FGL60N100BNTDTU ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FGL60N100BNTDTU - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGL60N100BNTDTU ONSEMI
Description: IGBT NPT/TRENCH 1000V 60A TO-264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 1.2 µs, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-264-3, IGBT Type: NPT and Trench, Td (on/off) @ 25°C: 140ns/630ns, Test Condition: 600V, 60A, 51Ohm, 15V, Gate Charge: 275 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 180 W.
Інші пропозиції FGL60N100BNTDTU
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FGL60N100BNTDTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1000V 60A 180000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
FGL60N100BNTDTU | Виробник : onsemi |
Description: IGBT NPT/TRENCH 1000V 60A TO-264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 1.2 µs Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A Supplier Device Package: TO-264-3 IGBT Type: NPT and Trench Td (on/off) @ 25°C: 140ns/630ns Test Condition: 600V, 60A, 51Ohm, 15V Gate Charge: 275 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 180 W |
товару немає в наявності |
|
 |
FGL60N100BNTDTU | Виробник : onsemi / Fairchild |
IGBT Transistors HIGH POWER |
товару немає в наявності |