на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 89.04 грн |
10+ | 84.69 грн |
25+ | 81.98 грн |
50+ | 78.18 грн |
100+ | 70.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGH40T65SQD-F155 ON Semiconductor
Description: IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 16.4ns/86.4ns, Switching Energy: 138µJ (on), 52µJ (off), Test Condition: 400V, 10A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 80 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 238 W.
Інші пропозиції FGH40T65SQD-F155 за ціною від 115.75 грн до 262.93 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FGH40T65SQD-F155 | Виробник : onsemi |
Description: IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16.4ns/86.4ns Switching Energy: 138µJ (on), 52µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 80 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 238 W |
на замовлення 3580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FGH40T65SQD-F155 | Виробник : onsemi | IGBT Transistors 650V 40A FS4 TRENCH IGBT |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||||||||||||||||
FGH40T65SQD-F155 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGH40T65SQD-F155 - FIELD STOP TRENCH IGBT, 650V-80A, TO-247 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FGH40T65SQD-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 322 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
FGH40T65SQD-F155 | Виробник : ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW 3- |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FGH40T65SQD_F155 | Виробник : onsemi |
Description: 650V FS4 TRENCH IGBT Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16.4ns/86.4ns Switching Energy: 138µJ (on), 52µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 80 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 238 W |
товар відсутній |