| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2737.19 грн |
| 10+ | 1829.06 грн |
| 120+ | 1555.73 грн |
| 504+ | 1540.94 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FP15R12W1T4_B3 Infineon Technologies
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A, Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge, Type of semiconductor module: IGBT, Power dissipation: 130W, Technology: EasyPIM™ 1B, Mechanical mounting: screw, Pulsed collector current: 30A, Max. off-state voltage: 1.2kV, Electrical mounting: Press-in PCB, Semiconductor structure: diode/transistor, Case: AG-EASY1B-1, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 15A.
Інші пропозиції FP15R12W1T4_B3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| FP15R12W1T4-B3 | EUPEC | 15A/1200V/PIM |
на замовлення 96 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FP15R12W1T4-B3 |
Виробник: EUPEC
15A/1200V/PIM
15A/1200V/PIM
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)