FP15R12W1T4_B3 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A
Case: AG-EASY1B-1
Power dissipation: 130W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: diode/transistor
Technology: EasyPIM™ 1B
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2924.19 грн |
| 2+ | 2619.42 грн |
| 3+ | 2589.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FP15R12W1T4_B3 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A, Case: AG-EASY1B-1, Power dissipation: 130W, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 15A, Pulsed collector current: 30A, Gate-emitter voltage: ±20V, Semiconductor structure: diode/transistor, Technology: EasyPIM™ 1B, Type of semiconductor module: IGBT, Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw.
Інші пропозиції FP15R12W1T4_B3 за ціною від 1456.35 грн до 2586.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FP15R12W1T4_B3 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules IGBT 1200V 15A |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
| FP15R12W1T4-B3 | Виробник : EUPEC | 15A/1200V/PIM |
на замовлення 96 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| FP15R12W1T4_B3 | Виробник : Infineon |
IGBT, 1200В, 15А, 130W Група товару: Силові IGBT-модулі Од. вим: шт |
товару немає в наявності |