Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > FJP5027RTU
FJP5027RTU

FJP5027RTU onsemi / Fairchild

FJP5027_D-2313284.pdf
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT HIGH VOLTAGE &
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.16 грн
10+72.11 грн
100+48.84 грн
500+41.94 грн
1000+31.63 грн
3000+29.75 грн
5000+28.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FJP5027RTU onsemi / Fairchild

Description: TRANS NPN 800V 3A TO-220-3, Power - Max: 50 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220-3, Frequency - Transition: 15MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 200mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції FJP5027RTU за ціною від 37.02 грн до 122.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FJP5027RTU FJP5027RTU Виробник : onsemi fjp5027-d.pdf Description: TRANS NPN 800V 3A TO-220-3
Power - Max: 50 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Frequency - Transition: 15MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 200mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.28 грн
50+56.08 грн
100+50.04 грн
500+37.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FJP5027RTU Виробник : FAIRCHILD fjp5027-d.pdf
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.