на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3096.03 грн |
| 10+ | 2719.26 грн |
| 24+ | 2223.28 грн |
| 48+ | 2149.67 грн |
| 120+ | 2075.41 грн |
| 264+ | 2001.15 грн |
| 504+ | 1908.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FP15R12W1T4_B3 Infineon Technologies
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A, Case: AG-EASY1B-1, Semiconductor structure: diode/transistor, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Type of module: IGBT, Technology: EasyPIM™ 1B, Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 15A, Pulsed collector current: 30A, Gate-emitter voltage: ±20V, Power dissipation: 130W, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FP15R12W1T4_B3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| FP15R12W1T4-B3 | Виробник : EUPEC | 15A/1200V/PIM |
на замовлення 96 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
|
FP15R12W1T4_B3 Код товару: 161328 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||
 |
FP15R12W1T4_B3 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A Case: AG-EASY1B-1 Semiconductor structure: diode/transistor Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: EasyPIM™ 1B Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 15A Pulsed collector current: 30A Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 130W кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
FP15R12W1T4_B3 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A Case: AG-EASY1B-1 Semiconductor structure: diode/transistor Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: EasyPIM™ 1B Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 15A Pulsed collector current: 30A Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 130W |
товар відсутній |