FP15R12W1T4_B3

FP15R12W1T4_B3 INFINEON TECHNOLOGIES


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7AFB03D87438E8A15&compId=FP15R12W1T4B3.pdf?ci_sign=87de13b40d54fef0761dd0ea90a3bd47bf610608 Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A
Semiconductor structure: diode/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Power dissipation: 130W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: EasyPIM™ 1B
Case: AG-EASY1B-1
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2765.38 грн
2+2477.17 грн
3+2448.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FP15R12W1T4_B3 INFINEON TECHNOLOGIES

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A, Semiconductor structure: diode/transistor, Type of semiconductor module: IGBT, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Collector current: 15A, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 30A, Power dissipation: 130W, Max. off-state voltage: 1.2kV, Technology: EasyPIM™ 1B, Case: AG-EASY1B-1, Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції FP15R12W1T4_B3 за ціною від 1591.50 грн до 3318.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FP15R12W1T4_B3 FP15R12W1T4_B3 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7AFB03D87438E8A15&compId=FP15R12W1T4B3.pdf?ci_sign=87de13b40d54fef0761dd0ea90a3bd47bf610608 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A
Semiconductor structure: diode/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Power dissipation: 130W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: EasyPIM™ 1B
Case: AG-EASY1B-1
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3318.46 грн
2+3086.93 грн
3+2938.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R12W1T4_B3 Виробник : Infineon Technologies Infineon_FP15R12W1T4_B3_DS_v02_03_EN.pdf IGBT Modules IGBT 1200V 15A
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2827.00 грн
10+1889.06 грн
120+1606.77 грн
504+1591.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R12W1T4-B3 Виробник : EUPEC 15A/1200V/PIM
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.