGH40T65SQD-F155 ON Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 16.4ns/86.4ns, Switching Energy: 138µJ (on), 52µJ (off), Test Condition: 400V, 10A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 80 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 238 W.

Інші пропозиції FGH40T65SQD-F155 за ціною від 125.38 грн до 354.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FGH40T65SQD-F155 FGH40T65SQD-F155 Виробник : onsemi fgh40t65sqd-d.pdf IGBTs 650V 40A FS4 TRENCH IGBT
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+325.29 грн
10+292.73 грн
30+177.30 грн
120+149.34 грн
270+142.72 грн
510+136.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SQD-F155 FGH40T65SQD-F155 Виробник : onsemi fgh40t65sqd-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16.4ns/86.4ns
Switching Energy: 138µJ (on), 52µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 238 W
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+354.14 грн
30+191.00 грн
120+157.88 грн
510+125.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SQD-F155 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178430-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FGH40T65SQD-F155 - FIELD STOP TRENCH IGBT, 650V-80A, TO-247
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
180+180.74 грн
Мінімальне замовлення: 180
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SQD-F155 Виробник : ON Semiconductor fgh40t65sqd-d.pdf
на замовлення 322 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SQD-F155 FGH40T65SQD-F155 Виробник : ON Semiconductor fgh40t65sqd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW 3-
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SQD-F155 Виробник : ONSEMI fgh40t65sqd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 119W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SQD_F155 FGH40T65SQD_F155 Виробник : onsemi fgh40t65sqd-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16.4ns/86.4ns
Switching Energy: 138µJ (on), 52µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 238 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SQD-F155 Виробник : ONSEMI fgh40t65sqd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 119W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.