FP15R12W1T4_B3 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A
Semiconductor structure: diode/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Power dissipation: 130W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: EasyPIM™ 1B
Case: AG-EASY1B-1
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2765.38 грн |
| 2+ | 2477.17 грн |
| 3+ | 2448.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FP15R12W1T4_B3 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A, Semiconductor structure: diode/transistor, Type of semiconductor module: IGBT, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Collector current: 15A, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 30A, Power dissipation: 130W, Max. off-state voltage: 1.2kV, Technology: EasyPIM™ 1B, Case: AG-EASY1B-1, Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FP15R12W1T4_B3 за ціною від 1591.50 грн до 3318.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FP15R12W1T4_B3 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A Semiconductor structure: diode/transistor Type of semiconductor module: IGBT Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Collector current: 15A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Power dissipation: 130W Max. off-state voltage: 1.2kV Technology: EasyPIM™ 1B Case: AG-EASY1B-1 Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
| FP15R12W1T4_B3 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules IGBT 1200V 15A |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
| FP15R12W1T4-B3 | Виробник : EUPEC | 15A/1200V/PIM |
на замовлення 96 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
|
FP15R12W1T4_B3 Код товару: 161328
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > IGBT |
товару немає в наявності
|