Продукція > ONSEMI > FGL60N100BNTDTU

FGL60N100BNTDTU ONSEMI

FAIRS39091-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGL60N100BNTDTU - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGL60N100BNTDTU ONSEMI

Description: IGBT NPT/TRENCH 1000V 60A TO-264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 1.2 µs, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-264-3, IGBT Type: NPT and Trench, Td (on/off) @ 25°C: 140ns/630ns, Test Condition: 600V, 60A, 51Ohm, 15V, Gate Charge: 275 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 180 W.

Інші пропозиції FGL60N100BNTDTU

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FGL60N100BNTDTU ONS/FAI fgl60n100bntd-d.pdf IGBT, 1000 V, 60 A, NPT Trench IGBT Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGL60N100BNTDTU FGL60N100BNTDTU onsemi fgl60n100bntd-d.pdf Description: IGBT NPT/TRENCH 1000V 60A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.2 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-264-3
IGBT Type: NPT and Trench
Td (on/off) @ 25°C: 140ns/630ns
Test Condition: 600V, 60A, 51Ohm, 15V
Gate Charge: 275 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 180 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGL60N100BNTDTU FGL60N100BNTDTU onsemi / Fairchild FGL60N100BNTD_D-2313367.pdf IGBT Transistors HIGH POWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGL60N100BNTDTU FGL60N100BNTDTU ON Semiconductor 3656989317130244fgl60n100bntd.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1000V 60A 180mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 375 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGL60N100BNTDTU fgl60n100bntd-d.pdf
Виробник: ONS/FAI
IGBT, 1000 V, 60 A, NPT Trench IGBT Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGL60N100BNTDTU fgl60n100bntd-d.pdf
FGL60N100BNTDTU
Виробник: onsemi
Description: IGBT NPT/TRENCH 1000V 60A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.2 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-264-3
IGBT Type: NPT and Trench
Td (on/off) @ 25°C: 140ns/630ns
Test Condition: 600V, 60A, 51Ohm, 15V
Gate Charge: 275 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 180 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGL60N100BNTDTU FGL60N100BNTD_D-2313367.pdf
FGL60N100BNTDTU
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors HIGH POWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGL60N100BNTDTU 3656989317130244fgl60n100bntd.pdf
FGL60N100BNTDTU
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1000V 60A 180mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 375 шт
В кошику  од. на суму  грн.