FJP5027RTU onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 800V 3A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Power - Max: 50 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 122.28 грн |
| 50+ | 56.08 грн |
| 100+ | 50.04 грн |
| 500+ | 37.02 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FJP5027RTU onsemi
Description: TRANS NPN 800V 3A TO-220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 200mA, 5V, Frequency - Transition: 15MHz, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V, Power - Max: 50 W.
Інші пропозиції FJP5027RTU
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FJP5027RTU | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT HIGH VOLTAGE & |
на замовлення 868 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FJP5027RTU |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT HIGH VOLTAGE &
Bipolar Transistors - BJT HIGH VOLTAGE &
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)